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MCP6541/1R/IU/2/3/4プッシュプル出力 サブμA コンパレータ
特徴
• 低消費電流 : 600 nA/ コンパレータ (typ.)• レールツーレール入力 : VSS - 0.3V ~ VDD + 0.3V• CMOS/TTL- 互換出力
• 伝達遅延 : 4 µs (typ., 100mV オーバードライブ )• 広範囲な電源電圧 : 1.6V ~ 5.5V• 1個入り、2個入り、4個入りがある
• 1個入りは SOT-23-5, SC-70-5* パッケージ
• チップ選択 (CS) 付き MCP6543• 低スイッチング電流
• 内部ヒステリシス : 3.3 mV (typ.)• 温度範囲 :
工業用:-40 ~ + 85 拡張 :-40 ~ +125
典型的な応用例
• ノートパソコン
• 携帯電話
• 計測システム
• 携帯機器
• RC タイマ
• 警報モニタ回路
• ウィンドウコンパレータ
• マルチバイブレータ
関連デバイス
• オープンドレイン出力 : MCP6546/7/8/9
概要
マイクロチップテクノロジのコンパレータであるMCP6541/2/3/4 ファミリは、1個入り (MCP6541/MCP6541R/MCP6541U)、チップ選択 (CS) 付き1個入り (MCP6543)、2 個入り (MCP6542)、4 個入り(MCP6544) の構成で提供しています。出力はプッシュプル (CMOS/TTL 互換 ) で、重い DC 負荷や容量性負荷をドライブできます。
このコンパレータは、レールツーレールより広い入力ができるようになっていて、低電力、単電源動作用に最適化されています。MCP6541/1R/IU/2/3/4ファミリのプッシュプル出力は、レールツーレールのスイングができ、TTL/CMOS とインターフェースすることができます。内蔵入力ヒステリシスによって、ノイズ入力による出力スイッチングが起きないようになっていて、消費電流も減らしています。出力はスイッチング時の供給電流サージとダイナミックな電力消費を制限しています。この製品ファミリは、1.6V までの単電源で、しかも 1 µA/ コンパレータの消費電流で動作します。
また関連するマイクロチップの MCP6546/7/8/9 ファミリのコンパレータは、オープンドレイン出力となっています。プルアップ抵抗を付けて使い、10Vまでの任意の電圧へのレベルシフタとして使えますし、ワイアードオア接続もできます。
* SC-70-5 E-Temp パーツは、本データシートリリース時は発売されません。
MCU6541U SOT-23-5 は E-temp のみです。
パッケージタイプ
VIN+VIN–
MCP6541
VSS
VDDOUT
1234
8765
-+
NC
NCNCPDIP, SOIC, MSOP
4
123
-+
5
SOT-23-5
VDD
OUT
VIN+
VSS
VIN–
MCP6541-R MCP6542
VINA+VINA–
VSS
1234
8765
-
OUTA
+ -
+
VDDOUTBVINB–VINB+
VIN+VIN–
MCP6543
VSS
VDDOUT
1234
8765
-+
NC
CSNC
PDIP, SOIC, MSOP
PDIP, SOIC, MSOP
MCP6544
VINA+VINA–
VSS
1
2
3
4
14
13
12
11
-
OUTA+ -+
VDD
OUTDVIND–VIND+
10
9
8
5
6
7OUTBVINB–VINB+ VINC+
VINC–OUTC
+- -+
PDIP, SOIC, TSSOP
4
123
-+
5
SOT-23-5, SC-70-5
VSS
OUT
VIN+
VDD
VIN–
MCP6541
-+
4
123
5
SOT-23-5
VSS
VIN–
VIN+
VDD
OUT
MCP6541U
-+
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MCP6541/1R/IU/2/3/4
1.0 電気的特性
絶対最大定格 †VDD - VSS.................................................................................. 7.0V
アナログ入力ピン電流(VIN+, VIN–).............................±2 mAアナログ入力 ......................................VSS - 1.0V ~ VDD +1.0Vその他入出力 ......................................VSS - 0.3V ~ VDD +0.3V差動入力電圧 ............................................................. |VDD - VSS|出力短絡電流 ......................................................................... 連続
入力ピン電流 .......................................................................±2 mA出力と電源ピン電流 .........................................................±30 mA保存温度 ............................................................... -65°C ~ +150°C最大接合部温度 (TJ)............................................................+150°C
全ピンの ESD 保護 (HBM;MM) ..................................4 kV; 400V† 注意 : 上記の「絶対最大定格」を超えるストレスを加える
と、デバイスに恒久的な損傷を与えることがあります。この
規定はストレス定格のみを規定するものであり、この仕様の
動作条件に記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたも
のではありません。長時間デバイスを最大定格状態にすると、
デバイスの信頼性に影響を与えることがあります。
†† セクション 4.1.2「入力電圧と電流制限」をご覧ください。
DC 特性
電気的仕様 : 特に指定されない限り , VDD = +1.6V ~ +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C,VIN+ = VDD/2,VIN– = VSS, かつ RL = 100 kΩ で VDD/2 ( 図 1-3 参照 )
パラメータ 記号 最小 標準 最大 単位 条 件
供給電源
電源電圧 VDD 1.6 5.5 V
コンパレータ当たり消費電流 IQ 0.3 0.6 1.0 µA IOUT = 0
入力
入力電圧範囲 VCMR VSS-0.3 VDD+0.3 V
コモンモード除去比 CMRR 55 70 dB VDD = 5V, VCM = -0.3V から 5.3V
コモンモード除去比 CMRR 50 65 dB VDD = 5V, VCM = 2.5V ~ 5.3V
コモンモード除去比 CMRR 55 70 dB VDD = 5V, VCM = -0.3V ~ 2.5V
電源電圧変動除去比 PSRR 63 80 dB VCM = VSS
入力オフセット電圧 VOS -7.0 ±1.5 +7.0 mV VCM = VSS ( 注 1)
温度ドリフト ΔVOS/ΔTA — ±3 µV/°C TA = -40°C ~ +125°C, VCM = VSS
入力ヒステリシス電圧 VHYST 1.5 3.3 6.5 mV VCM = VSS ( 注 1)
リニア温度係数 ( 注 2) TC1 — 6.7 µV/°C TA = -40°C ~ +125°C, VCM = VSS
二次温度係数 ( 注 2) TC2 — -0.035 µV/°C2 TA = -40°C ~ +125°C, VCM = VSS
入力バイアス電流 IB — 1 pA VCM = VSS
温度範囲(I-Temp) IB — 25 100 pA TA = +85°C, VCM = VSS ( 注 3)
温度範囲(E-Temp) IB — 1200 5000 pA TA = +125°C, VCM = VSS ( 注 3)
入力オフセット電流 IOS — ±1 pA VCM = VSS
コモンモード入力インピーダンス ZCM — 1013||4 Ω||pF
差動入力インピーダンス ZDIFF — 1013||2 Ω||pF
プッシュプル出力
High レベル出力電圧 VOH VDD-0.2 V IOUT = -2 mA, VDD = 5V
Low レベル出力電圧 VOL — — VSS+0.2 V IOUT = 2 mA, VDD = 5V
短絡電流 ISC — -2.5,+1.5 — mA VDD = 1.6V( 注 4) ISC — ±30 — mA VDD = 5.5V( 注 4)
注 1: 入力オフセット電圧は、入力参照トリップポイントの中心値(平均値)です。入力ヒステリシスは、入力参照トリップポイント間の差である。
2: 異なる温度における VHYST (TA)=VHYST + (TA -25 ) TC1 + (TA - 25 )2 TC2 により算出する。
3: 全温度範囲の入力バイアス電流は、SC-70-5 パッケージ品ではテストされていない。
4: 出力電流は、絶対最大定格の 30 mA に制限される。
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MCP6541/1R/IU/2/3/4
AC 特性
MCP6543 のチップ選択 (CS) の特徴
電気的仕様 : 特に指定されない限り , VDD = +1.6V ~ +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C, VIN+ = VDD/2,Step = 200 mV, Overdrive = 100 mV, かつ CL = 36 pF ( 図 1-2 と 図 1-3 を参照 ).
パラメータ 記号 最小 標準 最大 単位 条 件
立上り時間 tR — 0.85 µs
立下り時間 tF — 0.85 µs
伝播遅延 (High- から -Low) tPHL — 4 8 µs
伝播遅延 (Low- から -High) tPLH — 4 8 µs
伝播遅延スキュー tPDS — ±0.2 µs ( 注 1)
最大トグル周波数 fMAX — 160 kHz VDD = 1.6VfMAX — 120 kHz VDD = 5.5V
入力ノイズ電圧 ENi — 200 µVP-P 10 Hz ~ 100 kHz注 1: 伝播遅延スキューは左記で定義 : tPDS = tPLH - tPHL.
電気的仕様 : 特に指定されない限り , VDD = +1.6V ~ +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C, VIN+ = VDD/2, VIN– = VSS,かつ CL= 36 pF ( 図 1-1 と 1-3 を参照 ).
パラメータ 記号 最小 標準 最大 単位 条 件
CS Low 仕様
CS 論理スレッショルド , Low VIL VSS — 0.2VDD V
CS 入力電流 , Low ICSL — 5.0 pA CS = VSS
CS High 仕様
CS 論理スレッショルド , High VIH 0.8VDD — VDD V
CS 入力電流 , High ICSH — 1 pA CS = VDD
CS 入力 High 時 , VDD 電流 IDD — 18 pA CS = VDD
CS 入力 High 時 , GND 電流 ISS — -20 pA CS = VDD
コンパレータ出力リーク IO(LEAK) — 1 pA VOUT = VDD, CS = VDD
CS 動的仕様
CS Low からコンパレータ出力Low となるターンオンまでの時間
tON — 2 50 ms CS = 0.2 VDD ~ VOUT = VDD/2,VIN– = VDD
CS Highからコンパレータ出力ハイ
インピ-ダンスとなるターンオフ
までの時間
tOFF — 10 µs CS = 0.8 VDD ~ VOUT = VDD/2,VIN– = VDD
CS ヒステリシス VCS_HYST — 0.6 V VDD = 5V
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MCP6541/1R/IU/2/3/4
図 1-1: MCP6543 の CS ピンのタイミングダイアグラム
図 1-2: 伝播遅延のタイミングダイアグラム
VIL
ハイイン
tON
VIHCS
tOFF
VOUT
-20 pA (typ.)
ハイイン
ISS
ICS1 pA (typ.) 1 pA (typ.)
-20 pA (typ.)-0.6 µA, typ.ピーダンス ピーダンス
VOL
tPLH
VOUT
VIN–100 mV
100 mV tPHL
VOL
VIN+ = VDD/2
VOH
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MCP6541/1R/IU/2/3/4
温度特性
1.1 テスト回路構成
本テスト回路構成が AC および DC 仕様の決定のために使われました。
図 1-3: プッシュプル出力のコンパレータのAC および DC テスト回路
電気的仕様 : 特に指定されない限り , VDD = +1.6V ~ +5.5V かつ VSS = GND.
パラメータ 記号 最小 標準 最大 単位 条 件
温度範囲
規定の温度範囲 TA -40 +85 °C
動作温度範囲 TA -40 +125 °C 注
保存温度範囲 TA -65 +150 °C
パッケージ熱抵抗
熱抵抗 , 5L-SC-70 qJA — 331 °C/W
熱抵抗 , 5L-SOT-23 qJA — 256 °C/W
熱抵抗 , 8L-PDIP qJA — 85 °C/W
熱抵抗 , 8L-SOIC qJA — 163 °C/W
熱抵抗 , 8L-MSOP qJA — 206 °C/W
熱抵抗 , 14L-PDIP qJA — 70 °C/W
熱抵抗 , 14L-SOIC qJA — 120 °C/W
熱抵抗 , 14L-TSSOP qJA — 100 °C/W
注 : MCP6541/2/3/4 の I-Temp パーツはこの拡張温度範囲で動作しますが、性能は悪化します。いかなる場合も、内部接合部温度 (TJ) が絶対最大定格 150 を超えてはなりません。
VDD
VSS = 0V
200 kΩ
200 kΩ200 kΩ
200 kΩVOUT
VIN = VSS
36 pF
MCP654X
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MCP6541/1R/IU/2/3/4
2.0 典型的な特性グラフ
注 : 特に指定されない限り , VDD = +1.6V +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C, VIN+ = VDD/2, VIN– = GND,RL = 100 kW で VDD/2, かつ CL = 36 pF.
図 2-1: VCM = VSS における入力オフセット電圧
図 2-2: VCM = VSS における入力オフセット電圧ドリフト
図 2-3: MCP6541/1R/IU/2/3/4 コンパレータは位相逆転しない
図 2-4: VCM = VSS における入力ヒステリシス電圧
図 2-5: VCM = VSS における入力ヒステリシス電圧リニア温度係数 (TC1)
図 2-6: VCM = VSS における入力ヒステリシス電圧二次温度係数(TC2)
注 : 以下の本項のグラフや表は、有限のサンプルの統計値に基づいていて、情報提供のためにだけのものです。ここに記述された性能特性は未テストか非保証です。いくつかのグラフや表では、仕様の動作範囲を超えています(例えば供給電源範囲外)従って保証範囲外です。
0%
2%
4%
6%
8%
10%
12%
14%
-7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7入力オフセット電圧(mV)
発生
割合
1200 サンプルVCM = VSS
0%2%4%6%8%
10%12%14%16%
-14-12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10 12 14
入力オフセット電圧ドリフト (µV/°C)
発生割合
1200 サンプル
VCM = VSSTA = -40°C to +125°C
-101234567
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10時間 (1 ms/div)
反転
入力
、出
力電
圧 (V
)
VOUT
VIN–
VDD = 5.5V
0%2%4%6%8%
10%12%14%16%18%
1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 4.4 4.8 5.2 5.6 6.0入力ヒステリシス電圧 (mV)
発生
割合
1200 サンプルVCM = VSS
0%
5%
10%
15%
20%
25%
4.6
5.0
5.4
5.8
6.2
6.6
7.0
7.4
7.8
8.2
8.6
9.0
9.4
入力ヒステリシス電圧-リニア温度係数; TC1 (µV/°C)
発生
割合
596 サンプルVCM = VSSTA = -40°C to +125°C
VDD = 1.6VVDD = 5.5V
0%2%4%6%8%
10%12%14%16%18%20%
-0.0
60
-0.0
56
-0.0
52
-0.0
48
-0.0
44
-0.0
40
-0.0
36
-0.0
32
-0.0
28
-0.0
24
-0.0
20
-0.0
16
入力ヒステリシス電圧-二次温度係数
; TC2 (µV/°C2)
発生
割合
596 サンプルVCM = VSSTA = -40°C to +125°C
VDD = 5.5V
VDD = 1.6V
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MCP6541/1R/IU/2/3/4
注 : 特に指定されない限り , VDD = +1.6V +5.5V, VSS = GND, TA = 25°C, VIN+ = VDD/2, VIN– = GND,RL = 100 kW で VDD/2, かつ CL = 36 pF.図 2-7: VCM = VSS における周囲温度に対する入力オフセット電圧
図 2-8: VDD = 1.6V におけるコモンモード入力電圧に対する入力オフセット電圧
図 2-9: VDD = 5.5V におけるコモンモード入力電圧に対する入力オフセット電圧
図 2-10: VCM = VSS における周囲温度に対する入力ヒステリシス電圧
図 2-11: VDD = 1.6V におけるコモンモード入力電圧に対する入力ヒステリシス電圧
図 2-12: VDD = 5.5V におけるコモンモード入力電圧に対する入力ヒステリシス電圧
-1.0-0.8-0.6-0.4-0.20.00.20.40.60.81.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125周囲温度 (°C)
入力
オフセット電
圧 (m
V)
VDD = 1.6V
VDD = 5.5V
VCM = VSS
-2.0-1.5-1.0-0.50.00.51.01.52.0
-0.4
-0.2 0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
コモンモード入力電圧 (V)
入力
オフセット電
圧 (m
V) VDD = 1.6V
TA = +125°CTA = +85°CTA = +25°CTA = -40°C
TA = +125°C
-2.0-1.5-1.0-0.50.00.51.01.52.0
-0.5 0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
コモンモード入力電圧 (V)
入力
オフセット電
圧 (m
V) VDD = 5.5V
TA = +85°CTA = +125°C
TA = -40°CTA = +25°C
1.52.02.53.03.54.04.55.05.56.06.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125周囲温度 (°C)
入力
ヒステリシス電
圧 (m
V)
VDD = 1.6V
VDD = 5.5V
VCM = VSS
1.52.02.53.03.54.04.55.05.56.0
-0.4
-0.2 0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
コモンモード入力電圧 (V)
入力
ヒステリシス電
圧 (m
V)
TA = -40°C
TA = +125°CTA = +85°CTA = +25°C
VDD = 1.6V
1.52.02.53.03.54.04.55.05.56.0
-0.5 0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
コモンモード入力電圧 (V)
入力
ヒステリシス電圧
(mV) VDD = 5.5V TA = +125°C
TA = +85°CTA = +25°CTA = -40°C
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注 : 特に指定されない限り , VDD = +1.6V +5.5V, VSS = GND, TA = 25°C, VIN+ = VDD/2, VIN– = GND,RL = 100 kW で VDD/2, かつ CL = 36 pF.図 2-13: 周囲温度に対する CMRR と PSRR
図 2-14: 周囲温度に対する入力バイアス電流と入力オフセット電流
図 2-15: VDD = 1.6V におけるコモンモード入力電圧に対する消費電流
図 2-16: コモンモード入力電圧に対する入力バイアス電流と入力オフセット電流
図 2-17: 電源電圧に対する消費電流
図 2-18: VDD = 5.5V におけるコモンモード入力電圧に対する消費電流
5560657075808590
-50 -25 0 25 50 75 100 125周囲温度 (°C)
CM
RR
, PSR
R (d
B)
入力参照
PSRR, VIN+ = VSS, VDD = 1.6V to 5.5V
CMRR, VIN+ = -0.3 to 5.3V, VDD = 5.0V
0.1
1
10
100
1000
55 65 75 85 95 105 115 125
周囲温度 (°C)
入力
バイアス
, オフセット電流
(pA
) IB
| IOS |
VDD = 5.5VVCM = VDD
-2.0-1.5-1.0-0.50.00.51.01.52.0
-0.5 0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
コモンモード入力電圧 (V)
入力
オフセット電
圧 (m
V) VDD = 5.5V
TA = +85°CTA = +125°C
TA = -40°CTA = +25°C
0.1
1
10
100
1000
10000
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
コモンモード入力電圧 (V)
入力バ
イアス
, オフセット電
流 (A
)
VDD = 5.5V
100f
100p
1p
10p
1n
10nIB, TA = +125°C
IB, TA = +85°C
IOS, TA = +125°CIOS, TA = +85°C
0.00.10.20.30.40.50.60.7
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
電源電圧 (V)
コンパ
レータに対
する消費
電流
(µA
)TA = +125°CTA = +85°CTA = +25°CTA = -40°C
0.00.10.20.30.40.50.60.7
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5コモンモード入力電圧 (V)
コンパ
レータに対する消
費電
流(µ
A)
VDD = 5.5V
Sweep VIN+, VIN– = VDD/2
Sweep VIN–, VIN+ = VDD/2
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MCP6541/1R/IU/2/3/4
注 : 特に指定されない限り , VDD = +1.6V +5.5V, VSS = GND, TA = 25°C, VIN+ = VDD/2, VIN– = GND,RL = 100 kW で VDD/2, かつ CL = 36 pF.図 2-19: トグル周波数に対する電源電流
図 2-20: VDD = 1.6V における出力電流に対する無歪出力電圧
図 2-21: High から Low の伝播遅延
図 2-22: 電源電圧に対する出力短絡電流
図 2-23: VDD = 5.5V における出力電流に対する無歪出力電圧
図 2-24: Low から High の伝播遅延
0.1
1
10
0.1 1 10 100トグル周波数 (kHz)
供給
電流
(µA
)
VDD = 5.5VVDD = 1.6V
100 mV オーバードライブVCM = VDD/2RL = 無限大
0.00.10.20.30.40.50.60.70.8
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0出力電流 (mA)
無歪
出力
電圧
(V)
VDD = 1.6VVOL–VSS:TA = +125°CTA = +85°CTA = +25°CTA = -40°C TA = +125°C
TA = +85°CTA = +25°CTA = -40°C
VDD–VOH:
0%5%
10%15%20%25%30%35%40%45%
0 1 2 3 4 5 6 7 8HighからLow 伝播遅延 (µs)
発生
割合
600 サンプル100 mV オーバードライブVCM = VDD/2
VDD = 5.5VVDD = 1.6V
0
5
10
15
20
25
30
35
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5電源電圧 (V)
出力
短絡
電流
マグニチュード
(mA
)
TA = -40°CTA = +25°CTA = +85°C
TA = +125°C
0.00.10.20.30.40.50.60.70.80.91.0
0 5 10 15 20 25出力電流 (mA)
無歪
出力
電圧
(V)
VDD = 5.5V
TA = +125°CTA = +85°CTA = +25°CTA = -40°C
VDD – VOH:
TA = +125°CTA = +85°CTA = +25°CTA = -40°C
VOL – VSS:
0%5%
10%15%20%25%30%35%40%45%
0 1 2 3 4 5 6 7 8LowからHigh 伝播遅延 (µs)
発生
割合
600 サンプル100 mV オーバードライブVCM = VDD/2
VDD = 5.5VVDD = 1.6V
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MCP6541/1R/IU/2/3/4
注 : 特に指定されない限り , VDD = +1.6V +5.5V, VSS = GND, TA = 25°C, VIN+ = VDD/2, VIN– = GND,RL = 100 kW で VDD/2, かつ CL = 36 pF.図 2-25: 伝播遅延スキュー
図 2-26: 電源電圧に対する伝播遅延
図 2-27: VDD = 1.6V におけるコモンモード入力電圧に対する伝播遅延
図 2-28: 周囲温度に対する伝播遅延
図 2-29: 入力オーバードライブに対する伝播遅延
図 2-30: VDD = 5.5V におけるコモンモード入力電圧に対する伝播遅延
0%5%
10%15%20%25%30%35%40%45%
-2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
伝播遅延スキュー (µs)
発生
割合
600 サンプル100 mV オーバードライブVCM = VDD/2
VDD = 1.6VVDD = 5.5V
0123456789
1011121314
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5電源電圧 (V)
伝播遅
延 (µ
s)
VCM = VDD/2
tPLH @ 100 mV オーバードライブ
tPHL @ 100 mV オーバードライブ
tPLH @ 10 mV オーバードライブ
tPHL @ 10 mV オーバードライブ
012345678
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6コモンモード入力電圧 (V)
伝播
遅延
(µs)
VDD = 1.6V100 mV オーバードライブ
tPLH
tPHL
012345678
-50 -25 0 25 50 75 100 125周囲温度 (°C)
伝播
遅延
(µs)
100 mV オーバードライブVCM = VDD/2
tPLH @ VDD = 1.6V tPHL @ VDD = 1.6V
tPLH @ VDD = 5.5V tPHL @ VDD = 5.5V
1
10
100
1 10 100 1000入力オーバードライブ (mV)
伝播遅
延 (µ
s)
VCM = VDD/2
tPLH @ VDD = 1.6V
tPHL @ VDD = 1.6V
tPLH @ VDD = 5.5V
tPHL @ VDD = 5.5V
012345678
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5コモンモード入力電圧 (V)
伝播
遅延
(µs)
VDD = 5.5V100 mV オーバードライブ
tPHL
tPLH
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注 : 特に指定されない限り , VDD = +1.6V +5.5V, VSS = GND, TA = 25°C, VIN+ = VDD/2, VIN– = GND,RL = 100 kW で VDD/2, かつ CL = 36 pF.図 2-31: 負荷容量に対する伝播遅延
図 2-32: VDD = 1.6V におけるチップ選択 (CS)電圧に対する電源電流 ( 貫通電流 ) (MCP6543 のみ )
図 2-33: VDD = 1.6V におけるチップ選択(CS) パルスに対する電源電流(充電電流)(MCP6543 のみ )
図 2-34: チップ選択 (CS) のステップ応答 (MCP6543 のみ )
図 2-35: VDD = 5.5V におけるチップ選択 (CS)電圧に対する電源電流 ( 貫通電流 ) (MCP6543 のみ )
図 2-36: VDD = 5.5V におけるチップ選択(CS) パルスに対する電源電流
(充電電流)(MCP6543 のみ )
05
101520253035404550
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90負荷容量 (nF)
伝播
遅延
(µs)
100 mV オーバードライブVCM = VDD/2
tPHL @ VDD = 1.6VtPLH @ VDD = 1.6V
tPLH @ VDD = 5.5V
tPHL @ VDD = 5.5V
1.E-111.E-101.E-091.E-081.E-071.E-061.E-051.E-041.E-03
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6チップ選択 (CS) 電圧 (V)
コンパレータに対
する電
源電
流 (A
)
CSHighからLow
コンパレータOffコンパレータOn
VDD = 1.6V
CS ヒステリシス
CSLowからHigh
1m
1µ10µ
100n
1n10n
100p10p
100µ
0
5
10
15
20
25
30
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14時間 (1 ms/div)
電源
電流
(µA
)
-8.1
-6.5
-4.9
-3.2
-1.6
0.0
1.6
出力
電圧
,チップ選
択電
圧 (V
),
出力容量の充電
VDD = 1.6V
VOUT
CS
スタート アップIDD
-0.50.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.05.56.0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10時間 (ms)
チップ選
択, 出
力電圧
(V)
VOUT
CS
VDD = 5.5V
1.E-111.E-101.E-091.E-081.E-071.E-061.E-051.E-041.E-03
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
チップ選択 (CS) 電圧 (V)
コンパ
レータに対
する電源
電流
(A)
コンパレータOn
VDD = 5.5V
1m
1µ10µ
100n
1n10n
100p10p
CSLowからHigh
CSヒステリシス
CSHighからLow
100µ コンパレータOff
020406080
100120140160180200
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5時間 (0.5 ms/div)
コンパ
レータに対
する電
源電
流 (µ
A)
-24-21-18-15-12-9-6-3036
出力
電圧
,チップ選
択電
圧 (V
)
出力容量の充電
VDD = 5.5V
VOUTCS
スタート アップ IDD
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注 : 特に指定されない限り , VDD = +1.6V +5.5V, VSS = GND, TA = 25°C, VIN+ = VDD/2, VIN– = GND,RL = 100 kW で VDD/2, かつ CL = 36 pF.図 2-37: 入力電圧に対する入力バイアス電流
1.E-121.E-111.E-101.E-091.E-081.E-071.E-061.E-051.E-041.E-031.E-02
-1.0 -0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0.0入力電圧 (V)
入力
電流
マグニチュード
(A)
+125°C+85°C+25°C-40°C
10m1m
100µ10µ
1µ100n10n
1n100p10p
1p
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3.0 各ピンの特徴と機能
表 3-1 にピンの機能と特徴を示します。
表 3-1: ピン機能表
3.1 アナログ入力
コンパレータの非反転入力と反転入力は、低バイアス電流の高インピーダンス CMOS 入力です。
3.2 CS デジタル入力
シュミット トリガ入力によるCMOSで、低電力モード操作を行います。
3.3 デジタル出力
コンパレータの出力は CMOS、プッシュプルデジタル出力です。CMOS と TIL ロジックと互換するよう設計されており、負荷の多い DC や容量性負荷を駆動できるようになっています。
3.4 電源 (VSS と VDD)正電源ピン(VDD)は、電圧が負電源ピン(VSS)より 1.6V ~ 5.5V 高くなります。通常の操作の場合、その他のピンの電圧は VSS から VDD の間です。
通常、これらのパーツはシングル(正)電源コンフィギュレーションでレイアウトされます。この場合、VSS はアースに、VDD は電源に接続されます。VDD には VDD ピンの 2mm 以内にローカル バイパスコンデンサ(一般的には 0.01μF から 0.1μF) が必要です。近くに(100mm 以内)アナログパーツがあればバルクコンデンサを共有できますが、必ずしも必要ではありません。
MCP6541(PDIP,SOIC,
MSOP)
MCP6541(SOT-23-5,SC-70-5) M
CP6
541R
MC
P654
1U
MC
P654
2
MC
P654
3
MC
P654
4
記号 記
6 1 1 4 1 6 1 OUT, OUTA
デジタル出力 ( コンパレータ A)
2 4 4 1 2 2 2 VIN–, VINA–
反転入力 ( コンパレータ A)
3 3 3 3 3 3 3 VIN+, VINA+
非反転入力 ( コンパレータ A)
7 5 2 5 8 7 4 VDD 正電源
— — — — 5 — 5 VINB+ 非反転入力 ( コンパレータ B)— — — — 6 — 6 VINB– 反転入力 ( コンパレータ B)— — — — 7 — 7 OUTB デジタル出力 ( コンパレータ B)— — — — — — 8 OUTC デジタル出力 ( コンパレータ C)— — — — — — 9 VINC– 反転入力 ( コンパレータ C)— — — — — — 10 VINC+ 非反転入力 ( コンパレータ C)4 2 5 2 4 4 11 VSS 負電源
— — — — — — 12 VIND+ 非反転入力 ( コンパレータ D)— — — — — — 13 VIND– 反転入力 ( コンパレータ D)— — — — — — 14 OUTD デジタル出力 ( コンパレータ D)— — — — — 8 — CS チップ選択
1, 5, 8 — — — — 1, 5 — NC 内部接続なし
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4.0 活用情報
MCP6541/2/3/4 ファミリはプッシュプル出力のコンパレータで、マイクロチップ社の最新技術の CMOSプロセスで作られています。これらは極低消費電力を要する広範囲の応用に適しています。
4.1 コンパレータ入力
4.1.1 位相反転
MCP6541/1R/IU/2/3/4 コンパレータファミリは入力に CMOS トランジスタを使っています。さらに入力ピンが電源電圧を超えても位相反転が起きることを防ぐように設計されています。図 2-3 は、入力電圧が電源電圧の両端を越えても位相反転が起きないことを示しています。
4.1.2 入力電圧と電流制限
入力に対するESD保護を 図 4-1に示します . 入力トランジスタを保護し、入力バイアス電流(IB)を制限するため、このような構成に設定されています。入力 ESD ダイオードは、VSS よりもダイオード降下分、入力が下回る場合、その値を固定します。また、 電圧がVDD以上に上昇しないよう値を固定します。この降伏電圧は通常動作には十分対応できるぐらい高く、同時に制限内に ESD イベントをバイパスできるぐらい低い値になっています。
図 4-1: 簡略化したアナログ入力 ESD 構成
これらのアンプのダメージ、及び / または不当な動作の発生を防ぐため、アンプがある回路の電流(電圧)を VIN+ と VIN- ピン ( セクション 1.0「電気的特性」の「絶対最大定格 †」 をご覧ください ). 図 4-4 に入力保護の推奨方法を示します。内部 ESD ダイオードは入力ピン (VIN+ と VIN-) が GND 以下になるのを防ぎ、抵抗 R1 と R2 が入力ピンから発生する電流を制限します。ダイオード D1 と D2 は入力ピン (VIN+ と VIN-) が VDD 以上になるのを防ぎます。図のように実装すると、抵抗 R1 と R2 が D1 と D2から流れる電流も制限します。
図 4-2: アナログ入力の保護
ダイオードを抵抗 R1 と R2 の左側に接続することも可能です。この場合、ダイオード D1 と D2 を通る電流を他の方法で制限する必要があります。この場合、抵抗は突入電流リミッターとして動作します。入力ピンに流れ込む DC 電流 (VIN+ と VIN-) は非常に小さくなります。 コモンモード電圧 (VCM) が GND (VSS) 以下の場合、入力から多量の電流が流れ出します ; 図 2-37 をご覧ください。 インピーダンスの高いアプリケーションの場合、有効な電圧範囲を制限しなければならない可能性があります。
4.1.3 通常動作
このデバイスファミリの入力段には、2つの差動入力段が並列に使われていて、ひとつは Low 入力側、もうひとつは High 入力側となっています。この構成により、入力電圧は、VDD より 0.3V 高く、VSSより 0.3V 低くなっています。したがって、入力オフセット電圧も、VSS - 0.3V と VDD + 0.3V で正しく動作するよう計測されています。
最大動作入力電圧は、 VSS - 0.3V から VDD + 0.3V まで入力できます。この絶対最大定格を超えた電圧を入力すると、過大な電流が流れ、デバイスを破壊することがあります。このような入力ピンが規格を超えてしまうような使い方では、図 4-3 に示したように、外部抵抗を使って電流を ±2 mA 以下に制限します。
BondPad
BondPad
BondPad
VDD
VIN+
VSS
InputStage
BondPad
VIN–
V1MCP6G0XR1
VDD
D1
R2 ≥VSS – (minimum expected V2)
2 mA
VOUT
V2R2 R3
D2
+
–
R1 ≥VSS – (minimum expected V1)
2 mA
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図 4-3: いずれの入力も絶対最大定格を超える場合には、入力抵抗 (RIN) を使って過電流を制限するようにします。
4.2 プッシュプル出力
プッシュプルの出力は、CMOS や TTL ロジック互換に設計されていて、出力トランジスタはレールツーレール出力性能を持つように構成されています。これらはまた、high から low または low からhigh の出力遷移のとき、いかなるスイッチング電流( 電源端子間の貫通電流)も最小となるような回路で駆動されています。 ( さらなる詳細は図 2-15, 2-18, 2-32 から 2-36 を参照 )
4.3 MCP6543 のチップ選択 (CS)MCP6543 はチップ選択 (CS) 付きの1個入りコンパレータです。CS が High にプルアップされると、全消費電流が 20 pA (typ) まで少なくなります;このうち図 1-1 に示したように 1 pA が CS に流れる電流、1 pA が出力ピンに流れる電流、18 pA (typ) がVDD に流れる電流です。この場合、コンパレータの出力はハイインピーダンス状態となります。CSピンを Low にすると、コンパレータがイネーブルとなります。CS ピンをフロート状態のままとすると、コンパレータは正常動作をしません。図 1-1 は、CS パルス入力に対する出力電圧と電源電流の応答特性を示しています。
CS の内部回路は、CS ピンを繰り返し制御した場合のグリッチが最小になるような回路で設計されています。これによりバッテリ動作で最も重要になる省電力を実現しています。
4.4 外部設定可能なヒステリシス
外付けの抵抗によりヒステリシス(または入力トリップポイント)を選択できる柔軟さは便利です。
入力オフセット電圧 (VOS) は low から high と highから low のトリップポイント ( 参照入力)の中央(平均)にあります。入力ヒステリシス電圧 (VHYST)は同じトリップポイント間の差分になります。ヒステリシスは入力が緩やかに変化するような場合で
も、出力のチャッタリングを減少させることにより、ダイナミックな電源電流を少なくします。さらに状態サイクルの変化があまり頻繁に起きないほうがよいシステム(例えば空調のサーモスタット制御)にも向いています。
4.4.1 非反転回路
図 4-4 は2個の抵抗を使った単電源の非反転回路を示しています。結果のヒステリシスダイアグラムを図 4-5 に示します。
図 4-4: 単電源のヒステリシス付き非反転回路
図 4-5: 非反転回路のヒステリシスダイアグラム
トリップポイントは図 4-4 から 4-5 となります。
公式 4-1:
-3-2-10123456789
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
時間 (100 ms/div)
出力
電圧
(V)
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
25
30
入力
電圧
(10
mV/
div)
VOUT
VIN–
ヒステリシス
VDD = 5.0VVIN+ = +2.75V
VREF
VIN
VOUTMCP654X
VDD
R1 RF
+
-
VOUT
High から Low Low から High
VDDVOH
VOLVSS
VSS VDDVTHL VTLH
VIN
VTLH VREF 1R1RF--------+
⎝ ⎠⎜ ⎟⎛ ⎞
VOLR1RF--------⎝ ⎠⎜ ⎟⎛ ⎞
–=
VTHL VREF 1R1RF--------+
⎝ ⎠⎜ ⎟⎛ ⎞
VOHR1RF--------⎝ ⎠⎜ ⎟⎛ ⎞
–=
VTLH = low から high のトリップ電圧
VTHL = high から low のトリップ電圧
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4.4.2 反転回路
図 4-6は3個の抵抗を使った単電源の反転回路を示しています。結果のヒステリシスダイアグラムを図 4-7 に示します。
図 4-6: ヒステリシス付き反転回路
図 4-7: 反転回路のヒステリシスダイアグラム
図 4-6に示した回路のトリップ電圧 (VTHL とVTLH)を決めるために、R2 と R3 は図 4-8 のようにテブナンの公式が適用できる回路に簡単化できます。
図 4-8: テブナン公式の回路
ここで :
この簡略化回路を使ってトリップ電圧は下記式で計算できます :
公式 4-2:
図 2-20 と図 2-21 は標準的な VOH と VOL の値を求めるのに使えます。
4.5 バイパスコンデンサ
このコンパレータファミリでは、最適なエッジ特性を得るためには、電源供給ピン(単電源では VDD)用にバイパスコンデンサ ( 例えば 0.01 µF から 0.1 µF) を 2 mm 以内に付けるべきです。
4.6 容量性負荷
適切な容量性負荷(例えばロジックゲート)は伝播遅延にはほとんど影響しません ( 図 2-31 参照 )。供給電流はトグル周波数が高くなるとともに増加し( 図 2-19)、特に高容量負荷で増加します。
4.7 バッテリ寿命
携帯機器でバッテリの寿命を最大にするには、高抵抗で小容量の負荷を使います。出力トグルを必要最小限にします。チップ選択 (CS) 周波数をスタートアップ時の省電力には使用しないようにします。容量負荷はスタートアップ時に余分な電力を引き起こします。
VIN
VOUTMCP654X
VDD
R2
RFR3
VDD
VOUT
High から LowLow から High
VDDVOH
VOLVSS
VSS VDDVTLH VTHL
VIN
V23
VOUTMCP654X
VDD
R23 RF
+
-
VSS
R23R2R3
R2 R3+--------------------=
V23R3
R2 R3+-------------------- VDD×=
VTHL VOHR23
R23 RF+------------------------⎝ ⎠⎜ ⎟⎛ ⎞
V23RF
R23 RF+-----------------------⎝ ⎠⎛ ⎞+=
VTLH VOLR23
R23 RF+------------------------⎝ ⎠⎜ ⎟⎛ ⎞
V23RF
R23 RF+-----------------------⎝ ⎠⎛ ⎞+=
VTLH = low から high のトリップ電圧
VTHL = high から low のトリップ電圧
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4.8 PCB 表面リーク
低い入力バイアス電流が重要な応用の場合には、プリント基板 (PCB) の表面リーク効果を考慮する必要があります。表面リークは、基板上の湿度やほこり、その他の汚染によって引き起こされます。低湿度条件下では、近接パターン間の標準的な抵抗は1012Ωです。5V の差により 5 pA の電流が流れます。この値は MCP6541/1R/IU/2/3/4ファミリの +25°C におけるバイアス電流 (1 pA, typ.) より大きくなります。
表面リークを減らすもっとも簡単な方法は、敏感なピン(あるいはパターン)の周りにガードリングを使うことです。ガードリングは敏感なピンと同じ電圧にバイアスします。このタイプのレイアウト例を図 4-9 に示します。
図 4-9: 反転回路のときのガードリング配置例
1. 反転アンプ回路 ( 図 4-6 と 4-9) の場合 :a) 非反転入力ピン (VIN+) にガードリング
を接続します。そしてガードリングをコンパレータのリファレンス電圧 ( 例えばVDD/2またはグランド )と同じにします。
b) 反転入力(VIN–) をガードリングに触れないように入力パッドに接続します。
2. 非反転アンプ ( 図 4-4) の場合 :a) 反転入力ピン (VIN–)にガードリングを接
続します。そしてガードリングをコモンモードの入力電圧にバイアスします。
b) 非反転入力ピン (VIN+) を PCB 表面に触れないよう配線で入力に接続します。
4.9 未使用のコンパレータ
クワッドパッケージ (MCP6544) の未使用アンプは図 4-10 のように構成します。この回路が、出力のトグルとクロストークが発生するのを防ぎます。使用するコンポーネントの数も電流も最小限に制限します。(図 2-15 と 図 2-18 をご覧ください )
図 4-10: 未使用コンパレータ
ガードリング
VSSVIN- VIN+
¼ MCP6544
VDD
–
+
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4.10 典型的な応用
4.10.1 高精度コンパレータ
使い方によっては、より高い DC 精度を必要とすることがあります。この問題の簡易な解決法は、入力信号をコンパレータに入れる前にアンプ (MCP6041のような ) で増幅することです。図 4-11 にこの方法の例を示します。
図 4-11: 高精度反転コンパレータ
4.10.2 ウィンドウコンパレータ
図 4-12はウィンドウコンパレータの設計例です。入力電圧が VRB と VRT ( ここで VRT > VRB) の間にあるときに AND ゲート出力が ‘1’ となります。
図 4-12: ウィンドウコンパレータ
4.10.3 双安定マルチバイブレータ
図 4-13 に簡易な双安定マルチバイブレータの設計を示します。発振するためには VREF が電源電圧(VSS = GND と VDD) の間にある必要があります。出力デューティサイクルは VREF で変わります。
図 4-13: 双安定マルチバイブレータ
VREF
VDD
VDD
R1 R2 VOUT
VIN
VREF
MCP6041
MCP654X
VRT
MCP6542
VRB
VIN
1/2
MCP65421/2
MCP6541
VDD
R1 R2
R3
VREF
C1
VOUT
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5.0 パッケージ情報
5.1 パッケージマーキング情報
XXXXXXXXXXXXXNNN
YYWW
8-Lead PDIP (300 mil) 例 :
8-Lead SOIC (150 mil) 例 :
XXXXXXXXXXXXYYWW
NNN
MCP6541I/P256
0307
MCP6542I/SN0307
256
8-Lead MSOP 例 :
XXXXXX
YWWNNN
6543I
307256
5-Lead SOT-23 (MCP6541) 例 :
XXNN AB37
5-Lead SC-70 (MCP6541) 例 :
XNNYWW
A25307
記号の説明 : XX...X カスタマ仕様情報Y 年コード ( カレンダ年の下位1桁目 )YY 年コード ( カレンダ年の下位2桁目 )WW 週コード (1 月 1 日を週 ‘01’ とする )NNN 英数字のトレース用コード
錫メッキ (Sn) に関する鉛フリー JEDEC 区別コードこのパッケージは鉛フリー製品です。
* 鉛フリー JEDEC 区別コード ( ) はパッケージの外側に記載されています。
注 : マイクロチップのパーツ番号全体が1行で入らないときは、次の行にはみ出ます。このためカスタマ仕様情報用の文字数が制限されます。
3e
3e
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MCP6541/1R/IU/2/3/4
パッケージマーキング情報(つづき)
14-Lead PDIP (300 mil) (MCP6544) 例 :
14-Lead TSSOP (MCP6544) 例 :
14-Lead SOIC (150 mil) (MCP6544) 例 :
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
YYWWNNN
XXXXXXXXXX
YYWWNNN
XXXXXXXXYYWW
NNN
MCP6544-I/P
0307256
MCP6544I0307
256
XXXXXXXXXXMCP6544ISL
0307256
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MCP6541/1R/IU/2/3/4
5-Lead Plastic Package (LT) (SC-70)注 : 最新のパッケージ図については、http://www.microchip.com/packaging でマイクロチップパッケージ仕様をご覧ください。
0.300.15.012.006BLead Width
0.180.10.007.004cLead Thickness
0.300.10.012.004LFoot Length
2.201.80.087.071DOverall Length
1.351.15.053.045E1Molded Package Width
2.401.80.094.071EOverall Width
0.100.00.004.000A1Standoff
1.000.80.039.031A2Molded Package Thickness
1.100.80.043.031AOverall Height
0.65 (BSC).026 (BSC)pPitch
55nNumber of Pins
MAXNOMMINMAXNOMMINDimension Limits
MILLIMETERS*INCHESUnits
exceed .005" (0.127mm) per side.
Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not
Notes:
JEITA (EIAJ) Standard: SC-70
Drawing No. C04-061
*Controlling Parameter
L
E1
E
c
D
1
Bp
A2
A1
A
Q1
Top of Molded Pkg to Lead Shoulder Q1 .004 .016 0.10 0.40
n
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5-Lead Plastic Small Outline Transistor (OT) (SOT23)注 : 最新のパッケージ図については、http://www.microchip.com/packaging でマイクロチップパッケージ仕様をご覧ください。
1
p
DB
n
E
E1
L
c
β
φ
α
A2A
A1
p1
10501050bMold Draft Angle Bottom10501050aMold Draft Angle Top
0.500.430.35.020.017.014BLead Width0.200.150.09.008.006.004cLead Thickness
10501050fFoot Angle0.550.450.35.022.018.014LFoot Length3.102.952.80.122.116.110DOverall Length1.751.631.50.069.064.059E1Molded Package Width3.002.802.60.118.110.102EOverall Width0.150.080.00.006.003.000A1Standoff1.301.100.90.051.043.035A2Molded Package Thickness1.451.180.90.057.046.035AOverall Height
1.90.075p1Outside lead pitch (basic)0.95.038pPitch
55nNumber of PinsMAXNOMMINMAXNOMMINDimension Limits
MILLIMETERSINCHES*Units
Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed .005" (0.127mm) per side.Notes:
EIAJ Equivalent: SC-74ADrawing No. C04-091
* Controlling Parameter
Revised 09-12-05
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8-Lead Plastic Dual In-line (P) – 300 mil (PDIP)注 : 最新のパッケージ図については、http://www.microchip.com/packaging でマイクロチップパッケージ仕様をご覧ください。
B1
B
A1
A
L
A2
p
α
E
eB
β
c
E1
n
D
1
2
Units INCHES* MILLIMETERSDimension Limits MIN NOM MAX MIN NOM MAX
Number of Pins n 8 8Pitch p .100 2.54Top to Seating Plane A .140 .155 .170 3.56 3.94 4.32Molded Package Thickness A2 .115 .130 .145 2.92 3.30 3.68Base to Seating Plane A1 .015 0.38Shoulder to Shoulder Width E .300 .313 .325 7.62 7.94 8.26Molded Package Width E1 .240 .250 .260 6.10 6.35 6.60Overall Length D .360 .373 .385 9.14 9.46 9.78Tip to Seating Plane L .125 .130 .135 3.18 3.30 3.43Lead Thickness c .008 .012 .015 0.20 0.29 0.38Upper Lead Width B1 .045 .058 .070 1.14 1.46 1.78Lower Lead Width B .014 .018 .022 0.36 0.46 0.56Overall Row Spacing § eB .310 .370 .430 7.87 9.40 10.92Mold Draft Angle Top α 5 10 15 5 10 15Mold Draft Angle Bottom β 5 10 15 5 10 15* Controlling Parameter
Notes:Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed .010” (0.254mm) per side. JEDEC Equivalent: MS-001Drawing No. C04-018
§ Significant Characteristic
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8-Lead Plastic Small Outline (SN) – Narrow, 150 mil (SOIC)注 : 最新のパッケージ図については、http://www.microchip.com/packaging でマイクロチップパッケージ仕様をご覧ください。
足角 φ 0 4 8 0 4 8
1512015120βモールド抜き角底部
1512015120αモールド抜き角頂部
0.510.420.33.020.017.013Bリード幅
0.250.230.20.010.009.008cリード厚
0.760.620.48.030.025.019L足長
0.510.380.25.020.015.010h面取り長
5.004.904.80.197.193.189D全長
3.993.913.71.157.154.146E1モールドパッケージ幅
6.206.025.79.244.237.228E全幅
0.250.180.10.010.007.004A1スタンドオフ §1.551.421.32.061.056.052A2モールドパッケージ厚
1.751.551.35.069.061.053A全高
1.27.050pピッチ
88nピン数
MAXNOMMINMAXNOMMIN寸法限界
ミリメータインチ *単位
2
1
D
n
p
B
E
E1
h
Lβ
c
45°
φ
A2
α
A
A1
* 制御パラメータ
注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。 モールドのはみ出しや突出部は側面から.010” (0.254mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MS-012Drawing No. C04-057
§ 有意特性
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8-Lead Plastic Micro Small Outline Package (MS) (MSOP)注 : 最新のパッケージ図については、http://www.microchip.com/packaging でマイクロチップパッケージ仕様をご覧ください。
LL1
ϕcA2
A1
A
b
21
NOTE 1
e
E
E1
D
N
Number of Pins
Pitch
Overall Height
Molded Package Thickness
Standoff
Overall Width
Molded Package Width
Overall Length
Foot Length
Footprint
Foot Angle
Lead Thickness
Lead Width
Units
Dimension Limits
N
e
A
A2
A1
E
E1
D
L
L1
ϕc
b
—
0.75
0.00
0.40
0°
0.08
0.22
8
0.65 BSC
—
0.85
—
4.90 BSC
3.00 BSC
3.00 BSC
0.60
0.95 REF
—
—
—
1.10
0.95
0.15
0.80
8°
0.23
0.40
MIN NOM MAX
MILLIMETERS
Notes:
1. Pin 1 visual index feature may vary, but must be located within the hatched area.
2. Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions
shall not exceed 0.15 mm per side.
3. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M
BSC: Basic Dimension. Theoretically exact value shown without tolerances.
REF: Reference Dimension, usually without tolerance, for information purposes only.
Microchip Technology Drawing No. C04–111, Sept. 8, 2006
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14-Lead Plastic Dual In-line (P) – 300 mil (PDIP)注 : 最新のパッケージ図については、http://www.microchip.com/packaging でマイクロチップパッケージ仕様をご覧ください。
E1
n
D
1
2
eB
β
E
c
A
A1
B
B1
L
A2
p
α
単位 インチ * ミリメータ
寸法限界 MIN NOM MAX MIN NOM MAXピン数 n 14 14ピッチ p .100 2.54実装面から上面 A .140 .155 .170 3.56 3.94 4.32モールドパッケージ厚 A2 .115 .130 .145 2.92 3.30 3.68実装面から底面 A1 .015 0.38肩間の幅 E .300 .313 .325 7.62 7.94 8.26モールドパッケージ幅 E1 .240 .250 .260 6.10 6.35 6.60全長 D .740 .750 .760 18.80 19.05 19.30実装面かた先端 L .125 .130 .135 3.18 3.30 3.43リード厚 c .008 .012 .015 0.20 0.29 0.38リード上部幅 B1 .045 .058 .070 1.14 1.46 1.78リード下部幅 B .014 .018 .022 0.36 0.46 0.56全実装幅 § eB .310 .370 .430 7.87 9.40 10.92モールド抜き角頂部 α 5 10 15 5 10 15
β 5 10 15 5 10 15モールド抜き角底部
* 制御パラメータ
注:D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。 モールドのはみ出しや突出部は側面から .010” (0.254mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MS-001Drawing No. C04-005
§ 有意特性
DS21696E_JP - ページ 26 © 2007 Microchip Technology Inc.
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14-Lead Plastic Small Outline (SL) – Narrow, 150 mil (SOIC)注 : 最新のパッケージ図については、http://www.microchip.com/packaging でマイクロチップパッケージ仕様をご覧ください。
足角 φ 0 4 8 0 4 8
1512015120βモールド抜き角底部
1512015120αモールド抜き角頂部
0.510.420.36.020.017.014Bリード幅
0.250.230.20.010.009.008cリード厚
1.270.840.41.050.033.016L足長
0.510.380.25.020.015.010h面取り長
8.818.698.56.347.342.337D全長
3.993.903.81.157.154.150E1モールドパッケージ幅
6.205.995.79.244.236.228E全幅
0.250.180.10.010.007.004A1スタンドオフ §1.551.421.32.061.056.052A2モールドパッケージ厚
1.751.551.35.069.061.053A全高
1.27.050pピッチ
1414nピン数
MAXNOMMINMAXNOMMIN寸法限界
ミリメータインチ *単位
2
1
D
p
nB
E
E1
h
L
c
β
45°
φ
α
A2A
A1
* 制御パラメータ
注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。 モールドのはみ出しや突出部は側面から .010” (0.254mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MS-012Drawing No. C04-065
§ 有意特性
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14-Lead Plastic Thin Shrink Small Outline (ST) – 4.4 mm (TSSOP)注 : 最新のパッケージ図については、http://www.microchip.com/packaging でマイクロチップパッケージ仕様をご覧ください。
Lβ
c φ
2
1
D
nB
p
E1
E
α
A2A1
A
8°4°0°8°4°0°φFoot Angle
βMold Draft Angle Bottom12° REFαMold Draft Angle Top
0.300.250.19.012.010.007BLead Width0.200.150.09.008.006.004cLead Thickness
0.700.600.50.028.024.020LFoot Length5.105.004.90.201.197.193DMolded Package Length4.504.404.30.177.173.169E1Molded Package Width6.506.386.25.256.251.246EOverall Width0.150.100.05.006.004.002A1Standoff0.950.900.85.037.035.033A2Molded Package Thickness1.101.051.00.043.041.039AOverall Height
0.65 BSC.026 BSCpPitch1414nNumber of Pins
MAXNOMMINMAXNOMMINDimension LimitsMILLIMETERS*INCHESUnits
Dimensions D and E1 do not include mold fla sh or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed .005" (0.127mm) per side.Notes:
JEDEC Equivalent: MO-153 AB-1Revised: 08-17-05
* Controlling Parameter
BSC: Basic Dimension. Theoretically exact value shown without tolerances.
REF: Reference Dimension, usually without tole rance, for information purposes only.See ASME Y14.5M
See ASME Y14.5M
Drawing No. C04-087
12° REF12° REF12° REF
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MCP6541/1R/1U/2/3/4
付録 A: 改版履歴
改版 E (2006 年 9 月 )変更内容は以下の通りです:
1. SOT-23-5 パッケージ用の MCP6541U ピン配置図を追加。
2. 絶対最大アナログ入力電圧と電流の仕様を明確化。
3. 未使用のコンパレータに関するアプリケーション項目を追加。
4. パッケージ概略図に関する免責事項を追加。
改版 D (2006 年 5 月 )変更内容は以下の通りです:
1. E-temp パーツを追加。
2. リニア、及び二次温度係数に対する VHYST 温度仕様を変更。
3. E-Temp の仕様とプロットを変更。
4. セクション 3.0 ピンの機能と特徴を追加。
5. パッケージマーキング ( セクション 5.1「パッケージマーキング情報」を参照してください )を訂正。
6. 付録 A:改版履歴を追加。
改版 C (2003 年 9 月 )
改版 B (2002 年 11 月 )
改版 A (2002 年 3 月 )• 本文書の初版発行
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MCP6541/1R/1U/2/3/4
製品識別システム
注文や資料請求、または価格や納期などの照会は工場もしくは後述のセールスオフィスへお問い合わせください。
デバイス : MCP6541: 1個入りコンパレータMCP6541T: 1個入りコンパレータ ( テープでリール )
(SC-70, SOT-23, SOIC, MSOP)MCP6541RT: 1個入りコンパレータ (Rotated - テープで
リール ) (SOT-23 のみ )MCP6541UT: 1個入りコンパレータ ( テープでリール)
(SOT-23-5 は E-Temp のみ )MCP6542: 2個入りコンパレータMCP6542T: 2個入りコンパレータ
( テープでリール SOIC と MSOP)MCP6543: 1個入りコンパレータ CS 付きMCP6543T: 1個入りコンパレータ CS 付き
( テープでリール SOIC と MSOP)MCP6544: 4個入りコンパレータMCP6544T: 4個入りコンパレータ
( テープでリール SOIC と TSSOP)
温度範囲 : I = -40°C to +85°CE * = -40°C to +125°C
* SC-70-5 E-Temp パーツはこのデータシートのリリース時は発売されません。
パッケージ : LT = Plastic Package (SC-70), 5-leadOT = Plastic Small Outline Transistor (SOT-23), 5-leadMS = Plastic MSOP, 8-leadP = Plastic DIP (300 mil Body), 8-lead, 14-leadSN = Plastic SOIC (150 mil Body), 8-leadSL = Plastic SOIC (150 mil Body), 14-lead (MCP6544)ST = Plastic TSSOP (4.4mm Body), 14-lead (MCP6544)
PART NO. -X /XX
パッケージ温度範囲デバイス
例 :a) MCP6541T-I/LT: テープでリール
工業温度品 , 5LD SC-70.
b) MCP6541T-I/OT: テープでリール 工業温度品 ,5LD SOT-23.
c) MCP6541-E/P: 拡張温度品 ,8LD PDIP.
d) MCP6541RT-I/OT: テープでリール 拡張温度品 ,5LD SOT23.
e) MCP6541-E/SN: 拡張温度品 ,8LD SOIC.
f) MCP6541UT-E/OT: テープでリール 拡張温度品 ,5LD SOT23.
a) MCP6542-I/MS: 工業温度品 ,8LD MSOP.
b) MCP6542T-I/MS: テープでリール ,工業温度品 , 8LD MSOP.
c) MCP6542-I/P: 工業温度品 , 8LD PDIP.
d) MCP6542-E/SN: 拡張温度品 ,8LD SOIC.
a) MCP6543-I/SN: 工業温度品 ,8LD SOIC.
b) MCP6543T-I/SN: テープでリール ,工業温度品 , 8LD SOIC.
c) MCP6543-I/P: 工業温度品 ,8LD PDIP..
d) MCP6543-E/SN: 拡張温度品 ,8LD SOIC.
a) MCP6544T-I/SL: テープでリール ,工業温度品 ,14LD SOIC.
b) MCP6544T-I/SL: テープでリール ,工業温度品 ,14LD SOIC.
c) MCP6544-I/P: 工業温度品14LD PDIP.
d) MCP6544T-E/ST: テープでリール ,拡張温度品 ,14LD TSSOP.
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マイクロチップ社デバイスのプログラム保護機能に関して、以下の点にご注意ください。
• マイクロチップ社製品は、該当する「マイクロチップ社データシート」に記載の仕様を満たしています。
• マイクロチップ社では、通常の条件ならびに仕様どおりの方法で使用した場合、マイクロチップ社製品は現在市場に流通している同種製品としては最もセキュリティの高い部類に入る製品であると考えております。
• プログラム保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在します。マイクロチップ社の確認している範囲では、このような方法のいずれにおいても、マイクロチップ社製品を「マイクロチップ社データシート」の動作仕様外の方法で使用する必要があります。このような行為は、知的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます。
• マイクロチップ社は、コードの保全について懸念を抱いているお客様と連携し、対応策に取り組んでいきます。
• マイクロチップ社を含むすべての半導体メーカーの中で、自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません。プログラム保護機能とは、マイクロチップ社が製品を「解読不能」として保証しているものではありません。
プログラム保護機能は常に進歩しています。マイクロチップ社では、製品のプログラム保護機能の改善に継続的に取り組んでいます。マイクロチップ社のプログラム保護機能を解除しようとする行為は、デジタルミレニアム著作権法に抵触する可能性があります。そのような行為によってソフトウェアまたはその他の著作物に不正なアクセスを受けた場合は、デジタルミレニアム著作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利があります。
本書に記載されているデバイスアプリケーションなどに関する情報は、ユーザーの便宜のためにのみ提供されているものであり、更新によって無効とされることがあります。アプリケーションと仕様の整合性を保証することは、お客様の責任において行ってください。マイクロチップ社は、明示的、暗黙的、書面、口頭、法定のいずれであるかを問わず、本書に記載されている情報に関して、状態、品質、性能、商品性、特定目的への適合性をはじめとする、いかなる類の表明も保証も行いません。マイクロチップ社は、本書の情報およびその使用に起因する一切の責任を否認します。マイクロチップ社デバイスを生命維持および /または保安のアプリケーションに使用することはデバイス購入者の全責任において行うものとし、デバイス購入者は、デバイスの使用に起因するすべての損害、請求、訴訟、および出費に関してマイクロチップ社を弁護、免責し、同社に不利益が及ばないようにすることに同意するものとします。暗黙的あるいは明示的を問わず、マイクロチップ社が知的財産権を保有しているライセンスは一切譲渡されません。
© 2007 Microchip Technology Inc.
商標
Microchip の名前付きロゴ、Microchip ロゴ、Accuron、dsPIC、KEELOQ、KEELOQ ロゴ、microID、MPLAB、PIC、PICmicro、PICSTART、PRO MATE、PowerSmart、rfPIC、SmartShunt は、米国およびその他の国におけるMicrochip Technology Incorporated の登録商標です。
AmpLab、FilterLab、Linear Active Thermistor、Migratable Memory、MXDEV、MXLAB、PS ロゴ、SEEVAL、SmartSensor、The Embedded Control Solutions Company は、米国における Microchip Technology Incorporated の登録商標です。
Analog-for-the-Digital Age、Application Maestro、CodeGuard、dsPICDEM、dsPICDEM.net、dsPICworks、ECAN、ECONOMONITOR、FanSense、FlexROM、fuzzyLAB、In-Circuit Serial Programming、ICSP、ICEPIC、Mindi、MiWi、MPASM、MPLAB Certified ロゴ、MPLIB、MPLINK、PICkit、PICDEM、PICDEM.net、PICLAB、PICtail、PowerCal、PowerInfo、PowerMate、PowerTool、Real ICE、rfLAB、rfPICDEM、Select Mode、Smart Serial、SmartTel、Total Endurance、UNI/O、WiperLock、ZENA、は米国およびその他の国における Microchip Technology Incorporated の商標です。
SQTP は米国における Microchip Technology Incorporatedのサービスマークです。
その他、本書に記載されている商標は、各社に帰属します。
© 2007, Microchip Technology Incorporated, Printed in the U.S.A., All Rights Reserved.
再生紙を使用しています。
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マイクロチップ社では、Chandler および Tempe ( アリゾナ州 )、Gresham ( オレゴン州 )、Mountain View ( カリフォルニア州 ) の本部、設計部およびウエハ製造工場が ISO/TS-16949:2002 認証を取得しています。マイクロチップ社の品質システムプロセスおよび手順は、PIC® MCU および dsPIC® DSC、KEELOQ® コードホッピングデバイス、シリアル EEPROM、マイクロペリフェラル、不揮発性メモリ、アナログ製品に採用されています。また、マイクロチップ社の開発システムの設計および製造に関する品質システムは、ISO 9001:2000 の認証を受けています。
DS21696E_JP - ページ 34 © 2007 Microchip Technology Inc.
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