CARRERA: ING. Electromecánica.

CURSO: CUARTO “A”

FECHA: 04/02/2015.

INTEGRANTE:

- JUAN VARGAS.TEMA: NRAM

Nano-RAM es una tecnología de memoria de la computadora de propiedad de la empresa Nantero. Es un tipo de memoria de acceso aleatorio no volátil basado en la posición de los nanotubos de carbono depositados sobre un sustrato de patata frita. En teoría, el pequeño tamaño de los nanotubos permite para las memorias de muy alta densidad. Nantero también se refiere a ella como NRAM.

NRAM

Tecnología La tecnología Nantero NRAM primera generación se basa en un dispositivo semiconductor de tres terminales que se utiliza un tercer terminal para cambiar la celda de memoria entre los estados de memoria. La tecnología NRAM segunda generación se basa en una celda de memoria de dos terminales. La célula de dos terminales tiene ventajas tales como un tamaño más pequeño de células, mejor escalabilidad a la sub - nodos 20 nm (véase la fabricación de dispositivos de semiconductores), y la capacidad de pasiva la celda de memoria durante la fabricación.

Figura.- Tejido de nanotubos de carbono

Cuando cerca uno del otro, los nanotubos de carbono están bajo la influencia de fuerzas de Van der Waals. Cada "célula " NRAM consiste en una red interconectada de nanotubos de carbono situados entre dos electrodos, como se ilustra en la Figura “Tejido de nanotubos de carbono”. La tela CNT se encuentra entre dos electrodos de metal, que se define y grabadas mediante fotolitografía, y forma la célula NRAM.

Puntos de contacto de nanotubos de carbono

Esquemática Nanotubos de carbono

Nanotubos de carbono fabrica NRAM actúa como una memoria de acceso aleatorio no volátil resistiva (RAM) y se puede colocar en dos o más modos de resistencia en función del estado de resistencia de la tela CNT. Cuando la CNT no está en contacto el estado de resistencia de la tela es alta y representa un "off" o estado "0". Cuando la CNT se pone en contacto, el estado de la resistencia de la tela es bajo y representa un estado "0" o "1". NRAM actúa como una memoria, porque los dos estados resistivos son muy estables. En el estado 0, los nanotubos de carbono (o una parte de ellos) no están en contacto y se mantienen en un estado separado debido a la rigidez de los nanotubos de carbono que resulta en una alta resistencia o bajo estado de medición de corriente entre los electrodos superior e inferior.

Características

NRAM tiene una densidad de, al menos en teoría, similar a la de la DRAM. DRAM incluye condensadores, que son esencialmente dos pequeñas placas de metal con un aislante delgada entre ellos. NRAM tiene terminales y electrodos más o menos del mismo tamaño que las placas en una DRAM, los nanotubos de entre ellos es mucho más pequeño que no añaden nada al tamaño total. Sin embargo, parece que hay un tamaño mínimo en el que una DRAM se puede construir, por debajo del cual simplemente no hay suficiente carga está almacenada en las placas. NRAM parece estar limitada sólo por la litografía.

Figura 3.48. Sección transversal de nanotubos de carbono estructura de memoria-resistencias variables de

Nantero. La estructura se piensa que es escalable a los elementos de ancho 15

nm e incluso hasta 5 nm.

Esto significa que NRAM puede ser capaz de llegar a ser mucho más densa que la DRAM, quizás también menos costoso. A diferencia de la DRAM, NRAM no requiere energía para "refrescar", y conservará su memoria incluso después de desconectar la alimentación eléctrica. Por lo tanto la potencia necesaria para escribir y retener el estado de la memoria del dispositivo es mucho menor que la DRAM, que tiene que construir carga en las placas de células.

COMPARACIÓN CON OTRA MEMORIA NO VOLÁTIL

En comparación con otra memoria de acceso aleatorio no volátil (NVRAM) tecnologías, NRAM tiene varias ventajas. En la memoria flash, la forma común de la NVRAM, cada célula se asemeja a un transistor MOSFET con una puerta de control (CG) modulada por una puerta flotante (FG) interpuesto entre el CG y el FG. El FG está rodeado por un dieléctrico aislante, normalmente un óxido. Dado que la FG se eléctricamente aislado por el dieléctrico que rodea, cualquier electrones colocados en la FG quedarán atrapadas en la FG que las pantallas de los CG de la canal del transistor y modifica la tensión de umbral (VT) del transistor.

Otros sistemas de memoria más especulativas incluyen memoria magnetorresistencia de acceso aleatorio (MRAM) y la memoria de cambio de fase (PRAM). MRAM se basa en una rejilla de uniones de efecto túnel magnéticas. MRAM de leer la memoria utilizando el efecto de magnetorresistencia de túnel, lo que le permite leer la memoria tanto de forma no destructiva y con muy poca energía. Escritura inducida MRAM Early campo utilizado, llegó a un límite en términos de tamaño, lo que lo mantuvo mucho más grande que los dispositivos flash. Sin embargo, las nuevas técnicas MRAM pueden superar el límite de tamaño para hacer MRAM competitivo incluso con la memoria flash. Las técnicas son de conmutación Assisted Thermal (TAS), desarrollado por Crocus Technology, y girar Torque Transfer en el que Crocus, Hynix, IBM y otras compañías estaban trabajando en 2009.