laboratorio nº 03 informe previo
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8/16/2019 Laboratorio Nº 03 Informe Previo
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Laboratorio Nº 03: EL TRANSISTOR BIPOLAR – POLARIZACION, CORTE
Y SATURACIONChavez Campos, Anthony Justiniano 20121222I Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú
INTRODUCCIÓN
En el presente laboratorio aprenderemos a conocer las caracteristicas de un transistor bipolar, así
como también analizar su uncionamiento del mismo y poder lle!ar a conclusiones de acuerdo a
los !r"icos #ue encontremos ya #ue el transistor puede encontrarse en $ zonas dierentes como
son% zona activa, zona de corte o zona de saturaci&n'
I. OBJETIO
El laboratorio deacuerdo a sus e(perimentos tiene como
inalidad%
• Aprender a usar correctamente el transistor bipolar de
acuerdo a sus caracteristicas técnicas brinadas'• Conocer m"s acerca de las curvas representadas por
los transistores, así como también tener un buen
mane)o de los instrumentos en los cuales
observaremos estas !r"icas *osciloscopio+'
• Analizar de manera e(perimental la recta de car!a así
como encontrar el punto de operaci&n del transistor en
cuesti&n'
• or -ltimo el ob)etivo #ue en cada e(periencia vamos
a obtener es la destreza y monta)e &ptimo de los
circuitos brindados en el e(perimento de laboratorio
II! TEOR"A
A. TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor bipolar es un dispositivo #ue posee tres capas
semiconductoras con sus respectivos contactos llamados.colector *C+, base */+ y emisor *E+'
a palabra bipolar se deriva del hecho #ue internamente
e(iste una doble circulaci&n de corriente% electrones y
la!unas o a!u)eros'
B. CLASIFICACION DE LOS
TRANSISTORES
B.1 Por la disposición de sus capas.
NPN:
• es uno de los dos tipos de transistores bipolares,
en los cuales las letras y se reieren a los
portadores de car!a mayoritarios dentro de las
dierentes re!iones del transistor' a mayoría de los
transistores bipolares usados hoy en día son ,
debido a #ue la movilidad del electr&n es mayor #ue la
movilidad de los huecos en los semiconductores,
permitiendo mayores corrientes y velocidades de
operaci&n'
• os transistores consisten en una capa de
material semiconductor dopado *la base+ entre dos
capas de material dopado ' 3na pe#ue4a corriente
in!resando a la base en coni!uraci&n emisor5com-n
es ampliicada en la salida del colector'• a lecha en el símbolo del transistor est" en la
terminal del emisor y apunta en la direcci&n en la #ue
la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est" en uncionamiento activo'
https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Corriente_convencional&action=edit&redlink=1https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Corriente_convencional&action=edit&redlink=1https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Corriente_convencional&action=edit&redlink=1https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Corriente_convencional&action=edit&redlink=1https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
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debe ocurrir lo contrario'
a combinaci&n de estas dos polarizaciones entre las dos
re!iones nos permitir" hacer traba)ar al diodo en cuatro
zonas de traba)o distintas'
E. CURAS
A#ui mostramos las curvas del transistor /J7'
os transistores de uni&n bipolar tienen dierentes re!iones
operativas, deinidas principalmente por la orma en #ue son polarizados%
RE#IÓN ACTIA
Como acabamos de ver un transistor est" traba)ando en
la zona activa cuando la uni&n de emisor se polariza en
directa y la uni&n de colector en inversa' En el caso de
un transistor pnp, para polarizar la uni&n de emisor endirecta habr" #ue aplicar una tensi&n positiva del lado
del emisor, ne!ativa del lado de la base, o lo #ue es lo
mismo una tensi&n /E positiva' Be i!ual manera,
para polarizar la uni&n de colector en inversa hay #ueaplicar una tensi&n C/ ne!ativa'
RE#ION DE CORTE
3n transistor esta en corte cuando la corriete de colector F
la corriente de emisor F 0, *Ic F Ie F 0+
En este caso el volta)e entre el colector y el emisor del
transistor es el volta)e de alimentaci&n del circuito'
Como no hay corriente circulando, no hay caída de volta)e,
ver ey de @hm' Este caso normalmente se presenta cuandola corriente de base F 0 *Ib F 0+'
'
RE#ION DE SATURACION3n transistor est" saturado cuando la corriente de colector F
la corriente de emisor F la corriente m"(ima, *Ic F Ie F I
m"(ima+
En este caso la ma!nitud de la corriente depende
del volta)e de alimentaci&n del circuito y de
los resistores conectados en el colector o el emisor o en
ambos, ver a ley de @hm'
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base es lo suicientemente !rande como para inducir
una corriente de colector G veces m"s !rande' * recordar #ue
Ic F G H Ib+
R ESPUESTAS A PRE#UNTAS
1. ealice los c!lculos "ara #allar, em"leando el
simulador $%&' ( Ps"ice o similar.
R3
500kΩ
Key=A
55 %
R4
50kΩKey=B
2.505 %
R5
10Ω
R6
10kΩ
V1
12 VU1
DC 1e-009Ohm
0.040m A+ -
U2
DC 10MOhm3.792 V+
-
U3
DC 1e-009Ohm6.501m A+
-
Q2
23904
R3
500kΩKey=A
26 %
R4
50kΩKey=B
0.549 %
R5
10Ω
R6
10kΩ
V1
12 V
U1
DC 1e-009Ohm
0.0!0m A+ -
U2
DC 10MOhm!.003 V+
-
U3
DC 1e-009Ohm0.014 A+
-
Q2
23904
R1
1!0kΩ
R2
1kΩ
V1
1 V"k1k#$0
V2
12 V
Q2
BC54!B&
http://www.unicrom.com/Tut_corriente_electrica.asphttp://www.unicrom.com/Tut_voltaje.asphttp://www.unicrom.com/Tut_voltaje.asphttp://www.unicrom.com/Tut_leyohm.asphttp://www.unicrom.com/Tut_leyohm.asphttp://www.unicrom.com/Tut_resistencia.asphttp://www.unicrom.com/Tut_corriente_electrica.asphttp://www.unicrom.com/Tut_voltaje.asphttp://www.unicrom.com/Tut_leyohm.asphttp://www.unicrom.com/Tut_resistencia.asp
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R1
56kΩ
Key=A 50 %
R2
47kΩ
R3
1kΩ
R4
1kΩ
Q1
BC54!B&
V1
12 V
). *imule los "asos de la guía de la+oratorio y
anote las tensiones y corrientes ue se "iden en
el e-"erimento.
VCE IC(m
A)
0.2 5.46
3
0.5 6.24
4
1 6.26
6
2 6.35
0
3 6.43
4
4 6.51
9
5 6.60
4
6 6.68
87 6.77
2
8 6.85
7
9 6.94
2
10 7.02
5
. %on los valores o+tenidos con el simulador,
#aga las gr!/icas de las curvas0Ic vs ce2 Ic vs
I+2 vs2 +eta vs Ic e I+ vs +e y o+tenga el
gr!/ico de res"uesta en /recuencia indicando la
ganancia de tensión vs. Frecuencia usando la
escala logarítmica.
3. $+tenga el 'ata *#eet del transistor y
determine las características de corte y
saturación así como el "unto de o"eración del
)N )))) y el )N 453.
El data s#et se encuentra en la ultima "agina.
6. 7ue volta8e &% de entrada "uede so"ortar el
transistor )N )))) y el )N 453
Las características se encuentran en la última
"agina.
9. 'etermine la im"edancia de entrada y salida a
95 :;
III! E$UIPOS Y %ATERIALES
os materiales a utilizar en el laboratorio son%
• @sciloscopio y dos puntas de prueba
• 1 multímetro
• 1 !enerador de ondas
• 1 panel de cone(i&n ctransormador 220% 12 ac
• 1 amperimetro analo!ico
• Biodos% 2 EB
• 7ransistores% 22222 o 2$
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A+ >ida las resistencias y los potenci&metros con el
multímetro y anote los valores'
/+ Betermine los terminales del transistor con el
multímetro o use los manuales e imprima ElBata 9heet obtenida en Internet *ota% si el
multímetro tiene probador de transistores -selo+
C+ Arme el si!uiente circuito% 7en!a cuidado de
colocar correctamente los terminales deltransistor'
B+ 9i usa un transistor e#uivalente bus#ue en eldata sheet sus características y modii#ue si es
necesario el volta)e de entrada'
E+ erii#ue las cone(iones con el multímetro,
a)uste la uente a 12 '% y conéctela al circuito'
6+ a corriente de base * I
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! BIBLIO#RA"A
=1> 6uente del nave!ador
#tt"0((???.eui"osyla+oratorio.com(sitio(conten
idos@mo."#"AitB13C3
=)> 6uente del nave!ador
#tt"0((osilosco"i5.+logs"ot."e()51(15(cali+raci
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http://osiloscopi0.blogspot.pe/2013/10/calibracion-de-osciloscopio.htmlhttp://osiloscopi0.blogspot.pe/2013/10/calibracion-de-osciloscopio.htmlhttp://osiloscopi0.blogspot.pe/2013/10/calibracion-de-osciloscopio.htmlhttp://osiloscopi0.blogspot.pe/2013/10/calibracion-de-osciloscopio.html