mosfet tranzistori -...

16
MOSFET TRANZISTORI ZADATAK 42. NMOS tranzistor ima napon praga = 2 V i kroz njega protiče struja 1 = 1 mA kada je = = 3 V. Odrediti struju drejna za = 4 V. ReΕ‘enje: Na osnovu ispunjenosti uslova da je > dolazi se do zaključka da tranzistor nije zakočen. Napon () odreΔ‘uje se kao: () = βˆ’ = 1 V S obzirom da je > () zaključuje se da je tranzistor u zasiΔ‡enju, a tada struja iznosi: = βˆ™ ( βˆ’ ) 2 Do nepoznatog parametra dolazi se na osnovu poznate struje drejna pri poznatim naponima i : = 1 ( βˆ’ ) 2 = 1 βˆ™ 10 βˆ’3 (3 βˆ’ 2) 2 =1 mA V 2 Pa se za struju drejna, pri naponu = 4 V dobija: = βˆ™ ( βˆ’ ) 2 = 1 βˆ™ 10 βˆ’3 βˆ™ (4 βˆ’ 2) 2 = 4 mA ZADATAK 43. Kod NMOS tranzistora je poznato: = 2.5 V, = 5 ΞΌm, = 50 ΞΌm, = 800 cm 2 Vs ⁄ i kapacitivnost oksida gejta po jedinici povrΕ‘ine 8.63 Β· 10 βˆ’8 F/cm 2 . Odrediti struje gejta i drejna ovog tranzistora i navesti u kojoj oblasti rada se nalazi ako su poznati naponi na njegovim izvodima: a) = 1.2 V, = 4 V b) = 4 V, = 1.2 V c) = 4 V, = 4 V NaΔ‡i snagu disipacije. ReΕ‘enje: Struja gejta je uvek jednaka nuli!!! a) Uslov > nije ispunjen, Ε‘to znači da je tranzistor u zakočenju i da struja iznosi = 0 A. Snaga disipacije Δ‡e biti: = βˆ™ = 0 W b) Uslov > je ispunjen Ε‘to znači da tranzistor nije u zakočenju pa se moΕΎe nastaviti sa daljim ispitivanjem. Naredni korak je proveravanje da li je > () , Ε‘to nije ispunjeno, pa znači da je tranzistor u linearnoj oblasti rada.

Upload: others

Post on 19-Oct-2020

2 views

Category:

Documents


1 download

TRANSCRIPT

Page 1: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

MOSFET TRANZISTORI

ZADATAK 42. NMOS tranzistor ima napon praga 𝑉𝑇 = 2 V i kroz njega protiče struja 𝐼𝐷1 = 1 mA kada je

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 = 3 V. Odrediti struju drejna 𝐼𝐷 za 𝑉𝐺𝑆 = 4 V.

ReΕ‘enje:

Na osnovu ispunjenosti uslova da je 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇 dolazi se do zaključka da tranzistor nije zakočen. Napon 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)

odreΔ‘uje se kao:

𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘) = 𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇 = 1 V

S obzirom da je 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘) zaključuje se da je tranzistor u zasiΔ‡enju, a tada struja iznosi:

𝐼𝐷 = π‘˜ βˆ™ (𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇)2

Do nepoznatog parametra π‘˜ dolazi se na osnovu poznate struje drejna pri poznatim naponima 𝑉𝐺𝑆 i 𝑉𝑇:

π‘˜ =𝐼𝐷1

(𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇)2=

1 βˆ™ 10βˆ’3

(3 βˆ’ 2)2= 1

mA

V2

Pa se za struju drejna, pri naponu 𝑉𝐺𝑆 = 4 V dobija:

𝐼𝐷 = π‘˜ βˆ™ (𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇)2 = 1 βˆ™ 10βˆ’3 βˆ™ (4 βˆ’ 2)2 = 4 mA

ZADATAK 43. Kod NMOS tranzistora je poznato: 𝑉𝑇 = 2.5 V, 𝐿 = 5 ΞΌm, π‘Š = 50 ΞΌm, πœ‡π‘› = 800 cm2 Vs⁄ i

kapacitivnost oksida gejta po jedinici povrΕ‘ine 8.63 Β· 10βˆ’8 F/cm2. Odrediti struje gejta i drejna ovog tranzistora

i navesti u kojoj oblasti rada se nalazi ako su poznati naponi na njegovim izvodima:

a) 𝑉𝐺𝑆 = 1.2 V, 𝑉𝐷𝑆 = 4 V

b) 𝑉𝐺𝑆 = 4 V, 𝑉𝐷𝑆 = 1.2 V

c) 𝑉𝐺𝑆 = 4 V, 𝑉𝐷𝑆 = 4 V

Naći snagu disipacije.

ReΕ‘enje:

Struja gejta 𝐼𝐺 je uvek jednaka nuli!!!

a) Uslov 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇 nije ispunjen, Ε‘to znači da je tranzistor u zakočenju i da struja iznosi 𝐼𝐷 = 0 A. Snaga

disipacije Δ‡e biti:

𝑃 = 𝐼𝐷 βˆ™ 𝑉𝐷𝑆 = 0 W

b) Uslov 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇 je ispunjen Ε‘to znači da tranzistor nije u zakočenju pa se moΕΎe nastaviti sa daljim

ispitivanjem.

Naredni korak je proveravanje da li je 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘) , Ε‘to nije ispunjeno, pa znači da je tranzistor u

linearnoj oblasti rada.

Page 2: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

Parametar π‘˜ odreΔ‘uje se kao:

π‘˜ =πœ‡π‘› βˆ™ πœ€π‘œπ‘₯ βˆ™ π‘Š

2 βˆ™ π‘‘π‘œπ‘₯ βˆ™ 𝐿= πœ‡π‘› βˆ™ πΆπ‘œπ‘₯ βˆ™

π‘Š

2 βˆ™ 𝐿= 3.452 βˆ™ 10βˆ’4

A

V2

Pa struja drejna iznosi:

𝐼𝐷 = 2 βˆ™ π‘˜ βˆ™ [(𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇) βˆ™ 𝑉𝐷𝑆 βˆ’π‘‰π·π‘†

2

2] = 7.456 βˆ™ 10βˆ’4 A

Snaga disipacije Δ‡e biti:

𝑃 = 𝐼𝐷 βˆ™ 𝑉𝐷𝑆 = 7.456 βˆ™ 10βˆ’4 βˆ™ 1.2 = 0.895 mW

c) Uslov 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇 je ispunjen Ε‘to znači da tranzistor nije u zakočenju.

Zatim proveriti da li je 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘), Ε‘to je tačno, pa znači da je tranzistor u zasiΔ‡enju.

Struja drejna odrediće se pomoću formule:

𝐼𝐷 = π‘˜ βˆ™ (𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇)2 = 7.767 βˆ™ 10βˆ’4 A

Snaga disipacije iznosi:

𝑃 = 𝐼𝐷 βˆ™ 𝑉𝐷𝑆 = 7.767 βˆ™ 10βˆ’4 βˆ™ 4 = 3.107 mW

ZADATAK 44.

a) Za kolo sa slike odrediti vrednost otpornosti otpornika 𝑅1 i napona na drejnu 𝑉𝐷 tako da je struja drejna

𝐼𝐷 = 80 ΞΌA , ako je upotrebljen NMOS tranzistor (M1) čiji je napon praga 𝑉𝑇 = 0.6 V ,

πœ‡π‘› βˆ™ πΆπ‘œπ‘₯ = 200 ΞΌA V2⁄ , 𝐿 = 0.8 ΞΌm, π‘Š = 4 ΞΌm. Poznato je 𝑉𝐷𝐷 = 3 V.

b) Ukoliko se napon 𝑉𝐷 primeni na gejt tranzistora M2, odrediti radnu tačku (𝐼𝐷 , 𝑉𝐷𝑆) ovog tranzistora.

Tranzistori M1 i M2 su identični. NaΔ‡i snagu disipacije tranzistora. Poznato je 𝑅2 = 20 kΞ©.

a) b)

ReΕ‘enje:

a)

Page 3: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

Parametar π‘˜ iznosi:

π‘˜ = πœ‡π‘› βˆ™ πΆπ‘œπ‘₯ βˆ™π‘Š

2 βˆ™ 𝐿= 500

ΞΌA

V2

Uočiti da su u kolu kratkospojeni gejt i drejn tranzistora, Ε‘to znači da je 𝑉𝐺 = 𝑉𝐷 , a samim tim je i

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆!

S obzirom da je 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆, tranzistor je sigurno u zasiΔ‡enju. Iz izraza za struju tranzistora u zasiΔ‡enju

moΕΎe se odrediti 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘):

𝐼𝐷 = π‘˜ βˆ™ (𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇)2 = π‘˜ βˆ™ 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)2 β†’ 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘) = √

𝐼𝐷

π‘˜= 0.4 V

Iz relacije 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘) = 𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇 moguΔ‡e je izraziti vrednost napona 𝑉𝐺𝑆 za koji se zna da je jednak naponu

𝑉𝐷𝑆, pa se onda zaključuje:

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘) + 𝑉𝑇 = 1 V

Do vrednosti otpornika 𝑅1 dolazi se iz jednačine:

𝑉𝐷𝐷 = 𝑅1 βˆ™ 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 β†’ 𝑅1 =𝑉𝐷𝐷 βˆ’ 𝑉𝐷𝑆

𝐼𝐷= 25 kΩ

b)

Page 4: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

Uočiti da za dato kolo važi:

𝑉𝐺𝑆2 = 𝑉𝐷𝑆1 = 1 V

Uslov 𝑉𝐺𝑆2 > 𝑉𝑇 je ispunjen Ε‘to znači da tranzistor nije u zakočenju. MoguΔ‡e je odrediti napon 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)2:

𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)2 = 𝑉𝐺𝑆2 βˆ’ 𝑉𝑇 = 0.4 V

Zadatak raditi pod pretpostavkom da je tranzistor M2 u zasićenju, i na kraju obavezno ispitati da li je

pretpostavka bila tačna. U slučaju da je tranzistor u zasiΔ‡enju struja 𝐼𝐷2 iznosi:

𝐼𝐷2 = π‘˜ βˆ™ (𝑉𝐺𝑆2 βˆ’ 𝑉𝑇)2 = 80 ΞΌA

Kolo se moΕΎe opisati jednačinom odakle Δ‡e se odrediti napon 𝑉𝐷𝑆2:

𝑉𝐷𝐷 = 𝑅2 βˆ™ 𝐼𝐷2 + 𝑉𝐷𝑆2 β†’ 𝑉𝐷𝑆2 = 𝑉𝐷𝐷 βˆ’ 𝑅2 βˆ™ 𝐼𝐷2 = 1.4 V

Poslednji korak je OBAVEZNO proveravanje pretpostavke na osnovu koje je kolo reΕ‘avano! Ukoliko je

ispunjen uslov 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘), pretpostavka je tačna i tranzistor je stvarno u zasiΔ‡enju. Ukoliko uslov nije

ispunjen, potrebno je opet reΕ‘iti kolo za odgovarajuΔ‡u oblast rada. U ovom slučaju je:

𝑉𝐷𝑆2 > 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)2

Ε‘to znači da je pretpostavka bila tačna i da je tranzistor u zasiΔ‡enju.

ZADATAK 45.

a) Odrediti vrednost otpornosti otpornika 𝑅𝐷 tako da napon na drejnu NMOS tranzistora bude 𝑉𝐷 = 0.1 V.

Poznato je 𝑉𝐷𝐷 = 5 V , 𝑉𝑇 = 1 V , π‘˜ = 0.5 mA

V2 . Odrediti i otpornost kanala tranzistora (π‘Ÿπ·π‘† ) u ovom

slučaju.

b) Odrediti radnu tačku (𝐼𝐷, 𝑉𝐷𝑆) ukoliko se upotrebi otpornik 𝑅𝐷 dvostruko veΔ‡e vrednosti otpornosti.

ReΕ‘enje:

Page 5: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

a) U kolu se može uočiti da je:

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 βˆ’ 𝑉𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 βˆ’ 0 = 5 V

S obzirom da je 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇 znači da tranzistor nije zakočen. Naredni korak je odreΔ‘ivanje napon 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘):

𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘) = 𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇 = 5 βˆ’ 1 = 4 V

Uslov zadatka je da napon na drejnu tranzistora iznosi 𝑉𝐷 = 0.1 V, a iz kola se vidi da je 𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆, pa se

dolazi do zaključka da je tranzistor u triodnoj oblasti jer je:

𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)

Struja drejna u triodnoj oblasti iznosi:

𝐼𝐷 = 2 βˆ™ π‘˜ βˆ™ [(𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇) βˆ™ 𝑉𝐷𝑆 βˆ’π‘‰π·π‘†

2

2] = 0.395 mA

Kolo se moΕΎe opisati jednačinom odakle se odreΔ‘uje otpornost otpornika 𝑅𝐷:

𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 βˆ™ 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 β†’ 𝑅𝐷 =𝑉𝐷𝐷 βˆ’ 𝑉𝐷𝑆

𝐼𝐷=

5 βˆ’ 0.1

0.395 βˆ™ 10βˆ’3= 12.4 kΞ©

Otpornost kanala tranzistora zavisi od njegove radne tačke, pa se dobija:

π‘Ÿπ·π‘† =𝑉𝐷𝑆

𝐼𝐷=

0.1

0.395 βˆ™ 10βˆ’3= 253 Ξ©

b) Za duplo veΔ‡u otpornost koja iznosi 𝑅𝐷 = 24.8 kΞ© i 𝑉𝐺𝑆 = 5 V, zamenom struje odgovarajuΔ‡im izrazom,

dobija se jednačina kola:

𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 βˆ™ {2 βˆ™ π‘˜ βˆ™ [(𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇) βˆ™ 𝑉𝐷𝑆 βˆ’π‘‰π·π‘†

2

2]} + 𝑉𝐷𝑆

Koja se svodi na kvadratnu jednačinu čija su reőenja:

𝑉𝐷𝑆1,2 =βˆ’[𝑅𝐷 βˆ™ 2 βˆ™ π‘˜(𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇) + 1] Β± √[𝑅𝐷 βˆ™ 2 βˆ™ π‘˜(𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇) + 1]2 βˆ’ 4 βˆ™ 𝑅𝐷 βˆ™ π‘˜ βˆ™ 𝑉𝐷𝐷

βˆ’2 βˆ™ 𝑅𝐷 βˆ™ π‘˜

Page 6: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

𝑉𝐷𝑆1 = 0.04 V i 𝑉𝐷𝑆2 = 8.03 V

Da bi tranzistor bio u triodnoj oblasti, neophodno je da 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘), Ε‘to ispunjava prvo reΕ‘enje, pa se

usvaja da je 𝑉𝐷𝑆 = 0.04 V. Vrednost struje drejna se nalazi iz jednačine kojom je opisano kolo:

𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 βˆ™ 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 β†’ 𝐼𝐷 =𝑉𝐷𝐷 βˆ’ 𝑉𝐷𝑆

𝑅𝐷= 0.2 mA

ZADATAK 46. Odrediti sve struje i napone u kolu sa slike, ako je upotrebljen NMOS tranzistor čiji je napon

praga 𝑉𝑇 = 1 V, a π‘˜ = 0.5 mA

V2 . Poznato je 𝑉𝐷𝐷 = 10 V, 𝑅1 = 𝑅2 = 10 MΞ©, 𝑅𝐷 = 𝑅𝑆 = 6 kΞ©.

ReΕ‘enje:

S obzirom na to da je struja gejta 𝐼𝐺 = 0 A, napon na gejtu tranzistora odreΔ‘uje se iz razdelnika napona:

Page 7: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

𝑉𝐺 =𝑅2

𝑅2 + 𝑅1βˆ™ 𝑉𝐷𝐷 = 5 V

Za kolo vaΕΎi relacija:

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 βˆ’ 𝑉𝑆 = 𝑉𝐺 βˆ’ 𝑅𝑆 βˆ™ 𝐼𝐷

Zadatak raditi pod pretpostavkom da je tranzistor u zasiΔ‡enju, Ε‘to bi značilo da je struja:

𝐼𝐷 = π‘˜ βˆ™ (𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇)2

Zamenom 𝑉𝐺𝑆 u jednačinu struje, dobija se kvadratna jednačina:

(π‘˜ βˆ™ 𝑅𝑆) βˆ™ 𝐼𝐷2 + (βˆ’1 βˆ’ 2 βˆ™ π‘˜ βˆ™ 𝑉𝐺 βˆ™ 𝑅𝑆 + 2 βˆ™ π‘˜ βˆ™ 𝑉𝑇 βˆ™ 𝑅𝑆) βˆ™ 𝐼𝐷 + (π‘˜ βˆ™ 𝑉𝑇

2 + π‘˜ βˆ™ 𝑉𝐺2 βˆ’ 2 βˆ™ π‘˜ βˆ™ 𝑉𝐺 βˆ™ 𝑉𝑇) = 0

Reőenja jednačine su:

𝐼𝐷1 = 0.89 mA i 𝐼𝐷2 = 0.5 mA

Za struju 𝐼𝐷1, napon 𝑉𝑆1 iznosi:

𝑉𝑆1 = 𝑅𝑆 βˆ™ 𝐼𝐷1 = 6 βˆ™ 103 βˆ™ 0.89 βˆ™ 10βˆ’3 = 5.34 V

Pa bi napon 𝑉𝐺𝑆1 = 5 βˆ’ 5.34 = βˆ’0.34 V bio negativan, Ε‘to nije prihvatljivo.

Za struju 𝐼𝐷2, napon 𝑉𝑆2 iznosi:

𝑉𝑆2 = 𝑅𝑆 βˆ™ 𝐼𝐷2 = 6 βˆ™ 103 βˆ™ 0.5 βˆ™ 10βˆ’3 = 3 V

Pa napon 𝑉𝐺𝑆2 iznosi 𝑉𝐺𝑆2 = 5 βˆ’ 3 = 2 V, Ε‘to je prihvatljivo reΕ‘enje. Usvaja se da je 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆2.

I OBAVEZNO proveriti da li je tranzistor stvarno u zasiΔ‡enju! Tranzistor nije zakočen jer je ispunjen uslov:

𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇

U ovom slučaju napon 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘) iznosi:

𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘) = 𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇 = 2 βˆ’ 1 = 1 V

S obzirom da je:

𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)

Pretpostavka je bila tačna, i tranzistor radi u oblasti zasiΔ‡enja!

Iz jednačine kola moguΔ‡e je odrediti napon 𝑉𝐷𝑆:

𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 βˆ™ 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆 β†’ 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 βˆ’ 𝑅𝐷 βˆ™ 𝐼𝐷 βˆ’ 𝑉𝑆 = 4 V

Ostalo je odrediti napon 𝑉𝐷:

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷 βˆ’ 𝑉𝑆 β†’ 𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆 = 7 V

Page 8: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

ZADATAK 47. NMOS tranzistor u kolu sa slike ima napon praga 𝑉𝑇 = 1.5 V i π‘˜ = 0.4 mA

V2 . Ako je napon koji

se dovodi na gejt (𝑉𝐼𝑁) – impulsni (0 V i 5 V), odrediti izlazni napon π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡. Poznato je 𝑉𝐷𝐷 = 5 V, 𝑅𝐷 = 1 kΞ©

ReΕ‘enje:

Uočiti da je napon na gejtu 𝑉𝐺 jednak ulaznom naponu 𝑉𝐼𝑁! TakoΔ‘e je izlazni napon π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡ jednak naponu 𝑉𝐷𝑆!

Za slučaj 𝑉𝐼𝑁 = 0 V, vaΕΎi da je 𝑉𝐺 = 0 V, kao i da je napon 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 βˆ’ 𝑉𝑆 = 0 V. U ovom slučaju vaΕΎi:

𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑇

Zaključuje se da je tranzistor zakočen, őto znači da je struja kroz njega 𝐼𝐷 = 0 A, pa izlazni napon iznosi:

π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡ = 𝑉𝐷𝐷 βˆ’ 𝑅𝐷 βˆ™ 𝐼𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 = 5 V

Za slučaj 𝑉𝐼𝑁 = 5 V, vaΕΎi da je 𝑉𝐺 = 5 V, kao i da je napon 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 βˆ’ 𝑉𝑆 = 5 V. U ovom slučaju vaΕΎi:

𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇

Zaključuje se da tranzistor nije zakočen, i da njegov napon zasiΔ‡enja iznosi:

𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘) = 𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇 = 3.5 V

Zadatak raditi pod pretpostavkom da je tranzistor u zasićenju, i na kraju OBAVEZNO proveriti da li je

pretpostavka tačna!

Page 9: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

Za struju se dobija:

𝐼𝐷 = π‘˜ βˆ™ (𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇)2 = 4.9 mA

Iz jednačine kola, moguΔ‡e je odrediti napon 𝑉𝐷𝑆 na osnovu koga se zaključuje da li je pretpostavka bila tačna:

𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 βˆ™ 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 β†’ 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 βˆ’ 𝑅𝐷 βˆ™ 𝐼𝐷 = 0.1 V

S obzirom da je:

𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)

Zaključuje se da pretpostavka nije tačna, i da je tranzistor u trodnoj oblasti! Neophodno je odraditi proračune sa

formulama za triodnu oblast kako bi rezultati bili validni.

U triodnoj oblasti struja iznosi:

𝐼𝐷 = 2 βˆ™ π‘˜ βˆ™ [(𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇) βˆ™ 𝑉𝐷𝑆 βˆ’π‘‰π·π‘†

2

2]

A kolo se može opisati jednačinom:

𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 βˆ™ 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆

Zamenom izraza za struju u jednačinu kola, dobija se kvadratna jednačina:

(βˆ’π‘˜ βˆ™ 𝑅𝑆) βˆ™ 𝑉𝐷𝑆2 + [2 βˆ™ π‘˜ βˆ™ 𝑅𝐷 βˆ™ (𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇) + 1] βˆ™ 𝑉𝐷𝑆 βˆ’ 𝑉𝐷𝐷 = 0

Njena reΕ‘enja su:

𝑉𝐷𝑆1 = 1.6 V i 𝑉𝐷𝑆2 = 7.9 V

Drugo reΕ‘enje (𝑉𝐷𝑆2) nema smisla, jer bi za tu vrednost napona 𝑉𝐷𝑆 tranzistor bio u zasiΔ‡enju, a ovde je poznato

da tranzistor radi u triodnoj oblasti.

Prihvata se prvo reΕ‘enje 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆1 = 1.6 V zato Ε‘to ispunjava uslov za triodnu oblast:

𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)

Na kraju, za struju se dobija:

𝐼𝐷 =𝑉𝐷𝐷 βˆ’ 𝑉𝐷𝑆

𝑅𝐷= 3.4 mA

ZADATAK 48. Odrediti vrednosti otpornosti otpornika 𝑅𝐷 i 𝑅𝑆 tako da je struja drejna 𝐼𝐷 = 0.4 mA i

𝑉𝐷 = 0.5 V . NMOS tranzistor ima napon praga 𝑉𝑇 = 0.7 V , πœ‡π‘› βˆ™ πΆπ‘œπ‘₯ = 100 ΞΌA

V2, 𝐿 = 1 ΞΌm , π‘Š = 32 ΞΌm .

Poznato je 𝑉𝐷𝐷 = 2.5 V i 𝑉𝑆𝑆 = βˆ’2.5 V.

Page 10: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

ReΕ‘enje:

Za kolo vaΕΎi da je struja gejta 𝐼𝐺 = 0 A i napon na gejtu tranzistora 𝑉𝐺 = 0 V. Napon na sorsu tranzistora je:

𝑉𝑆 = 𝑅𝑆 βˆ™ 𝐼𝐷 + 𝑉𝑆𝑆

Za napon 𝑉𝐺𝑆 vaΕΎi:

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 βˆ’ 𝑉𝑆 = 0 βˆ’ 𝑅𝑆 βˆ™ 𝐼𝐷 βˆ’ 𝑉𝑆𝑆

Zadatak raditi pod pretpostavkom da je tranzistor u zasićenju, i na kraju OBAVEZNO proveriti da li je

pretpostavka tačna!

U zasićenju struja se nalazi kao:

𝐼𝐷 = π‘˜ βˆ™ (𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇)2 = π‘˜ βˆ™ 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)2

Parametar π‘˜ se odreΔ‘uje na sledeΔ‡i način:

Page 11: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

π‘˜ = πœ‡π‘› βˆ™ πΆπ‘œπ‘₯ βˆ™π‘Š

2 βˆ™ 𝐿= 1.6

mA

V2

Iz prethodne dve formule, moΕΎe se odrediti napon 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘):

𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘) = √𝐼𝐷

π‘˜= 0.5 V

Neophodno je odrediti napon 𝑉𝐷𝑆, kako bi se proverila tačnost pretpostavke! S obzirom da je 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘) = 𝑉𝐺𝑆 βˆ’ 𝑉𝑇

moguΔ‡e je odrediti napon 𝑉𝐺𝑆 preko koga Δ‡e se naΔ‡i napon 𝑉𝑆, i na kraju napon 𝑉𝐷𝑆.

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘) + 𝑉𝑇 = 1.2 V

Napon 𝑉𝑆 Δ‡e biti:

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 βˆ’ 𝑉𝑆 β†’ 𝑉𝑆 = 𝑉𝐺 βˆ’ 𝑉𝐺𝑆 = βˆ’1.2 V

Sada je moguΔ‡e odrediti napon 𝑉𝐷𝑆 i proveriti pretpostavku:

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷 βˆ’ 𝑉𝑆 = 0.5 + 1.2 = 1.7 V β†’ 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)

Pretpostavka je bila tačna, tranzistor stvarno radi u oblasti zasiΔ‡enja! Ostalo je joΕ‘ odrediti vrednosti otpornika

𝑅𝐷 i 𝑅𝑆:

𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 βˆ™ 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷 β†’ 𝑅𝐷 =𝑉𝐷𝐷 βˆ’ 𝑉𝐷

𝐼𝐷= 5 kΩ

𝑉𝐺𝑆 = βˆ’π‘…π‘† βˆ™ 𝐼𝐷 βˆ’ 𝑉𝑆𝑆 β†’ 𝑅𝑆 = βˆ’π‘‰πΊπ‘† + 𝑉𝑆𝑆

𝐼𝐷= 3.25 kΩ

ZADATAK 49. Odrediti π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡ i πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡ (kroz otpornik 𝑅𝑆) u kolu dvostepenog pojačavača prikazanog na slici, kada

je 𝑉𝐺 = 4 V. Upotrebljeni su identični tranzistori čiji je napon praga 𝑉𝑇 = 3 V i π‘˜ = 1 A

V2. Poznato je 𝑉𝐷𝐷 = 12 V,

𝑅𝐷 = 𝑅𝑆 = 2 Ξ©.

Page 12: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

ReΕ‘enje:

Struje gejta 𝐼𝐺1 i 𝐼𝐺2 su jednake nuli. Struja πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡ je jednaka struji drejna tranzistora M2, a izlazni napon π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡

predstavlja napon na sorsu tranzistora M2. Za kolo vaΕΎi da je:

𝑉𝐺𝑆1 = 𝑉𝐺1 βˆ’ 𝑉𝑆1 = 4 βˆ’ 0 = 4 V

S obzirom da je 𝑉𝐺𝑆1 > 𝑉𝑇, tranzistor M1 nije zakočen. Odrediti 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)1:

𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)1 = 𝑉𝐺𝑆1 βˆ’ 𝑉𝑇 = 4 βˆ’ 3 = 1 V

Reőavati zadatak pod pretpostavkom da je tranzistor u zasićenju, i potom OBAVEZNO proveriti pretpostavku.

Struja zasićenja iznosi:

𝐼𝐷1 = π‘˜ βˆ™ (𝑉𝐺𝑆1 βˆ’ 𝑉𝑇)2 = π‘˜ βˆ™ 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)12 = 1 A

Iz jednačine kola za tranzistor M1 moΕΎe se odrediti napon 𝑉𝐷𝑆1:

𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 βˆ™ 𝐼𝐷1 + 𝑉𝐷𝑆1 β†’ 𝑉𝐷𝑆1 = 𝑉𝐷𝐷 βˆ’ 𝑅𝐷 βˆ™ 𝐼𝐷1 = 10 V

S obzirom da je:

𝑉𝐷𝑆1 > 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)1

Pretpostavka je bila tačna, tranzistor M1 jeste u zasiΔ‡enju!

Sa kola se uočava da je:

𝑉𝐺2 = 𝑉𝐷𝑆1 = 10 V

Pa se napon 𝑉𝐺𝑆2 moΕΎe zapisati kao:

𝑉𝐺𝑆2 = 𝑉𝐺2 βˆ’ 𝑉𝑆2 = 𝑉𝐺2 βˆ’ 𝑅𝑆 βˆ™ πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡

Poznato je i da je:

Page 13: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

𝑉𝑆2 = 𝑅𝑆 βˆ™ πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡ = π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡

Pretpostaviti da i tranzistor M2 radi u zasiΔ‡enju, Ε‘to bi značilo da je struja πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡:

πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡ = π‘˜ βˆ™ (𝑉𝐺𝑆2 βˆ’ 𝑉𝑇)2 = π‘˜ βˆ™ (𝑉𝐺2 βˆ’ 𝑅𝑆 βˆ™ πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡ βˆ’ 𝑉𝑇)2

Pa se dobija kvadratna jednačina sa reőenjima:

(4 βˆ™ π‘˜) βˆ™ πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡2 + (βˆ’28 βˆ™ π‘˜ βˆ’ 1) βˆ™ πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡ + (49 βˆ™ π‘˜) = 0

πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡1 = 4.57 A i πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡2 = 2.68 A

Za dobijene vrednosti struja odgovarajući naponi bi bili:

πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡1 = 4.57 A

πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡2 = 2.68 A

π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡ = 𝑅𝑆 βˆ™ πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡1 = 9.14 V π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡ = 𝑅𝑆 βˆ™ πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡2 = 5.36 V

𝑉𝐺𝑆2 = 𝑉𝐺2 βˆ’ π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡ = 10 βˆ’ 9.14 = 0.86 V 𝑉𝐺𝑆2 = 𝑉𝐺2 βˆ’ π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡ = 10 βˆ’ 5.36 = 4.64 V

𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)2 = 𝑉𝐺𝑆2 βˆ’ 𝑉𝑇 = 0.86 βˆ’ 3 = βˆ’2.14 V 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)2 = 𝑉𝐺𝑆2 βˆ’ 𝑉𝑇 = 4.64 βˆ’ 3 = 1.64 V

Za vrednost struje πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡1 vrednost napona saturacije nema smisla i to reΕ‘enje se odbacuje, a prihvata kao reΕ‘enje

vrednost struje πΌπ‘‚π‘ˆπ‘‡2.

Ostalo je odrediti vrednost napona 𝑉𝐷𝑆2 i proveriti da li je pretpostavka za tranzistor M2 bila tačna.

𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆2 + π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡ β†’ 𝑉𝐷𝑆2 = 𝑉𝐷𝐷 βˆ’ π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡ = 12 βˆ’ 5.36 = 6.64 V

S obzirom da je ispunjen uslov:

𝑉𝐷𝑆2 > 𝑉𝐷𝑆(π‘ π‘Žπ‘‘)2

Dolazi se do zaključka da je pretpostavka za tranzistor M2 tačna, pa su dobijene vrednosti regularne.

ZADATAK 50. NMOS i PMOS tranzistor su upareni (čine CMOS invertor) tako da je napon praga

𝑉𝑇𝑁 = βˆ’π‘‰π‘‡π‘ƒ = 1 V i π‘˜π‘ = π‘˜π‘ƒ = 0.5 mA

V2 . Odrediti struje 𝐼𝐷𝑁 i 𝐼𝐷𝑃, kao i izlazni napon π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡, kada je:

a) 𝑉𝐼𝑁 = 0 V

b) 𝑉𝐼𝑁 = 2.5 V

Poznato je: 𝑉𝐷𝐷 = 2.5 V i 𝑅𝐿 = 10 kΞ©.

Page 14: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

ReΕ‘enje:

a) Za NMOS tranzistor vaΕΎi:

Kada je 𝑉𝐼𝑁 = 0 V, napon 𝑉𝐺𝑆𝑁 = 0 V, tako da je 𝑉𝐺𝑆𝑁 < 𝑉𝑇𝑁, Ε‘to znači da je tranzistor zakočen i da je

struja 𝐼𝐷𝑁 = 0 A.

Za PMOS tranzistor vaΕΎi:

Napon 𝑉𝐺𝑆𝑃 = 𝑉𝐺 βˆ’ 𝑉𝑆𝑃 = βˆ’π‘‰π·π· = βˆ’2.5 V, a s obzirom da je |𝑉𝐺𝑆𝑃| > |𝑉𝑇𝑃| tranzistor nije zakočen.

PMOS tranzistor radi u omskoj – linearnoj oblasti, tako da je struja:

𝐼𝐷𝑃 = 2 βˆ™ π‘˜ βˆ™ (𝑉𝐺𝑆𝑃 βˆ’ 𝑉𝑇𝑃) βˆ™ 𝑉𝐷𝑆𝑃

Kolo se može opisati jednačinom:

𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝑆𝐷𝑃 + 𝐼𝐷𝑃 βˆ™ 𝑅𝐿 β†’ 𝑉𝑆𝐷𝑃 = 𝑉𝐷𝐷 βˆ’ 𝐼𝐷𝑃 βˆ™ 𝑅𝐿

𝑉𝐷𝑆𝑃 = βˆ’π‘‰π‘†π·π‘ƒ = 𝐼𝐷𝑃 βˆ™ 𝑅𝐿 βˆ’ 𝑉𝐷𝐷

Zamenom 𝑉𝐷𝑆𝑃 u izraz za struju 𝐼𝐷𝑃, dobija se jednačina koja za reΕ‘enje ima:

𝐼𝐷𝑃 =βˆ’2 βˆ™ π‘˜ βˆ™ 𝑉𝐷𝐷 βˆ™ (𝑉𝐺𝑆𝑃 βˆ’ 𝑉𝑇𝑃)

1 βˆ’ 2 βˆ™ π‘˜ βˆ™ 𝑅𝐿 βˆ™ (𝑉𝐺𝑆𝑃 βˆ’ 𝑉𝑇𝑃)= 0.234 mA

Page 15: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

Pa je izlazni napon:

π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡ = 𝐼𝐷𝑃 βˆ™ 𝑅𝐿 = 2.34 V

b) Za NMOS tranzistor vaΕΎi:

Kada je 𝑉𝐼𝑁 = 2.5 V , napon 𝑉𝐺𝑆𝑁 = 𝑉𝐺 βˆ’ 𝑉𝑆𝑁 = 2.5 V , uslov 𝑉𝐺𝑆𝑁 > 𝑉𝑇𝑁 je ispunjen, Ε‘to znači da

tranzistor nije zakočen. Može se uočiti da je:

π‘‰π‘‚π‘ˆπ‘‡ = 𝑉𝐷𝑆𝑁 = 0 V

To znači da i struja iznosi:

𝐼𝐷𝑁 = 2 βˆ™ π‘˜ βˆ™ (𝑉𝐺𝑆𝑁 βˆ’ 𝑉𝑇𝑁) βˆ™ 𝑉𝐷𝑆𝑁 = 0 V

Za PMOS tranzistor vaΕΎi:

Kada je 𝑉𝐼𝑁 = 2.5 V, napon 𝑉𝐺𝑆𝑃 = 0 V, tako da je |𝑉𝐺𝑆𝑃| < |𝑉𝑇𝑃|, Ε‘to znači da je tranzistor zakočen i da

je struja 𝐼𝐷𝑃 = 0 A.

ZADATAK 51. Na slici je data prenosna karakteristika CMOS invertora. Označiti karakteristične naponske nivoe

(𝑉𝐼𝐿, 𝑉𝑂𝐿, 𝑉𝐼𝐻, 𝑉𝑂𝐻), odrediti njihove vrednosti i proračunati margine Ε‘uma ovog invertora.

ReΕ‘enje:

Page 16: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfΒ Β· Struja drejna odrediΔ‡e se pomoΔ‡u formule: 𝐼𝐷=π‘˜βˆ™( βˆ’ )2=7.767βˆ™10βˆ’4

Grafičkim putem očitane su vrednosti:

𝑉𝑂𝐻 = 4.83 V, 𝑉𝑂𝐿 = 0.1 V, 𝑉𝐼𝐿 = 2.05 V, 𝑉𝐼𝐻 = 2.7 V

Pa margine Ε‘uma iznose:

𝑁𝑀𝐻 = 𝑉𝑂𝐻 βˆ’ 𝑉𝐼𝐻 = 4.83 βˆ’ 2.7 = 2.13 V

𝑁𝑀𝐿 = 𝑉𝐼𝐿 βˆ’ 𝑉𝑂𝐿 = 2.05 βˆ’ 0.1 = 1.95 V