laboratorio nº 03 informe previo

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  • 8/16/2019 Laboratorio Nº 03 Informe Previo

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    Laboratorio Nº 03: EL TRANSISTOR BIPOLAR – POLARIZACION, CORTE

    Y SATURACIONChavez Campos, Anthony Justiniano 20121222I Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería

     Lima, Perú

    [email protected]

    INTRODUCCIÓN

    En el presente laboratorio aprenderemos a conocer las caracteristicas de un transistor bipolar, así

    como también analizar su uncionamiento del mismo y poder lle!ar a conclusiones de acuerdo a

    los !r"icos #ue encontremos ya #ue el transistor puede encontrarse en $ zonas dierentes como

    son% zona activa, zona de corte o zona de saturaci&n'

    I. OBJETIO

      El laboratorio deacuerdo a sus e(perimentos tiene como

    inalidad%

    • Aprender a usar correctamente el transistor bipolar de

    acuerdo a sus caracteristicas técnicas brinadas'• Conocer m"s acerca de las curvas representadas por 

    los transistores, así como también tener un buen

    mane)o de los instrumentos en los cuales

    observaremos estas !r"icas *osciloscopio+'

    • Analizar de manera e(perimental la recta de car!a así

    como encontrar el punto de operaci&n del transistor en

    cuesti&n'

    • or -ltimo el ob)etivo #ue en cada e(periencia vamos

    a obtener es la destreza y monta)e &ptimo de los

    circuitos brindados en el e(perimento de laboratorio

    II! TEOR"A

     A. TRANSISTOR BIPOLAR

      El transistor bipolar es un dispositivo #ue posee tres capas

    semiconductoras con sus respectivos contactos llamados.colector *C+, base */+ y emisor *E+'

    a palabra bipolar se deriva del hecho #ue internamente

    e(iste una doble circulaci&n de corriente% electrones y

    la!unas o a!u)eros'

     B. CLASIFICACION DE LOS 

    TRANSISTORES 

     B.1 Por la disposición de sus capas.

     NPN:

    •   es uno de los dos tipos de transistores bipolares,

    en los cuales las letras y se reieren a los

     portadores de car!a mayoritarios dentro de las

    dierentes re!iones del transistor' a mayoría de los

    transistores bipolares usados hoy en día son ,

    debido a #ue la movilidad del electr&n es mayor #ue la

    movilidad de los huecos en los semiconductores,

     permitiendo mayores corrientes y velocidades de

    operaci&n'

    • os transistores consisten en una capa de

    material semiconductor  dopado  *la base+ entre dos

    capas de material dopado ' 3na pe#ue4a corriente

    in!resando a la base en coni!uraci&n emisor5com-n

    es ampliicada en la salida del colector'• a lecha en el símbolo del transistor est" en la

    terminal del emisor y apunta en la direcci&n en la #ue

    la corriente convencional circula cuando el dispositivo

    est" en uncionamiento activo'

    https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Corriente_convencional&action=edit&redlink=1https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Corriente_convencional&action=edit&redlink=1https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Corriente_convencional&action=edit&redlink=1https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Corriente_convencional&action=edit&redlink=1https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)

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    debe ocurrir lo contrario'

    a combinaci&n de estas dos polarizaciones entre las dos

    re!iones nos permitir" hacer traba)ar al diodo en cuatro

    zonas de traba)o distintas'

     E. CURAS

    A#ui mostramos las curvas del transistor /J7'

    os transistores de uni&n bipolar tienen dierentes re!iones

    operativas, deinidas principalmente por la orma en #ue son polarizados%

    RE#IÓN ACTIA

    Como acabamos de ver un transistor est" traba)ando en

    la zona activa cuando la uni&n de emisor se polariza en

    directa y la uni&n de colector en inversa' En el caso de

    un transistor pnp, para polarizar la uni&n de emisor endirecta habr" #ue aplicar una tensi&n positiva del lado

    del emisor, ne!ativa del lado de la base, o lo #ue es lo

    mismo una tensi&n /E positiva' Be i!ual manera,

     para polarizar la uni&n de colector en inversa hay #ueaplicar una tensi&n C/ ne!ativa'

    RE#ION DE CORTE

     3n transistor esta en corte cuando la corriete de colector F

    la corriente de emisor F 0, *Ic F Ie F 0+

    En este caso el volta)e entre el colector y el emisor del

    transistor es el volta)e de alimentaci&n del circuito'

    Como no hay corriente circulando, no hay caída de volta)e,

    ver  ey de @hm' Este caso normalmente se presenta cuandola corriente de base F 0 *Ib F 0+'

    '

    RE#ION DE SATURACION3n transistor est" saturado cuando la corriente de colector F

    la corriente de emisor F la corriente m"(ima, *Ic F Ie F I

    m"(ima+

    En este caso la ma!nitud de la corriente depende

    del volta)e de alimentaci&n del circuito y de

    los resistores conectados en el colector o el emisor o en

    ambos, ver a ley de @hm'

    Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de

     base es lo suicientemente !rande como para inducir 

    una corriente de colector G veces m"s !rande' * recordar #ue

    Ic F G H Ib+

    R ESPUESTAS A PRE#UNTAS

    1. ealice los c!lculos "ara #allar, em"leando el 

     simulador $%&' ( Ps"ice o similar.

    R3

    500kΩ

    Key=A

    55 %

    R4

    50kΩKey=B

    2.505 %

    R5

    10Ω

    R6

    10kΩ

    V1

    12 VU1

    DC 1e-009Ohm

    0.040m   A+   -

    U2

    DC 10MOhm3.792   V+

    -

    U3

    DC 1e-009Ohm6.501m   A+

    -

    Q2

    23904

    R3

    500kΩKey=A

    26 %

    R4

    50kΩKey=B

    0.549 %

    R5

    10Ω

    R6

    10kΩ

    V1

    12 V

    U1

    DC 1e-009Ohm

    0.0!0m   A+   -

    U2

    DC 10MOhm!.003   V+

    -

    U3

    DC 1e-009Ohm0.014   A+

    -

    Q2

    23904

    R1

    1!0kΩ

    R2

    1kΩ

    V1

    1 V"k1k#$0

    V2

    12 V

    Q2

    BC54!B&

    http://www.unicrom.com/Tut_corriente_electrica.asphttp://www.unicrom.com/Tut_voltaje.asphttp://www.unicrom.com/Tut_voltaje.asphttp://www.unicrom.com/Tut_leyohm.asphttp://www.unicrom.com/Tut_leyohm.asphttp://www.unicrom.com/Tut_resistencia.asphttp://www.unicrom.com/Tut_corriente_electrica.asphttp://www.unicrom.com/Tut_voltaje.asphttp://www.unicrom.com/Tut_leyohm.asphttp://www.unicrom.com/Tut_resistencia.asp

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    R1

    56kΩ

    Key=A 50 %

    R2

    47kΩ

    R3

    1kΩ

    R4

    1kΩ

    Q1

    BC54!B&

    V1

    12 V

    ). *imule los "asos de la guía de la+oratorio y

    anote las tensiones y corrientes ue se "iden en

    el e-"erimento.

    VCE IC(m

    A)

    0.2 5.46

    3

    0.5 6.24

    4

    1 6.26

    6

    2 6.35

    0

    3 6.43

    4

    4 6.51

    9

    5 6.60

    4

    6 6.68

    87 6.77

    2

    8 6.85

    7

    9 6.94

    2

    10 7.02

    5

    . %on los valores o+tenidos con el simulador,

    #aga las gr!/icas de las curvas0Ic vs ce2 Ic vs

     I+2 vs2 +eta vs Ic e I+ vs +e y o+tenga el 

     gr!/ico de res"uesta en /recuencia indicando la

     ganancia de tensión vs. Frecuencia usando la

    escala logarítmica.

    3. $+tenga el 'ata *#eet del transistor y

    determine las características de corte y

     saturación así como el "unto de o"eración del 

    )N )))) y el )N 453.

     El data s#et se encuentra en la ultima "agina.

    6. 7ue volta8e &% de entrada "uede so"ortar el 

    transistor )N )))) y el )N 453

     Las características se encuentran en la última

     "agina.

    9. 'etermine la im"edancia de entrada y salida a

    95 :; 

    III! E$UIPOS Y %ATERIALES

    os materiales a utilizar en el laboratorio son%

    • @sciloscopio y dos puntas de prueba

    • 1 multímetro

    • 1 !enerador de ondas

    • 1 panel de cone(i&n ctransormador 220% 12 ac

    • 1 amperimetro analo!ico

    • Biodos% 2 EB

    • 7ransistores% 22222 o 2$

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    A+ >ida las resistencias y los potenci&metros con el

    multímetro y anote los valores'

    /+ Betermine los terminales del transistor con el

    multímetro o use los manuales e imprima ElBata 9heet obtenida en Internet *ota% si el

    multímetro tiene probador de transistores -selo+

    C+ Arme el si!uiente circuito% 7en!a cuidado de

    colocar correctamente los terminales deltransistor'

    B+ 9i usa un transistor e#uivalente bus#ue en eldata sheet sus características y modii#ue si es

    necesario el volta)e de entrada'

    E+ erii#ue las cone(iones con el multímetro,

    a)uste la uente a 12   '% y conéctela al circuito'

    6+ a corriente de base * I  

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    6/6

    ! BIBLIO#RA"A

    =1> 6uente del nave!ador

    #tt"0((???.eui"osyla+oratorio.com(sitio(conten

    idos@mo."#"AitB13C3

    =)> 6uente del nave!ador

    #tt"0((osilosco"i5.+logs"ot."e()51(15(cali+raci

    onDdeDoscilosco"io.#tml 

    http://osiloscopi0.blogspot.pe/2013/10/calibracion-de-osciloscopio.htmlhttp://osiloscopi0.blogspot.pe/2013/10/calibracion-de-osciloscopio.htmlhttp://osiloscopi0.blogspot.pe/2013/10/calibracion-de-osciloscopio.htmlhttp://osiloscopi0.blogspot.pe/2013/10/calibracion-de-osciloscopio.html