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Lötbare Leiterplattenoberflächen
im Vergleich
Dr. L. Weitzel
8. Europäisches Elektroniktechnologie-Kolleg 2005
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1. Einführung
2. Lötoberflächen
3. Eigenschaften und Besonderheiten
4. Normen
5. Zusammenfassung
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Auswahlkriterien für Leiterplattenoberflächen
LötenBondenKlebenEinpressen
thermische BeständigkeitLangzeitstabilitätLagerfähigkeit
FunktionalitätLayoutBauelemente
Zuverlässigkeit KostenUmweltverträglichkeitFügbarkeit
Prozess
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Übersicht Leiterplattenoberflächen
Lötoberflächen sonstige Anwendungen (z.B. Stecker)
chemisch Nickel/Sudgold chemisch Nickel/Reduktivgoldchemisch Nickel/Palladium/Sudgold galvanisch Nickel/Gold (Softgold, Hartgold)chemisch Palladiumchemisch Silberchemisch ZinnOSP
HASL (SnPb)HASL (bleifrei)
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Leiterplattenlötoberflächen
• HASL SnPb • HASL bleifrei
• chemisch Ni/Au• chemisch Ag
• chemisch Sn• OSP
chemisch Agchemisch Ni/Au OSPHASL chemisch Sn
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Chemisch Nickel-Sudgold
• typ. Ni Schicht 4-7µmAbscheidung in chemischenProzeß; ReduktionsmittelNaH2PO2
• typ. Au Schicht 0,07-0,1µmAustauschreaktion
• niedrige Prozesstemperaturen (~90°C)
• ebene Schicht
Schliff durch Leiterplattenpad
Au
Ni
Cu
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Chemisch Nickel-Sudgold
Prozessablauf :
80°C25°C45°C 90°C 55°C
Sudgold Reinigung Trocknenchem. NickelAktivierenVorreinigung
Reinigung und
ung der Oberf
Spülun
Entfett
läche
gAkti
vieru
ng dläc
he mer
Oberf
it Pd
Besch
ichtung
Ni sb
ad
Besch
ichtung
Ausb
ad
Spülung
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Chemisch Nickel-Sudgold
Ni/Au Anlage
automatische Anlage inkl. Feed und Bleed System undonline Kontrolle der Prozeßparameter
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Chemisch Nickel-Sudgold
Nickeloberfläche unter dem Lichtmikroskop
max. Vergrößerung650 fach
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Chemisch Nickel-Sudgold
Nickeloberfläche unter dem Elektronenmikroskop
Vergrößerung5000 fach
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Chemisch Nickel-Sudgold
Anwendungen für chem. NiAu
Fine Pitch StrukturenµVias
TastaturenAl-Draht Bonden
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Chemisch Nickel-Sudgold
schematischer Aufbau einer BGA Lötstelle
FR4Cu
BGA Ball
Lötstoppmaske
intermetallische Phase
Ni-Schicht
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Chemisch Nickel-Sudgold
schematischer Aufbau einer Lötstelle mit chemisch Nickel-Sudgold
Lötzinn
NiPNiP+
intermetallische PhaseNi-Sn-Au
Cu
FR4
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Chemisch Nickel-Sudgold
Lötstelle mit chemisch Nickel-Sudgold
intermetallische Phase Ni-Schicht
Cu-Schicht
SnPb Lot
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Chemisch Silber
• typ. Ag Schicht 0,1-0,4µmAustauschreaktion
• sehr niedrige Prozesstemperaturen (~50°C)
• ebene Schicht
• sehr gute Lötbarkeit/Lotdurchstieg
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Chemisch Silber
Prozessablauf :
25°C 35°C 55°C 55°C35°C
Kondition-ierung
TrocknenPredip BeschichtungVorreinigung
Reinigung und
ung der Oberf
Spülunläc
he
Entfett
gKonditio
nierung d
Oberfläc
he
Spüluner
g Predip
&
Oxiden
tfern
ung Bes
chich
tung
& Spülungsb
ad
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Chemisch Silber
Cu(s) + 2 Ag+(aq) Cu2+
(aq) + 2 Ag(s)
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Chemisch Silber
Aufnahmen vom Elektronenmikroskop
sehr gleichmässige und plane Oberfläche
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Chemisch Silber
Prinzipieller Aufbau einer chemisch Silber Schicht
org. Schutzschicht(sehr dünn ~10Å)
Organo-Silber Schicht(Schichtdicke 0,1-0,4µm)
Cu AL
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Chemisch Silber
Anwendungen
Fine Pitch &HDI
LeiterplattenAl-Draht Bonden
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Chemisch Silber
schematischer Aufbau einer Lötstelle mit chemisch Silber
Cu
Lötzinn
intermetallische PhaseSn-Cu
Ag diffundiert während des Lötprozessesin das Lötzinn
die intermetallische Phasewird zwischen dem Cu unddem Sn gebildet !
FR4
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Chemisch Silber
Lötstelle mit chemisch Silber
intermetallische Phase
Cu-Schicht
SnPb Lot
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Chemisch Silber
©NIST
Silber bildet mit Kupfer
keine intermetallische Phase
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Chemisch Silber
Löt-Interface mit SnPb
Sample Area No 5
EDX Spektrum
©Cookson
kein Ag in intermetallischer Phase
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Chemisch Silber
Löt-Interface mit SnAgCu
Stereomikroskop Elektronenmikroskop
Schliffebene
SnAg3Cu0,5 Lot & Ag der Leiterplatte
IMP SnCu
Cu
Rückstreubild derintermetallischen Zone
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Chemisch Silber
Löt-Interface mit SnAgCu
Ag Sn
Rückstreubild
Cu
IMP SnCu
SAC Lot
Cu
intermetallische Phase SnCu
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Chemisch Zinn
• typ. Sn Schicht 0,7-1µmAustauschreaktion
• niedrige Prozesstemperaturen (~70°C)
• ebene Schicht
• gute Lötbarkeit/Lotdurchstieg
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Chemisch Zinn
Prozessablauf :
30°C 25°C 65°C 55°C35°C
Vorreinigung Predip Beschichtung Spülung &TrocknenMikroätze
Reinigung und
ung der Oberf
Spülunläc
he
Entfett
gKonditio
nierung d
Oberfläc
erhe
Predip
Sn-Bes
chich
tungsbad
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Chemisch Zinn
2Cu(s) + Sn2+(aq) 2Cu+
(aq) + Sn(s)
Sn -0.14V
0 ln1 Cu
R TE E cF += + •ii
Nernst´sche Gleichung
Sn2++1/2O2+H2O Sn4++2OH-
Sn4++4H2O Sn(OH)4+4H+
SnO2+2H2O
Gefahr der Verschlammungdes Zinnbades
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Chemisch Zinn
Anwendungen für chem. Sn
Fine Pitch StrukturenHDI Leiterplatten
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Chemisch Zinn
schematischer Aufbau einer Leiterplatte mit chemisch Zinn
Cu
chemisch Zinnintermetallische PhaseSn-Cu
Sn :Schmelztemperatur 232°C
SnO (SnO2)
FR4
Die Bildung der intermetallische Phase Sn-Cu startet schon direkt nach demBeschichtungsvorgang der Leiterplatte.
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Chemisch Zinn
Wachstum der intermetallischenPhase zwischenCu und Sn
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Chemisch Zinn
schematischer Aufbau einer Lötstelle mit chemisch Zinn
intermetallische PhaseSn-Cu
Cu
SAC Lot
FR4
Lötzinn
Cu
FR4
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Chemisch Zinn
Whiskerbildung
chemisch Zinn
innere Dehnungs- u. Zugspannungen
IMPSn-Cu
Cu
FR4
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Chemisch Zinn
Whisker freie/reduzierte Prozesse
chemisch ZinnIMPSn-Cu
Cu
FR4
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OSP (Organic Solderability Preservative)
• typ. OSP Schicht 0,2-0,4µm
• sehr niedrige Prozesstemperaturen (~50°C)
• ebene Schicht
• sehr gute Lötbarkeit/Lotdurchstieg
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OSP (Organic Solderability Preservative)
Prozessablauf :
30°C 25°C 40°C 55°C30°C
Vorreinigung Precoat Beschichtung Spülung &TrocknenMikroätze
Reinigung und
ung der Oberf
Spülun
Entfett
läche
gKonditio
nierung d
Oberfläc
erhe
Precoat
tellung der
Cu Ionen
OSP-B
esch
ichtungsb
ad
Bereits
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OSP (Organic Solderability Preservative)
Beispiel : Entek 106A +
++Cu
N
NC R N
N
C R N
N
C R N
N
C R
++Cu ++Cu ++Cu
N
N
C R N
N
C R N
N
C R N
N
C R
Cu Cu Cu CuCu Cu Cu Cu
• Bildung einer organometallischen, monomolekularen Schicht• Selektiver Aufbau der Schicht mittels Kupferionen
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OSP (Organic Solderability Preservative)
schematischer Aufbau einer Lötstelle mit OSP
Cu
Lötzinn
intermetallische PhaseSn-Cu
die OSP Schicht verschwindetwährend des Lötvorgangs
die intermetallische Phasewird zwischen dem Cu unddem Sn gebildet !
FR4
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Bleifrei HASL
• typ. HASL Schicht 1-40µm
• sehr hohe Prozesstemperaturen (~270°C)
• unebene/ballige Schicht
• gute Lötbarkeit/Lotdurchstieg
• Legierung SnCu, SnCuNi, SnAgCu
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Bleifrei HASL
Prozessablauf :30°C 270°C 30°C30°C
Reinigung &TrocknungBeschichtungVorreinigung Flußmittel
Reinigung und
ung der Oberf
Spülunläc
he
Entfett
g
Aufbringen
des
Flußmittels
Besch
ichtung
Eintauch
en und A
bblasen
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Bleifrei HASL
Schichtdickenverteilung
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Bleifrei HASL
Test mit bleifrei HASL
eventuell erhöhter Kupferabtrag
eventuell Beeinträchtigung der Leiterplattenzuverlässigkeit bei therm . Belastung
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Eigenschaften und Besonderheiten
Eigenschaften und Besonderheiten
• Schichtstärkenvariation• Oberflächenisolationsmessungen (SIR)• Oberflächenverunreinigung• Lagerzeitbestimmung• Besonderheiten
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Schichtstärkenvariation
Schichtdickenverteilung HASL
chem. Oberfläche
Hot Air Solder Levelling
chemische Oberflächen
Schichtdicke vs Beschichtungszeit
0
0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0 2 4 6 8
t [min]
Schi
chtd
icke
[µm
]Schichtdicke = Fkt (Beschichtungszeit)
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Schichteigenschaften
Oberflächenisolationsmessungen am Beispiel chem. Silber
50X original 150X original 1000X original
keine Migration; 500h 85°C/85%rF
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Schichteigenschaften
Oberflächenisolationsmessungen am Beispiel chem. Silber
IPC TM 650 85°C/85%rF
9
10
11
12
13
14
0 2 4 6 8
t [Tage]
log
Wid
erst
and
[Ohm
]
IPC Standard1x109 Ohm
SIR-Messung
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Schichteigenschaften
Ionische Verunreinigung : Ionographmessung
0
0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0 10 20 30 40 50t [min]
Veru
nrei
nigu
ng [µ
g/cm
2 NaC
l Äqu
ival
ent]
I Ag ENIG
IPC Standard1µg/cm2 NaCl
nach 6 MonatenLagerung
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Lagerzeitbestimmung
Lagerzeitbestimmung am Beispiel chem. Silber
1 cm
4 h 155 °C 6 h 155 °C
® Enthone
visuelle Kontrolle nach Ofenlagerung
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Lagerzeitbestimmung
Lagerzeitbestimmung am Beispiel chem. Silber
1 cm
3 x Reflow (260 °C) 6 x Reflow (260 °C)
® Enthone
visuelle Kontrolle nach Reflowprozesses
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Lagerzeitbestimmung
Lagerzeitbestimmung am Beispiel chem. Silber
Anzahl Reflows
90
92,5
95
97,5
100
2,45 2,95 4,2 9,83
Beschichtungszeit [min]
Loch
füllg
rad
[%]
0 1x 2x 3x
©Enthone
0
0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0 1 2 3 4 5
t [sec]
F [m
N/m
m]
SAC 0XSAC 3XSAC 6X
Benetzungsverhalten nach Reflowprozesses
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Lagerzeitbestimmung
Lebensdauer Langzeittest am Beispiel von chem. Silber
Benetzungsverhalten nach Langzeitlagerung
-0,1
-0,05
0
0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
0 1 2 3 4 5 6 7 8
t [sec]
F [m
N/m
m]
88 Tage 239 Tage
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Besonderheiten
Lötoberflächen in Kombination mitViafüll- und Kennzeichendruck
KennzeichnungsdruckViazudruck
beide Lacksysteme werden thermisch ausgehärtet !
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Normen
Leiterplattennormen
• IPC-A-600F Abnahmekriterien für Leiterplatten• IPC 6011• IPC-6012A starre Leiterplatten• IPC 6013A flexible Leiterplatten• IPC-TM650 Testmethoden
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Leiterplattenoberflächen
bleifrei typ. Schichtdicken
Löt-verbindung
Eben-heit
Eignung für Fine
Pitch
Temperaturstress im Prozeß
bond-fähig
Einpress-technik
HASL (SnPb) - 1-40 µm CuSn - o hoch - +
HASLz.B. SnCuNi + 1-40µm CuSn - o hoch - +
chem. Ag + 0,1-0,4µm CuSn + + niedrig +(Al) +
chem. Ni/Au + Ni 4-7µmAu 0,07-0,1µm NiSn + + niedrig +(Al) o
chem. Sn + 0,7-1µm CuSn + + niedrig - +
OSP + 0,2-0,4µm CuSn + + niedrig - +
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