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MOSFETセレクションガイド2017

www.infineon.com

2

<低耐圧MOSFET>

OptiMOS™ および StrongIRFET™ 3

製品ポートフォリオ

　20V～300V NチャネルパワーMOSFET 6

　　OptiMOS™ & StrongIRFET™ 20V～30V 6




　小信号MOSFET 20

　20V～250V PチャネルパワーMOSFET 22

<高耐圧MOSFET>

CoolMOS™ 24

大電力スイッチング電源用（＞150W）CoolMOS™ 25

高耐圧CoolMOS™ セレクション一覧 27

小電力スイッチング電源用（＜150W）CoolMOS™ 28


　500V～900V NチャネルパワーMOSFET 29

　　900V～700V CoolMOS™ 29

　　650V CoolMOS™ 30



　パッケージ別CoolMOS™ 36

目次

3

OptiMOS™ および StrongIRFET™20V～300V Nチャネルパワー MOSFET

インフィニオンの半導体は、エネルギー効率、電力密度、費用対効果を高める点を特長としています。幅広いOptiMOS™ および

StrongIRFET™ N チャネルパワーMOSFET を使用することで、スイッチモード電源（SMPS）、モータ制御（駆動）、インバータ、

コンピューティングなどのアプリケーションで革新性と優れた性能を実現します。

インフィニオンの革新的な OptiMOS™ および StrongIRFET™ ファミリーは、オン抵抗や性能指数特性など、電源システム設計の

重要な仕様について、最高の品質と性能に対する要求を満たしています。

OptiMOS™ パワーMOSFET は、卓越したクラス最高の性能を実現します。高スイッチング周波数アプリケーション向けの超低オン抵抗および低電荷を特長としています。StrongIRFET™ パワーMOSFET は、高い耐久性を必要とする産業アプリケーション向

けに設計されており、低スイッチング周波数または、大電流を必要とする設計に最適です。

OptiMOS™ ファミリーの特長

高性能アプリケーション向けの設計

主としてトレンチパワーMOSFETの

後継製品

クラス最高の性能および価格性能比の製品を提供

高周波スイッチングに最適業界最高のFOM（性能指数）

超低オン抵抗 20 V–300 V ポートフォリオ高効率と高電力密度

StrongIRFET™ ファミリーの特長

産業アプリケーション向け主として

プレナー型パワーMOSFETの後継製品

従来のトレンチMOSFET分野に

価値を提供

低周波スイッチングに最適大電流許容能力

低オン抵抗ゲートしきい値3.0Vのロジックレベル品も

ラインナップ耐久性の高いデバイス

OptiMOS™ および StrongIRFET™

www.infineon.com/powermosfet-20V-300V

4


DirectFET™ DirectFET™ のラインアップは、さまざまな産業用アプリケーション、たとえば、サー

バ用電圧レギュレータ、テレコム用DC-DCコンバータ、太陽光発電用マイクロイン

バータ、最大電力点追従制御（MPPT）、低電圧ドライブ、サーバおよびデスクトップ

の同期整流などに最適です。DirectFET™ M は、わずか 31mm2のフットプリントで、

従来のD2PAKと比べるとボード上のパワーコンポーネントの面積を79%低減します。

さらに、メタルキャンにより両面の冷却が可能で、パッケージの寄生インダクタンス

もほとんどなく、高いシステム効率が得られます。DirectFET™ コーナーゲートは、

同じ利点を持つほかに、パッケージ抵抗の低減、熱特性の改善、電流定格の増大も

実現しています。

小さいフットプリントできわめて良好な熱特性

OptiMOS™ および StrongIRFET™ スペース節減と高性能パッケージ

TOリードレス TOリードレスは、大電力で信頼性が要求される大電流のアプリケーション、たとえ

ばフォークリフト、軽量電気自動車、eヒューズ、POL（Point of Load）、テレコム

などのために設計されています。TOリードレスの主な特長は、最大300Aという卓越

した電流容量です。さらに、このパッケージには、実装面積を最適化できるという利

点があります。60%削減という大幅に小型化したパッケージサイズで、非常にコンパ

クトな設計を実現します。TOリードレスは、D2PAK 7ピンと比べてフットプリント

を30%低減しています。これにより、フォークリフトアプリケーションの実装面積を

削減できます。さらに、高さが50%低減しているため、ラックやブレードサーバなど

特定のアプリケーションで大きな優位性があります。大電力アプリケーションに最適

SuperSO8/PQFN 3.3 x 3.3サーバおよびデスクトップの同期整流、モータ駆動、テレコム用DC-DCコンバータ

などのアプリケーションにおいて、高電力密度と高効率を実現します。インフィニ

オン主導のトレンド、すなわち TO-220 からSuperSO8 やPQFN 3.3 x 3.3 へ移行する

ことによって、実装面積を大幅に削減できます。SuperSO8 では、TO-220 と比べて

寄生抵抗は3分の1に低下しており、高いシステム効率が得られると同時に、スパイク

低減による設計の簡素化を実現します。

PQFN 2 x 2PQFN 2 x 2パッケージは、高速スイッチング用、あるいはフォームファクターの要

求が厳しいアプリケーション、たとえば無線充電器、DC-DCコンバータ、アダプタ

などに特に適しています。高い電力密度、効率の向上、さらに大幅なスペース節減

を実現します。

きわめて高い効率を求める用途またはパワーマネジメント向け

大幅なスペース節減


5


大幅な設計サイズ縮小

パワーブロック

OptiMOS™ 5 パワーブロックは、外形5.0x6.0mm2のリードレスSMDパッケージで、

ローサイドおよびハイサイドMOSFETを同期バックコンバータ構成にした製品です。

SO8 やSuperSO8 などの2つのディスクリートパッケージを、この OptiMOS™ 5パワーブロックで置き換えることにより、実装面積を少なくとも50%は低減できます。

OptiMOS™ 5 のパッケージ追加

新たな OptiMOS™ のラインアップ拡大に伴い、電流駆動能力への要求や大幅なスペース節減に対応するため、OptiMOS™ 5 シリ

コンについて、さまざまなパッケージを追加して提供しています。クラス最高の OptiMOS™ 5 ロジックレベルシリコン製を PQFN 2x2パッケージで初めて提供し、高速スイッチングおよびフォーム

ファクターが重要なアプリケーションにおいて、業界基準となる性能を実現しました。 TO-247 パッケージの OptiMOS™ 5 製品は、堅牢な大電力アプリケーションに最適であり、電流駆動能力の拡大と、より堅牢で

信頼性の高い性能を実現しています。 DirectFET™ は、高周波アプリケーションに最適です。きわめて低い寄生抵抗と寄生インダクタンスで、OptiMOS™ 5 とともに

最小のFOMgおよびFOMgdを達成しています。

TO-220

SuperSO8

PQFN 3.3 x 3.3

D2PAK 7pin

電流定格拡大

フットプリント低減

TO-247

TO 220

SuperSO8

PQFN 2 x 2

DirectFET™

0

TO 247

0

TOLL


小信号パッケージインフィニオンの小信号MOSFETは、大型のSOT-223からわずか2.1 x 2 x 0.9mm3の

SOT-363まで全7種の業界標準パッケージをご用意しています。製品はシングル構成、

デュアル構成、およびコンプリメンタリ構成で提供され、バッテリ保護や LED照明、低電圧ドライブ、DC/DCコンバータなどのさまざまなアプリケーションに最適です。

インフィニオンの小信号パッケージはすべてAEC Q101車載規格に適合しています。車載規格に適合したパッケージ

6

* Optimized for resonant applications (e.g. LLC converter)** Monolithically integrated Schottky-like diode

*** RDS(on) max @ VGS=4.5 V1) 2.5 VGS capable


OptiMOS™ & StrongIRFET™ 25 V logic level RDS(on) max @ VGS=10 V

[mΩ]

DirectFET™ PQFN 2 x 2 PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 SO-8 SOT-23

< 1

IRF6718L2TRPBFRDS(on)=0.7 mΩ

BSC009NE2LSRDS(on)=0.9 mΩ

BSB008NE2LXRDS(on)=0.8 mΩ

BSC009NE2LS5RDS(on)=0.9 mΩBSC009NE2LS5I**RDS(on)=0.95 mΩ

1-2

IRF6898MTRPBF**RDS(on)=1.1 mΩ

BSZ013NE2LS5I**RDS(on)=1.3 mΩ


BSB012NE2LXI**RDS(on)=1.2 mΩ

BSZ014NE2LS5IF * **RDS(on)=1.4 mΩ

BSC010NE2LSI**RDS(on)=1.05 mΩ

IRF6717MTRPBFRDS(on)=1.25 mΩ

BSZ017NE2LS5I**RDS(on)=1.7 mΩ



BSZ018NE2LSRDS(on)=1.8 mΩ

BSC015NE2LS5I**RDS(on)=1.5 mΩ

BSB013NE2LXI**RDS(on)=1.3 mΩ

BSZ018NE2LSI**RDS(on)=1.8 mΩ




IRF6715MTRPBFRDS(on)=1.6 mΩIRF6893MTRPBF**RDS(on)=1.6 mΩIRF6892STRPBF**RDS(on)=1.7 mΩIRF6795MTRPBF**RDS(on)=1.8 mΩ

2-4


BSZ031NE2LS5RDS(on)=3.1 mΩ


BSF030NE2LQRDS(on)=3.0 mΩ

BSZ033NE2LS5RDS(on)=3.3 mΩ

BSC026NE2LS5RDS(on)=2.6 mΩ

IRF8252RDS(on)= 2.7 mΩ

BSF035NE2LQRDS(on)=3.5 mΩ



IRF6811STRPBF**RDS(on)=3.7 mΩ

4-10

IRF6710S2TRPBFRDS(on)=4.5 mΩ

IRFHM8228TRPBFRDS(on)=5.2 mΩ


IRF6712STRPBFRDS(on)=4.9 mΩ


IRF6810STRPBF**RDS(on)=5.2 mΩ

IRFHM8235TRPBF RDS(on)=7.7 mΩ

> 10

IRFHS8242RDS(on)=13 mΩ

IRFML8244RDS(on)= 24 mΩ


OptiMOS™ & StrongIRFET™ 20 V (Super) logic level RDS(on) max @ VGS=10 V

[mΩ]

TO-252(DPAK)

DirectFET™ PQFN 2 x 2 PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 SO-8 SOT-23

< 1IRL6283MTRPBFRDS(on)=0.65 mΩ

IRFH6200TRPBFRDS(on)=0.99 mΩ

1-2BSC019N02KS GRDS(on)=1.9 mΩ

2-4

BSC026N02KS GRDS(on)=2.6 mΩ

IRF6201TRPBFRDS(on)=2.45 mΩ

IRLR6225TRPBFRDS(on)=4.0 mΩ

IRL6297SDTRPBF**RDS(on)=3.8 mΩ; dual

IRLH6224TRPBFRDS(on)=3.0 mΩ

4-10BSC046N02KS GRDS(on)=4.6 mΩ

> 10

IRLHS6242TRPBFRDS(on)=11.7 mΩ

IRLML6244 1) ***RDS(on)=21 mΩ

IRLHS6276TRPBF**RDS(on)=45.0 mΩ; dual

IRLML6246 1) ***RDS(on)=46 mΩ

OptiMOS™ & StrongIRFET™ 20V～30V

20V～300V NチャネルパワーMOSFET

7

OptiMOS™ & StrongIRFET™ 25 V/30 V in power stage 5x6 Part number Package Monolithically

integrated Schottky like diode

BVDSS [V] RDS(on), max. [mΩ] @ VGS=4.5 V max. Qg [nC] @ VGS=4.5 V typ.

High-side Low-side High-side Low-side

BSC0910NDI TISON 5x6 ü 25 5.9 1.6 7.7 25.0

BSC0911ND TISON 5x6 – 25 4.8 1.7 7.7 25.0

BSC0921NDI TISON 5x6 ü 30 7.0 2.1 5.8 21.0

BSC0923NDI TISON 5x6 ü 30 7.0 3.7 5.2 12.2

BSC0924NDI TISON 5x6 ü 30 7.0 5.2 5.2 8.6

BSC0925ND TISON 5x6 – 30 6.4 6.4 5.2 6.7

OptiMOS™ & StrongIRFET™ 25 V/30 V in Power Block 5x6 and 5x4 Part number Package Monolithically

integrated Schottky like diode

BVDSS [V] RDS(on), max. [mΩ] @ VGS=4.5 V max. Qg [nC] @ VGS=4.5 V typ.

High-side Low-side High-side Low-side

BSG0810NDI TISON 5x6 ü 25 4.0 1.2 5.6 16.0BSG0811ND TISON 5x6 – 25 4.0 1.1 5.6 20.0

BSG0813NDI TISON 5x6 ü 25 4.0 1.7 5.6 12.0

IRFH4257DTRPBF PQFN 5x4 ü 25 4.7 1.8 9.7 23.0



8


OptiMOS™ & StrongIRFET™ 30 V logic level RDS(on), max.

@ VGS=10 V [mΩ]

TO-252(DPAK)

TO-263(D²PAK)

TO-263(D²PAK 7pin)

TO-251 / TO-251 Short Lead

(IPAK/IPAK Short Lead)

TO-220

<1IPB009N03L GRDS(on)=0.95 mΩ

1-2IRLS3813TRLPBFRDS(on)=1.95 mΩ

IRLB3813PBFRDS(on)=1.95 mΩ

2-4


IPS031N03L GRDS(on)=3.1 mΩ


IPD031N03L GRDS(on)=3.1 mΩ

IRL3713PBFRDS(on)=3.0 mΩ

IPB034N03L GRDS(on)=3.4 mΩ




IPP034N03L GRDS(on)=3.4 mΩ

4-10














IRL8113PBFRDS(on)=6.0 mΩ




IPD090N03L G RDS(on)=9.0 mΩ


10-25 IPD135N03L GRDS(on)=13.5 mΩ


@ VGS=10 V [mΩ]

Bare Die (RDS(on) typ.)

DirectFET™ PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 TO-Leadless PQFN 2 x 2

<1IPT004N03LRDS(on)=0.4 mΩ

1-2

IRFH8303TRPBFRDS(on)=1.1 mΩ BSC011N03LSRDS(on)=1.1 mΩBSC011N03LSI**RDS(on)=1.1 mΩIRFH8307TRPBFRDS(on)=1.3 mΩ BSC0500NSI**RDS(on)=1.3 mΩ


BSC014N03LS GRDS(on)=1.4 mΩ

BSZ0500NSI**RDS(on)=1.55 mΩ


IPC055N03L3RDS(on)=1.7 mΩ


BSZ019N03LSRDS(on)=1.9 mΩ

BSC0901NSRDS(on)=1.9 mΩ

BSZ0901NSRDS(on)=2.0 mΩ

BSC0501NSI**RDS(on)=1.9 mΩ



>10

IRLHS6342***RDS(on)= 15.5 mΩIRFHS8342RDS(on)= 16 mΩIRLHS6376***RDS(on)= 63 mΩ; dual

** Monolithically integrated Schottky-like diode*** RDS(on) max @ VGS=4.5 V

www.infineon.com/powermosfet-20V-30Vwww.infineon.com/baredie

9



@VGS=10 V [mΩ]


DirectFET™ PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 SO-8 SO-8Dual

< 4






IRLHM620TRPBFRDS(on)=2.5 mΩ




BSC025N03LS GRDS(on)=2.5 mΩBSC0902NSRDS(on)=2.6 mΩIRF8252TRPBFRDS(on)=2.7 mΩ





IRFH8316TRPBFRDS(on)=2.95 mΩBSC030N03LS GRDS(on)= 3.0 mΩ



IRLHM630***RDS(on)= 3.5 mΩ



BSZ035N03LS GRDS(on)=3.5 mΩ



IRFHM830RDS(on)= 3.8 mΩ




4-10

IRFHM830DRDS(on)= 4.3 mΩ





BSC0906NSRDS(on)=4.5 mΩIRFH8321TRPBFRDS(on)=4.9 mΩ








BSC052N03LSRDS(on)=5.2 mΩ

BSZ065N03LSRDS(on)=6.5 mΩ


IRF8327S2RDS(on)= 7.3 mΩ



IRFHM831RDS(on)= 7.8 mΩ








BSC0909NSRDS(on)=9.2 mΩ


10-25





IRF7907TRPBFRDS(on)=11.8 mΩ+16.4 mΩ



IRL6342 1) ***RDS(on) = 14.6 mΩ



IRL6372 1) ***RDS(on) = 18 mΩ; dual




2 x 7.2BSC072N03LD GRDS(on)=7.2 mΩ

2 x 9.0BSZ0909ND RDS(on)=18.0 mΩ

2 x 15 BSC150N03LD GRDS(on)=15.0 mΩ

** Monolithically integrated Schottky-like diode*** RDS(on) max @ VGS=4.5 V1) 2.5 VGS capable


10


OptiMOS™ & StrongIRFET™ 30 V logic level 5 V optimized RDS(on), max.

@VGS=10 V [mΩ]

PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 SO-8 SO-8Dual

SOT-23 TSOP-6

1-2

BSC014N03MS GRDS(on) =1.4 mΩBSC016N03MS GRDS(on) =1.6 mΩBSC020N03MS GRDS(on) =2.0 mΩ

2-4

BSC025N03MS GRDS(on) =2.5 mΩ

BSO033N03MS GRDS(on) =3.3 mΩ

BSZ035N03MS GRDS(on) =3.5 mΩ



4-10



BSC050N03MS GRDS(on) =5.0 mΩBSC057N03MS GRDS(on) =5.7 mΩ







>10




IRLML0030RDS(on)=27 mΩ

IRLTS6342***RDS(on)=14.6 mΩ

IRLML6344 1) *** RDS(on)=29 mΩ

IRFTS8342RDS(on)=19 mΩ

IRLML6346 1) ***RDS(on)=63 mΩIRLML2030RDS(on)=100 mΩ

2 x 15 BSO150N03MD GRDS(on) =15.0 mΩ

2 x 22 BSO220N03MD GRDS(on) =22.0 mΩ

OptiMOS™ & StrongIRFET™ 40 V normal level

RDS(on), max. @VGS=10 V

[mΩ]

TO-252(DPAK)

TO-263(D2PAK)

TO-263(D2PAK 7pin)

TO-220 TO-247 Bare Die (RDS(on) typ.)

DirectFET™ PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 TO-220 FullPAK

<1 IRFS7430TRL7PPRDS(on) =0.75 mΩ

IPC218N04N3RDS(on) =0.5 mΩ

1-2

IRFS7430TRLPBFRDS(on) =1.3 mΩ

IRFS7434TRL7PPRDS(on) =1.0 mΩ

IRFB7430PBFRDS(on) =1.3 mΩ

IRFP7430PBFRDS(on) =1.3 mΩ

IPC171N04NRDS(on) =1.1 mΩ

IRF7739L1TRPBFRDS(on) =1.0 mΩ

IRFH7084TRPBFRDS(on) =1.25 mΩ

IPB015N04N GRDS(on) =1.5 mΩ


IPP015N04N GRDS(on) =1.5 mΩ

IRF7480MTRPBFRDS(on) =1.2 mΩ


IRF7946TRPBFRDS(on) =1.4 mΩ

BSC017N04NS GRDS(on) =1.7 mΩ




BSB015N04NX3 GRDS(on) =1.5 mΩ

IRF40H210RDS(on) =1.7 mΩ




IRF40DM229RDS(on)=1.85 mΩ


2-4

IRFR7440TRPBFRDS(on) =2.4 mΩ










4-10


BSZ042N04NS GRDS(on) =4.2 mΩ

BSC054N04NS GRDS(on)=5.4 mΩ

IPA041N04N GRDS(on)=4.1mΩ

IRF40R207RDS(on) =5.1 mΩ

IRF40B207RDS(on) =4.5 mΩIPP048N04N GRDS(on)=4.8 mΩ

>10

BSZ105N04NS GRDS(on) =10.5 mΩBSZ165N04NS GRDS(on) =16.5 mΩ

w

www.infineon.com/powermosfet-20V-30Vwww.infineon.com/powermosfet-40V-75V

OptiMOS™ & StrongIRFET™ 20V～30VOptiMOS™ & StrongIRFET™ 40V～75V

11

OptiMOS™ & StrongIRFET™ 40 V logic level


[mΩ]

TO-252(DPAK)

TO-263(D2PAK)

TO-263(D2PAK 7pin)

TO-220 TO-247 DirectFET™ PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8

<1

IRL40SC228RDS(on) =0.65 mΩIRL40SC209RDS(on) =0.8 mΩ

1-2

IPB015N04L G RDS(on) =1.5 mΩ

IPB011N04L G RDS(on) =1.1 mΩ

IRL40B209RDS(on) =1.25 mΩ

IRLP3034PBFRDS(on) =1.7 mΩ

BSB014N04LX3 GRDS(on) =1.4 mΩ

BSC010N04LSRDS(on) =1.0 mΩ

IRLS3034TRLPBFRDS(on) =1.7 mΩ

IRLS3034TRL7PRDS(on) =1.4 mΩ

IRLB3034PBFRDS(on) =1.7 mΩ

IRL7486MTRPBFRDS(on) =1.25 mΩ

BSC010N04LSIRDS(on) =1.05 mΩ

IRL40S212RDS(on) =1.9 mΩ


IRL7472L1TRPBFRDS(on) =0.45 mΩ

BSC014N04LSRDS(on) =1.4 mΩBSC014N04LSIRDS(on) =1.45 mΩBSC016N04LS GRDS(on) =1.6 mΩBSC018N04LS GRDS(on) =1.8 mΩBSC019N04LSRDS(on) =1.9 mΩ

2-4



IPP039N04L GRDS(on) =3.9 mΩ

BSZ025N04LSRDS(on) =2.5 mΩ



BSC027N04LS GRDS(on) =2.7 mΩBSC032N04LSRDS(on) =3.2 mΩ

IPD036N04L G RDS(on)=3.6 mΩ


BSC035N04LS GRDS(on) =3.5 mΩ

4-10

IRLR3114ZRPBFRDS(on) =4.5 mΩ

BSZ040N04LS GRDS(on) =4.0 mΩ


BSZ097N04LS GRDS(on) =9.7 mΩ

BSC059N04LS GRDS(on) =5.9 mΩBSC093N04LS GRDS(on) =9.3 mΩ

w



12


2) 6 V rated (RDS(on) also specified @ VGS=6 V)



[mΩ]

TO-252(DPAK)

TO-263(D2PAK)

TO-263(D2PAK 7pin)

TO-262(I2PAK)

TO-220 TO-220FullPAK

TO-247

1-2

IPB010N06N 2) RDS(on) =1.0 mΩIRFS7530TRL7PPRDS(on) =1.4 mΩIPB014N06N 2)

RDS(on) =1.4 mΩIPB017N06N3 GRDS(on) =1.7 mΩ



IPI020N06N 2)

RDS(on) =2.0 mΩIRFB7530PBFRDS(on) =2.0 mΩ


2-4

IPD025N06N 2)

RDS(on) =2.5 mΩIPP020N06N 2)

RDS(on) =2.0 mΩIRFS7534TRLPBFRDS(on) =2.4 mΩ

IPI024N06N3 GRDS(on) =2.4 mΩ


IPB026N06N 2)

RDS(on) =2.6 mΩIPP024N06N3 2)

RDS(on) =2.4 mΩIRFP3006PBFRDS(on) =2.5 mΩ

IPB029N06N3 GRDS(on) =2.9 mΩ

IPI029N06N 2)

RDS(on) =2.9 mΩIPP029N06N 2)

RDS(on) =2.9 mΩIPA029N06N 2)


IPD033N06N 2)

RDS(on)=3.3 mΩIPI032N06N3 GRDS(on) =3.2 mΩ

IPP032N06N3 GRDS(on) =3.2 mΩ

IPA032N06N3 GRDS(on) =3.2 mΩ

IPD034N06N3 GRDS(on) =3.4 mΩ






IPP040N06N3 G

RDS(on) =4.0 mΩIPI040N06N3 GRDS(on) =4.0 mΩ

IPP040N06N 2)


RDS(on) =4.0 mΩ

4-10





IPD053N06N 2)

RDS(on) =5.3 mΩIPB054N06N3 G RDS(on)=5.4 mΩ

IPP057N06N3 G 2)

RDS(on) =5.7 mΩIPB057N06N 2)



IPP060N06N 2)


RDS(on) =6.0 mΩIPD088N06N3 G RDS(on)=8.8 mΩ

IRF60B217RDS(on) =9.0 mΩ


IRF60R217RDS(on) =9.9 mΩ



>10IPD400N06N GRDS(on) =40.0 mΩ


13

2) 6 V rated (RDS(on) also specified @ VGS = 6 V)3) In development



[mΩ]


DirectFET™ PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 TO-Leadless

<1IPT007N06N 2)

RDS(on) =0.7 mΩ

1-2



BSC014N06NS 2)

RDS(on) =1.4 mΩBSC016N06NS 2)

RDS(on) =1.6 mΩ

2-4


BSC028N06NS 2)

RDS(on) =2.8 mΩBSB028N06NN3 GRDS(on) =2.8 mΩ

BSC031N06NS3 GRDS(on) =3.1 mΩ

IRF60DM206RDS(on) =2.9 mΩ

IRFH7085TRPBFRDS(on) =3.2 mΩ BSC034N06NS 2)

RDS(on) =3.4 mΩIRF7580MTRPBFRDS(on) =3.6 mΩ

BSC039N06NS 2)

RDS(on) =3.9 mΩ

4-10

BSZ042N06NS 2)

RDS(on) =4.2 mΩIRLH5036TRPBFRDS(on) =4.4 mΩ IRFH7545TRPBFRDS(on) =5.2 mΩ

BSZ068N06NS 2)


RDS(on) =6.6 mΩBSZ076N06NS3 GRDS(on) =7.6 mΩ


BSZ100N06NS 2)


RDS(on) =9.7 mΩ

>10BSZ110N06NS3 GRDS(on) =11.0 mΩ


OptiMOS™ & StrongIRFET™ 60 V logic level


[mΩ]

TO-252(DPAK)

TO-263(D2PAK)

TO-263(D2PAK 7pin)

TO-262(I2PAK)

TO-220 Bare Die (RDS(on) typ.)

PQFN 2 x 2 PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 SOT-23

1-2

IPB019N06L3 GRDS(on) =1.9 mΩ


IPC218N06L3RDS(on) =1.2 mΩ

BSC014N06LS5 3)

RDS(on) =1.4 mΩIRL60S216RDS(on) =1.95 mΩ

IRL60SL216RDS(on) =1.95 mΩ


2-4

IRLS3036TRLPBFRDS(on) =2.4 mΩ


BSC027N06LS5 3)

RDS(on) =2.7 mΩIPD031N06L3 GRDS(on) =3.1 mΩ


IPP037N06L3 G

RDS(on) =3.7 mΩBSC028N06LS3 GRDS(on) =2.8 mΩ

4-10

IPD048N06L3 GRDS(on) =4.8 mΩ

IPP052N06L3RDS(on) =5.2 mΩ

BSZ040N06LS5 RDS(on) =4.0 mΩ

IRLH5036TRPBFRDS(on) =4.4 mΩ

IRLR3636TRPBFRDS(on) =6.8 mΩ


BSC064N06LS5 3)

RDS(on) =6.4 mΩIPD079N06L3 GRDS(on) =7.9 mΩ


IPI084N06L3 GRDS(on) =8.4 mΩ

IPP084N06L3 GRDS(on) =8.4 mΩ

BSZ067N06LS3 GRDS(on) =6.7 mΩ

BSC067N06LS3 GRDS(on) =6.7 mΩ

BSZ099N06LS5RDS(on) =9.9 mΩ

BSC096N06LS5 3)

RDS(on) =9.6 mΩBSZ100N06LS3 GRDS(on) =10.0 mΩ

BSC100N06LS3 GRDS(on) =10.0 mΩ

>10

IPD350N06L GRDS(on) =35.0 mΩ

IRL60HS118 3)

RDS(on)=17.0 mΩIRLML0060RDS(on)=92 mΩ

IPD640N06L GRDS(on) =64.0 mΩ




14

1) DirectFET™ S2) 6 V rated (RDS(on) also specified @ VGS = 6 V)3) In development




[mΩ]

TO-252(DPAK)

TO-263(D²PAK)

TO-263(D²PAK 7pin)


DirectFET™ SuperSO8

1-2IPB020NE7N3 GRDS(on) =2.0 mΩ



IPC302NE7N3RDS(on) =1.2 mΩ

2-4


IPP023NE7N3 GRDS(on) =2.3 mΩ

IPB031NE7N3 GRDS(on) =3.1 mΩ



BSC036NE7NS3 GRDS(on) =3.6 mΩ


IPP034NE7N3 GRDS(on) =3.4 mΩ IRFB7734PBFRDS(on) =3.5 mΩ

4-10

IPB049NE7N3 GRDS(on) =4.9 mΩ


BSC042NE7NS3 GRDS(on) =4.2 mΩ









>10IRFR7746TRPBFRDS(on) =11.2 mΩ


BSF450NE7NH3 1)

RDS(on) =45.0 mΩ

OptiMOS™ & StrongIRFET™ 80 V normal level – logic level


[mΩ]

TO-252(DPAK)

TO-263(D²PAK)

TO-263(D²PAK 7pin)

TO-262(I2PAK)



DirectFET™ PQFN 2 x 2 PQFN 3.3 x 3.3

SuperSO8 TO-Lead-less

1-2

IPB017N08N5RDS(on) =1.7 mΩ



IPT012N08N5RDS(on) =1.2 mΩ



IPP020N08N5RDS(on) =2.0 mΩ

2-4



BSC025N08LS5 3)




BSC026N08NS5RDS(on) =2.6 mΩ












4-10

IPD046N08N5 3)

RDS(on)=4.6 mΩ



BSB044N08NN3 GRDS(on) =4.4 mΩ










BSZ075N08NS5RDS(on) =7.5 mΩ





BSZ084N08NS5RDS(on) =8.4 mΩ


>10

BSB104N08NP3RDS(on) =10.4 mΩ

IRL80HS1203)

RDS(on)=32.0 mΩBSZ110N08NS5RDS(on) =11.0 mΩ



BSZ123N08NS3 GRDS(on) =12.3 mΩ




www.infineon.com/powermosfet-40V-75Vwww.infineon.com/powermosfet-80V-100V

OptiMOS™ & StrongIRFET™ 40V～75VOptiMOS™ & StrongIRFET™ 80V～100V

15

OptiMOS™ & StrongIRFET™ 100 V normal level RDS(on), max.

@VGS=10 V [mΩ]

TO-252(DPAK)

TO-263(D²PAK)

TO-263(D²PAK 7pin)

TO-262(I2PAK)


TO-247

1-2

IPB020N10N5 2)

RDS(on) =2.0 mΩIPB017N10N5 2)

RDS(on) =1.7 mΩIPB020N10N5LF 3)

RDS(on)=2.0 mΩIPB017N10N5LF 3)

RDS(on)=1.7 mΩ

2-4



IPP023N10N5 2)


IPB027N10N5 2)





IPB033N10N5LF 3)

RDS(on) =3.3 mΩIPP030N10N5RDS(on)=3.0 mΩIPP039N10N5 3)

RDS(on)=3.9 mΩ

4-10

IPD050N10N5 3)

RDS(on)=5.0 mΩIPB042N10N3 GRDS(on) =4.2 mΩ








IPA083N10N5 2)

RDS(on) =8.3 mΩIRFP4310ZPBFRDS(on) =6.0 mΩ

IRFS4310ZTRLPBFRDS(on) =6.0 mΩ

IRFB4310ZPBFRDS(on) =6.0 mΩ


IPP065N10N5 3)

RDS(on)=6.5 mΩIPB065N10N3 GRDS(on)=6.5 mΩ




IPP083N10N5 2)






IRFP4410ZPBFRDS(on) =9.0 mΩ

10-25

IPD12CN10N GRDS(on)=12.0 mΩIPD122N10N3 GRDS(on) =12.2 mΩ








IPD25CN10N G 2)

RDS(on) =25.0 mΩ

>25

IPD33CN10N G

RDS(on) =33.0 mΩIPD78CN10N G

RDS(on) =78.0 mΩ

2) 6 V rated (RDS(on) also specified @ VGS = 6 V)3) In development



16

1) DirectFET™ S2) 6 V rated (RDS(on) also specified @ VGS = 6 V)3) In development




[mΩ]


DirectFET™ PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 SO-8 TO-Leadless

1-2


IPT015N10N5 2)

RDS(on) =1.5 mΩIPC313N10N3RRDS(on) =1.9 mΩ

IPT020N10N3 2)

RDS(on) =2.0 mΩ

2-4

IPC26N10NRRDS(on) =3.2 mΩ


BSC035N10NS5 2)

RDS(on) =3.5 mΩIPC173N10N3RDS(on) =3.6 mΩ

BSC040N10NS5 2)

RDS(on) =4.0mΩ

4-10

IRF100DM116 3)

RDS(on)=4.3 mΩBSC046N10NS3 GRDS(on) =4.6 mΩ

BSB056N10NN3 GRDS(on) =5.6 mΩ

BSC060N10NS3 GRDS(on) =6.0 mΩBSC070N10NS3 GRDS(on) =7.0 mΩBSC070N10NS5 2)

RDS(on) =7.0 mΩIRFH5010TRPBFRDS(on) =9.0 mΩ

BSZ097N10NS5 2)

RDS(on) =9.7 mΩBSC098N10NS5 2)

RDS(on) =9.8 mΩ

10-25

BSC109N10NS3 G RDS(on) =10.9 mΩBSC118N10NS G RDS(on) =11.8 mΩ

BSF134N10NJ3 G 1)

RDS(on) =13.4 mΩIRFH7110TRPBFRDS(on) =13.5 mΩ






>25




IRF7665S2TRPBFRDS(on) =62.0 mΩ

2 x 75BSC750N10ND GRDS(on) =75.0 mΩ

2 x 195IRFHM792TRPBFRDS(on) =195.0 mΩ



@VGS=10 V [mΩ]

TO-252(DPAK)

TO-263(D2PAK)

TO-263(D²PAK 7pin)


PQFN 2 x 2 PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 SOT-23

2-4IRLS4030TRL7PPRDS(on) =3.9 mΩ

BSC035N10LS5 3)

RDS(on) =3.5 mΩ

4-10IRLS4030TRLPBFRDS(on) =4.3 mΩ




10-25

IPP12CN10L GRDS(on) =12.0 mΩ

BSC105N10LSF GRDS(on) =10.5 mΩ

IRLR3110ZTRPBFRDS(on) =14.0 mΩ





BSC152N10LS5 3)

RDS(on) =15.2 mΩ

>25IPC020N10L3RDS(on) =33.0 mΩ

IRL100HS121 3)

RDS(on)=43.0 mΩBSC265N10LSF GRDS(on) =26.5 mΩ


17

2) 8 V rated (RDS(on) also specified @ VGS = 8 V)3) In development5) 135 V



[mΩ]

TO-252(DPAK)

TO-263(D2PAK)

TO-263(D²PAK 7pin)

TO-251 / TO-251 Short

Lead(IPAK/IPAK Short Lead)

TO-262(I2PAK)


PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8

2-4

IPC302N12N3RDS(on) =2.5 mΩIPC26N12NRDS(on) =3.0 mΩ



IPC26N12NRRDS(on)=3.2 mΩ

4-10


IPP041N12N3 GRDS(on) =4.1 mΩIPP048N12N3 GRDS(on) =4.8 mΩ

IPC300N15N3RRDS(on) =4.9 mΩ




10-25


IPS110N12N3 GRDS(on) =11.0 mΩ







OptiMOS™ & StrongIRFET™ 135 V-150 V normal level


[mΩ]

TO-252(DPAK)

TO-263(D2PAK)

TO-263(D²PAK 7pin)

TO-251 / TO-251 Short Lead(IPAK/IPAK Short

Lead)

TO-262(I2PAK)


TO-247

4-10

IPB048N15N5 2)

RDS(on)=4.8 mΩIPB044N15N5 2)

RDS(on)=4.4 mΩIPI051N15N5 2)

RDS(on)=5.1 mΩIPP051N15N5 2)

RDS(on)=5.1 mΩIPB048N15N5LF 3)

RDS(on)=4.8 mΩIPB072N15N3 G 2)

RDS(on) =7.2 mΩIPB065N15N3 G 2)

RDS(on) =6.5 mΩIPI075N15N3 G 2)

RDS(on) =7.5 mΩIPP075N15N3 G 2)


IPB073N15N5 2)

RDS(on)=7.3 mΩIRF135SA204 5)

RDS(on) =5.9 mΩIPI076N15N5 2)

RDS(on)=7.6 mΩIPP076N15N5 2)

RDS(on)=7.6 mΩIPA075N15N3 GRDS(on) =7.5 mΩ

IPB083N15N5LF 3)

RDS(on)=8.3 mΩIRF135S203 5)

RDS(on) =8.4 mΩIRF135B203 5)

RDS(on) =8.4 mΩ

10-25

IPB108N15N3 G 2)

RDS(on) =10.8 mΩIRFS4115TRL7PPRDS(on) =11.8 mΩ

IPI111N15N3 G 2)


RDS(on) =11.1 mΩIPA105N15N3 GRDS(on) =10.5 mΩ

IRFS4321RDS(on) =15.0 mΩ




IPD200N15N3 G 2)



RDS(on) =20.0 mΩ

>25

IRFS4615PBFRDS(on) =42.0 mΩ


IRFR4615RDS(on) =42.0 mΩ

IRFS5615PBFRDS(on) =42.0 mΩ

IRFU4615PBFRDS(on) =42.0 mΩ


IPD530N15N3 G 2)


RDS(on) =53.0 mΩIPI530N15N3 G 2)





OptiMOS™ & StrongIRFET™ 120V～300V

18

2) 8 V rated (RDS(on) also specified @ VGS=8 V) 3) In development

4) Part qualified according to AEC Q1015) DirectFET™ L



[mΩ]

TO-252(DPAK)

TO-263(D2PAK)

TO-251 / TO-251 Short Lead

(IPAK/IPAK Short Lead)

TO-262(I2PAK)

TO-220 TO-247

4-10

IRF200P222RDS(on)=6.6 mΩIRFP4668PBFRDS(on) =9.7 mΩ

10-25




IRF200P223RDS(on)=11.5 mΩ

IPB107N20NA 4)

RDS(on) =10.7 mΩIPP110N20NA 4)

RDS(on) =11.0 mΩIPB110N20N3LF 3)

RDS(on)=11.0 mΩIPP120N20NFDRDS(on) =12.0 mΩ


IPB117N20NFDRDS(on) =11.7 mΩ




>25






IPP320N20N3 GRDS(on) =32.0 mΩIRFB4620PBFRDS(on) =72.5 mΩ

IRFR4620TRLPBFRDS(on) =78.0 mΩ


IRFU4620PBFRDS(on) =78.0 mΩ



IRFSL4020PBFRDS(on) =105.0 mΩ

IRFB4020PBFRDS(on) =100.0 mΩIRF200B211RDS(on) =170.0 mΩ



OptiMOS™ & StrongIRFET™ 135 V-150 V normal level


[mΩ]



4-10IPC302N15N3


RDS(on) =9.3 mΩIPT059N15N3RDS(on) =5.9 mΩ

10-25

IRF7779L2TRPBF 5)


RDS(on) =11.0 mΩIRF150DM115 3)

RDS(on)=11.4 mΩBSC160N15NS5 2)

RDS(on) =16.0 mΩBSB165N15NZ3 G 2)

RDS(on) =16.5 mΩBSC190N15NS3 G 2)

RDS(on) =19.0 mΩ

>25

BSB280N15NZ3 G 2)

RDS(on) =28.0 mΩBSZ300N15NS5 2)


RDS(on) =36.0 mΩIRF6643TRPBFRDS(on) =34.5 mΩ

BSZ520N15NS3 G 2)


RDS(on) =52.0 mΩIRF6775MTRPBFRDS(on) =56.0 mΩ

BSZ900N15NS3 G 2)

RDS(on) =90.0 mΩ

19



[mΩ]


DirectFET™ PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 SO-8 TO-Leadless

4-10

IPC300N20N3RDS(on) =9.2 mΩIPC302N20N3RDS(on) =9.2 mΩ

>25


IPT111N20NFDRDS(on)=11.1 mΩ

BSC350N20NSFDRDS(on)=35.0 mΩBSC500N20NS3GRDS(on) =50.0 mΩ


IRFH5020RDS(on) =55.0 mΩ





BSZ12DN20NS3 GRDS(on) =125.0 mΩ

BSC12DN20NS3 GRDS(on) =125.0 mΩ





[mΩ]

TO-252(DPAK)

TO-263(D2PAK)

TO-262(I2PAK)



10-25





IPP220N25NFDRDS(on) =22.0 mΩ


IPC302N25N3RDS(on)=16.0 mΩ

IPT210N25NFDRDS(on)=21.0 mΩ


>25





BSC600N25NS3 GRDS(on) =60.0 mΩBSC670N25NSFDRDS(on)=67.0 mΩ







IRFH5025RDS(on) =100.0 mΩ





OptiMOS™ & StrongIRFET™ 300 V normal level RDS(on), max.

@VGS=10 V [mΩ]

TO-263(D2PAK)

TO-220 TO-247 SuperSO8

>25

IPB407N30NRDS(on) =40.7 mΩ

IPP410N30NRDS(on) =41.0 mΩ




BSC13DN30NSFDRDS(on)=130.0 mΩ

Product portfolio



20

All products are qualified to Automotive AEC Q101

Small Signal p-channel Voltage

[V]SOT-223 TSOP-6 SOT-89 SC59 SOT-23 SOT-323 SOT-363

P-ch

anne

l MO

SFET

s

-250

BSP317P4 Ω, -0.43 A, LL

BSS192P12 Ω, -0.19 A, LL

BSR92P11 Ω, -0.14 A, LL

BSP92P12 Ω, -0.26 A, LL

-100

BSP321P900 mΩ, -0.98 A, NLBSP322P800 mΩ, -1.0 A, LLBSP316P1.8 Ω, -0.68 A, LL

BSR316P1.8 Ω, -0.36 A, LL

-60

BSP612P120 mΩ, 3 A, LL

BSS83P2 Ω, -0.33 A, LL

BSS84PW8 Ω, -0.15 A, LL

BSP613P130 mΩ, 2.9 A, NL

BSS84P8 Ω, -0.17 A, LL

BSP170P300 mΩ, -1.9 A, NLBSP171P300 mΩ, -1.9 A, LLBSP315P800 mΩ, -1.17 A, LL

BSR315P800 mΩ, -0.62 A, LL

- 30

BSL303SPE~30 mΩ, ~-6.6 A, LL

BSS308PE80 mΩ, -2.1 A, LL, ESD

BSD314SPE140 mΩ, -1.5 A, LL, ESD

BSL305SPE~50 mΩ, ~-5.3 A, LL

BSS314PE140 mΩ, -1.5 A, LL, ESD

BSL307SP43 mΩ, -5.5 A, LL

BSS315P150 mΩ, -1.5 A, LL

BSL308PE80 mΩ, -2.1 A, LL, dual, ESDBSL314PE140 mΩ, -1.5 A, LL, ESD, dual

-20

BSL207SP41 mΩ, -6 A, SLL

BSS215P150 mΩ, -1.5 A, SLL

BSS209PW550 mΩ, -0.58 A, SLL

BSV236SP175 mΩ, -1.5 A, SLL

BSL211SP67 mΩ, -4.7 A, SLL

BSS223PW1.2 Ω, -0.39 A, SLL

BSD223P1.2 Ω, -0.39 A, SLL, dual

Small Signal complementary Voltage


Com

plem

enta

ry

-20/20BSL215CN: 140 mΩ, 1.5 A, SLL P: 150 mΩ, 1.5 A, SLL

BSD235CN: 350 mΩ, 0.95 A, SLL P: 1.2 Ω, 0.53 A, SLL

-30/30

BSL316CN: 160 mΩ, 1.4 A, LL P: 150 mΩ, -1.5 A, LLBSL308CN: 57 mΩ, 2.3 A, LLP: 80 mΩ, -2.0 A, LL


www.infineon.com/smallsignal

小信号MOSFET

21

Small Signal n-channel Voltage


N-c

hann

el

20

BSL802SN22 mΩ, 7.5 A, ULL

BSR802N23 mΩ, 3.7 A, ULL

BSL202SN22 mΩ, 7.5 A, SLL

BSR202N21 mΩ, 3.8 A, SLL

BSS806NE57 mΩ, 2.3 A, ULL, ESD

BSL806N57 mΩ, 2.3 A, ULL, dual

BSS806N57 mΩ, 2.3 A, ULL

BSD816SN160 mΩ, 1.4 A, ULL

BSL205N50 mΩ, 2.5 A, SLL, dual

BSS205N50 mΩ, 2.5 A, SLL

BSD214SN140 mΩ, 1.5 A, SLL


BSS214N140 mΩ, 1.5 A, SLL

BSS816NW160 mΩ, 1.4 A, ULL

BSD840N400 mΩ, 0.88 A, ULL, dual


BSS214NW140 mΩ, 1.5 A, SLL

BSD235N350 mΩ, 0.95 A, SLL, dual

30

BSL302SN25 mΩ, 7.1 A, LL

BSR302N23 mΩ, 3.7 A, LL

BSS306N57 mΩ, 2.3 A, LL

BSD316SN160 mΩ, 1.4A, LL

BSL306N57 mΩ, 2.3 A, LL, dual

BSS316N160 mΩ, 1.4 A, LL

55BSS670S2L650 mΩ, 0.54 A, LL

60

BSP318S90 mΩ, 2.6 A, LL


BSS606N60 mΩ, 3.2 A, LL

BSR606N60 mΩ, 2.3 A, LL

BSS138N3.5 Ω, 0.23 A, LL

BSS138W3.5 Ω, 0.28 A, LL

2N7002DW3 Ω, 0.3 A, LL, dual

BSP320S120 mΩ, 2.9 A, NL

BSS7728N5 Ω, 0.2 A, LL

SN7002W5 Ω, 0.23 A, LL

BSP295300 mΩ, 1.8 A, LL

SN7002N5 Ω, 0.2 A, LL2N70023 Ω, 0.3 A, LLBSS159N8 Ω, 0.13 A, depl.

75BSP716N160 mΩ, 2.3 A, LL


100

BSP373N240 mΩ, 1.8 A, NL

BSL373SN230 mΩ, 2.0 A, NL

BSS16912Ω, 0.09A, depl.

BSP372N230 mΩ, 1.8 A, LL


BSS119N6 Ω, 0.19 A, LLVGS(th) 1.8 V to 2.3 V

BSP296N600 mΩ, 1.2 A, LL


BSS123N6 Ω, 0.19 A, LLVGS(th) 0.8 V to 1.8 V

200

BSP2971.8 Ω, 0.66 A, LLBSP1493.5 Ω,0.14 A, depl.

240

BSP886 Ω, 0.35 A, 2.8 V rated

BSS876 Ω, 0.26 A, LL

BSS13114 Ω, 0.1 A, LL

BSP896 Ω, 0.35 A, LLBSP1296 Ω, 0.05 A, depl.

250BSS13930 Ω, 0.03 A, depl.

400

BSP17924 Ω, 0.04 A, depl.BSP2983 Ω, 0.5 A, NLBSP32425 Ω, 0.17 A, LL

500BSP2994 Ω, 0.4 A, NL

600

BSP12545 Ω, 0.12 A, LL

BSS22545 Ω, 0.09 A, LL

BSS127500 Ω, 0.023 A, LL

BSP13560 Ω, 0.02 A, depl.

BSS126700 Ω, 0.007 A, depl.

800BSP30020 Ω, 0.19 A, NL

All products are qualified to Automotive AEC Q101 (except 2N7002)

Product portfolio

www.infineon.com/smallsignal


22

1) 5-leg2) 2.5 VGS capable

* Products are qualified to Automotive AEC Q101**RDS(on) specified at 4.5 V*** RDS(on) max @VGS=4.5 V

Power p-channel MOSFETs Voltage

[V]TO-252(DPAK)

DirectFET™ SOT-23 PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 SO-8 PQFN 2 x 2 TSOP-6

P-ch

anne

l MO

SFET

s

-20

BSO201SP HRDS(on) =7.0 mΩBSO203SP HRDS(on) =21.0 mΩBSO203P HRDS(on) =21.0 mΩ

IRLHS2242TRPBF**RDS(on) =31.0 mΩ

IRLTS2242RDS(on)=39 mΩ

IRLML2244 2) *** RDS(on)=54 mΩ

BSO207P HRDS(on) =45.0 mΩ

IRLML2246 2) *** RDS(on)=135 mΩ

BSO211P HRDS(on) =67.0 mΩ

-30

BSC030P03NS3 GRDS(on) =3.0 mΩ

IRF9310RDS(on)=4.6 mΩ

IPD042P03L3 GRDS(on) =4.2 mΩ

BSC060P03NS3E GRDS(on) =6.0 mΩ; ESD


IPD068P03L3 GRDS(on) =6.8 mΩ

BSZ086P03NS3 GRDS(on) =8.6 mΩ


SPD50P03L G 1)*RDS(on) =7.0 mΩ

IRF9395MRDS(on)=7.0 mΩ; dual

BSZ086P03NS3E GRDS(on) =8.6 mΩ

BSC080P03LS GRDS(on) =8.0 mΩ

BSO080P03NS 3 GRDS(on) =8.0 mΩ

BSC084P03NS3 GRDS(on) =8.4 mΩ

BSO080P03NS3E GRDS(on) =8.0 mΩ; ESD

BSC084P03NS3E GRDS(on) =8.4 mΩ; ESD

BSO080P03S HRDS(on) =8.0 mΩ


BSO301SP HRDS(on) =8.0 mΩ

BSZ120P03NS3E GRDS(on) =12.0 mΩ; ESD


BSC130P03LS GRDS(on) =13.0 mΩ

BSO130P03S HRDS(on) =13.0 mΩIRF9358RDS(on)=16 mΩ; dual

IRFHM9331 2)

RDS(on)=15 mΩIRF9332RDS(on)=17.5 mΩ



BSZ180P03NS3E GRDS(on) =18.0 mΩ; ESD

BSO200P03S HRDS(on) =20.0 mΩBSO303SP HRDS(on) =21.0 mΩ


IRLML9301TRPBFRDS(on)=64 mΩ

BSO303P HRDS(on) =21.0 mΩ, dual

IRLML9303TRPBFRDS(on)=165 mΩ

IRF9362RDS(on)=21 mΩ; dual

IRFHS9351TRPBFRDS(on) =170.0 mΩ, dual

IRFTS9342***RDS(on)=32 mΩ

IRF9335RDS(on)=59 mΩ


www.infineon.com/pchannel

Power p-channel MOSFETs Voltage

[V]TO-252(DPAK)

TO-263(D2PAK)

TO-220 PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 SO-8 PQFN 2 x 2

P-ch

anne

l MO

SFET

s

-60

SPB80P06P G*RDS(on) =23.0 mΩ

SPP80P06P H*RDS(on) =23.0 mΩ

SPD30P06P G*RDS(on) =75.0 mΩSPD18P06P G*RDS(on) =130.0 mΩ


SPP18P06P H*RDS(on) =130.0 mΩ

BSO613SPV G*RDS(on) =130.0 mΩ

SPD09P06PL G*RDS(on) =250.0 mΩSPD08P06P G*RDS(on) =300.0 mΩ


-100

SPD15P10PL G*RDS(on) =200.0 mΩ

SPP15P10PL H*RDS(on) =200.0 mΩ

SPD15P10P G*RDS(on) =240.0 mΩ

SPP15P10P H*RDS(on) =240.0 mΩSPP08P06P H*RDS(on) =300.0 mΩ

SPD04P10PL G*RDS(on) =850.0 mΩSPD04P10P G*RDS(on) =1000.0 mΩ

20V～250V PチャネルパワーMOSFET

23

Power p-channel MOSFETs complementary Voltage

[V]TO-252(DPAK)

TO-263(D2PAK)

TO-220 PQFN 3.3 x 3.3 SuperSO8 SO-8

Com

plem

enta

ry

-20/20 >50 mΩ

BSZ15DC02KD H* **N: 55 mΩ, 5.1 AP: 150 mΩ, -3.2 ABSZ215C H* **N: 55 mΩ, 5.1 AP: 150 mΩ, -3.2 A

-60/60 11-30 Ω

BSO612CV G* N: 0.12 Ω, 3.0 AP: 0.30 Ω, -2.0 ABSO615C G*N: 0.11 Ω, 3.1 AP: 0.30 Ω, -2.0 A


*Products are qualified to Automotive AEC Q101**RDS(on) specified at 4.5 V

www.infineon.com/complementary

CoolMOS™高耐圧MOSFETの信頼できるリーダー

画期的なCoolMOS™ パワーMOSFETファミリーが、エネルギー効率の分野における新たな基準となります。インフィニオンの

CoolMOS™ は導通損失やスイッチング損失、ドライブ損失を大幅に低減し、電力密度と効率性を高め、優れた電力変換システム

を実現します。特に、業界の最先端を行く最新世代の高耐圧パワーMOSFETをお使いいただくと、これまでにない優れた効率と

冷却性を備えた軽量・コンパクトなAC-DC電源を設計できます。個々のアプリケーションにはそれぞれに固有の要求事項と最適化

基準があり、お客様にご利用いただくテクノロジーには、革新的なパッケージソリューションとともにこうした点が反映されています。

効率や電力密度、制御しやすさ、電磁環境耐性、レイアウト抵抗、転流動作、コストなどの諸々の促進要因は、すべてを同時に

達成できるものではなく、結果としてさまざまなテクノロジーやソリューションにつながっています。

› 効率：スイッチング損失、ゲートドライブ損失、導通損失を考慮する必要があります。PFCなどのハードスイッチングトポロジ

では、ターンオフ損失、ターンオン損失の影響が大きくなります。しかしソフトスイッチングでは、一般的にこれらの損失を

避けるようになっています。

› 使いやすさ：製品設計を容易にします。リンギング性能、dV/dtおよびdI/dtの傾きのゲート抵抗による可制御性、さらに部品の

EMI特性などが使いやすさの要素です。きわめて高効率の部品は、一般的にはデザインインに手間がかかります。たとえば、

高速な部品を使うときは、レイアウトを最適化して、コミュテーションやゲートループで大きい面積を占めるのを避けなければ

なりません。また、寄生容量を最小にする必要があります。これは、トランスを複巻にし静電結合領域を最小化することにより対応

することができます。インフィニオンは、この分野での深い見識を持っており、当社の技術者がお客様の設計をお手伝いします。

› コミュテーション（PFC、LLC、ZVSの場合）：ボディダイオードのハードコミュテーション特性を考慮します。本質的な減衰回路

または逆回復電荷低減により、電流カットオフ時の過電圧スパイクを軽減できます。一部の製品、たとえば650V CoolMOS™ C7 は、

ハードスイッチングアプリケーション（PFCなど）にのみ適しています。その一方で他の製品、たとえば600V CoolMOS™ C7 は、

堅牢なボディダイオードを内蔵しているため、PFCおよびLLCアプリケーションの両方に幅広くご利用いただけます。ハードコミュテー

ションが繰り返し発生するトポロジについては、高速ボディダイオードを搭載しているCoolMOS™ CFD2 シリーズをおすすめします。

www.infineon.com/coolmos

24

CoolMOS™

大電力スイッチング電源用（>150W）CoolMOS™シリコンMOSFETの性能の限界に挑む

大電力スイッチング電源では、サーバ、テレコム、テレビ、PC電源、太陽光発電、UPS、産業用電源などのアプリケーションに

おいて高耐圧スーパージャンクションMOSFETをお使いいただけます。2017年は、CoolMOS™ C7、G7、CFD2、P6/P7ファミリー

を最も価格性能比のバランスの取れた製品としてデザインインにお勧めします。

CFD

LLC

CFD2 E6

C6

C3

CP

P6

P7

C7-600 V

G7-600 V G7-650 V

C7-650 V

効率性

使いやすさ

PFCZVS

CoolMOS™ の大電力製品には、効率性や使いやすさなどが異なるファミリーがあり、PFCやLLC、ZVSなどのさまざまなトポロジ

が対象となります。CoolMOS™ C7、G7ファミリーは CoolMOS™ CP の後継製品として最も高効率を求める分野を対象とします。

600V CoolMOS™ C7とG7では、スイッチング損失を50％削減しました。一方CoolMOS™ P7シリーズは高効率ながら使い勝手も

良く、リンギングや電圧オーバーシュートを減らします。

供給中推奨品のCoolMOS™ファミリー供給中推奨品

製品名耐圧利点

CoolMOS™ C7CoolMOS™ G7

600 V › PFCでは最高効率（CoolMOS™ CPよりも最大0.7%向上） › ターンオフ損失を50%低減させて最大200kHzの高速スイッチング › ハードスイッチングアプリケーションでは高性能を発揮 › PFCやハイエンドLLCに使用

CoolMOS™ C7CoolMOS™ G7

650 V › より大きな耐圧が必要な場合にクラス最高の効率（650V） › 共振段では損失が大きくなるため、PFCやハードスイッチングアプリケーションでのみ使用

CoolMOS™ P6CoolMOS™ P7*

600 V › 優れた性能を備えた汎用性の高い部品。ほとんどの大電力スイッチング電源アプリケーション（100W...3kW）の設計に推奨される › 高効率で使いやすく、デザインインの負担が小さい › ソフトスイッチングアプリケーションとハードスイッチングアプリケーションの両方に適している（PFC/LLC） › 費用対効果が最適化されているためコスト効率に優れた設計が可能

CoolMOS™ CFD2 650 V › 他社の追随を許さない高速な回復時間を備えた高速ボディダイオード › リンギングや電圧オーバーシュートが非常に少なく使いやすい › 中負荷から全負荷にかけて他社の追随を許さない高効率 › ZVS/LLC向けに設計


供給中推奨品：

› 新たなデザインインへの採用に推奨する製品

供給中：

› ある程度の期間生産が

継続される製品（～10年）

› 性能/価格の優れた後継製品あり

* 近日発売

25

大電力スイッチング電源用CoolMOSTM

ハイパワーにおけるCoolMOS™の進化

C7

CFD2

G7 C7

P7P6

P7

C3

CFD

C6/E6 CFD7

G7Cシリーズ、Gシリーズ› 効率が最も高い› 高速スイッチング

P6シリーズ、P7シリーズ› 価格/性能が良い› 汎用用途向け（PFC/LLC）

CFD2シリーズ、CFD7シリーズ› 高速ボディダイオード (ZVS PS FB/LLC)

› 高効率› 低価格

* 相当する製品が新しいCoolMOSTM 7シリーズで発売されるまでは、既存のシリーズを推奨します

Time

CP

供給中 parts 2017

供給中推奨品parts 2017*

供給中推奨品parts 2018

› CoolMOS™ ハイパワーのラインアップは、主に3種類の製品群に分かれて進化してきました。

– Cシリーズ：きわめて高い効率と、きわめて低いスイッチング損失がCシリーズの特長です。インフィニオンのCoolMOS™ C7は、従来の業界標準CoolMOS™ CPと比べて最大0.7%の効率向上を実現しています。

– Gシリーズ：CoolMOS™ C7よりもさらに効率が良く、約15%低いゲート電荷およびスイッチング損失を誇ります。

– Pシリーズ：高効率と同時に、リンギング、EMI、RGによる可制御性などの使いやすさ、さらには手頃な価格が求められる分

野に適した汎用用途向けです。この分野にはCoolMOS™ P6が対応しており、CoolMOS™ C3およびCoolMOS™ C6/E6と比べ

て性能とコストの面で利点があります。

– CFDシリーズ：ZVSやLLCなど高速ボディダイオードが必要なトポロジには、CoolMOS™ CFDシリーズが適しています。　 CoolMOS™ CFD2は、全負荷時動作に大きい利点があり、業界で最も高速な逆回復時間を実現しています。

› 現行の（最新でない）CoolMOS™ 製品ファミリーは、ある程度の期間引き続き製造を継続します。

– 古い世代のCoolMOS™ 製品、たとえばC3、CP、C6、CFDは、ある程度の期間引き続き提供します。こうした製品の特性が

特定の設計に最適な場合もありますが、ほとんどのアプリケーションでは、新シリーズのほうが低価格で、お客様にとって

の利点も大きくなります。

供給中のCoolMOS™ファミリー供給中

シリーズ名耐圧利点

CoolMOS™ CP 500 V600 V

› 高効率。100kHzまでの高速スイッチング › 主なアプリケーションはPFC › 後継品のC7のほうが高効率、低コスト

CoolMOS™ C6/E6 600 V650 V

› 電磁干渉（EMI）が抑えられていて使いやすく、汎用性のある製品 › 主なアプリケーションはPFC/LLC/FB › 後継品のP6のほうが高効率、低コスト

CoolMOS™ C3 500 V600 V650 V800 V900 V

› 電磁干渉（EMI）が抑えられていて非常に使いやすく、汎用性のある製品 › プレミアムな価格で最高の耐久性を提供 › PFC/LLC/FB向けの汎用性のある製品

CoolMOS™ CFD 600 V › ZVS/LLC向けの高速ボディダイオード部品 › 後継品のCFD2のほうが高効率、低コスト


26

大電力スイッチング電源用CoolMOSTM

アプリケーション要件、トポロジごとの高耐圧CoolMOS™セレクション一覧

600 V CoolMOS™ C7650 V CoolMOS™ C7

600 V CoolMOS™ C7 Gold650 V CoolMOS™ C7 Gold

600 V CoolMOS™ C7600 V CoolMOS™ C7 Gold

Partly: 650 V CoolMOS™ CFD22)

650 V CoolMOS™ CFD2

600 V CoolMOS™ P6600 V CoolMOS™ P7

一部650 V CoolMOS™ C61)

650 V CoolMOS™ CFD2

600 V CoolMOS™ CPA800 V CoolMOS™ C3A

650 V CoolMOS™ CFDA 650 V CoolMOS™ CFDA

600 V CoolMOS™ P6600 V CoolMOS™ P7

一部650 V CoolMOS™ CFD22)

PFC LLC ZVS PS

PFC LLC ZVS PS

PFC LLC ZVS PS

最高の効率を求める用途向け：高速スイッチング（≥100 kHz）

高効率用途向け：使い勝手が良い

車載用途向け

500 V CoolMOS™ CP600 V CoolMOS™ CP

該当なし該当なし

600 V CoolMOS™ C6650 V CoolMOS™ C3800 V CoolMOS™ C3900 V CoolMOS™ C3

600 V CoolMOS™ CFD600 V CoolMOS™ C6800 V CoolMOS™ C3900 V CoolMOS™ C3

1) ブレークダウン電圧650Vが必要な場合2) 高速ボディダイオードが必要な場合

供給中推奨品供給中品

27

高耐圧CoolMOSTM セレクション一覧


小電力スイッチング電源用（<150W）CoolMOS™価格と効率を両立

小電力のスイッチング電源では、スマートフォン/タブレットの充電器やノートPCのアダプタ、テレビ、 LED照明などのアプリ

ケーションで高耐圧スーパージャンクションMOSFETをお使いいただけます。高効率を目指し、将来に向けてコスト削減を実現

するために、お客様は徐々にスタンダードMOSFETの代わりにスーパージャンクションMOSFETを使い始めています。設計に

際しては多くの場合、「最高の効率」と「使いやすさ（おもにEMI）」、「適切なコスト」のトレードオフになります。小電力

スイッチング電源用CoolMOS™ 製品は、電源設計者に多くの選択肢を提供します。低電力SMPSに関して新たなデザインイン

にはCoolMOS™ P7、P6ならびにCoolMOS™ CEを推奨しています。

600V/700V/800V CoolMOS™ P7 スイッチング電源用低電力アプリケーション向け最新テクノロジー

CoolMOS™ P7 シリーズは、高性能と同時に低価格志向の製品を必要とするお客様に適しています。700Vおよび800Vの

CoolMOS™ P7 シリーズは、フライバックによる低電力スイッチング電源アプリケーションを対象としていますが、600V CoolMOS™ P7 については、ソフトスイッチングおよびハードスイッチングトポロジのどちらでも、たとえばPFC、フライバック、

LLC、TTFなどでご利用いただけます。これらの製品は、性能、使いやすさ、価格性能比の面で市場要求に対応しており、

クラス最高の性能とすぐれた使いやすさを実現する一方で、価格性能比をそのまま維持しています。600V CoolMOS™ P7 は、

CoolMOS™ P6の後継品として設計されていますが、まだCoolMOS™ P7が提供されていない製品については、高性能で使いやすい

CoolMOS™ P6をおすすめします。CoolMOS™ P7は、お客様それぞれに対して独自の利点を提供する先進的な製品です。

CoolMOS™ CE – 効率、費用対効果、安定供給を重視

良好な効率、使いやすさ、EMI性能、そして手頃な価格という特長を持つCoolMOS™ CEは、さまざまな低電力アプリケーション、

たとえばフライバックによるアダプタ、PFC、LLCなどに適した製品となっています。CoolMOS™ CEは、標準MOSFETと比べて、

効率および熱特性の面ですぐれています。

CoolMOS™ CEは、民生品市場向けに設計されており、デザインインが容易です。

E6

C6

C3

P6P7

P7 600 VP7 800 V

P7S 600P7S 700

価格メリット

使いやすさ

効率性

CE

500/600/650/700/800V


28

小電力スイッチング電源用CoolMOSTM

700 V CoolMOS™ CE ACTIVE & PREFERRED

Charger

RDS(on)

[mΩ]TO-220 TO-220 FullPAK

Wide CreepageTO-262(I2PAK)

TO-251(IPAK Short Lead

with ISO Standoff)

TO-252(DPAK)

TO-251(IPAK)

TO-251(IPAK Short Lead)

SOT-223 ThinPAK 5x6

600 IPAW70R600CE IPSA70R600CE IPD70R600CE IPS70R600CE950 IPAW70R950CE IPI70R950CE IPSA70R950CE IPD70R950CE IPS70R950CE

1000 IPN70R1K0CE1400 IPSA70R1K4CE IPD70R1K4CE IPS70R1K4CE1500 IPN70R1K5CE2000 IPSA70R2K0CE IPD70R2K0CE IPS70R2K0CE2100 IPL70R2K1CES

900 V CoolMOS™ C3 ACTIVE & PREFERRED RDS(on)

[mΩ]TO-220 TO-262

(I2PAK)TO-263(D2PAK)

TO-220 FullPAK TO-247 TO-252(DPAK)

120 IPW90R120C3340 IPP90R340C3 IPI90R340C3 IPB90R340C3 IPA90R340C3 IPW90R340C3500 IPP90R500C3 IPI90R500C3 IPA90R500C3 IPW90R500C3800 IPP90R800C3 IPI90R800C3 IPA90R800C3 IPW90R800C3

1000 IPP90R1K0C3 IPA90R1K0C3 IPW90R1K0C31200 IPP90R1K2C3 IPI90R1K2C3 IPA90R1K2C3 IPW90R1K2C3 IPD90R1K2C3

800 V CoolMOS™ P7 ACTIVE & PREFERRED RDS(on)

[mΩ]TO -220 TO-220 FullPAK TO-247 TO-252

(DPAK)TO-251(IPAK)


280 IPP80R280P7 IPA80R280P7 IPW80R280P7 IPD80R280P7450 IPP80R450P7 IPA80R450P7 IPD80R450P7

1400 IPP80R1K4P7 IPA80R1K4P7 IPD80R1K4P7 IPU80R1K4P7 IPS80R1K4P74500 IPD80R4K5P7 IPU80R4K5P7

www.infineon.com/c3www.infineon.com/coolmos-700vwww.infineon.com/coolmos-800vwww.infineon.com/coolmos-900v

www.infineon.com/cewww.infineon.com/800v-p7www.infineon.com/700v-p7

800 V CoolMOS™ CE ACTIVE & PREFERRED RDS(on)

[mΩ]TO-220 TO-220 FullPAK TO-247 TO-252

(DPAK)TO-251(IPAK)


310 IPA80R310CE460 IPA80R460CE650 IPA80R650CE

1000 IPA80R1K0CE IPD80R1K0CE IPU80R1K0CE1400 IPA80R1K4CE IPD80R1K4CE IPU80R1K4CE2800 IPD80R2K8CE IPU80R2K8CE

700 V CoolMOS™ P7 ACTIVE & PREFERRED

Charger

RDS(on)

[mΩ]TO -220 TO – 262

(I2PAK)TO-251

(IPAK Short Lead)TO-220 FullPAK TO-247 TO-252

(DPAK)360 IPS70R360P7S IPA70R360P7S IPD70R360P7S600 IPS70R600P7S IPA70R600P7S IPD70R600P7S900 IPS70R900P7S IPD70R900P7S

1400 IPS70R1K4P7S IPD70R1K4P7S


[mΩ]TO-220 TO-262



85 SPW55N80C3290 SPP17N80C3 SPB17N80C3 SPA17N80C3 SPW17N80C3450 SPP11N80C3 SPA11N80C3 SPW11N80C3650 SPP08N80C3 SPI08N80C3 SPA08N80C3900 SPP06N80C3 SPA06N80C3 SPD06N80C3

1300 SPP04N80C3 SPA04N80C3 SPD04N80C32700 SPP02N80C3 SPA02N80C3 SPD02N80C3

900V～700V CoolMOS™

500V～900V NチャネルパワーMOSFET

29

CoolMOS™ 製品ポートフォリオ

650 V CoolMOS™ CFD2 ACTIVE & PREFERRED RDS(on)

[mΩ]TO-220 TO-262



ThinPAK 8x8

41 IPW65R041CFD80 IPW65R080CFD

110 IPP65R110CFD IPI65R110CFD IPB65R110CFD IPA65R110CFD IPW65R110CFD150 IPP65R150CFD IPI65R150CFD IPB65R150CFD IPA65R150CFD IPW65R150CFD165 IPL65R165CFD190 IPP65R190CFD IPI65R190CFD IPB65R190CFD IPA65R190CFD IPW65R190CFD210 IPL65R210CFD310 IPP65R310CFD IPI65R310CFD IPB65R310CFD IPA65R310CFD IPW65R310CFD340 IPL65R340CFD420 IPP65R420CFD IPI65R420CFD IPB65R420CFD IPA65R420CFD IPW65R420CFD IPD65R420CFD460 IPL65R460CFD660 IPP65R660CFD IPI65R660CFD IPB65R660CFD IPA65R660CFD IPW65R660CFD IPD65R660CFD725 IPL65R725CFD950 IPD65R950CFD

1400 IPD65R1K4CFD

www.infineon.com/c7-gold-tollwww.infineon.com/coolmos-650v-700vwww.infineon.com/c7

www.infineon.com/cfd2www.infineon.com/ce


Charger

RDS(on)


(DPAK)TO-251(IPAK)


SOT-223 TO-220 FullPAKNarrow Lead

400 IPA65R400CE IPD65R400CE IPS65R400CE

650 IPA65R650CE IPD65R650CE IPS65R650CE IPAN65R650CE

1000 IPA65R1K0CE IPD65R1K0CE IPS65R1K0CE

1500 IPA65R1K5CE IPD65R1K5CE IPS65R1K5CE IPN65R1K5CE


[mΩ]TO-220 TO-263

(D2PAK)TO-220 FullPAK TO-247 TO-247 4pin TO-252

(DPAK)ThinPAK 8x8

19 IPW65R019C7 IPZ65R019C7

33

45 IPP65R045C7 IPB65R045C7 IPA65R045C7 IPW65R045C7 IPZ65R045C7


70 IPL65R070C7


99 IPL65R099C7

105

125 IPP65R125C7 IPB65R125C7 IPA65R125C7 IPW65R125C7

130 IPL65R130C7

190 IPP65R190C7 IPB65R190C7 IPA65R190C7 IPW65R190C7 IPD65R190C7

195 IPL65R195C7

225 IPP65R225C7 IPB65R225C7 IPA65R225C7 IPD65R225C7

230 IPL65R230C7

650 V CoolMOS™ C7 Gold (G-series) ACTIVE & PREFERRED

RDS(on)

[mΩ]TO -220 TO-Leadless

(TOLL)TO-263 (D2PAK)

TO-220 FullPAK

TO-247 TO -252 (DPAK)

33 IPT65R033G7

105 IPT65R105G7

195 IPT65R195G7

650V CoolMOS™

30



[mΩ]TO-220 TO-251

(IPAK Short Lead)TO-262(I2PAK)

TO-263(D2PAK)


ThinPAK 5x6

37 IPW65R037C6

70 IPW65R070C6

74 IPP65R074C6

99 IPP65R099C6 IPI65R099C6 IPB65R099C6 IPA65R099C6 IPW65R099C6


250 IPD65R250C6


380 IPP65R380C6 IPI65R380C6 IPB65R380C6 IPA65R380C6 IPD65R380C6


650 IPL65R650C6S

950 IPS65R950C6 IPD65R950C6

1000 IPL65R1K0C6S

1400 IPS65R1K4C6 IPD65R1K4C61500 IPL65R1K5C6S

650 V CoolMOS™ E6 ACTIVE & PREFERRED RDS(on)

[mΩ]TO-220 TO-251


TO-263(D2PAK)


ThinPAK 8x8

190 IPP65R190E6 IPA65R190E6 IPW65R190E6 IPL65R190E6

250 IPD65R250E6

280 IPP65R280E6 IPI65R280E6 IPB65R280E6 IPA65R280E6 IPW65R280E6

310 IPL65R310E6

380 IPP65R380E6 IPA65R380E6 IPD65R380E6

420 IPL65R420E6

600 IPP65R600E6 IPS65R600E6 IPA65R600E6 IPD65R600E6

660 IPL65R660E6

650 V CoolMOS™ C3 ACTIVE RDS(on)

[mΩ]TO-220 TO-262



70 SPW47N65C3

190 SPP20N65C3 SPA20N65C3

280 SPI15N65C3 SPA15N65C3

380 SPP11N65C3 SPI11N65C3 SPA11N65C3

600 SPP07N65C3 SPA07N65C3

www.infineon.com/coolmos-650v-700vwww.infineon.com/c6e6

31



[mΩ]TO-220 TO-263


(DPAK)ThinPAK 8x8

17 IPW60R017C7 IPZ60R017C7

40 IPP60R040C7 IPB60R040C7 IPW60R040C7 IPZ60R040C7


65 IPL60R065C7


104 IPL60R104C7


125 IPL60R125C7

180 IPP60R180C7 IPB60R180C7 IPA60R180C7 IPW60R180C7 IPD60R180C7

185 IPL60R185C7

www.infineon.com/coolmos-600vwww.infineon.com/c7www.infineon.com/600v-p7www.infineon.com/c7-gold-toll


[mΩ]TO -220 TO-220 FullPAK TO-247 TO-247 4pin TO-252

(DPAK)TO-220 FullPAKWide Creepage

ThinPAK

37 IPW60R037P7 IPZ60R037P7

180 IPP60R180P7 IPA60R180P7 IPW60R180P7 IPD60R180P7 IPAW60R180P7S

185 IPL60R185P7

360 IPP60R360P7 IPA60R360P7 IPD60R360P7 IPAW60R360P7S

365 IPL60R365P7

600 IPP60R600P7 IPD60R600P7

600 V CoolMOS™ C7 Gold (G-series) ACTIVE & PREFERRED RDS(on)

[mΩ]TO -220 TO-Leadless

(TOLL)TO-220 FullPAK TO-247 TO-247 4 pin TO -252

(DPAK)ThinPAK 8x8

28 IPT60R028G7

50 IPT60R050G7

80 IPT60R080G7

102 IPT60R102G7

125 IPT60R125G7

150 IPT60R150G7

600V CoolMOS™

32



[mΩ]TO-220 TO-263


(DPAK)ThinPAK 5x6 ThinPAK 8x8

41 IPW60R041P6 IPZ60R041P6

70 IPW60R070P6 IPZ60R070P6

99 IPP60R099P6 IPA60R099P6 IPW60R099P6 IPZ60R099P6

125 IPP60R125P6 IPA60R125P6 IPW60R125P6 IPZ60R125P6

160 IPP60R160P6 IPB60R160P6 IPA60R160P6 IPW60R160P6

180 IPL60R180P6


210 IPL60R210P6


255 IPL60R255P6


330/360 IPP60R330P6 IPB60R330P6 IPA60R330P6 IPW60R330P6 IPL60R360P6S

380 IPP60R380P6 IPB60R380P6 IPA60R380P6 IPD60R380P6

600 IPP60R600P6 IPB60R600P6 IPA60R600P6 IPD60R600P6

650 IPL60R650P6S


Charger

RDS(on)

[mΩ]TO-220 FullPAK TO-220 FullPAK

Wide CreepageTO-247 TO-252

(DPAK)TO-251(IPAK)



190 IPAW60R190CE

280 IPAW60R280CE

380 IPAW60R380CE



600 IPAW60R600CE



1000 IPA60R1K0CE IPD60R1K0CE IPU60R1K0CE IPS60R1K0CE IPN60R1K0CE

1500 IPA60R1K5CE IPD60R1K5CE IPU60R1K5CE IPS60R1K5CE IPN60R1K5CE

2100 IPD60R2K1CE IPU60R2K1CE IPS60R2K1CE IPN60R2K1CE

3400 IPD60R3K4CE IPU60R3K4CE IPS60R3K4CE IPN60R3K4CE

www.infineon.com/coolmos-600vwww.infineon.com/p6www.infineon.com/ce

33


www.infineon.com/coolmos-600vwww.infineon.com/c6e6www.infineon.com/c3


[mΩ]TO-220 TO-251

(IPAK)TO-262(I2PAK)

TO-263(D2PAK)


ThinPAK 5x6

41 IPW60R041C6

70 IPW60R070C6

74 IPP60R074C6







520 IPP60R520C6 IPA60R520C6 IPD60R520C6

600 IPP60R600C6 IPU60R600C6 IPB60R600C6 IPA60R600C6 IPD60R600C6

950 IPP60R950C6 IPU60R950C6 IPB60R950C6 IPA60R950C6 IPD60R950C6

1400 IPP60R1K4C6 IPU60R1K4C6 IPD60R1K4C6

1500 IPL60R1K5C6S

2000 IPU60R2K0C6 IPD60R2K0C6

2100 IPL60R2K1C6S

3300 IPD60R3K3C6

600 V CoolMOS™ E6 ACTIVE & PREFERRED RDS(on)

[mΩ]TO-220 TO-262



ThinPAK 8x8

190 IPP60R190E6 IPA60R190E6 IPW60R190E6

280 IPP60R280E6 IPA60R280E6 IPW60R280E6







[mΩ]TO-220 TO-251

(IPAK)TO-251


TO-263(D2PAK)


70 SPW47N60C3

100 SPW35N60C3

160 SPP24N60C3 SPW24N60C3

190 SPP20N60C3 SPI20N60C3 SPB20N60C3 SPA20N60C3 SPW20N60C3

280 SPP15N60C3 SPA15N60C3 SPW15N60C3


600 SPP07N60C3 SPU07N60C3 SPI07N60C3 SPB07N60C3 SPA07N60C3 SPD07N60C3

750 SPP06N60C3 SPA06N60C3 SPD06N60C3

950 SPP04N60C3 SPU04N60C3 SPB04N60C3 SPA04N60C3 SPD04N60C3

1400 SPP03N60C3 SPU03N60C3 SPS03N60C3 SPA03N60C3 SPD03N60C3

3000 SPP02N60C3 SPU02N60C3 SPS02N60C3

6000 SPU01N60C3

34


500 V CoolMOS™ CE ACTIVE & PREFERRED RDS(on)


(DPAK)TO-251(IPAK)



190 IPP50R190CE IPA50R190CE IPW50R190CE

280 IPP50R280CE IPA50R280CE IPW50R280CE IPD50R280CE

380 IPP50R380CE IPA50R380CE IPD50R380CE

500 IPP50R500CE IPA50R500CE IPD50R500CE IPAN50R500CE

650 IPA50R650CE IPD50R650CE IPN50R650CE

800 IPA50R800CE IPD50R800CE IPN50R800CE

950 IPA50R950CE IPD50R950CE IPU50R950CE IPN50R950CE

1400 IPD50R1K4CE IPU50R1K4CE IPN50R1K4CE



www.infineon.com/coolmos-600Vwww.infineon.com/coolmos-500Vwww.infineon.com/500v-ce


[mΩ]TO-220 TO-262



70 SPW52N50C3

110 SPW32N50C3


280 SPP16N50C3 SPB16N50C3 SPA16N50C3 SPW16N50C3

380 SPP12N50C3 SPI12N50C3 SPB12N50C3 SPA12N50C3

600 SPP08N50C3 SPI08N50C3 SPA08N50C3 SPD08N50C3

950 SPP04N50C3 SPB04N50C3 SPD04N50C3

1400 SPD03N50C3

3000 SPD02N50C3

600 V CoolMOS™ CP ACTIVE RDS(on)


(DPAK)TO-262(I2PAK)

TO-263(D2PAK)

ThinPAK 8x8

45 IPW60R045CP

75 IPW60R075CP

99 IPP60R099CP IPW60R099CP IPI60R099CP IPB60R099CP

125 IPP60R125CP IPA60R125CP IPW60R125CP IPI60R125CP IPB60R125CP


199 IPP60R199CP IPA60R199CP IPW60R199CP IPI60R199CP IPB60R199CP IPL60R199CP

250 IPP60R250CP IPA60R250CP

299 IPP60R299CP IPA60R299CP IPW60R299CP IPI60R299CP IPB60R299CP IPL60R299CP

385 IPP60R385CP IPA60R385CP IPD60R385CP IPI60R385CP IPB60R385CP IPL60R385CP

500 V CoolMOS™ CP ACTIVE RDS(on)


(DPAK)TO-262(I2PAK)

TO-263(D2PAK)

TO-251 (IPAK Short Lead)





350 IPP50R350CP IPA50R350CP IPW50R350CP IPI50R350CP

399 IPP50R399CP IPA50R399CP IPW50R399CP IPD50R399CP IPI50R399CP

520 IPP50R520CP IPA50R520CP IPD50R520CP IPS50R520CP

600V CoolMOS™500V CoolMOS™

35


TO-247RDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

500

CE 190 280

C3 70 110 190 280

CP 140 199 250/299 350/399

600

P7 37 180

C6 41 70 99/125 160/190 280

C7 17/40 60 99/120 180

E6 190 280

P6 41 70 99/125 160/190 230/280 330

C3 70 100 160/190 280 380

CP 45 75 99/125 165/199 250/299

650

C6 37 70 99 190 280

C7 19/45 65 95/125 190

CFD2 41 80 110 150/190 310 420 660

E6 190 280

C3 70

800P7 280

C3 85 290 450

900 C3 120 340 500 800 1000/1200

SOT-223RDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

500 CE 650/800 950/1400 2000/3000

600 CE 1000/1500 2100/3400

650 CE 1500

700 CE 1000/1500

TO-247 4pinRDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

600

P7 37

C7 17/40 60 99

P6 41 70 99/125

650 C7 19/45 65 95

IPAKRDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

500 CP 950/1400 2000/3000

600

C6 600 950/1400 2000

CE 1000/1500 2100

C3 600 950/1400 3000/6000

800P7 1400 4500CE 1000/1400 2800

ACTIVE & PREFERRED ACTIVE

パッケージ別CoolMOS™

36


IPAK Short LeadRDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500500 CP 520

600CE 400 460 650/800 1000/1500 2100/3400C3 1400 3000

650C6 950/1400CE 400 650 1000/1500E6 600

700P7 360/600 900/1400CE 600 950/1400 2000

800 P7 1400

IPAK Short Lead with ISO Standoff RDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

700 CE 600 950/1400 2000

DPAKRDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

500CE 280 380 500 650/800 950/1400 2000/3000C3 600 950/1400 3000CP 399 520

600

P7 180 360 600C6 380 520/600 950/1400 2000/3300C7 180CE 400 460 650/800 1000/1500 2100/3400E6 380 450/520/600 750P6 380 600C3 600 750 950/1400CP 385

650

C6 250 380 600 950/1400C7 190 225CE 400 650 1000/1500E6 250 380 600

CFD2 420 660 950/1400

700P7 360 600 900/1400CE 600 950/1400 2000

800P7 280 450 1400 4500C3 900/1300 2700CE 1000/1400 2800

900 C3 1200

I²PAKRDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

500C3 190 380 600CP 140 199 250/299 350/399

600C6 190 280 380C3 190 380 600CP 99/125 165/199 250/299 385

650

C6 99 190 280 380 600CFD2 110 150/190 310 420 660

E6 280

C3 280 380700 CE 950800 C3 650900 C3 340 500 800 1200


37


TO-220 FullPAKRDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

500CE 190 280 380 500 650/800 950C3 190 280 380 600CP 140 199 250/299 350/399 520

600

P7 180 360C6 99/125 160/190 280 380 520/600 950C7 60 99/120 180CE 400 460 650/800 1000/1500E6 190 280 380 450/520/600 750P6 99/125 160/190 230/280 330/380 600C3 190 280 380 600 750 950/1400CP 125 165/199 250/299 385

650

C6 99 190 280 380 600C7 45 65 95/125 190 225CE 400 650 1000/1500

CFD2 110 150/190 310 420 660E6 190 280 380 600C3 190 280 380 600

700 P7 360 600

800P7 280 450 1400C3 290 450 650 900/1300 2700CE 310 460 650 1000/1400

900 C3 340 500 800 1000/1200

TO-220 FullPAK Narrow Lead RDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500500 CE 500600 CE 650 / 800650 CE 650

D²PAKRDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

500C3 190 280 380 950CP 140 199 250/299

600

C6 99/125 160/190 280 380 600 950C7 40 60 99 120/180P6 160/190 230/280 330/380 600C3 190 380 600 950CP 99/125 165/199 250/299 385

650

C6 99 190 280 380 600C7 45 65 95/125 190 225

CFD2 110 150/190 420 660E6 280

800 C3 290900 C3 340


TO-LeadlessRDS(on) group [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

600 G7 28/50 80 102/125 150

650 G7 33 105 195

*CoolMOS™ C7 Gold (G-series)

38


TO-220RDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

500

CE 190 280 380 500

C3 190 280 380 600 950

CP 140 199 250/299 350/399 520

600

P7 180 360 600

C6 74 99/125 160/190 280 380 520/600 950/1400

C7 40 60 99/120 180

E6 190 280 380 450/520/600 750

P6 99/125 160/190 230/280 330/380 600

C3 160/190 280 380 600 750 950/1400 3000

CP 99/125 165/199 250/299 385

650

C6 74 99 190 280 380 600

C7 45 65 95/125 190 225

CFD2 110 150/190 310 420 660

E6 190 280 380 600

C3 190 380 600

800P7 280 450 1400

C3 290 450 650 900/1300 2700

900 C3 340 500 800 1000/1200

ThinPAK 8x8RDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

600

P7 185 365

C7 65 104/125 185

P6 180 210/255

CP 199 299 385

650

C7 70 99/130 195 230

CFD2 165 210 340 460 725

E6 190 310 420 660

ThinPAK 5x6RDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

600C6 1500 2100

P6 360 650

650 C6 650 1000/1500

700 CE 2100

TO-220 FullPAK Wide CreepageRDS(on) [mΩ]

Voltage [V] Series 0-59 60-89 90-149 150-199 200-299 300-400 401-600 601-899 900-1500 >1500

600P7 180 360

CE 190 280 380 600

700 P7 600


39


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