jaeajolissrch-inter.tokai-sc.jaea.go.jp/pdfdata/jaea...kays kays [11] nu 0.022re pr 0.8 0.5 nu re pr...
TRANSCRIPT
������������������������
�����������
������������ �������������� ������������������� �������
�������������� ����������
���������
���������
������������� ������ ���
�����������
��������
���������� ������
���������
������������ �������������������������������
���������������� ������������������������
���������
���������� �
�������������� ���������
������������������ �������������������
���������������
������������������������
�����������������������������������
���������
http://www.jaea.go.jp/index.shtml
319-1195 2 4
029-282-6387, Fax 029-282-5920
319-1195 2 4
This report is issued irregularly by Japan Atomic Energy Agency
Inquiries about availability and/or copyright of this report should be addressed to
Intellectual Resources Section, Intellectual Resources Department,
Japan Atomic Energy Agency
2-4 Shirakata Shirane, Tokai-mura, Naka-gun, Ibaraki-ken 319-1195 Japan
Tel +81-29-282-6387, Fax +81-29-282-5920
© Japan Atomic Energy Agency, 2007
ii
�������� IS ������������������
������������ �����������
����������
��� �� � ��� ��*� � ��� �� � �� ��� � �� �� � �� ���
(2007 � 4 � 11 ���)
����������������������������� IS �������������
�������������������������������������������
�����������������������������������300��500���
�����������������������������������100������
�������������������������������������������
���������������SiC ����������������������������
����������SiC��������������������������������
���������������������������������SiC ��������
��������SiC������������������������������������
������������������������������������������
������������������ SiC �����������������������
����������������������
�����������������������������������������
���������� 16-17 ��������������������������
��������������311-1195� ������������� 2-4 * ���(2006 � 10 ��� IS ���������������)
JAEA-Technology 2007-041
ii
ii
JAEA-Technology 2007-041
Test Fabrication of Sulfuric Acid Decomposer Applied for Thermochemical Hydrogen Production
IS Process
Hiroki NOGUCHI, Hiroyuki OTA*, Atsuhiko TERADA, Shinji KUBO,
Kaoru ONUKI and Ryutaro HINO
Nuclear Applied Heat Technology Division
Nuclear Science and Engineering Directorate
Japan Atomic Energy Agency
Tokai-mura, Naka-gun, Ibaraki-ken
(Received April 11, 2007)
Thermo-chemical Iodine-Sulfur (IS) process produces large amount of hydrogen effectively
without carbon dioxide emission. Since the IS process uses strong acids such as sulfuric acid and
hydriodic acid, it is necessary to develop large-scale chemical reactors featuring materials that
exhibit excellent heat and corrosion resistance. A sulfuric acid decomposer is one of the key
components of the IS process plant, in which sulfuric acid is evaporated and decomposed into water
and sulfur trioxide under temperature range from 300 ºC to 500ºC using the heat supplied by high
temperature helium gas. The decomposer is exposed to severe corrosion condition of sulfuric acid
boiling flow, where only the SiC ceramics shows good corrosion resistance. However, at the current
status, it is very difficult to manufacture the large-scale SiC ceramics structure required in the
commercial plant. Therefore, we devised a new concept of the decomposer, which featured a counter
flow type heat exchanger consisting of cylindrical blocks made of SiC ceramics. Scale up can be
realized by connecting the blocks in parallel and/or in series. This paper describes results of the
design work and the test-fabrication study of the sulfuric acid decomposer, which was carried out in
order to confirm its feasibility.
Keywords� Sulfuric Acid Decomposer, Thermochemical IS Process, Hydrogen Production, HTTR,
SiC Ceramics
A part of the study was performed by JAEA in the “Development of Nuclear Heat Utilization
Technology” under the auspices of the Ministry of Education, Culture, Sports and Technology in the
fiscal year 2004 and 2005.
*: TOSHIBA (Enrolled in the IS process technological group until October, 2006)
iii
iii
�� �
1�� ����.............................................................................................................................1 2� �� ...................................................................................................................................3 2.1 �����.....................................................................................................................3 2.2 ���� ........................................................................................................................3 2.3 ������ .................................................................................................................3
3� �������������������� ............................................................................6 3.1�� ................................................................................................................................6 3.2 ���� ........................................................................................................................6 3.3 ���� ........................................................................................................................7 3.3.1� ��������...................................................................................................7 3.3.2� ������ ..........................................................................................................7
3.4 �� ...............................................................................................................................73.5 ���..............................................................................................................................8
4�� SiC��������� ......................................................................................................9 4.1 �� ...............................................................................................................................94.2 ������� SiC���� ..........................................................................................9 4.3 ���� SiC���� .....................................................................................................9
5������������ ...................................................................................................11 6� ��������............................................................................................................12 6.1 ������ ...............................................................................................................12 6.2������ ................................................................................................................13 6.3���������.....................................................................................................13
7� ���................................................................................................................................15 � �......................................................................................................................................16 ���� ................................................................................................................................17
JAEA-Technology 2007-041
iv
iv
Contents 1� Introduction.........................................................................................................................1 2� Decomposer Design .............................................................................................................3
2.1 Objective.......................................................................................................................3 2.2 Design Concept..............................................................................................................3 2.3 Specification..................................................................................................................3
3� Thermal and Stress Analysis for SiC Ceramic Block ..............................................................6 3.1 Objective of analysis ......................................................................................................6 3.2 Analytical Condition ......................................................................................................6 3.3 Analytical Results ..........................................................................................................7
3.3.1� Analysis of Temperature Distribution .......................................................................7 3.3.2� Analysis of Stress Distribution .................................................................................7
3.4 Evaluation .....................................................................................................................7 3.5 Conclusion ....................................................................................................................8
4�� Fabrication of SiC Ceramic Block ........................................................................................9 4.1 Objective of Fabrication .................................................................................................9 4.2 High Strengthened Reaction Sintering SiC Block .............................................................9 4.3 Atmospheric Sintering SiC Block....................................................................................9
5� Development of High Temperature Corrosion Resistant Seal.................................................11 6� Test Fabrication of Sulfuric Acid Decomposer .....................................................................12
6.1 Design of Test Article ..................................................................................................12 6.2 Fabrication of Test Article ............................................................................................13 6.3 Structural Confirmation Test.........................................................................................13
7� Conclusion ........................................................................................................................15 Acknowledgement ...................................................................................................................16 Reference ..............................................................................................................................17
JAEA-Technology 2007-041
JAEA-Technology 2007-041
- 1 -
1
1�� ����
���������������������������� IS ����[1]��������
�������������������������������������������
������������������������������������300��500��
������������������������������������100�����
�����������������������������[2]�
������������������������SiC ������������������
��������[3]�������������������� SiC ������������
���������������������������������������IS ��
������������������������ 30m3/h �����������������
������������������������[4]�
�����������������������SiC �������������������
�������������������������������������������
����������������������������SiC ��������������
��SiC������������������������������������������
��������������������������������������������
���950������������������������������[5]�������
���������������������������������������������
����������
��������������������������������������������
����������������������������������������������
�������������������������������������������
��������������������������������������������
������������������������ SiC ������������������
��� [6�7�8]�
�������������������������������������500��
4MPa �����������������������������������(1x10-4 Pa�
m3/s)�������������������[7�8]����SiC ������������ CIP
����������Cold Isostatic Press��������������������������
�������� 25cm��� 75cm� SiC ������������[8]��� SiC ���� 2 ��
�����IS �������������������������������������
�����0.6G�������������������������������������
�[9]�
������������������������������������������
���������������30m3/h ���������������IS ����������
JAEA-Technology 2007-041
- 2 -
2
������
���������������������� SiC�������������������
���������������������������
JAEA-Technology 2007-041
- 3 -
3
� 2� ��
2.1 �����
IS�����������������������������������������
������������������������������������������
������������������������������������������
������������������������������������ SiC�������
�������������������[3]�����������������������
�����������������������������������������
�������������������������������
2.2 ����
���������������� 90wt%����������������� SO3����
�������������� 50%����� IS �������������������
30m3/h� IS���������������������������� 2.2-1�������
2.2-1 ������������� SiC ���������������������������
�����������������������������������������
14.8mm ������ 32 ���������� 38 ��� 70 ����������������
���� 1.5m��������������������������������������
������ 0.75m �����������������������2 �����������
��������������������������������������������
���������������������������������������������
��������������������������������������������
������������������������������������������
�������������������������������������������
������������������������������������������
������������������������������������� 6 �����
���
2.3 ������
������������������������������������ 2.3-1 ��
������������������ 2MPaG ��������������������
��������������������������������������������
�������H2SO4�H2O+SO3������������������
�����������������������������������
(a) ���������
JAEA-Technology 2007-041
- 4 -
4
�������������������������������
�������1.5m
���������� 32 �
���������� 14.8mm
1 �������������� 0.0021kg/s
���������������80kW/m2 ��������������������
������[10]�����
� �3224.6 XffY ps�
l
hRY�
�
23
212
2
1 qRhgc
PMX
vvl
lpl
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
��
���
�
� �� �
� �� �3
37.0
3131
ca
c
ap pp
ppppf
�
�
��
�
�
��
�
�
�
��
sf ���������������
pf �������1�
h������ [W/m2K]R�������� [�]
l� ������� [W/mK]M ������=900[m-1]�P������=1.976[W]�
plc ����� [J/kgK]
l� ����� [kg/m3]g������� [m/s2]� ������ [N/m]
v� ������ [kg/m3]
vh� ���� [kJ/kg]q����� [W/m2]p���� [Pa]
JAEA-Technology 2007-041
- 5 -
5
ap ������ [Pa]
cp ������ [Pa]
(b) ���������
���������������������������������
�������1.5m
������������ 38 �
������������ 14.8mm
1 ���������������� 0.0024kg/s
����������������������� Re�6000�Pr�0.7 ���������
����� Kays ��������Kays ��[11]�������
5.08.0 PrRe022.0�Nu
��
Nu ������
Re �������
Pr �������
�������������������������1 ��������������
���������� 2.3-1 ��� 2.3-1 ����������� 2.2-1 ���������
�������������
JAEA-Technology 2007-041
- 6 -
6
� 3� ��������������������
3.1 ��
�������������������������������������������
��������������������������������������������
��������� SiC ���������������� SiC ������������
��������� SiC �������������������������������
SiC ��������������
3.2 ����
(1) �������������������
������������������������������������������
��� 90°��1 / 4 �����������������������������������
�����������������/�������������������������
��������������������������
(2) ����
(a)� ���
���������������������������������������
�����������������������������������������
����������������������������������������
����������� ������������������������������
�������� 2.3-1 ������������������������������
����� ��������������������������������
(b)� ��
���������������� 4MPa ���� 2MPa ��������������
��������������������������������������� ��
�� 4MPa �����������������
(3) �����
�������������� 3.2-1 ������������������������
����
������ABAQUS Ver . 6.4
��������DC3D8 �3 ����������8 ������������
��������C3D8 �3 ����������8 �����������
JAEA-Technology 2007-041
- 7 -
7
(4)� ���
SiC ��������� 3.2-1 ���������������������������
���� S35�40[W/mK]��������������� SiC � 130[W/mK]����� SiC
� 170[W/mK]�������� 3~4 �����������
3.3 ����
3.3.1� ��������
� 3.3-1 ��������������������������������������
������������� 2.3-1 ��������������������������
������������� 140mm ��������������������������
��������������������������������������������
�������������������������������������������
���������������������������������������������
��������������������������������������������
����� 250ºC ����������������������������������
�����������������������������������������
�����������������
3.3.2� ������
� 3.3-2 ��� 3.3-1 �������������������� 3.3-2 ��������
��������������������������������������������
���������������������� 114MPa ����������������
�������������������������������������������
�������������������������������������������
���������������������
3.4 ��
������������������������������������ SiC ���
����� 850MPa �������������������� SiC �������������
� CERASIC) �������� 450MPa�� 3.4-1 ��� ����������������
��������������������������������
�������������������������������������������
��������������[12]�
JAEA-Technology 2007-041
- 8 -
8
� �
mT
m
1
23 12
1
�
�
�
�
�
�
�
�
�
�
� ����
� T� �����
3� �3 �����
m �������
���������������������m ��������������������
�����m = 9 ������������������������������� SiC
( CERASIC ) �������������������������������������
SiC �����������������
m = 9 ��������������� 3 �������� 0 .555 ��������������
������������������������������
���� SiC : 249MPa
������� SiC : 471MPa
������������������������
���� SiC : 2.19
������� SiC : 4.14
�������� SiC �� 2 ������������������������������
�������������������������������������������
SiC ��������������������� SiC �����������������
�� CERASIC �����������������������������������
������������������������
3.5 ���
������������������������������������������
�����������������������������������������
��������������������������������������/����
������������������������������� SiC ��������
���������������������� SiC ��������������������
�����������������
JAEA-Technology 2007-041
- 9 -
9
4�� SiC ���������
4.1 ��
�������������������������������������������
������������������������ SiC �����������������
������������������������������������� SiC ����
����������������������������������������� SiC
���������� SiC ���������������
4.2 ������� SiC ����
(1) ����
������� SiC ������������������� 4.2-1 ������� SiC �
�� C ����������CIP ���� �300x800L �������������������
����������������������� Si �����������������
��������������������
(2) ����
������� SiC �������������������������������
����������������������������������������
4.3 ���� SiC ����
(1) ����
���� SiC ������������������������ SiC ����������
�������������� 4.2-1 ���������� SiC �������������
������������SiC �� Si������������������������
����
���������������CIP �������������SiC ���������
������������������������������������������
������������������������������������������
����������������������
�����������������CIP ���� �300×800L ������������
�����������������������������������������
�������������������������������
�
���������
JAEA-Technology 2007-041
- 10 -
10
���� SiC �����������������������������������
������������������������������� � �����������
���������������������������������������������
������������������������������ ������������
�����������������������
JAEA-Technology 2007-041
- 11 -
11
�
5� �����������
SiC �����������������������������������������
�������������������������������������������
������������������������������������������
�������������������� 5-1 ����������������������
�������������������������������������������
�����������
� ������������������������
� SiC ����������������������������
� SiC ���������������������������
������ 5-2 ���������������������������������
��������70�500���������3����������������������
�������� 4MPa������������������������������ 5-1 ���
������������������������������������������(a)��
3 ������ 500��������(b)�������������������������
500�����������������������������������������
���������������������������������������������
�����������������������500������������ 7.5x10-8 �
3.6x10-4Pa�m3/s �����������������(1x10-4 Pa�m3/s)����������
���������������2MPa������������������ 10NmL �
102NL/(�����)����������������������������������
����������������������������
JAEA-Technology 2007-041
- 12 -
12
6� ��������
6.1 ������
�����������������������������������������
�����������������������SiC ������������������
�������������������������� 6.1-1 ��������������
���������
��������������������������������
� �������
� SiC ����������
� ������
� �������
���������������������������������������
����������
� �����
� ��������
� ��� O ��������
��������5 �������������������SiC �����������
��������������������2 mm O ���������������������
�������������������������������������������
��������������
�� SiC ����������
SiC ����������������������������������������
������������������������������������������
�������������������������������������������
�������������������������������������������
�������������������������������������������
�������������������������������SiC����������
�(����������)�����������������������������
��������������������������������� SUS304 ����
����
�� ������
JAEA-Technology 2007-041
- 13 -
13
����������������������������������������
�����������������������������������������
������������������������������������������
������������������������������������������
100 kg �������� 30,000 kg ������������������������
������������������������������������������
�������������������������������������������
������������������������������������������
�������
6.2 ������
� 6.2-1 ���������������������������������� 6.2-2
�������������������������������������������
��������������������������������������������
�������������������������������������������
�������������������������������������������
������������������SiC �����������������������
�����
6.3 ���������
����������������������������������������
������������������������������������������
�������������
� �����
���������������������� 2MPa ��������������
30 ���������������������������������������
���
� ���������
JIS Z2332 ����������� 6.3-1 �����������������������
������������ 5 ������������ 4 ������������ 70 ��
������������������������������� 0.2MPa��������
����������������������������������������� 1800
����600 �������������������������������������
JAEA-Technology 2007-041
- 14 -
14
������(2.2�2.5)×10-3 Pa�m3/s������������� 1������������
����� 0.79Nm3/y ��������������������� 0.2MPa �������
������������� 10 �� 2MPa �����������������������
���������������
��������������������������������� q ����� �p �
����� �p�q ���������������������������������
�� q1 � p1�q2 � p2 ����������������������������
� � � � � � � q1/q2= (p1/p2)=(4/0.2)=20
���0.79×(20) = 15.8Nm3/y �������������� 7m3 ������������
����� 2.3������������������������������������
�����������������������������������������
�����������������������������������������
����������������������
JAEA-Technology 2007-041
- 15 -
15
7� ���
�� SiC �����������������������������������������
�������������������SiC ���������������������
������������
������������������������������������������
�������
������ 30Nm3/h �������������������� 1/1 ���� SiC �����
����������������
�� 500��4MPa �����������������������������������
�����������������(1x10-4 Pa�m3/s)����������������
���
������ 30Nm3/h �������������������������������
�����������������������������������������
�����������������������SiC ����������������
������������
JAEA-Technology 2007-041
- 16 -
16
� �
�������������������������������������������
�����������
���������������������������������������
������������ 16-17��������������������������
JAEA-Technology 2007-041
- 17 -
17
����
[1] K. Onuki, H. Nakajima, I. Ioka, M. Futakawa, S, Shimizu: IS Process for thermo-chemical
hydrogen production, JAERI-Review 94-006 (1994).
[2] A. Terada, S. Kubo, H. Okuda, S. Kassahara, N. Tanaka: Development of Hydrogen
Production Technology by Thermo-Chemical Water Splitting IS Process, Proc. of GLOBAL
2005, Tsukuba, Japan, Oct 9-13,GLOBAL2005-427.
[3] S. Kubo, M. Futakawa, I. Ioka, K. Onuki, S. Shimizu, K. Ohsaka, A. Yamaguchi, R. Tsukada,
T. Goto: Corrosion test on structural materials for Iodine-Sulfur thermochemical
water-splitting cycle, Proc. 2nd Topical Conf. Fuel Cell Technology, 2003 AIChE Spring
National Meeting, March 30 - April 3, 2003, New Orleans, USA.
[4] S. Kubo, S. Kasahara, Y. Inaba, S. Ishiyama, K. Onuki, R. Hino, “A pilot test plan of
thermochemical water-splitting Iodine-Sulfur process”, Nucl. Eng. Desi., Vol. 233, pp.
355-362 (2004).
[5] R. Hino, K. Haga, H. Aita, K. Sekita:R&D on Hydrogen Production by High Temperature
Electrolysis of Steam, Nucl. Eng. Desi., Vol. 233, pp. 363-375 (2004).
[6] ����������������������������������������
����� ����������, �� 2005-141767
[7] H. Ota, A. Terada, S. Kubo, S. Kasahara, M. Hodotsuka, R. Hino, T. Inatomi, K. Ogura, M.
Kobayashi, S. Maruyama: Conceptual Design of Sulfuric-Acid Decomposer for
Thermo-Chemical Iodine-Sulfur Process Pilot Plant, Proc. 13th Int. Conf. Nucl. Eng., 2005,
Beijing, China, ICONE13-50494.
[8] ���������������������������������� IS �����
������������������������Vol.5�No.1�pp.68-75 (2006)
[9] H. Noguchi, H. Ota, A. Terada, S. Kubo, K. Onuki, R. Hino: Development of Sulfuric Acid
Decomposer for Thermo-Chemical IS Process, Proc. of ICAPP2006, June 4-8, 2006, Reno,
USA, ICAPP2006-6166.
[10] K. Nishikawa and Y. Fujita: Correlation of nucleate boiling heat transfer based on bubble
population density, Int. J. of Heat and Mass Transfer, Vol.20, 3, March 1977, Pages 233-245
[11] W.M. Kays and M.E. Crawford, Convective Heat and Mass Transfer (2nd ed.), McGraw-Hill,
1980, p. 243.
[12] �����������������������������������������
JAEA-Technology 2007-041
- 18 -
18
�� �� ��
�� 2MPaG
�� 4.0kg/min
����� 460/435�
���� 90wt% ��
���� 455�
�� 4MPaG
�� 5.5kg/min ����
����� 710/535�
���� 83kW
����� 80kW/m2
����� ��/���� 32 �/38 �
����� ��/�� 14.8mm/L1.5m
� 2.2 -1� ���������
JAEA-Technology 2007-041
- 19 -
19
�� �� ����
���� kW 82.7
����������� � 710�535
��������� � 435�460
������ MPaG 4.0
���� MPaG 2.0
������ kg/s 0.091
����
���� kg/s 0.066
���������� mm�� �14.8�38
�������� mm�� �14.8�32���� ������ � 1.5
�� ���� ���� ����� ���� ��
(�) (W/mK) ( MPa ) ( - ) (1/K) (kg/m3)
0 120.0 3.98E+05 0.27 3.47E-06 3100
800 81.2 3.98E+05 0.27 3.90E-06 3100
1300 58.2 3.98E+05 0.27 4.40E-06 3100
� 2.3-1� 1 ���������������������������
� 3.2-1� ������� SiC ����
JAEA-Technology 2007-041
- 20 -
20
������� SiC
RS-SiC
���� SiC
CERASIC
�� g/cm3 3.0 3.�
450�RT����� MPa 850
450(1450�)
���� GPa 370 420
���� MPa/m1/2 3.0 3.5
�� HV 1900 2300
���� W/mK 130 170
3.9 �RT-1073K������ 10-6/K
4.3 �RT-1473K�4.5
� 3.4-1� SiC ���
JAEA-Technology 2007-041
- 21 -
21
���� �����
����
����
(Pa�m3/s)
����
��
(MPa)
�����
��������
�������
���
�����3.6x10-4 3.6 1.0x105 N/m
SiC �������������
�����������
���
�����2.2x10-6 2.6 1.2x105 N/m
SiC ��������
���������������
����
�����7.5x10-8 4.0 24 MPa
���� �����
����
����
(Pa�m3/s)
����
��
(MPa)
�����
��������
�������
���
�����6.4x10-8 4.0 2.8x105 N/m
SiC �������������
�����������
���
�����2.7x10-4 3.4 3.0x105 N/m
SiC ��������
���������������
����
�����2.8x10-7 4.0 58 MPa
� 5-1 � ���������
(a) 3 ����������� 500�
(b) 3 ����������� 20�
JAEA-Technology 2007-041
- 22 -
22
� 2.2-1� ����������
He
He
H2SO4(liq.)
H2SO4(vap.),SO3+H2O
���������
���������
�������
�������
SiC������
JAEA-Technology 2007-041
- 23 -
23
�
����
����
����
���� ���� ���� ���� ���� ����
����������������
��
��
����
���
�����������
�����������
����������
�������������
� ������
� � � He� �� Kays
� � � �������
�
���
���
���
���
���
���
���
���
���� ���� ���� ���� ���� ����
����������������
��
��
�
����
����
����� ���
������
��
� ���������
� ����5�
1����������
� 2.3-1� ��������� He������������
JAEA-Technology 2007-041
- 24 -
24
1.5m
�0.25m
��(vap.)��
������
������
SiC�������
����(Au)
SiC����
��(liq.)��
� 3.2-1� ������������(�������� ¼����)
������������
���
���
JAEA-Technology 2007-041
- 25 -
25
� 3.3-1� ����������������
���������
��������
JAEA-Technology 2007-041
- 26 -26
� 3.3-2� ����������������
���
������
He-�����
�������
���250�
������
���He 4MPa)+�(�����)
��������
����114MPa
� (������)
��������
��������
JAEA-Technology 2007-041
- 27 -
27
� 4.2-1� ������� SiC���������
� 4.3-1� ���� SiC���������
CIP���
����
������
������� (��)
JAEA-Technology 2007-041
- 28 -
28
�5-1�
�������������
����������
(O
.D98
mm
,1m
m�)
�����������
�O
.D19
mm
, 1m
mt)
�����������
(O.D
118m
m,0
.5m
mt)
����������
����
�����������
����
�����������
����
JAEA-Technology 2007-041
- 29 -
29
����������������
������
��
���
70��
500�
��������
3�
��
��������
���
4MP
a
����������O
.D19
mm
, 1m
mt)
�������
��������
(O.D
98m
m,1
mm�)
SiC
����
�(1
20m
m��
50m
mt)
�
����
��������
��
He�
�
He�
���
��
��
O���
����
���� Si
C���
��
���
SiC
����
�����
���
��
�
��
He�
�
He�
���
��
��
O���
����
���� Si
C���
��
���
SiC
����
�����
���
��
�
JAEA-Technology 2007-041
- 30 -
30
�6.1-1�
�������������(1/2)
He�
����
����
���
He�
����
�������
SiC������
H2S
O4(
liq.)
H2S
O4(
vap.
), S
O3+
H2O
He
He
He�
����
����
���
He�
����
�������
SiC������
H2S
O4(
liq.)
H2S
O4(
vap.
), S
O3+
H2O
He
He
He�
����
He�
����
����
���
����
���
He�
����
He�
����
�������
�������
SiC������
SiC������
H2S
O4(
liq.)
H2S
O4(
vap.
), S
O3+
H2O
He
He
1.5m
�0.
25m
��
(vap
.)��
������
������
SiC
�����
��
����
(Au)
SiC����
��
(liq.
)��
� ������������
�����������������������
��
(vap
.)��
������
�������������������������
JAEA-Technology 2007-041
- 31 -31
� 6.1-1� �������������(2/2)
������������
���������
�����
���
����
����������
���
���
����������
����������
����
����
����������
�����
���
����
����������
���
����
����
������������
JAEA-Technology 2007-041
- 32 -
32
�6.2-1�
���������������
���
�����
��SiC����������
��SiC�����
���������������
��SiC�����
��
���SiC���������
��SiC�����
��
����������
�
�����
��
���
JAEA-Technology 2007-041
- 33 -
33
�6.2-2�
������������
����
����
������
��
��SiC�
�
����
���������
���
�����
��������
JAEA-Technology 2007-041
- 34 -
34
� 6.3-1� ������������ He�������
http://www.jaea.go.jp/index.shtml
319-1195 2 4
029-282-6387, Fax 029-282-5920
319-1195 2 4
This report is issued irregularly by Japan Atomic Energy Agency
Inquiries about availability and/or copyright of this report should be addressed to
Intellectual Resources Section, Intellectual Resources Department,
Japan Atomic Energy Agency
2-4 Shirakata Shirane, Tokai-mura, Naka-gun, Ibaraki-ken 319-1195 Japan
Tel +81-29-282-6387, Fax +81-29-282-5920
© Japan Atomic Energy Agency, 2007