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전자기기의 인터페이스 보호에 최적

소형·고성능

로옴의 TVS 다이오드 시리즈

VCL(V)

lpp(A)

VCL - Ipp CHARACTERISTICS (8/20us)

낮은 클램프낮은

클램프

로옴의 신 TVS 기존품

클램프 파형 예

Application과도 전압 / 과도 전류

TVS,Protection Devices, Zener

대부분의 회로에서 제너 다이오드나 저용량 보호 다이오드가 보호 소자로

사용되고 있습니다.

최근 전자 디바이스의 미세화 / 고기능화가 진행됨에 따라, 한층 더

고성능을 실현한 보호 소자, TVS (Transient Voltage Suppressor)가

요구되고 있습니다. 회로 내에서 과도 전압 / 과도 전류 발생 시, TVS의

동작에 의해 흡수되며, 보호하는 어플리케이션에 가해지는 부하를

경감하기 위해 낮은 클램프 전압의 TVS가 필요시되고 있습니다.

사용 회로 예

낮은 클램프 전압과 높은 서지 내성으로 어플리케이션 보호낮은 클램프 전압과 높은 서지 내성으로 어플리케이션 보호

낮은 클램프 전압낮은 클램프 전압

High PPP 내량 초소형·고정밀도High PPP 내량 초소형·고정밀도

우수한 TVS 다이오드 특성패키지 Vz (V) Ppp (W) Ipp (A) VCL＠Ipp (V)

신제품 VS5V0BB1ES DSN0603-2(SMD0603) 0.6×0.3×0.28 100

타사품 A - 0.6×0.3×0.30DSN0603-2 -

타사품 B - 0.6×0.3×0.25DSN0603-2 -

25

20

25

2.2

2.0

2.0

VBR (V)

6 ～ 9.0

6 ～ 10.0

6 ～ 9.5

11.4

12.8

15.0

7.0

5.3

6.5

Ct(VR=0V) (pF)사이즈 (mm) 등가회로도품명

＊: Ipp : 8/20us waveform

세 계

최 소클래스

10μm

치수 정밀도

이하ROHM Advanced Smart Micro Device

웨어러블 시대의 새로운 세계 최소 클래스 전자부품

독자적인 신공법으로 미세화의 한계를 돌파! 극적인 소형화와

놀라운 치수 정밀도 （±10μm 이하）로 차세대 모바일 기기에 기여.

라스미드

【O_056】Catalog No.58O6890K 04.2015 ROHM © ROHM

본 자료의 기재 내용은 2015년 4월 1일 현재의 내용입니다.

품명 PD (mW) f （MHz）

UMZU6.2N

FTZU6.2E

CDZC6.8BCDZCV5.1BEDZCV6.8B

Vz (V)

EMZC6.8N

UDZU5.6BUDZU6.2

UMZC6.8NSTZC6.8N

VMZT6.8N

RSB12WRSB12Z

EMZT6.8E

RSB6.8JS2RSB12JS2RSAC6.8CSRSAC16CSRSAC18CSRSAC6.8CM

1

1

11111111111

1

1111111

패키지

SOT323(UMD3)

SOT25(SMD5)

SOD923(VMN2)SOD923(VMN2M)SOD523(EMD2)

SOT323(UMD3)

SOT523(EMD3)SOT723(VMD3)SOT323(UMD3)SOT346(SMD3)SOT723(VMD3)SOT523(EMD3)

SOT553(EMD5)

SOT563(EMD6)

SOD923(VMN2)

SOD923(VMN2M)SOD923(VMN2)

사이즈 (mm)

2.0×2.1×0.9

2.9×2.8×1.1

1.0×0.6×0.371.0×0.6×0.371.6×0.8×0.6

2.0×2.1×0.9

1.6×1.6×0.71.2×1.2×0.52.0×2.1×0.92.9×2.8×1.11.2×1.2×0.51.6×1.6×0.7

1.6×1.6×0.5

1.6×1.6×0.5

1.0×0.6×0.37

1.0×0.6×0.371.0×0.6×0.37

VR (V)

0

0

00000000000

0

0000000

Ct (pF)

8.0

8.0

3.05.53.08.08.03.07.03.03.01.01.0

7.0

1.01.00.30.30.30.31.0

Iz (mA)

5

5

55555555555

5

5555555

200

200

100100150200200150150200200100150

150

150150100100100100100

5.90 ～ 6.50

5.90 ～ 6.50

6.65 ～ 6.934.98 ～ 5.206.65 ～ 6.935.49 ～ 5.735.90 ～ 6.506.47 ～ 7.146.47 ～ 7.146.47 ～ 7.146.47 ～ 7.149.60 ～ 14.409.60 ～ 14.40

6.47 ～ 7.14

6.00 ～ 8.009.60 ～ 14.406.70 ～ 7.33

16.49 ～ 17.5118.20 ～ 19.356.70 ～ 7.336.62 ～ 7.24RSBC6.8CS

등가회로도

＊

＊: pin은 회로상 OPEN으로 사용하여 주십시오.

저용량 보호 디바이스

패키지

VS5V0BA1ES

VS5V0BB1ES

VS5V0BC1ES

0.6×0.3×0.28DSN0603-2(SMD0603)

품명 PD (mW)

100

PPP (W)

10

25

60

IPP (A)

1.0

2.2

5.0

6 ～ 8

6 ～ 9

6 ～ 9

VBR (V)VCL＠IPP (V)

10.0

11.4

12.0

5.0

7.0

15.0

Ct(VR=0V) (pF)사이즈 (mm) 등가회로도

＊: Ipp : 8/20us waveform

TVS 다이오드 시리즈 라인업3.3V-15V까지 라인업 전개 가능

제너 다이오드사이즈 (mm)

0.4×0.2×0.12

0.6×0.3×0.28

1.0×0.6×0.22

FDZ5.6FDZ5.1

FDZ6.2FDZ6.8FDZ7.5FDZ8.2SDZ5.1SDZ5.6SDZ6.2SDZ6.8SDZ7.5SDZ8.2

QDZ5.6

IZ (mA)

555555555555

5

IR (μA)

2.01.01.00.50.50.52.01.01.00.50.50.5

10.0

VR (V) 등가회로도

1.52.53.03.54.05.01.52.53.03.54.05.0

2.5

PD (mW)

100

100

200

5.31 ～ 5.925.86 ～ 6.536.47 ～ 7.147.06 ～ 7.847.76 ～ 8.644.84 ～ 5.375.31 ～ 5.925.86 ～ 6.536.47 ～ 7.147.06 ～ 7.847.76 ～ 8.64

5.31 ～ 5.92

Vz (V)

4.84 ～ 5.37

DSN0603-2(SMD0603)

DSN1006-2(SMD1006)

DSN0402-2(SMD0402)

패키지품명