ltspiceを活用したトランジスタの基本特性シミュレーション

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回路シミュレーションサービスを提供するマルツエレックのSPICE入門講座。LTspiceを活用したトランジスタの基本特性シミュレーションの資料です。 http://www.marutsu.co.jp/ キーワード:Ic-hFE特性、飽和電圧特性、スイッチング特性

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Page 1: Ltspiceを活用したトランジスタの基本特性シミュレーション

LTspice を活用したトランジスタの基本特性シミュレーション

Ic-hFE 特性飽和電圧特性スイッチング特性

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2014 年 10 月 24 日マルツエレック株式会社

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Page 2: Ltspiceを活用したトランジスタの基本特性シミュレーション

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トランジスタの SPICE モデルについて

トランジスタの SPICE モデルには幾つかの種類があります。エバースモルモデルとガンメルプーンモデルです。エバースモルモデルはモデルが古く、現在では、フォトカプラ、フォト IC のトランジスタ表現に採用されているくらいであり、ガンメルプーンモデルが主流です。今回のトランジスタの SPICE モデルもガンメルプーンモデルを採用しています。

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トランジスタのデバイスモデリング教材について

ガンメルプーンモデルを PSpice Model Editor を使用したデバイスモデリングの教材をご提供しています。是非、ご活用下さい。各電気的特性とパラメータモデルの関連性も記載されているので、LTspice でもパラメトリック解析にてデバイスモデリング可能です。

http://www.marutsu.co.jp/pc/i/130715/

トランジスタのデバイスモデリング教材についての詳細情報は下記の URL でご確認下さい。

Page 3: Ltspiceを活用したトランジスタの基本特性シミュレーション

Ic-hFE 特性

評価回路図3Copyright(C) MARUTSU ELEC CO. LTD

Page 4: Ltspiceを活用したトランジスタの基本特性シミュレーション

Ic-hFE 特性

シミュレーション結果

IchFE

Ib

X 軸は Ic(Q1) に軸変換します。

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Page 5: Ltspiceを活用したトランジスタの基本特性シミュレーション

飽和電圧特性

評価回路図5Copyright(C) MARUTSU ELEC CO. LTD

Page 6: Ltspiceを活用したトランジスタの基本特性シミュレーション

飽和電圧特性

シミュレーション結果

VBE(sat)=850.692m[V]

VCE(sat)=323.778m[V]

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Page 7: Ltspiceを活用したトランジスタの基本特性シミュレーション

スイッチング特性

Data Sheet の測定条件Ic=2.5[A]IB1=0.5[A]IB2=1[A]RL=60[Ω]VBB2=4[V]

2 ( )2

4 0.851

VBB Vbe satIB

RB

RB

RB=4.85[Ω]

1 ( )1

1 0.850.5

4.85

VBB Vbe satIB

RBVBB

VBB1=3.275[V]

① ベース抵抗 RB の値を決定する②VPULSE の条件を決定する

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Page 8: Ltspiceを活用したトランジスタの基本特性シミュレーション

スイッチング特性

評価回路図8Copyright(C) MARUTSU ELEC CO. LTD

Page 9: Ltspiceを活用したトランジスタの基本特性シミュレーション

スイッチング特性

シミュレーション結果

IB1=0.5[A]

IB2=1.0[A]

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Page 10: Ltspiceを活用したトランジスタの基本特性シミュレーション

Appendix A

トランジスタの SPICE モデルトランジスタは、新電元工業製品の「 2SC4054 」を採用した。 Gummel-Poon モデルであり、順逆方向特性に再現性のある解析精度の高い SPICE モデルである。

*$* PART NUMBER: 2SC4054* MANUFACTURER: SHINDENGEN* All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004.MODEL Q2SC4054 NPN+ IS=2.4201E-12 BF=92.371 VAF=44.700+ IKF=4.5256 ISE=5.4332E-12 NE=1.2547+ BR=3.2573 VAR=1.8738 IKR=20+ ISC=11.004E-9 NC=1.8738 NK=.65071+ RB=.16891 RC=95.122E-3 CJE=2.2596E-9+ VJE=.53979 MJE=.30943 CJC=321.38E-12+ VJC=.53259 MJC=.4805 TF=21.000E-9+ XTF=10 VTF=10 ITF=1+ TR=427.00E-9*$

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Page 11: Ltspiceを活用したトランジスタの基本特性シミュレーション

Appendix B

シミュレーションデータの格納先

Ic-hFE 特性飽和電圧特性スイッチング特性

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