1.  

 An: 

 

 

  

 

2. 

 An: 

 

 

 

    

3. For the Following questions, answer in one or two sentences. (a) Why should the emitter be doped more heavily than the base? An: To improve the emitter injection efficiency; and to reduce the back injected carriers from B‐E.  (b) “The base width is small” is often stated in device analysis. What is it being compared with? An: “Small” means WB << LB, typically < 1 µm.  (c) If the base width, WB, were made smaller, explain how it would affect the base width modulation. An: The depletion with in base, ΔWB, would become a larger portion of WB. Therefore, it would increase the slope of output characteristics.  (d) For a NPN device, indicate the voltage polarity (+, ‐) for the following: 

Region  VEB VCB

Active  ‐ (forward bias)  + (reverse bias) 

Saturation  ‐ (forward bias)  ‐ (forward bias) 

Cutoff  + (reverse bias)  + (reverse bias) 

 Remember: 

  (e) For a PNP device, indicate the voltage polarity (+, ‐) for the following: An: 

Region  VEB VCB

Active  +  ‐ 

Saturation  +  + 

Cutoff  ‐  ‐