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1
CORP IR/May 13, 2008
2009年3月期業績予想と
経営方針
代表取締役社長 佐藤 潔
2008年5月13日
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2
CORP IR/May 13, 2008
内 容
1. 2008年3月期成果
2. 市場環境
3. 2009年3月期業績予想と経営方針
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3
CORP IR/May 13, 2008
2008年3月期成果
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4
CORP IR/May 13, 2008
► 最高収益の達成と財務基盤の強化売上高9,060億円, 営業利益1,684億円(利益率18.6%), 当期利益1,062億円
フリー・キャッシュフロー 867億円
D/Eレシオ 6.7%ROE 21.4%
► SPE分野で市場の伸びをアウトパフォーム新製品が売上拡大に寄与
► FPD分野で第10世代装置受注下半期のFPD受注が急伸
► モノ作り改革の第2フェーズへコータ/デベロッパの新コンセプト工場、稼動開始
品質改善がさらに進みコスト削減へ効果
► 新規事業における進展RLSA事業化促進のために東京エレクトロン技術研究所設立
「太陽電池」事業への参入を決定
2008年3月期成果
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5
CORP IR/May 13, 2008
(単位:億円)
7,238
4,178 4,6055,296
6,357
8,5199,060
1,439 1,684
6,736
757
-183
639222111,210
16.7%
4.2%
18.6%
0.2%
16.9%
11.2%10.1%
-4.4%-2,000
0
2,000
4,000
6,000
8,000
10,000
FY01 FY02 FY03 FY04 FY05 FY06 FY07 FY08
-5%
0%
5%
10%
15%
20%
売上高 営業利益 営業利益率
売上、利益ともに過去最高を更新
産業用電子機器セグメント(SPE+FPD)
20.7%18.8%
12.3%11.0%
0%
5%
10%
15%
20%
25%
FY05 FY06 FY07 FY08
1st マイルストンとして設定した「営業利益率17%」の目標を十分に達成
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6
CORP IR/May 13, 2008
141
683
290
8671,069
417254
-435
891
-6
-918-278
-1,000
-500
0
500
1,000
1,500
FY96 FY97 FY98 FY99 FY00 FY01 FY02 FY03 FY04 FY05 FY06 FY07 FY08
営業CF
投資CF
フリーCF
(単位:億円)
好況期(運転資金需要増期)
フリー・キャッシュフローの増加
利益向上と資産効率の改善により、867億円のフリーキャッシュを創出
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7
CORP IR/May 13, 2008
8,40
9
5,03
0
4,53
8
2,36
2
2,20
1
1,88
1
1,90
7
1,63
7
1,26
3
1,32
3
1,33
0
1,44
5
1,55
5
1,65
7
2,00
02,62
4
2,78
1
5,14
56,29
1
8,52
3A
pplie
dM
ater
ials
TEL
ASM
Lith
ogra
phy
KLA
-Ten
cor
Lam
Res
earc
h
Nik
on
Adv
ante
st
Nov
ellu
s
Hita
chi H
igh-
Tech
Dai
nipp
onSc
reen
2006 200710.1%
11.6%12.9% 13.4%
12.6%14.0%
5%
10%
15%
20%
CY02 CY03 CY04 CY05 CY06 CY07
CY2007 SPEメーカー
売上トップ10
Millions of US$Source: VLSI Research (March 08)
市場の伸びをアウトパフォーム
+25%
TE
L
Source: Gartner Dataquest (March 08)
前工程装置市場におけるTELのシェア
CY2007のSPE市場の伸び +7% を超えて成長
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8
CORP IR/May 13, 2008
市場環境
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9
CORP IR/May 13, 2008
1,1211,410
1,2681,054 1,172
8291,081 1,211
1,782
573
610
1,926 1,886 1,9642,227
1,4521,202
1,403
983
42
73
41
55275
347
349
60 13666
275
240344
277296
0
500
1,000
1,500
2,000
2,500
1-3/04
4-6/04
7-9/04
10-12
/041-3
/054-6
/057-9
/0510
-12/05
1-3/06
4-6/06
7-9/06
10-12
/061-3
/074-6
/077-9
/ 07
10-12
/071-3
/08
FPD製造装置
半導体製造装置(SPE)
2005年10-12月期までは単独ベース、2006年1-3月期より連結ベース
単独ベースと連結ベースの主な差異: 連結ベースは海外現地法人におけるポストセールス受注を含む
四半期 SPE+FPD受注額
(単位:億円)
1,976
1,5931,4931,275
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10
CORP IR/May 13, 2008
0
500
1,000
1,500
2,000
2,500
国内 652 471 355 367 666 677 414 451 624 578 378 615 574米国 163 169 188 264 399 285 344 264 283 172 81 204 184欧州 76 89 93 91 139 145 175 130 149 86 -8 73 49韓国 138 200 129 324 290 301 456 353 257 99 268 399 113台湾 245 160 468 445 457 529 476 710 804 409 470 498 534中国・東南ア他 31 15 87 62 106 282 293 109 150 147 86 185 136
05/1-3 05/4-6 05/7-9 05/10-12 06/1-3 06/4-6 06/7-9 06/10-
12 07/1-3 07/4-6 07/7-9 07/10-12 08/1-3
(単位:億円)
四半期 地域別 SPE+FPD受注額
2006年1-3月期より、受注額を連結ベースで表示しています。
1,493
1,9762,0592,222 2,161
2,0202,269
1,275
1,593
1,3081,106
1,322
1,556
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11
CORP IR/May 13, 2008
四半期 アプリケーション別SPE受注(本体のみ)
46
2642
3222
3039
55 5545
5239
24
21
23
11 2635
37 21
16 2133
2736
42
11
21 1616 19
6 14
118 3 7
4
9
114 8 6 11 12
47 4 6 8
15
1025
13 14 12 6 8 86
4 7 5 113 4 4 4 6 10 6 6 3 8 5 5 4
6
0%
20%
40%
60%
80%
100%
05/1-3 05/4-6 05/7-9 05/10-12
06/1-3 06/4-6 06/7-9 06/10-12
07/1-3 07/4-6 07/7-9 07/10-12
08/1-3
その他システムLSIロジックファウンドリMPU、ハイエンドロジックFlashメモリDRAM
(メモリ内訳は当社推定を含みます)
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12
CORP IR/May 13, 2008
200
400
600
800
1,000
1,200
1,400
1,600
07/1Q 2Q 3Q 4Q
08/1Q 2Q 3Q 4Q
0%
10%
20%
30%
40%
50%Capacity 〔K wfs/Month(12”Equiv.)〕
年間処理可能枚数
成長率(Y-Y)CY07 CY08
+35% +19%Growth Ratio (%, Y-Y)
DRAM製造キャパシティ予測
(Forecast)
出所: TELマーケティング
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13
CORP IR/May 13, 2008
08年のDRAM需給バランス予測
出所: 調査会社のデータを元にTELマーケティングにて作成
-
1,000
2,000
3,000
4,000
5,000
6,000
06Q4
07Q1 2Q 3Q 4Q
081Q 2Q 3Q 4Q
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
(512Mb換算個数:M) (Supply/Demand)
(Forecast)
Demand Supply
需給バランスの改善が見込まれる
shortage
over-supply
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CORP IR/May 13, 2008
半導体設備投資DRAM: 需給ギャップ調整が続き、6月まで厳しい環境。ノートPCを中心に需要
は底堅く、年後半から投資環境改善し受注増加を見込む。
NAND: 価格下落が厳しく一部弱含みではあるが、ビット単価低減のための微
細化&キャパシティ増強投資が順調に継続。
LOGIC/ファンダリ向け: 2008年後半より、電子機器需要拡大に向けて
最先端設備増強が期待される。
30%程度のマイナス成長を見込む
FPD設備投資デジタルTVの需要拡大に向けて、大型基板向け装置を中心に回復
40%以上のプラス成長を見込む
2008年の事業環境予想
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15
CORP IR/May 13, 2008
2009年3月期業績予想と
経営方針
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16
CORP IR/May 13, 2008
-49%880 (12.6)600 (15.0)280 (9.3)1,727 (19.1)経常利益
-48%-48%
-50%+120%
+2%+32%-32%-23%
対前年増減
2009年3月期(予想)
550 (7.9)880 (12.6)
840 (12.0)10
1,130900
4,960520680
600 (15.0)280 (9.3)1,692 (18.7)税前利益
580 (14.5)260 (8.7)1,684 (18.6)営業利益
7,000通期
5595
2,880
5535380
2,080
41,111
7,264
2008年3月期
その他
EC/CNFPDSPE
170 (5.7)
3,000上期
380 (9.5)
4,000下期
1,062 (11.7)
9,060通期
当期純利益
売上高
( ) 内は利益率%
2009年3月期業績予想
(単位:億円)
SPE: 半導体製造装置, FPD: FPD製造装置, EC/CN: 電子部品/コンピュータ・ネットワーク
FPD事業は1年ぶりに活況となるが、SPE事業の減速により、全体として厳しい期となる
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17
CORP IR/May 13, 2008
(単位:億円)
7,238
4,178 4,6055,296
6,357
8,5199,060
7,000
1,439 1,684840
6,736
757
-183
639222111,210
16.7%
0.2%
4.2%
16.9%18.6%
12.0%11.2%10.1%
-4.4%-2,000
0
2,000
4,000
6,000
8,000
10,000
FY01 FY02 FY03 FY04 FY05 FY06 FY07 FY08 FY09(E)
-5%
0%
5%
10%
15%
20%
売上高 営業利益 営業利益率
売上高・営業利益・営業利益率予想
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CORP IR/May 13, 2008
当期の経営方針
09年3月期は、次の成長期に飛躍するための備えの時期
経費の大幅削減- グローバルベースでの人員配置見直し
- 外注コストの低減, etc.
研究開発・製品開発- 半導体技術革新 (微細化・新材料・3Di, etc)
- 新規事業分野
モノ作り- 製造リードタイム短縮
- 宮城新工場に向けた準備
ポストセールス事業
見直し/縮小
強 化
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19
CORP IR/May 13, 2008
650491
438441501538529 569
660
0
200
400
600
800
FY01 FY02 FY03 FY04 FY05 FY06 FY07 FY08 FY09(E)
494
309
123 110 98133
200
273 249214 191
271227 230
262216
188214
0
200
400
600
FY01 FY02 FY03 FY04 FY05 FY06 FY07 FY08 FY09(E)
設備投資額
減価償却実施額
(単位:億円)
研究開発費
(単位:億円)
研究開発費・設備投資計画
厳しい環境下ではあるが、研究開発費は高水準を維持
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新規事業分野での開発を加速
SPE, FPD, MEMSに加え、環境・クリーンエネルギー分野を将来の
もう一つのビジネスの柱にしていく
MEMS*
SPE
環境・クリーンエネルギー
FPD 太陽電池製造装置SiCエピ膜成長装置
環境対応装置改造
MEMS製造装置
及び電子部品
RLSA*関連- CVD- エッチング
GCIB*テクノロジーCu barrier/seed CVD
高密度プラズマCVD
有機EL製造装置
*MEMS: Micro Electro Mechanical System *RLSA: Radial Line Slot Antenna *GCIB: Gas Cluster Ion Beam
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ポストセールスビジネスを強化
市場の変化・顧客ニーズを取り込むビジネスの展開
グローバルサービスは従来通り、各BUと営業サービス統括本部の管轄にて行う
ポストセールス事業部3つの E
200mm中古改造新規ビジネス
パーツリペア
その他
EcologyEcology環境対応
EnhancementEnhancement改善・改良
ExtendedExtended--lifelife装置延命
ポストセールス本部からプロフィットセンターとしての「ポストセールス事業部」へ
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技術で環境問題に取り組む
TEL装置の省エネルギー化を促進
省電力・高効率デバイスを作る製造装置の提供
企業の責任、使命、そして大きなビジネスチャンス
- 省電力・省薬液などでTEL装置の排出するCO2を削減
- パワー半導体用SiCエピ膜成長装置- 有機EL製造装置
クリーンエネルギー関連の製造装置の提供
- 太陽電池製造装置
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高成長が期待される太陽光発電市場
0
20
40
60
80
100
2007 2015 2020
生産
量(G
W)
結晶Si太陽電池
薄膜Si太陽電池
0
3,000
6,000
9,000
12,000
15,000
18,000
2007 2015 2020市
場規
模(億
円)
薄膜Si太陽電池製造装置
薄膜Si太陽電池製造装置市場太陽電池生産規模
薄膜Si太陽電池 2007-2020
CAGR 52%
結晶Si太陽電池 2007-2020
CAGR 25%
2007-2015
CAGR 44%
2007-2020
CAGR 37%
出所: 電力需要予測を元にTEL推定
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開発: 東京エレクトロンPV (2008.2月設立)製造・販売: 東京エレクトロン
太陽電池製造装置市場への参入
製品化2009年
製品化
合弁事業
1. 太陽電池製造技術でトップクラスのシャープ様との開発合弁会社
「東京エレクトロンPV」を設立 <薄膜Si太陽電池用CVD 装置>
2. 並行して、独自技術の研究開発も行っている
独自技術製品
合弁事業製品
独自技術の開発
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サマリー
08年3月期、過去最高業績を更新
SPE事業環境: 2008年は設備投資の谷間の年となる。後半から
の回復に期待する
FPD事業環境: 2008年の設備投資は高い成長となる
TELは次のサイクルのピーク時にさらに大きな成長を目指す。そのための準備期間となる当期09年3月期は、絞るところは絞るが、
将来の成長に向けての体制作りと研究開発の一層の強化を図っていく。