new 2009 月期業績予想と 経営方針 · 2018. 3. 9. · 2 corp ir/may 13, 2008 内容 1....

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1 CORP IR/May 13, 2008 2009 3 2008 5 13

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CORP IR/May 13, 2008

2009年3月期業績予想と

経営方針

代表取締役社長 佐藤 潔

2008年5月13日

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CORP IR/May 13, 2008

内 容

1. 2008年3月期成果

2. 市場環境

3. 2009年3月期業績予想と経営方針

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CORP IR/May 13, 2008

2008年3月期成果

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CORP IR/May 13, 2008

► 最高収益の達成と財務基盤の強化売上高9,060億円, 営業利益1,684億円(利益率18.6%), 当期利益1,062億円

フリー・キャッシュフロー 867億円

D/Eレシオ 6.7%ROE 21.4%

► SPE分野で市場の伸びをアウトパフォーム新製品が売上拡大に寄与

► FPD分野で第10世代装置受注下半期のFPD受注が急伸

► モノ作り改革の第2フェーズへコータ/デベロッパの新コンセプト工場、稼動開始

品質改善がさらに進みコスト削減へ効果

► 新規事業における進展RLSA事業化促進のために東京エレクトロン技術研究所設立

「太陽電池」事業への参入を決定

2008年3月期成果

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CORP IR/May 13, 2008

(単位:億円)

7,238

4,178 4,6055,296

6,357

8,5199,060

1,439 1,684

6,736

757

-183

639222111,210

16.7%

4.2%

18.6%

0.2%

16.9%

11.2%10.1%

-4.4%-2,000

0

2,000

4,000

6,000

8,000

10,000

FY01 FY02 FY03 FY04 FY05 FY06 FY07 FY08

-5%

0%

5%

10%

15%

20%

売上高 営業利益 営業利益率

売上、利益ともに過去最高を更新

産業用電子機器セグメント(SPE+FPD)

20.7%18.8%

12.3%11.0%

0%

5%

10%

15%

20%

25%

FY05 FY06 FY07 FY08

1st マイルストンとして設定した「営業利益率17%」の目標を十分に達成

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CORP IR/May 13, 2008

141

683

290

8671,069

417254

-435

891

-6

-918-278

-1,000

-500

0

500

1,000

1,500

FY96 FY97 FY98 FY99 FY00 FY01 FY02 FY03 FY04 FY05 FY06 FY07 FY08

営業CF

投資CF

フリーCF

(単位:億円)

好況期(運転資金需要増期)

フリー・キャッシュフローの増加

利益向上と資産効率の改善により、867億円のフリーキャッシュを創出

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CORP IR/May 13, 2008

8,40

9

5,03

0

4,53

8

2,36

2

2,20

1

1,88

1

1,90

7

1,63

7

1,26

3

1,32

3

1,33

0

1,44

5

1,55

5

1,65

7

2,00

02,62

4

2,78

1

5,14

56,29

1

8,52

3A

pplie

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ater

ials

TEL

ASM

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phy

KLA

-Ten

cor

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Res

earc

h

Nik

on

Adv

ante

st

Nov

ellu

s

Hita

chi H

igh-

Tech

Dai

nipp

onSc

reen

2006 200710.1%

11.6%12.9% 13.4%

12.6%14.0%

5%

10%

15%

20%

CY02 CY03 CY04 CY05 CY06 CY07

CY2007 SPEメーカー

売上トップ10

Millions of US$Source: VLSI Research (March 08)

市場の伸びをアウトパフォーム

+25%

TE

L

Source: Gartner Dataquest (March 08)

前工程装置市場におけるTELのシェア

CY2007のSPE市場の伸び +7% を超えて成長

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市場環境

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CORP IR/May 13, 2008

1,1211,410

1,2681,054 1,172

8291,081 1,211

1,782

573

610

1,926 1,886 1,9642,227

1,4521,202

1,403

983

42

73

41

55275

347

349

60 13666

275

240344

277296

0

500

1,000

1,500

2,000

2,500

1-3/04

4-6/04

7-9/04

10-12

/041-3

/054-6

/057-9

/0510

-12/05

1-3/06

4-6/06

7-9/06

10-12

/061-3

/074-6

/077-9

/ 07

10-12

/071-3

/08

FPD製造装置

半導体製造装置(SPE)

2005年10-12月期までは単独ベース、2006年1-3月期より連結ベース

単独ベースと連結ベースの主な差異: 連結ベースは海外現地法人におけるポストセールス受注を含む

四半期 SPE+FPD受注額

(単位:億円)

1,976

1,5931,4931,275

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CORP IR/May 13, 2008

0

500

1,000

1,500

2,000

2,500

国内 652 471 355 367 666 677 414 451 624 578 378 615 574米国 163 169 188 264 399 285 344 264 283 172 81 204 184欧州 76 89 93 91 139 145 175 130 149 86 -8 73 49韓国 138 200 129 324 290 301 456 353 257 99 268 399 113台湾 245 160 468 445 457 529 476 710 804 409 470 498 534中国・東南ア他 31 15 87 62 106 282 293 109 150 147 86 185 136

05/1-3 05/4-6 05/7-9 05/10-12 06/1-3 06/4-6 06/7-9 06/10-

12 07/1-3 07/4-6 07/7-9 07/10-12 08/1-3

(単位:億円)

四半期 地域別 SPE+FPD受注額

2006年1-3月期より、受注額を連結ベースで表示しています。

1,493

1,9762,0592,222 2,161

2,0202,269

1,275

1,593

1,3081,106

1,322

1,556

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CORP IR/May 13, 2008

四半期 アプリケーション別SPE受注(本体のみ)

46

2642

3222

3039

55 5545

5239

24

21

23

11 2635

37 21

16 2133

2736

42

11

21 1616 19

6 14

118 3 7

4

9

114 8 6 11 12

47 4 6 8

15

1025

13 14 12 6 8 86

4 7 5 113 4 4 4 6 10 6 6 3 8 5 5 4

6

0%

20%

40%

60%

80%

100%

05/1-3 05/4-6 05/7-9 05/10-12

06/1-3 06/4-6 06/7-9 06/10-12

07/1-3 07/4-6 07/7-9 07/10-12

08/1-3

その他システムLSIロジックファウンドリMPU、ハイエンドロジックFlashメモリDRAM

(メモリ内訳は当社推定を含みます)

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CORP IR/May 13, 2008

200

400

600

800

1,000

1,200

1,400

1,600

07/1Q 2Q 3Q 4Q

08/1Q 2Q 3Q 4Q

0%

10%

20%

30%

40%

50%Capacity 〔K wfs/Month(12”Equiv.)〕

年間処理可能枚数

成長率(Y-Y)CY07 CY08

+35% +19%Growth Ratio (%, Y-Y)

DRAM製造キャパシティ予測

(Forecast)

出所: TELマーケティング

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CORP IR/May 13, 2008

08年のDRAM需給バランス予測

出所: 調査会社のデータを元にTELマーケティングにて作成

-

1,000

2,000

3,000

4,000

5,000

6,000

06Q4

07Q1 2Q 3Q 4Q

081Q 2Q 3Q 4Q

0.80

0.90

1.00

1.10

1.20

(512Mb換算個数:M) (Supply/Demand)

(Forecast)

Demand Supply

需給バランスの改善が見込まれる

shortage

over-supply

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CORP IR/May 13, 2008

半導体設備投資DRAM: 需給ギャップ調整が続き、6月まで厳しい環境。ノートPCを中心に需要

は底堅く、年後半から投資環境改善し受注増加を見込む。

NAND: 価格下落が厳しく一部弱含みではあるが、ビット単価低減のための微

細化&キャパシティ増強投資が順調に継続。

LOGIC/ファンダリ向け: 2008年後半より、電子機器需要拡大に向けて

最先端設備増強が期待される。

30%程度のマイナス成長を見込む

FPD設備投資デジタルTVの需要拡大に向けて、大型基板向け装置を中心に回復

40%以上のプラス成長を見込む

2008年の事業環境予想

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CORP IR/May 13, 2008

2009年3月期業績予想と

経営方針

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CORP IR/May 13, 2008

-49%880 (12.6)600 (15.0)280 (9.3)1,727 (19.1)経常利益

-48%-48%

-50%+120%

+2%+32%-32%-23%

対前年増減

2009年3月期(予想)

550 (7.9)880 (12.6)

840 (12.0)10

1,130900

4,960520680

600 (15.0)280 (9.3)1,692 (18.7)税前利益

580 (14.5)260 (8.7)1,684 (18.6)営業利益

7,000通期

5595

2,880

5535380

2,080

41,111

7,264

2008年3月期

その他

EC/CNFPDSPE

170 (5.7)

3,000上期

380 (9.5)

4,000下期

1,062 (11.7)

9,060通期

当期純利益

売上高

( ) 内は利益率%

2009年3月期業績予想

(単位:億円)

SPE: 半導体製造装置, FPD: FPD製造装置, EC/CN: 電子部品/コンピュータ・ネットワーク

FPD事業は1年ぶりに活況となるが、SPE事業の減速により、全体として厳しい期となる

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CORP IR/May 13, 2008

(単位:億円)

7,238

4,178 4,6055,296

6,357

8,5199,060

7,000

1,439 1,684840

6,736

757

-183

639222111,210

16.7%

0.2%

4.2%

16.9%18.6%

12.0%11.2%10.1%

-4.4%-2,000

0

2,000

4,000

6,000

8,000

10,000

FY01 FY02 FY03 FY04 FY05 FY06 FY07 FY08 FY09(E)

-5%

0%

5%

10%

15%

20%

売上高 営業利益 営業利益率

売上高・営業利益・営業利益率予想

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CORP IR/May 13, 2008

当期の経営方針

09年3月期は、次の成長期に飛躍するための備えの時期

経費の大幅削減- グローバルベースでの人員配置見直し

- 外注コストの低減, etc.

研究開発・製品開発- 半導体技術革新 (微細化・新材料・3Di, etc)

- 新規事業分野

モノ作り- 製造リードタイム短縮

- 宮城新工場に向けた準備

ポストセールス事業

見直し/縮小

強 化

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CORP IR/May 13, 2008

650491

438441501538529 569

660

0

200

400

600

800

FY01 FY02 FY03 FY04 FY05 FY06 FY07 FY08 FY09(E)

494

309

123 110 98133

200

273 249214 191

271227 230

262216

188214

0

200

400

600

FY01 FY02 FY03 FY04 FY05 FY06 FY07 FY08 FY09(E)

設備投資額

減価償却実施額

(単位:億円)

研究開発費

(単位:億円)

研究開発費・設備投資計画

厳しい環境下ではあるが、研究開発費は高水準を維持

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CORP IR/May 13, 2008

新規事業分野での開発を加速

SPE, FPD, MEMSに加え、環境・クリーンエネルギー分野を将来の

もう一つのビジネスの柱にしていく

MEMS*

SPE

環境・クリーンエネルギー

FPD 太陽電池製造装置SiCエピ膜成長装置

環境対応装置改造

MEMS製造装置

及び電子部品

RLSA*関連- CVD- エッチング

GCIB*テクノロジーCu barrier/seed CVD

高密度プラズマCVD

有機EL製造装置

*MEMS: Micro Electro Mechanical System *RLSA: Radial Line Slot Antenna *GCIB: Gas Cluster Ion Beam

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CORP IR/May 13, 2008

ポストセールスビジネスを強化

市場の変化・顧客ニーズを取り込むビジネスの展開

グローバルサービスは従来通り、各BUと営業サービス統括本部の管轄にて行う

ポストセールス事業部3つの E

200mm中古改造新規ビジネス

パーツリペア

その他

EcologyEcology環境対応

EnhancementEnhancement改善・改良

ExtendedExtended--lifelife装置延命

ポストセールス本部からプロフィットセンターとしての「ポストセールス事業部」へ

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CORP IR/May 13, 2008

技術で環境問題に取り組む

TEL装置の省エネルギー化を促進

省電力・高効率デバイスを作る製造装置の提供

企業の責任、使命、そして大きなビジネスチャンス

- 省電力・省薬液などでTEL装置の排出するCO2を削減

- パワー半導体用SiCエピ膜成長装置- 有機EL製造装置

クリーンエネルギー関連の製造装置の提供

- 太陽電池製造装置

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CORP IR/May 13, 2008

高成長が期待される太陽光発電市場

0

20

40

60

80

100

2007 2015 2020

生産

量(G

W)

結晶Si太陽電池

薄膜Si太陽電池

0

3,000

6,000

9,000

12,000

15,000

18,000

2007 2015 2020市

場規

模(億

円)

薄膜Si太陽電池製造装置

薄膜Si太陽電池製造装置市場太陽電池生産規模

薄膜Si太陽電池 2007-2020

CAGR 52%

結晶Si太陽電池 2007-2020

CAGR 25%

2007-2015

CAGR 44%

2007-2020

CAGR 37%

出所: 電力需要予測を元にTEL推定

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CORP IR/May 13, 2008

開発: 東京エレクトロンPV (2008.2月設立)製造・販売: 東京エレクトロン

太陽電池製造装置市場への参入

製品化2009年

製品化

合弁事業

1. 太陽電池製造技術でトップクラスのシャープ様との開発合弁会社

「東京エレクトロンPV」を設立 <薄膜Si太陽電池用CVD 装置>

2. 並行して、独自技術の研究開発も行っている

独自技術製品

合弁事業製品

独自技術の開発

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サマリー

08年3月期、過去最高業績を更新

SPE事業環境: 2008年は設備投資の谷間の年となる。後半から

の回復に期待する

FPD事業環境: 2008年の設備投資は高い成長となる

TELは次のサイクルのピーク時にさらに大きな成長を目指す。そのための準備期間となる当期09年3月期は、絞るところは絞るが、

将来の成長に向けての体制作りと研究開発の一層の強化を図っていく。