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TITREINSTITUT D’ÉLECTRONIQUE ET DE TÉLÉCOMMUNICATIONS DE RENNES
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Microcapteurs nano-fonctionnalisés
pour la détection biologiqueDONERO Laetitia
Directeurs de thèse: - Nantes : Pierre-Yves Tessier, Abdelaziz El mel
- Rennes: France Le Bihan, Laurent Le Brizoual
TITREINSTITUT D’ÉLECTRONIQUE ET DE TÉLÉCOMMUNICATIONS DE RENNES
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Présentation du projet
Institut des Matériaux Jean RouxelInstitut d’Electronique et Télécommunication de Rennes
IETR IMN
Equipe Plasma et Couches MincesDépartement Microélectronique et Microcapteurs
Dépôts et caractérisations de Nano-ObjetsConception et caractérisations de transistors
Réalisation d’un capteur pour la détection biologique
Carbone NanoporeuxNanofils de Silicium Nanotube de Carbone [1]
[1] Thèse « Aurélien Gohier » Université de Nantes (2007) IMN
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Capteurs étudiés au sein de l’équipe
Microélectronique, Micro capteur
SGFET à micro canaux (Ismaïl BOUHADDA 2014 )
SGFET grille suspendue(Abdelghani Kherrat 2012)
TFT à base de nano-fils (Gertrude Godem Wenga 2013)
Présentation du projet
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Fonctionnement du TFT en tant que capteur
Principe de détection
• En milieu liquide (pH)
• Caractéristique électrique
• Mesure de sensibilité
Présentation du projet
Thèse (Abdelghani Kherrat 2012)Réalisation de microchambres d'analyse chimique :
microcapteurs de pH et microfluidique associés
S=250mV/pH
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Polysilicium très dopé N
Polysilicium non dopé
Couche isolante (Nitrure)
Couche isolante (Oxyde de silicium)
Présentation du projet
Originalité du projet
• Pas de contact métallique (Silicium poly cristallin)
• Grille inferieure « Bottom gate »
• Géométrie plus simple
• Intégration de nanomatériaux sur la zone active
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Les nanomatériaux
VLS/ Catalyseur d’or
Laetitia DONERO
PECVD catalyseur de nickel [1]
Damien Thiry (post-doc)
Co-Pulvérisation cathodique /gravure chimique
Nicolas Bouts (Docteur ) et Abdelaziz El Mel (CR)
Présentation du projet
Grand rapport surface sur volume
Température de synthèse compatible avec la technologie
Application de détection
Fonctionnalisation possible
[1] Thèse « Aurélien Gohier » Université de Nantes (2007) IMN
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Sommaire
1.Dispositif
2.Caractérisations électriques
3. Intégration de nanomatériaux
4.Conclusions et Perspectives
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1.Dispositif
2.Caractérisations électriques
3. Intégration de nanomatériaux
4.Conclusions et Perspectives
Sommaire
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Si waferSiO2
Couche isolante (Oxyde de silicium)
SubstratDépôt de SiO2
Technique: APCVD
Gaz: Silane/Oxygène
Température: 420°C
Vitesse de dépôt: 29 nm/min
Epaisseur: 800 nm
Densification
Technique: Recuit
Température: 600°C
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Si waferSiO2
Polysilicium très dopé N
Couche isolante (Oxyde de silicium)
Contacts
SF6 SF6SF6
Gravure sècheTechnique: Plasma
Puissance: 30w
Débit: 30sccm
Pression: 4 Pa
Vitesse de gravure: environ 150nm/min
Dépôt poly Si dopéTechnique: LPCVD
Gaz: Silane, phosphore
Pression: 90 Pa
Vitesse de dépôt: 5 nm/min
Epaisseur: 300 nm
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Si waferSiO2
GS DPolysilicium très dopé N
Couche isolante (Oxyde de silicium)
Gravure sècheTechnique: Plasma
Puissance: 30w
Débit: 30sccm
Pression: 4 Pa
Vitesse de gravure: environ 150nm/min
Dépôt poly Si dopéTechnique: LPCVD
Gaz: Silane, phosphore
Pression: 90 Pa
Vitesse de dépôt: 5 nm/min
Epaisseur: 300 nm
Contacts
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Si waferSiO2
GSi3N4
S DCouche isolante (Nitrure)
Polysilicium très dopé N
Couche isolante (Oxyde de silicium)
Isolant de grilleDépôt de Si3N4
Technique: LPCVD
Gaz: Silane/Amoniaque
Pression: 60 Pa
Température: 725°C
Vitesse de dépôt: 4 nm/min
Epaisseur: Variable
Dépôt de SiO2Technique: APCVD
Gaz: Silane/Oxygène
Température: 420°C
Vitesse de dépôt: 29 nm/min
Epaisseur: Variable
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Si waferSiO2
GSi3N4
S D
Gravure humide de SiO2
Technique: Solution de BHF
Vitesse de gravure: (test hydrophobique)
Gravure sèche
Technique: Plasma
Puissance: 30W
Débit: 10 sccm
Pression: 1 Pa
Vitesse de gravure: environ 15nm/min
Ouverture des contacts
Couche isolante (Nitrure)
Polysilicium très dopé N
Couche isolante (Oxyde de silicium)
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Si waferSiO2
GSi3N4
S D
Contacts source/drain
Dépôt poly Si dopé
Technique: LPCVD
Gaz: Silane, phosphore
Pression: 90 Pa
Vitesse de dépôt: 5 nm/min
Epaisseur: 300 nm
Couche isolante (Nitrure)
Polysilicium très dopé N
Couche isolante (Oxyde de silicium)
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Si waferSiO2
GSi3N4
S D
Gravure sèche
Technique: Plasma
Puissance: 30 W
Débit: 30 sccm
Pression: 4 Pa
Vitesse de gravure: 15nm/min
Ouverture
Couche isolante (Nitrure)
Polysilicium très dopé N
Couche isolante (Oxyde de silicium)
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Si waferSiO2
GSi3N4
S D
Gravure sèche
Technique: Plasma
Puissance: 30 W
Débit: 30 sccm
Pression: 4 Pa
Vitesse de gravure: 15nm/min
Ouverture
Couche isolante (Nitrure)
Polysilicium très dopé N
Couche isolante (Oxyde de silicium)
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Si waferSiO2
GSi3N4
S D
Zone active
Polysilicium très dopé N
Couche isolante (Oxyde de silicium)
Polysilicium non dopé
Zone activeDépôt poly Si
Technique: LPCVD
Gaz: Silane
Pression: 90 Pa
Vitesse de dépôt: 5 nm/min
Epaisseur: Variable
Couche isolante (Nitrure)
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Si waferSiO2
GSi3N4
S D
Zone active
Polysilicium très dopé N
Polysilicium non dopé
Zone activeDépôt poly Si
Technique: LPCVD
Gaz: Silane
Pression: 90 Pa
Vitesse de dépôt: 5 nm/min
Epaisseur: Variable
Couche isolante (Nitrure)
Couche isolante (Oxyde de silicium)
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Si waferSiO2
GSi3N4
S D
Zone active
Encapsulation
Polysilicium très dopé N
Polysilicium non dopé
Couche isolante (Nitrure)
Couche isolante (Oxyde de silicium)
Dépôt de Si3N4Technique: LPCVD
Gaz: Silane/Amoniaque
Pression: 60 Pa
Température: 725°C
Vitesse de dépôt: 4 nm/min
Dépôt de SiO2Technique: APCVD
Gaz: Silane/Oxygène
Température: 420°C
Vitesse de dépôt: 29 nm/min
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Si waferSiO2
GSi3N4
S D
Zone active
Polysilicium très dopé N
Couche isolante (Oxyde de silicium)
Polysilicium non dopé
Intégration de nanomatériaux
Intégration de
nanomatériaux
Couche isolante (Nitrure)
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Sommaire
1.Dispositif
2.Caractérisations électriques
3. Intégration de nanomatériaux
4.Conclusions et Perspectives
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Vth
gm
Vth: Tension de seuil
gm: Transconductance
Pente sous le seuil
Caractéristique de transfert
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Encapsulation et Forming gas
Technique: Recuit en atmosphère gazeuse
Température: 400°C
Mélange gazeux: N2/H2 à 10%
Durée: 30 min
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Optimisation du transistor
SiO2/Si3N4
Mobilité : 6±1.5 cm²/V.s
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Test en milieu liquide
Etudes en cours Test en pH
Test en temps réel
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Sommaire
1.Dispositif
2.Caractérisations électriques
3. Intégration de nanomatériaux
4.Conclusions et Perspectives
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Les nanomatériaux
VLS/ Catalyseur d’or
Laetitia DONERO
PECVD catalyseur de nickel [1]
Damien Thiry (post-doc)
Co-Pulvérisation cathodique /gravure chimique
Nicolas Bouts (Docteur ) et Abdelaziz El Mel (CR)
Présentation du projet
[1] Thèse « Aurélien Gohier » Université de Nantes (2007) IMN
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Intégration des nanomatériaux
Résine Couche métallique
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Croissance de Nanofils
Epaisseur de la couche d’or: 1,4 nm
Recuit : 450°C
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Sommaire
1.Dispositif
2.Caractérisations électriques
3.Test en milieu liquide
4. Intégration de nanomatériaux
5.Conclusions et Perspectives
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Fixer l’épaisseur de l’isolant de grille
Tests en milieu liquide
Faisabilité d’intégration de nanomatériaux
Tests avec des solutions pH
Etude sur la croissance des nanofils de silicium
Intégration des nanomatériaux sur la zone active
Conclusions
Perspectives