mcp (マイクロチャンネルプレート) & mcpアッセンブリ · 1...

MCP (マイクロチャンネルプレート)& MCPアッセンブリ

1

MCP（マイクロチャンネルプレート）は、真空中において電子・イオン・真空紫外線・Ｘ線・γ線などを、2次元的に増倍し検出するセンサです。円形と矩形のMCPがあり、それらに電極リード等をマウントして手軽にお使いいただけるMCPアッセンブリも提供しております。「質量分析」・「半導体検査装置」・「表面分析」をはじめ各種分析装置に幅広く使用されています。MCPアッセンブリには、用途に応じた3種類の出力読み出し系があります。シングルアノード（有効領域内の入力を電流として出力）・マルチアノード（信号の入射位置ごとに電流を出力）・蛍光面（可視光として出力）から最適なものをお選びください。また、MCPは1～3段までお選びいただけます。必要に応じたゲインが得られ、アナログモード（直流電流として計測）・カウンティングモード（微弱信号をパルス計測）での使用が可能です。

右下に示すように、MCPの入力側・出力側2つの電極間に電圧VＤを供給すると、チャンネル方向に電位勾配が生まれます。ここで入射電子が入力側の内壁に当たると、複数の二次電子が放出されます。これらの二次電子は電位勾配によって出力側に加速されるため、初速度によって決まる放物線軌道を描きます。そして反対側の内壁に衝突して再び二次電子を放出します。このようにして電子はチャンネルの内壁に何回も衝突しながら出力側へ進んでいき、結果として指数関数的に増倍された電子が取り出されます。

概要概要

動作原理動作原理

MCPの厚さをチャンネルの長さとみなし、このチャンネル長Lとチャンネル径dの比をα (=L/d)と呼び、αと材料固有の二次電子放出係数がMCPのゲインを決定します。αは通常40～60で製作されますが、必要なチャンネル径とこのαの設計値により厚さが決まります。

構造模式図

TMCPC0002JF

■厚さ

プレートの入射面に対する垂直軸を基準としたチャンネルの軸の傾きです。このバイアス角は検出効率や入力信号がチャンネル壁に衝突せず突き抜けてしまうことの防止、解像度などを考慮して通常5°～15°の適切な値が選ばれます。

■バイアス角

有効面積に対するチャンネル開口部面積の比率です。■開口率 (Open Area Ratio: OAR)

チャンネル径: d

チャンネル内壁

ストリップ電流

入射電子出射電子

VD

出力側電極

入力側電極

長さ: L

概要概要

動作原理動作原理

2

■MCPゲイン特性 ■パルス波高分布: PHD

0 1.0 2.0 3.0103

104

105

供給電圧 (kV)

ゲイン

106

107

108

MCP3段

MCP1段

MCP2段

TMCPB0005JB TMCPB0034JD

■MCP飽和特性（出力直線性）

TMCPB0072JB TMCPB0042JF

アナログモードカウンティングモード

特性特性

高開口率 (OAR): ファネルタイプ（オプション）高開口率 (OAR): ファネルタイプ（オプション）

パルス波高 (チャンネル数)

カウント数

(s-

1 )

MCP2段 MCP3段

開口率 (OAR)は通常60 %に設定されますが、多くの信号をチャンネルに導くため、開口率を最大90 %まで向上させた「ファネル」タイプもご用意できます。ご希望の場合はお問い合わせください。

12 µm12 µm

イオン

チャンネル

断面構造図▲チャンネル入口形状（SEM画像） ▲チャンネル入口形状（SEM画像）

イオン

チャンネル

断面構造図

150

100

50

010-8 10-7 10-6 10-5 10-4

出力電流 (A)

相対ゲイン

(%

)

標準 MCP抵抗: 200 MΩ有効径: 20 mm

ワイドダイナミックレンジ MCP抵抗: 7.5 MΩ有効径: 20 mm

108

10-8 10-7 10-6 10-5 10-4

出力電流 (A)

カウント数

(s-1

)

107

106

105

104

ワイドダイナミックレンジ MCP抵抗: 22.4 MΩ / MCP2段ゲイン: 8 × 106 , 有効径: 20 mm

標準 MCP抵抗: 400 MΩ / MCP2段ゲイン: 5 × 106

有効径: 20 mm

特性特性

高開口率 (OAR): ファネルタイプ（オプション）高開口率 (OAR): ファネルタイプ（オプション）

標準品OAR 60 %

ファネルMCPOAR 90 %

3

MCP単体仕様と外形寸法図MCP単体仕様と外形寸法図

円形

TMCPA0056JA

MCPF0006

MCP単体仕様と外形寸法図MCP単体仕様と外形寸法図

NOTE: 1MCP入力側を示します。形は製品により異なります。2ストリップ電流とは、MCP IN-OUT間に電圧をかけたときにチャンネル壁にそって流れる電流のことであり、電圧÷MCP抵抗で与えられます。

3供給電圧1.0 kV、真空度1.3 × 10-4 Pa、動作周囲温度+25 °C4真空度1.3 × 10-4 Pa5F1551-01, F1094-01, F1552-01, F1208-01, F1217-01は、センターホール (φ6 mm)タイプもございます。

単位

mmmmmmmmμmμm度%——

MΩpA·cm-2

—kV°C

F1552 -015 -011 -074

F1094 -015-074-011-06 -015 -011 -074

φ24.8φ23.9φ20

10～50

0.481215

インコネル104

0.5ストリップ電流 2の7 %まで

1.0-50～+70

8

15～200

φ32.8φ31.8φ27

60

6.7～33.3

0.36

7.5

5×103

10～100

0.36

7.5

5×103

6.7～66

12 12

F1551

0.481215860

100～700

0.245

55

104

10～100

0.36

7.5

5×103

20～200

0.48121512

20～100

φ17.9φ17φ14.5

8

50～500

項目型名

外形寸法　A電極エリア　B有効エリア　C厚　　　さ　Dチャンネル径チャンネルピッチバイアス角度 θ開口率電極材料ゲイン (Min.) 3

抵抗 3

暗電流 (Max.) 3

最大直線性出力 3

供給電圧 4

動作周囲温度 4

0.481215

104

F2395-04

φ113.9φ112φ105

5～50

F1942-04

φ86.7φ84.7φ77

10～100

8

10～200

12

104

4～20

φ49.9φ49φ420.481215

F1208-01 -015 -011

φ38.4φ36.5φ320.4812158

20～100

125318

F1217

入力側表示 1

D

θ

出力側入力側

A B C

4

矩形

MCPF0011

TMCPA0057JA

単位

mmmmmmmmμmμm度%——

MΩpA·cm-2

—kV°C

F2370-01

15.9×9.415×8.513×6.5

100～500

F4772-01

61.9×13.961×1355×80.481215

F2806-01

49.9×39.949×3945×35

20～200

F1943-02

87.9×37.987×37

81×32.50.601519

F2805-03

59.9×59.958×5853×530.802025

20～120

F2396-04

96.9×78.995.6×77.3

90×721.002531

10～50

項目型名

外形寸法 A×A'電極エリア B×B'有効エリア C×C'厚　　さ　Dチャンネル径チャンネルピッチバイアス角度 θ開口率電極材料ゲイン (Min.) 3

抵抗 3

暗電流 (Max.) 3

最大直線性出力 3

供給電圧 4

動作周囲温度 4

860

インコネル104

0.5ストリップ電流 2の7 %まで

1.0-50～+70

C

B

A

入力側出力側

D

入力側表示 1

θ

C’

B’

A’

フランジ部

信号読み出しリード

MCP

5

検出対象

+/-イオン

電子

X線

真空紫外線

信号量測定 TOF検出（Time of Flight）

MCPアッセンブリ目的別セレクションガイドMCPアッセンブリ目的別セレクションガイド

円形

P.9 P.10 P.11 P.12 P.12 P.13 P.13 P.14 P.14

矩形小型スタンダード高速応答小型フローティングアノードグラウンド小型・4 µm MCP

ページ

スタンダード円形・矩形タイプがあります。円形タイプには、さらに小型化したタイプもあります。

デマンタブル捕えるX線～電子の強弱に応じMCPを3段まで組込むことが可能です。ネジ止めによるマウント方式であるためMCPを交換することができます。

センターホール（穴開き）中央部に穴の開いた構造となっており、そこからイオン・X線などをサンプルに照射し、サンプルからの信号を高効率で検出できます。

高速応答

高速信号の読み出し用に設計されたアノードです。“リンギング”と呼ばれる波形のうねりを無くし、きれいで高速な信号出力が得られます。

イオン・X線、etc.

サンプル

出力波形

信号量を測定

MCPアッセンブリ目的別セレクションガイドMCPアッセンブリ目的別セレクションガイド

到達時間の差を測定

MCPF0081 MCPF0088

6

MCP

信号読み出し系1: シングルアノード2: マルチアノード3: 蛍光面

位置検出画像読出

P.15 P.8 P.8 P.9 P.10 P.9 P.10 P.16

ハトメ高速応答円形矩形ハトメ円形矩形真空フランジ付

ハトメ

デマンタブルタイプのようにMCPの交換はできませんが、小型・安価です。

薄型

狭いスペースに設置可能です。配線接続が2ヶ所で済むためメンテナンスが簡単です

MCPからの出力電荷を、蛍光体の塗布されたガラス面板で可視光像に変換します。MCP1段で40 µm～50 µm、2段で80 µm～100 µmの解像度を有しています。蛍光体はP43, P46, P47の3種類からお選びください。（詳しい仕様は9ページをご覧ください。）

マルチアノード

特長• 1次元（1×n）、2次元（a×n）に任意の読み出しパターンが可能•同時計数（並列読み出し）が可能•高い計数率•アノードピッチ: 3 mm以上

蛍光面出力

マルチアノードMCP

イオン・X線、etc.

信号

信号量と位置分布

を測定

信号分布を画像として捕らえる

蛍光面

MCP

イオン・電子

電子

TMCPC0104JA

(15.1)(5.6)

MCPF0077 MCPF0082

7

MCPアッセンブリは主に「質量分析」・「半導体検査装置」・「表面分析」に使用されています。その代表的用途に最適なタイプをお選びいただくためのセレクションガイドです。該当する用途例がない場合、弊社までお気軽にお問い合わせください。

MCPアッセンブリ用途別セレクションガイドMCPアッセンブリ用途別セレクションガイド

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円形MCPデマンタブルタイプ（シングルアノード）

矩形MCPデマンタブルタイプ（シングルアノード）

円形MCPハトメタイプ（シングルアノード）

F2223-21SH

F4294-09

F4655/-14

F4655-10/-11

F4655-13

F9890-31/-32, F9892-31/-32

F9890-13/-14, F9892-13/-14

F12334-11, F12395-11, F12396-11

円形MCPデマンタブルタイプ（マルチアノード）

矩形MCPデマンタブルタイプ（マルチアノード）

円形MCPハトメタイプ（マルチアノード）

円形MCPデマンタブルタイプ（蛍光面）

矩形MCPデマンタブルタイプ（蛍光面）

F2225-21PGF

F6959

検出方法

総量測定・ＴＯＦ検出

MCPアッセンブリ

用途

位置検出

画像読出

分　　野質量分析半導体検査装置表面分析

ポジトロン検出

軟Ｘ線顕微鏡

透過電子顕微鏡

電界イオン顕微鏡

低速電子線解析

中速反射電子線解析

軟Ｘ線分光

真空紫外線分光

ラザーフォード後方散乱分光

Ｘ線光電子分光

イオン散乱分光

オージェ電子分光

ＦＩＢシステム

マスクアライナー

電子、イオンビーム露光装置

線幅測長器

走査イオン顕微鏡

走査電子顕微鏡

二次イオン質量分析

誘導結合形高周波プラズマ質量分析

ガスクロ／液クロ質量分析

二重集束型質量分析

四重極質量分析

飛行時間質量分析

ＴＯＦ‐ＭＳ

ＳＸＭ

ＴＥＭ

ＦＩＭ

ＬＥＥＤ

ＲＭＥＥＤ

ＳＸＳ

ＶＵＶＳ

ＲＢＳ

ＥＳＣＡ

ＩＳＳ

ＡＥＳ

ＥＢＭＳ

ＳＩＭ

ＳＥＭ

ＳＩＭＳ

ＩＣＰ‐ＭＳ

ＧＣ／ＬＣ‐ＭＳ

セクターＭＳ

Ｑ‐ＭＳ

ＬＣ‐ＭＳ

ＭＡＬＤＩ

‐ＭＳ

◎：最適　○：使用可能

MCPアMCPアッセンッセンブリ用途別セレクションガイドブリ用途別セレクションガイド

円形 MCP アッセンブリ（ハトメタイプ）にのみ対応です。その他 MCP 単体 / アッセンブリのご注文につきましては、型名をそのままご指定ください。* お客様ご自身で読み出し系をご用意される場合、読み出し系無しでのご提供となります。

8

MCPアッセンブリ仕様と外形寸法図MCPアッセンブリ仕様と外形寸法図（単位: mm）（単位: mm）

円形（ハトメ）の型名ガイド円形（ハトメ）の型名ガイド

読み出し系サフィックス無し: 読み出し系無し *S: シングルアノード

チャンネル径型名: アッセンブリタイプ 1: 12 µm

MCP段数1: 1段2: 2段3: 3段

F1551-21S

TMCPA0027JF

アノード種類 MCP段数読み出し系無しシングルアノードマルチアノード

1～3段

記号説明単位A

B

C

D

外形寸法MCP有効エリア

高さ

リード線ピッチ径

mm

mm

mm

mm

F1551

27

14.5

22.5

F1094

34

20

29.5

F1552

42

27

4.5

5.7

5.7

37.5

F1208

49

32

44

F1217

62

42

56

1段2段3段

MCP

マルチアノードタイプは寸法が異なります。アノードなしのタイプも対応可能です。

真空ベーキングは、装置を1.3 × 10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。

1MCP-IN リード2MCP-OUT リード3アノードリード

（4本）（2本）（2本）

ハトメ2本

ハトメ1本

ハトメ1本

ハトメ1本

1

1

1

1

2

2

3

3

30°

30°

B有効エリア

A D

30 MIN.C

MCP

アノードリード線

8 ×

0.

5S

US

蛍光面タイプはありません。


円形（ハトメ）の型名ガイド円形（ハトメ）の型名ガイド

型名チャンネル径

(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)

ダークカウント(Max.)

(s-1·cm-2)

MCP供給電圧

(kV)

MCP-OUT−アノード間供給電圧

(kV)

パルス波高分解能(Max.)

(%)

1 1 2 21

F1551F1094F1552F1208F1217

12 1 ～ 3MCP1段: 1 × 104

MCP2段: 1 × 106

MCP3段: 1 × 107

MCP2段: 120MCP3段: 80

MCP1段: 1.0MCP2段: 2.0MCP3段: 3.0

シングルアノード: 0.5マルチアノード: 0.5

3（MCP2段および3段）

NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C2真空度1.3 × 10-4 Pa

円形（ハトメ）

9

蛍光面蛍光面

■発光分布特性 ■残光特性TMCPB0090JB TMCPB0091JA

残光時間 (s)

10-8 10-7 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2

相対出力

(%

)

10-2

10-1

100

101

102

入射光パルス幅

100 ns

P47

P46

P43DC3

100 ns1 ms

1 ms

蛍光面最大電流 8 nA/cm2

残光時間は読み出し方法・用途に合わせ、発光波長は読み出しデバイスの受光感度に合わせてお選びください。

P43

P46

P47

545

510

400

1

0.3

0.3

標準タイプ残光時間が短い

残光時間が非常に短い

NOTE: 1供給電圧: 6 kV。P43を1としたときの相対値です。　　　　2入射パルス幅により変わります。

種類最高発光波長 (nm)

1 ms

0.2 µs ～ 0.4 µs 2

0.11 µs

10 %残光時間相対エネルギー効率 1

黄緑黄緑青紫

発光色備考

3連続入射光がなくなった場合の残光特性



円形（デマンタブル）

アノード種類 MCP段数読み出し系無しシングルアノードマルチアノード蛍光面

1～3段

1～2段

記号説明単位A

B

C

D

E

F

G

H

外形寸法固定用ネジ穴ピッチ径インシュレータ外径MCP有効エリア読み出し系有効エリア最大高基板底からインシュレータ表面までの距離MCP入力面からインシュレータ表面までの距離

mm

mm

mm

mm

mm

mm

mm

mm

F2226

123

115

103

77

75

17

12.9

14.4

15.9

3.8

4.3

4.8

F2225

86

78

66

42

40

15

F2224

75

67

55

32

30

15

F2223

69

61

49

27

24

15

10.9

11.9

11.9

2.8

3.3

2.9

F2222

61

53

41

20

17

15

F2221

54

46

34

14.5

10

15

1段2段3段1段2段3段

MCP

MCP

型名によって形状が異なることがあります。TMCPA0026JI

F2226はリード取り出しが60°毎

* PEEK: ポリエーテルエーテルケトン

350 400 450 500 550 600 650 700

波長 (nm)

100

80

60

40

20

0

相対出力

(%

)

P47

P46

P43

20

3.5

4 × 4.5

4 × 3.5

3 × 3.5

MCP-OUTリード

E

1.0

G

F

3

0.3 t

読み出し系

ガス抜き用間隙

基板

チャンネルバイアス方向

MCP

インシュレータPEEK

ナベネジM2PEEK

電極リード

アノードまたは蛍光面リード

6

45°MCP-INリード

D C B A

H

蛍光面蛍光面



(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)


(s-1·cm-2)

MCP供給電圧

(kV)


(kV)


(%)

1 1 2 21

F2221F2222F2223F2224F2225F2226

12

25

下記「アノード種類」

参照

MCP1段: 1 × 104

MCP2段: 1 × 106

MCP3段: 1 × 107



シングルアノード: 0.5マルチアノード: 0.5蛍光面: 3.0 ～ 4.0



10


外形寸法固定用ネジ穴ピッチインシュレータ外形MCP有効エリア読み出し系有効エリア基板底からインシュレータ表面までの距離MCP入力面からインシュレータ表面までの距離

アノード種類 MCP段数読み出し系無しシングルアノードマルチアノード蛍光面

1～3段

1～2段

記号説明単位A×A'

B×B'

C×A'

D×D'

E×E'

F

G

mm

mm

mm

mm

mm

mm

mm

F2813

128×54

120×46

104×54

81×31

80×30

10.9

11.9

11.9

2.7

3.1

2.5

F2814

96×76

86×68

76×76

53×53

50×50

10.9

11.9

12.9

2.5

2.7

2.9

F3490

78×29.5

72×18

66×29.5

55×8

52×7

11.9

3.8

3.3

2.9

1段2段3段1段2段3段

MCP

MCP

型名によって形状が異なることがあります。

TMCPA0029JH

円形/矩形MCPアッセンブリ（デマンタブルタイプ）にのみ対応です。その他MCP単体/アッセンブリのご注文につきましては、型名をそのままご指定ください。*お客様ご自身で読み出し系をご用意される場合、読み出し系無しでのご提供となります。読み出し系に蛍光面をご使用の場合、変更すべき点がございますので、あらかじめ弊社までお問い合わせください。

円形 / 矩形（デマンタブル）の型名ガイド円形 / 矩形（デマンタブル）の型名ガイド

読み出し系サフィックス無し: 読み出し系無し *S: シングルアノードM: マルチアノードP: 蛍光面（P43、P46、P47から選択。9ページ参照）

チャンネル径

型名: アッセンブリタイプ1: 12 µm2: 15 µm（矩形タイプのみ）3: 20 µm（矩形タイプのみ）4: 25 µm（円形タイプのみ）

MCP段数1: 1段2: 2段3: 3段

F2224-21P

* PEEK: ポリエーテルエーテルケトンこの外形寸法図はF2813です。他型名については別途お問い合わせください。

チャンネルバイアス方向

E’

電極リード

4 × 3.5

3 × 3.5

C’

B’

A’

6

203.5

MCP-OUTリード

MCP-INリード

DC

79

BA

アノードまたは蛍光面リード

H

MCPナベネジM2

PEEKインシュレータPEEK

G F3

読み出し系E

基板

ガス抜き用間隙

0.3 t

矩形（デマンタブル）


(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)


(s-1·cm-2)

MCP供給電圧

(kV)


(kV)


(%)

1 1 2 21

F2813

F2814

F3490

15

20

12

下記「アノード種類」

参照

MCP1段: 1 × 104

MCP2段: 1 × 106

MCP3段: 1 × 107



シングルアノード: 0.5マルチアノード: 0.5蛍光面: 3.0 ～ 4.0



円形 / 矩形（デマンタブル）の型名ガイド円形 / 矩形（デマンタブル）の型名ガイド

11


F4655真空ベーキングは、装置を1.3 × 10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。 * P.C.D. (Pitch Circle Diameter)

TMCPA0001JK

* P.C.D. (Pitch Circle Diameter)

F4655-14

TMCPA0086JC


60°

120°

3

3.5

14.

5有効エリア

18

63.

5

アノードリード

MCP-OUTリード

3 × 2.2 P.C.D.* 25.6MCP-INリード 0.5t

SUS

2

7.5

8.5

アノード

シールド板（基板と同電位）

基板

60°

120°

3

3.5

14.

5有効エリア

18

63.

5


3 × 2.2 P.C.D.* 25.6MCP-INリード

3 × M1.6 長さ12P.C.D.* 21.5

0.5tSUS

2

7.5 (4.5)

(8)

シールド板（基板と同電位）

アノード

基板

固定用 (M1.6)

MCP-OUTリード


(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)


(s-1·cm-2)

MCP供給電圧

(kV)


(kV)


(%)

1 1 2 21

F4655F4655-14

12 2 5 × 107 50 2.5 0.53



12

TMCPA0002JI

F2223-21SH真空ベーキングは、装置を1.3 × 10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。 * P.C.D. (Pitch Circle Diameter)


F4294-09

TMCPA0042JG

41

10

27

有効エリア

8不感部

4 × 2.6P.C.D.* 50.8

45°

6 31 2 3 4

8.6

1.6

56

.5センターパイプ（内径

: 4）

センターパイプ（外径

: 5）

MC

Pセンターホール

6

1メッシュリード2MCP-IN リード3MCP-OUT リード4アノードリード

4 × 1

基板

メッシュ

9.5

SMA コネクタ

アノード

基板

インシュレータ

45°

3

4 × 3.5P.C.D.* 61

27

有効エリア

49

69

20

12

不感部

314.617 (8.5)

5.3

センターパイプ（内径

: 6）

センターパイプ（外径

: 7）

MC

Pセンターホール

10

MCP-IN リードMCP-OUT リード


(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)


(s-1·cm-2)

MCP供給電圧

(kV)


(kV)


(%)

1 1 2 21

F2223-21SHF4294-09

12 2 1 × 106 —

MCPセンター不感部分

(mm)

8 12

2.0 0.53


13

F9890-13/-14, F9892-13/-14

F9890-31/-32, F9892-31/-32

TMCPA0082JE

TMCPA0075JC

ABCDEFG

F9890-13

1210

27 81 63

72 52

F9890-14

11.69.6

F9892-13

1210

42 92 75

84 64

F9892-14

11.69.6

CA有効エリア

B

1.6

5

21.3DE

3 45°

信号BNC1

MCP-OUTリード

MCP-INリード4 × 4.5

1SMAコネクタタイプも対応可能

24 GF

ABCDE

F

GHI

MCP-INリードMCP-OUTリードアノードリード

F9890-31

20.218.213.5

27 81 63

15.219.4 35 72 52

F9890-32

19.917.913.9

F9892-31

20.218.213.5

42 92 75

15.219.4 40 84 64

F9892-32

19.917.913.9

結線例

アンプ

アノードメッシュ

信号出力(SMA) 50 Ω

入力

（500 V動作を推奨）

アッセンブリ

+500 VMax.

+2 kVMax.

-10 kV ～ +10 kV

OUTIN

MCP（2段）基板

1 MΩ

140 pF(40 kV)

150 pF × 4 (15 kV)

フローティング動作可能な電源


アノード

(3 W)

2 MΩ

(1 W)

0.5 MΩ

+2.5 kVMax.

-10 kV ～ +10 kV

OUTIN


デバイダ回路を用いた場合


結線例

アッセンブリ基板

（500 V動作を推奨）

-500 VMax.

-2 kVMax.

OUTIN


アンプ

信号出力(BNC) 50 Ω

入力

(3 W)

2 MΩ

(1 W)

0.5 MΩ

-2.5 kVMax.

OUTIN


MCP（2段） 150 pF × 4 (3 kV)


4 × 4.5PCD* 84

IHA有効エリア

CB G 1

.65

44.5D

35E

3 F


信号SMA

MCP-OUTリード

MCP-INリードPCD* 6445°


(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)


(s-1·cm-2)

MCP供給電圧

(kV)


(kV)


(%)

1 1 2 21

F9890-13F9890-14F9890-31F9890-32F9892-13F9892-14F9892-31F9892-32

126126126126

2 1 × 106 150

パルス幅(FWHM)

(ps)

900

450

1200

700

2.0 0.53



14

F4655-10/-13* P.C.D. (Pitch Circle Diameter)

F4655-11

TMCPA0021JH

TMCPA0085JC

AF4655-10

2F4655-13

3

18.1

(31.9)

310.3

A

0.5

基板

アノード

アノード端子(BNC)

14

.5有効エリア

18

63.

5

38

32 × 2.2P.C.D.* 25.6

MCP-INリード

30°

30°

MCP-OUTリード3 × 3.5P.C.D.* 32

シールド板(基板と同電位)

120°

40°

14.

5有効エリア

33

70

真空フランジ(ICF 70)

(35.6)7.5

アノード

MCP-OUT端子(SHV)

アノード端子(BNC)

MCP-IN端子(SHV)


(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)


(s-1·cm-2)

MCP供給電圧

(kV)


(kV)


(%)

1 1 2 21

F4655-10F4655-11F4655-13

12

42

5 × 107

1 × 106

50

120

パルス幅(FWHM)

(ps)

6002.5

2.00.5

3

5


15


F12334-11, F12395-11, F12396-11

F13446-11

TMCPA0084JD

TMCPA0087JA

B

有効エリアA

C

D

2

(5.6)

(15.1)

E GF

C1

C1

C1 R2R

1

2 × M3

4 × 3.5

R2 基板

信号出力 (SMA)

HV

結線例

3 × C1

MCP（2段）基板

アノード

信号出力 (SMA)

アッセンブリ

R1

-2.1 kVMax.

HVR2

R1R2C1

: 20 MΩ: 1 MΩ: 150 pF (3 kV)

50 Ω入力

ABCDEFG

20364654303638

F12334-1127405161304041

F12395-1142516272405152

F12396-11

結線例

C1

C2

R1

R3

R2

12345678

B

27有効エリア

30 50

45

(6.5) 1.6

(18.1)

14

14

バイアスリード

HVリード

シリアルナンバー

信号出力(SMA)

+2.1 kVMax.

R1 R2

C1

C2

R3

-5 kVMax.

HVリードバイアス

リード

50 Ω入力

アッセンブリ

基板

信号出力 (SMA)アノード

HV

MCP（2段）

C1: 150 pF/ 10 kVC2: 560 pF/ 10 kVR1: 20 MΩR2: 1 MΩR3: 1 MΩ

1st MCP BIAS2 × M3

4 × 3.2




(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)


(s-1·cm-2)

パルス幅(FWHM)

(ns)

MCP供給電圧

(kV)


(kV)


(%)

1 1 2 21

F12334-11F12395-11F12396-11F13446-11

12 2 1 × 1061.5

1.3

— — 3 0.13 3

NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C2真空度1.3 × 10-4 Pa3ブリーダー抵抗内蔵によりHV電極に最大-2.1 kV

16

F2225-21PGF真空ベーキングは、装置を1.3 × 10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。蛍光面については9ページ参照。

蛍光面については9ページ参照。 * P.C.D. (Pitch Circle Diameter)

F6959

TMCPA0081JE

TMCPA0038JG

42

66

150

(21

) (

21)

40

有効エリア

114

20 1910.9

(46)(12.9)

(58.9)

ビューイングポート(ICF114)

MCP-OUT端子 (SHV)

蛍光面端子(SHV)

真空フランジ(ICF152)

MCP-IN端子 (SHV) 5

5

真空フランジ(ICF152)

MCP-IN端子(SHV)

4 × M3 深さ 5P.C.D.* 90

MCP-OUT端子 (SHV)

28

97.

8

28

有効エリア

150

22.5

22.5

蛍光面端子(SHV)

5.6 20 9.3

(34.9)

90

O-リング

FOP


(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)


(s-1·cm-2)

MCP供給電圧

(kV)


(kV)


(%)

1 1 2 21

F2225-21PGFF6959

12 2 1 × 106 — 2.04.03.0

3


17

信号検出イメージ検出

TMCPC0007JFTMCPC0005JI

●+イオン検出（MCP-OUT: GND）

●+イオン検出（蛍光面: GND）

●電子または–イオン検出（MCP-IN: GND）

●+イオン検出（アノードグラウンド）

●電子または–イオン検出（アノードフローティング (MCP-IN: GND)）

●+イオン検出（アノードフローティング (MCP-OUT: GND)）

MCPアッセンブリ結線例MCPアッセンブリ結線例

複数の高圧電源を使用する場合はMCPのゲインを独立して調整できるメリットがあります。1台の高圧電源でデバイダ回路を用いる場合は安価に構成できますが、電源電圧を変えると連動してMCPのゲインも変わるデメリットがあります。

アンプ

アノード

アッセンブリ

-2.0 kV Max.


-0.5 kV Max.

0.5 MΩ

-2.5 kV Max.

(1 W)

2 MΩ

(3 W)

OUTIN

MCP（2段）基板



基板

アンプ

アノード

アノード

信号出力

アッセンブリカップリング回路

1 MΩ

150 pF/3 kV

+2.0 kVMax.

+0.5 kV Max.

0.5 MΩ

+2.5 kV Max.

(1 W)

2 MΩ

(3 W)

OUTIN

MCP（2段）


基板

アンプ

アノード

アノード

信号出力

アッセンブリカップリング回路

1 MΩ

150 pF/1 kV

-2.0 kVMax.

+0.5 kVMax.

OUTIN

MCP（2段）

+4 kVMax.

-2 kVMax.

OUT PHOSIN

MCP（2段）蛍光面アッセンブリ基板


+2 kVMax.


+4 kV Max.

OUT PHOSIN

MCP（2段）蛍光面

4 MΩ

+6 kV Max.

2 MΩ

(5 W)(3 W)



MCP（2段）蛍光面


-2 kVMax.

-4 kVMax.

4 MΩ

-6 kV Max.

2 MΩ

(5 W)(3 W)

OUT PHOSIN


MCPアッセンブリ結線例MCPアッセンブリ結線例

18

●標準品以外のMCP単体/アッセンブリについても製作いたします。外形、有効寸法、厚さ等をご相談ください。●標準品以外のセンターホール付MCP（反射電子顕微鏡用）、Csl蒸着（VUV～X線における量子効率の向上）、アルミフィルムコーティング（イオン、放射線等のバリア）、MgOコーティング（高ゲイン）、Au電極及びその他特殊タイプのMCPについてもご相談ください。●マルチアノードについては、ご希望のアノードパターンをご相談ください。●固体撮像素子（CCD、MOSリニアイメージセンサ）等とファイバ結合できるよう、ファイバオプティクプレート（FOP）上に蛍光面を施したアッセンブリも製作いたします。●特注の真空フランジやプリント基板にMCP、読み出し系、導入端子等をマウントしたアッセンブリも製作いたします。●開口率90 %のファネルタイプMCPについては、ご相談ください。

特注品について特注品について特注品について特注品について

TMCP0002J05MAY 2018 IP(500)

●本資料の記載内容は平成30年5月現在のものです。製品の仕様は、改良等のため予告なく変更することがあります。

WEB SITE www.hamamatsu.com

□電子管営業推進部　〒438-0193　静岡県磐田市下神増314-5　TEL (0539)62-5245 FAX (0539)62-2205

□仙台営業所　〒980-0021 仙台市青葉区中央3-2-1（青葉通プラザ 11階）□筑波営業所　〒305-0817 つくば市研究学園5-12-10（研究学園スクウェアビル7階）□東京営業所　〒105-0001 東京都港区虎ノ門3-8-21（虎ノ門33森ビル5階）□中部営業所　〒430-8587 浜松市中区砂山町325-6（日本生命浜松駅前ビル）□大阪営業所　〒541-0052 大阪市中央区安土町2-3-13（大阪国際ビル10階）□西日本営業所　〒812-0013 福岡市博多区博多駅東1-13-6（竹山博多ビル5階）

TEL (022)267-0121 FAX (022)267-0135TEL (029)848-5080 FAX (029)855-1135TEL (03)3436-0491 FAX (03)3433-6997TEL (053)459-1112 FAX (053)459-1114TEL (06)6271-0441 FAX (06)6271-0450TEL (092)482-0390 FAX (092)482-0550

取扱い方法について取扱い方法について１．保管方法真空包装または乾燥窒素ガスを封入した状態で納入いたしますが、輸送用包装ですので長期の保管には適しません。保管する場合、梱包容器から取り出し、清浄な容器内にて次の a）, b）どちらかの方法で保管してください。a）真空度13 Pa以下で、オイル拡散を極力避けた清浄な容器内。b）0.45 μｍ以下のフィルターにより濾過された乾燥窒素が常に流れている清浄な容器内。（湿度20 %以下）

２．取扱い絶対に素手で直接触れないでください。油脂や塩分等の付着により、暗電流の増大、ゲイン低下、放電等の原因になることがあります。取扱う場合には、清浄なビニールやポリエチレン手袋を着用してください。手袋を使用した場合でも有効部には絶対に触れないでください。

３．取扱い環境MCP表面は電子的に活性になっており、アッセンブリに使用の部品類も高真空用に処理されています。極力油気や湿気及び塵の少ない防塵室に準じた環境にてお取扱いください。尚、塵等が付着した場合、乾燥した清浄な空気や窒素ガスを吹き付け、除去してください。吹き付けに際しては、環境及び吹き付け圧力に注意してください。また、呼気の吹き付けは絶対に行わないでください。

４．使用前の真空排気初めて使用する場合や、保管後再度使用する場合は、ガス吸着が起こっているため、使用（電圧供給）前に1.3×10-4 Pa以下の高真空で24時間以上排気してください。

５．真空ベーキング超高真空にて使用する場合は、真空ベーキングが効果的です。装置を1.3×10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。MCPアッセンブリについては、真空ベーキングできない製品がありますので、詳細は弊社までお問い合わせください。

６．電圧供給使用中も1.3×10-4 Pa以下の高真空を必ず保ってください。MCP及びMCPアッセンブリ、出力信号読み出し素子（アノード、蛍光面）への電圧供給は、100 Vステップ（約5秒/100 V）でゆっくりと昇圧してください。

７．廃棄方法本製品には鉛及びその化合物が含まれています。本製品を廃棄する場合は廃棄物処理法に則り、自ら適正に処理して頂くか、もしくは許認可を受けた適正な産業廃棄物処理業者へ委託して処理してくださるようにお願いします。国外で使用し、その国で廃棄する場合は、それぞれの国、州の廃棄物処理に関する法令に従って適正に処理をしてくださるようお願いします。

弊社出荷後１年以内に製造上の原因と認められる不具合が発生した場合は、無償修理または交換をいたします。保証の範囲は、製品の代替納入を限度とさせていただきます。また、保証期間内でも天災、製品の寿命及び使用上の不注意による損傷については保証対象外とさせていただきます。

保証期間とその範囲保証期間とその範囲

取扱い方法について取扱い方法について

保証期間とその範囲保証期間とその範囲

mcp (マイクロチャンネルプレート) & mcpアッセンブリ · 1...

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