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大阪大学大学院工学研究科附属大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センタ超精密科学研究センタ大阪大学大学院工学研究科附属大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター超精密科学研究センター

准教授准教授山村和也山村和也

第9回高エネ研メカ・ワークショップ 2008年4月18日

Research Center for UltraResearch Center for Ultra--Precision Science and Technology ,Precision Science and Technology ,Graduate School of EngineeringGraduate School of EngineeringGraduate School of Engineering, Graduate School of Engineering,

Osaka UniversityOsaka University

Osaka University

Research Center for Ultra-precision Science and TechnologyOsaka Univ.ContentsContents

１．１．プラズマプラズマCVMCVM (PCVM ; Plasma Chemical Vaporization Machining)

(1) PCVM開発の背景と加工原理, 特徴

(2) 応用例

[1] X線ミラの作製（PCVMPCVMととEEMEEMの併用の併用）[1] X線ミラーの作製（PCVMPCVMととEEMEEMの併用の併用）

[2] ATカット水晶ウエハの厚み均一化

２．２．ローカルウエットエッチングローカルウエットエッチング (LWE ; Local Wet Etching)(1) LWE開発の背景と加工原理, 特徴( ) 開発の背景加原理, 特徴

(2) 応用例

[1] フォトマスク基板の平坦化（合成石英）

[2] X線ミラーの作製

1

Research Center for Ultra-precision Science and TechnologyOsaka Univ.プラズマを用いた化学的な除去加工の提案プラズマを用いた化学的な除去加工の提案

具

機械加工法(Cutting, Lapping, Polishing, etc.)

加工物荷重ポリシャ

工具 XYθ-テーブル振動振動

熱変形熱変形

(1) 加工能率 (高加工速度) (2) 加工特性の安定性 ×(3) 加工変質層 ×

大気圧 RFプラズマ大気圧 RFプラズマ

反応ガス反応ガス Plasma CVMPlasma CVMラジカルラジカル

反応生成物反応生成物

大気圧プラズマを利用した化学的気化加工法

(Chemical Vaporization Machining)(Chemical Vaporization Machining)

2加工物加工物

化学的気化加工法

Research Center for Ultra-precision Science and TechnologyOsaka Univ.

局在プラズマによるマスクレス加工局在プラズマによるマスクレス加工

PlasmaExhaustSi wafer

GasSi waferPlasma

p=10-1～102 Pa

GasRF electrode

低圧プラズマによる微細加工プロセス

(a) Plasma Etching

Exhaust

(b) Reactive Ion Etching

Metal wirePipe electrode

低圧プラズマによる微細加プセス

⇒LSIの製造等に適用

Solar cell

Pipe electrode

Plasma

Aspherical lensPlasma

ワイヤー型パイプ電極型

3大気圧下における局在プラズマの形成

⇒機械加工に匹敵する空間分解能と加工速度

ワイヤ型（太陽電池のパターニング；（株）三洋電機）（非球面レンズの加工；（株）ニコン）


加工目的に応じた電極形状の選択加工目的に応じた電極形状の選択

大気圧プラズマ

Slicing Si SiC インゴット

局在化した高密度プラズマ

マスクレス高能率・高空間分解能加工

内周刃型Si, SiC インゴット

Pipe electrode

Aspherical lens

Planarization円筒型 Si ウエハSOI ウエハ

Plasma

Aspherical lens

Figuring球型X-ray MirrorAspherical LensSOI WaferH. Takino et. al. Nikon Co., Ltd.

4

パイプ電極⇒ 高空間分解能加工

回転電極⇒ 高能率加工


滞在時間制御による形状創成滞在時間制御による形状創成

80

100

深さ

[nm

]

回転電極

40

60

りの

加工

深プラズマ

0

20

40

1パス

あた

り

加工物

00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05

1

テーブル走査速度の逆数[min/mm](プラズマの滞在時間に相当)

Convolution

( 滞 )Si(100), Gas : CF4 0.01%, O2 0.01%, He balance, Gap：600 [um]

Rotation Speed： 31.4 [m/sec], Power：50 [W]

= ⊗

h(x.y) f(x.y) g(x.y)

5

目的形状加工痕形状滞在時間分布加工痕形状


形状誤差の空間波長と加工痕形状形状誤差の空間波長と加工痕形状

回転電極(φ200mm)

Low

Mid

パイプ電極(φ1mm)

形状誤差 High

空間波長イ電極(φ )

16 mm 2 mm

6

回転電極による加工痕Gas : CF4 0.03%, O2 0.03%, He balance, Gap：600 [um]

Rotation Speed： 5.2 [m/sec], Power：200 [W] Gas : CF4 0.005%, O2 1%, He balance, Gap：1000 [um]

Suction Rate： 0.5 [L/min], Power：40 [W]

パイプ電極による加工痕


数値制御プラズマ数値制御プラズマCVM(NCCVM(NC--PCVM)PCVM)のの応用例応用例応用例応用例

7


XX線用大型平面ミラーの作製線用大型平面ミラーの作製

材質 : Si(100) ρ=1～20Ωcm

110120130140150

Before p-v104 6nm

（長さ 400mm ×幅 50mm × 厚さ 30mm）

405060708090

100110

Hei

ght [

nm]

Before p-v104.6nm

長手方向

-100

10203040

0 50 100 150 200 250 300 350Distance [mm]

p-v 22.5nmp-v158nm

長手方向Distance [mm]

120130140150After p-v 10.7nm

Slope error0 87mrad(rms)

60708090

100110

eugh

t [nm

] Before p-v 46.3nm

0.87mrad(rms)

320mm320mm

102030405060

He

After p-v 7.2nmSlope error

40mm40mm

8短手方向

-100

0 10 20 30 40 50Distance [mm]

1.74mrad(rms)40mm

PCVMによる修正加工後

修正加工前(ラッピング & ポリシング)


硬硬XX線集光ミラーの作製線集光ミラーの作製

長さ100 mm ×幅 50 mm × 厚さ 10 mm材質: Si(100)単結晶

楕円面ミラーの外観

SPring-8

MA(Vertical focusing)

MB(Horizontal focusing)

5

6

7

f=150mm( g)100 mm 100 mmSlit

(100mm×100mm)焦点焦点

( g)50 mm

100 mm

アンジュレータより

2

3

4

5

Heig

ht [um

]300 mm1 km

150 mm

100 mm

0

1

2

0 20 40 60 80 100Position [mm]

f=300mm

9

K-B配置硬X線集光光学系@SPring-8 1km-long beamline(BL29XUL)

Position [mm]

ミラーの断面形状


加工の空間分解能加工の空間分解能

回転電極(φ200mm)

回転電極パイプ電極

10

m]

1E+14

回転電極λ=10mm

パイプ電極λ=1mm

パイプ電極(φ1mm)

5

e e

rror

[nm f=150mm

1E+10

1E+12

m3]

-5

0

dual figure

1E+8

PSD [

nm

-10

5

0 20 40 60 80 100

Resi f=300mm

1E+4

1E+6

1E-41E-31E-21E-11E+0

10

0 20 40 60 80 100Position [mm]

設計形状からのずれ（形状誤差）

1E 41E 31E 21E 11E+0Spatial Wavelength [m]

形状誤差のPSD


PCVM PCVM とと EEMEEMの組み合わせの組み合わせ

加工ヘッド

原子オーダーで突出した部分

から選択的に除去される

加工物

EEM(Elastic Emission Machining)の加工原理

10

After PCVM Process

の加原理

0

5

Err

or

[nm

]

After PCVM Process大気圧 RFプラズマ大気圧 RFプラズマ

反応ガス反応ガス

ラジカルラジカル反応生成物反応生成物

-5Fig

ure

E

After EEM Process 加工物加工物

11

-10

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100Position [mm]

PCVM ：等方的に除去されるため原子的

凸部の選択的な除去特性は無い


Focusing performance (Achieved in April ’06) Focusing performance (Achieved in April ’06)

Smallest size in hardSmallest size in hard--XX--ray focusing (Latest result) ray focusing (Latest result) Smallest size in hardSmallest size in hard XX ray focusing (Latest result) ray focusing (Latest result)

1

1.2

1

1.2

0.8

1

units) 0.8

1

units)

0 4

0.6

Inte

nsi

ty(a

rb.u

30nm

0 4

0.6

Inte

nsi

ty(a

rb.u

25nm

0.2

0.4

0.2

0.4

0

-200 -100 0 100 200

Position(nm)

0

-200 -100 0 100 200

Position(nm)

12


水晶ウエハの製造工程水晶ウエハの製造工程

1. 人工水晶 2. ワイヤーソーによる切断

3. ラッピング 4. ワイヤーソーによる分割

5. ポリシング

13

水晶ウエハ

Research Center for Ultra-precision Science and TechnologyOsaka Univ.順メサ型水晶振動子順メサ型水晶振動子

Au

Cr

Photoresistウエハプロセスによる水晶振動子の高能率生産

Cr

Quartz PlateDeposition of Cr & Au,Patterning of Photoresist

Etching of Cr & Au

Vibration Area

Electrode

Quartz Crystal

Bi-mesa Shaped AT Cut Quartz Resonator Etching of Quartz Plate

共振周波数は水晶ウエハの板厚と反比例の

Removal of Photoresist,Cutting of a Plate

f0≒1,670/y0

関係にあり、次式で決まる｡

14電気情報通信学会論文誌 C-ⅠVol.J82-C-Ⅰ No.12 pp.757-761

順メサ型水晶振動子の製造工程

0 , y0

f0:共振周波数(MHz) y0：板厚(mm)


機械研磨後の水晶ウエハ機械研磨後の水晶ウエハ

16

18

20

10

12

14

equ

ency

2

4

6

8

Fre

-200 -150 -100 -50 0 50 100 150 200

0

Deviation (nm)厚さ100μmの水晶ウエハ

厚さ100μmのウエハにおける厚さ100μmのウエハにおける300nmの厚みムラ最終的な周波数の微調整

（イオンビーム）

3000ppm周波数に換算して約50kHzの誤差

調整前に500ppm、8.5kHz、±25nm

程度が必要

15

周波数に換算して約50kHzの誤差程度が必要


大気開放型プラズマ大気開放型プラズマCVMCVMの適用の適用

試料セット真空排気反応ガス導入加工真空排気窒素置換試料取り出し

チャンバープロセスチャンバープロセス

試料セット加工試料取り出し

大気開放型プロセス大気開放型プロセス

電極

プロセスガス

テフロンカバー

プラズマ

水晶ウエハ

試料ホルダー

16大気開放下で安定したプラズマを発生大気開放下で安定したプラズマを発生


厚み分布の改善（修正回数厚み分布の改善（修正回数11回）回）

Processing Time=14m55sProcessing Time=14m55s

32mm 32mm 32mm 32mm

337 nm (PV) 34.3 nm (PV)

17Before Correction After Correction


数値制御ローカルウェットエッチング

Numerically Controlled Local Wet Etching (NC-LWE)Numerically Controlled Local Wet Etching (NC LWE)

18


数値制御ローカルウエットエッチング法の提案数値制御ローカルウエットエッチング法の提案

Numerically Controlled Local Wet Etching (NC-LWE)

加工物

数値制御走査

加工原理

加工速度：

加工精度：

エッチャント供給・吸引ノズル

液状のエッチャントを局所的に供給・吸引し、数値制御走査することによって任意の形状を

加精度

非接触加工 → 外乱の影響を受けにくいエッチャントの温度管理により加工部の温度は非常に安定によって任意の形状を

創成する。温度は非常に安定

ダメージ：

学応無

流量計リザーブタンク

ガス吸引ポンプ

化学反応による無歪加工

装置価格：

流量調節バルブ

チント熱交換器

装置構成が単純、高剛性不要、インフラ不要、ハンドリング容易

低価格装置でありながらナノメタエッチャント循環ポンプ

19

低価格装置でありながらナノメータオーダの形状精度が容易に得られる


各種加工法の比較各種加工法の比較

機械加工(CCP C C ll d

イオンビーム加工(IBF I B Fi i )

プラズマCVM(PCVM Pl Ch i l

数値制御ローカルウエットエッチング(CCP : Computer Controlled

Polishing)(IBF : Ion Beam Figuring) (PCVM : Plasma Chemical

Vaporization Machining)ウエットエッチング

(NC-LWE : Numerically Controlled Local Wet Etching)

加工原理塑性変形、脆性破壊高エネルギーイオンによる

スパッタリング

大気圧プラズマで生成した高密度中性ラジカルによる

学応

液状のエッチャントによる化学反応スパッタリング

化学反応化学反応

加工速度

ただし、加工精度を上げる場合は遅くなる

×動作圧力が低いのでイオン密度が低い

大気圧のため反応種密度が高い

最適なエッチャント組成により実用加工速度を達成場合は遅くなる密度が低が高り実用加速度を達成

加工精度

加工装置の剛性に依存し

（母性原則）、振動や熱変形の影響を受けやすい

光学素子の作製において

ナノメータオーダの形状精度が得られている

ナノメータオーダの形状精度が得られるが、表面温度上昇のために温度依存性

非接触加工のため、外乱の影響を受けない。エッチャントの温度制御により加工特の影響を受けやすい度が得られている上昇のために温度依存性

の大きい材料は加工量の制御性が低下する

トの温度制御により加工特性は非常に安定

ダメジ×

原理的表層欠陥が

×高ネギイオ衝突

化学応る除去ため

化学応る除去ためダメージ原理的に表面層に欠陥が

導入される高エネルギーイオンの衝突ダメージ

化学反応による除去のためダメージは全く入らない

化学反応による除去のためダメージは全く入らない

装置価格

精度向上のために高剛性

×真空チャンバー、ガス供給・

×真空チャンバー、ガス供給・

装置構成が単純、高剛性不装置価格精度向高剛性

化すると価格は上昇する真空ャ、供給排気系、排ガス処理装置等の高価なインフラが必要

真空ャ、供給排気系、排ガス処理装置等の高価なインフラが必要

装置構成単純、高剛性不要、インフラ不要

20


NCNC--LWELWEプロセスにおける形状創成の手順プロセスにおける形状創成の手順

形状計測形状計測シミュレーションシミュレーション

コンボリションコンボリューション

= ⊗

h (x, y) f (x, y) g (x, y)

目的形状

( y)

単位加工痕滞在時間分布

形状誤差

数値制御加工数値制御加工完成完成

21形状誤差


任意の加工痕形状任意の加工痕形状

ノズルヘッドの構造

Gas Flow

エッチャントの強制吸引

円形ノズルヘッド15.5 mm

角型ノズルヘッド

13.5 mm

22

円形ノズルヘッド(φ15 mm)

角型ノズルヘッド(13 mm ×13 mm)


試作機の外観試作機の外観

ノズルヘッドとワークホルダーノズルヘッドとワークホルダー

23NCNC--LWE LWE 試作機試作機加工中の様子加工中の様子


フォトマスク基板の平坦度改善フォトマスク基板の平坦度改善

修正前：修正前：pp--v 192 nmv 192 nm 修正後：修正後：pp--v 56 nmv 56 nm修前修前 pp 修後修後 pp

200200 nmnm 200200 nmnm200200 nmnm

6” 6” サイズフォトマスク基板サイズフォトマスク基板((合成石英ガラス合成石英ガラス) )

24

Nozzle : φ15mmHF : 25 wt%Temp. : 25 F.R. : 34 L/hOverhead position


加工面の表面粗さ加工面の表面粗さ

平坦度平坦度：：pp--v 56 nmv 56 nm平坦度平坦度 pp

25 mm25 mm

200200 nmnm

0.119 nm 0.119 nm rmsrms46 mm46 mm

46 mm46 mm

200200 nmnm

0.147 nm 0.147 nm rmsrms

250.149 nm rms0.149 nm rms


楕円面ミラー楕円面ミラーの作製の作製楕円面ミラ楕円面ミラの作製の作製

26


中性子収束デバイスの作製中性子収束デバイスの作製（多重ＫＢミラー）（多重ＫＢミラー）

LWEで作製

多重・薄型多重・薄型KBKBミラーによる中性子収束ミラーによる中性子収束

LWEで作製

水和構造を含めた蛋白質の構造決定水和構造を含めた蛋白質の構造決定

J-PARC中性子基盤セクション曽山和彦氏らとの共同研究

XX線で見た構造線で見た構造（水素を除く骨格構造）（水素を除く骨格構造）

中性子で見た構造中性子で見た構造（水素及び水和水が付加）（水素及び水和水が付加）

放射光、NMR、X線自由電子レザ

中性子水素水和水を含めた

27創薬、生命機能解明への寄与創薬、生命機能解明への寄与

X線自由電子レーザーハイスループット構造解析

水素、水和水を含めた構造解析


中性子収束デバイスの作製中性子収束デバイスの作製（放物面ミラー用の型）（放物面ミラー用の型）

Ｎｉ，Ｔｉ多層膜

着着ミラーの型を作製ミラーの型を作製型の上に型の上にNi,TiNi,Ti多層膜を蒸着多層膜を蒸着型を取り外す型を取り外す

焦点（サンプルに照射焦点（サンプルに照射))

28放物面ミラーの完成放物面ミラーの完成

J-PARC中性子基盤セクション曽山和彦氏らとの共同研究


角型ノズルを用いた角型ノズルを用いた11次元次元NCNC加工加工

22--D Numerically D Numerically Controlled FiguringControlled Figuring(Raster Scan)(Raster Scan) ScanScan

directiondirection10 nm10 nm

directiondirection

5.2mm5.2mm

3 9mm3 9mmAperture Width <1mm (0.2mm)Aperture Width <1mm (0.2mm)

0.5

11--D Numerically D Numerically Controlled FiguringControlled Figuring

Feed directionFeed direction(0.4mm pitch)(0.4mm pitch)

3.9mm3.9mm

-1

-0.5

0

ept

h(μ

m)

-2.5

-2

-1.5

De

29

Square Shape NozzleSquare Shape Nozzle(13mm(13mm××13mm)13mm)

0 5 10 15

Position(mm)

CrossCross--section of Trenchsection of TrenchFormed by 1Formed by 1--Dimensional scanningDimensional scanning


11次元次元NCNC加工による楕円面ミラーの作製加工による楕円面ミラーの作製

2.0 60Designed Shape

1.5 45 nm)

Designed ShapeFigured ShapeFigure Error

1.0 30ght (μm

)

e Er

ror (

n

0.5 15

Hei

g

Figu

re

27 nm p27 nm p vv

0.0 0

27 nm p27 nm p--vv

0 20 40 60 80 100

Position (mm)

30Processing Time : 45 minProcessing Time : 45 min


中性子集光用楕円面ミラーの中性子集光用楕円面ミラーの22次元次元NCNC加工加工

有効領域90mm×40mm, 深さ14μmの楕円面を,

送りピッチ0.4mmのラスタースキャンにより作製する

スキャン方向スキャン方向121518

m)

121518

m)

5050

1515

369

12

Hei

ght(μm

369

12

Hei

ght(μm

100100

505003

-45 -30 -15 0 15 30 45

P iti ( )

03

-45 -30 -15 0 15 30 45

P iti ( )

目的形状目的形状

XX22/600/60022+Y+Y22/5/522=1=1

Position(mm)Position(mm)

基板形状基板形状（合成石英製）（合成石英製）XX /600/600 +Y+Y /5/5 =1=1

((unit:mmunit:mm))

31


５軸５軸NCNC加工装置加工装置

YY--axisaxisaa--axisaxis

XX axisaxisXX--axisaxisZZ--axisaxis

bb--axisaxis

55軸テブルニト軸テブルニト装置概観装置概観 55軸テーブルユニット軸テーブルユニット装置概観装置概観

32


φφ1515円型ノズルにおける静止加工痕円型ノズルにおける静止加工痕

加工痕取得条件加工痕取得条件

HF濃度(wt%)

HF温度()

ギャップ(μm)

加工時間(min)

37 41.7 300 5

115.5mm15.5mm

加工深さ加工深さ5 7μm5 7μm4

-3-2-10

th(u

m)

5.7μm5.7μm

-7-6-5-4

0 5 10 15 20 25

Dep

t

φφ1515円型ノズル円型ノズル

33

Position(mm)


加工結果加工結果

mmmm

mmmm

mmm

μμmm

mmmm10.010.0

12.512.5 加工後形状（加工後形状（22次元）次元）

mmmm

2.52.5

5.05.0

7.57.5 1515μμmm

基板中央横断面基板中央横断面mmmm

加工後形状加工後形状((評価領域評価領域9090 ××40 )40 )((評価領域評価領域90mm90mm××40mm)40mm)

※※三鷹光器製三鷹光器製 NHNH--3SP3SPにより計測により計測

基板中央縦断面基板中央縦断面 34


ＮＣ加工後の形状誤差ＮＣ加工後の形状誤差

PV PV 238nm 238nm

mmmm500nm500nm

mmmm

mmmm残差形状残差形状基板長手方向断面基板長手方向断面

形状誤差形状誤差

0

50

100

Err

or(

nm

)mmmm -100

-50

0 10 20 30 40Fig

ure

E

nm

残差形状残差形状基板短手断面基板短手断面

0 10 20 30 40

Position(mm)

35


加工後の表面粗さ加工後の表面粗さ

μμmmμμmm

mmmm10.010.0

12.512.5

mmmm

2.52.5

5.05.0

7.57.5 1515μμmm

mmmm加工後形状加工後形状 ((評価領域評価領域90mm90mm××40mm)40mm)

PVPV 12 212 2加工後形状加工後形状 (( 領領 ))

PVPV 28 728 7

PV PV 12.2 nm12.2 nmRmsRms 2.05 nm2.05 nm

PV PV 28.7 nm28.7 nmRmsRms 2.38 nm2.38 nm 48μm48μm




64μm64μm

36


ツールマークの評価ツールマークの評価

40

60

40

60

評価領域評価領域5.1mm5.1mm××3.9mm3.9mm

-20

0

20

eig

ht(

nm

)

-20

0

20

eig

ht(

nm

)

-60

-40

20

0 1 2 3 4

H

-60

-40

20

0 1 2 3 4

H

0 1 2 3 4

Position(mm)

0 1 2 3 4

Position(mm)

‐41460) ‐41460)

ZygoZygo New ViewNew Viewにによる顕微よる顕微干渉像干渉像

ZygoZygo New ViewNew Viewにによる顕微よる顕微干渉像干渉像縦断面図縦断面図

‐41500‐41490‐41480‐41470

Dep

th(nm

‐41500‐41490‐41480‐41470

Dep

th(nm ZygoZygo New ViewNew Viewにによる顕微よる顕微干渉像干渉像縦断面図縦断面図

高さ高さ80nm80nm程度の程度のうねりうねり‐41520‐4151041500

22 23 24Removal

‐41520‐4151041500

22 23 24Removal

Position(mm)Position(mm)

重ね合わせのうねりシミュレーション形状重ね合わせのうねりシミュレーション形状 37


22段階プロセスによるツールマーク高さの低減段階プロセスによるツールマーク高さの低減

ライン型ノズル

ライン型ノズルのライン型ノズルの11軸走査による粗加工軸走査による粗加工

円型ノズル円型ノズル

小径ノズルのラスタースキャンによる仕上加工小径ノズルのラスタースキャンによる仕上加工

38

小径ノズルのラスタスキャンによる仕上加工小径ノズルのラスタスキャンによる仕上加工

ラスタースキャンラスタースキャンにおける加工量における加工量と、うねり高さの関係と、うねり高さの関係


ライン型ノズルの試作ライン型ノズルの試作

加工量分布

2μm33mm

12mm

12mm

33mm100nm

12mm

33mm

39

33mm33mm××12mm12mmの範囲の範囲ににおける加工量分布おける加工量分布1.751.75±±0.05μm 0.05μm ((±±2.9%)2.9%)


LWELWEプロセス開発の目指すところプロセス開発の目指すところ

装置目標

1 NC-LWE加工装置(プロトタイプ)における5軸ノズル駆動機構の開発フォトマスク基板1. NC LWE加工装置(プロトタイプ)における5軸ノズル駆動機構の開発

2. EUVL用6インチフォトマスク基板の平坦化(平坦度50 nm以下)

3. 8インチバルクシリコンウエハの厚さ均一化(TTV 1 µm以下)

マスク基板

4. 8インチSOIウエハのSOI層厚さの均一化(±5%以下)

実用化の際の用途と想定ユーザー

シリコンウエハ1. 液晶用大面積フォトマスク基板(1500×1300 mm以上) の平坦化

【ガラス素材メーカー】

2 EUVL用超高精度フォトマスク基板の平坦化【ガラス素材メカ】

非球面X線集光ミラー

2. EUVL用超高精度フォトマスク基板の平坦化【ガラス素材メーカー】

3. シリコンウエハ(板厚ムラ)、SOIウエハ(SOI層厚さの均一化)の高精度

仕上げ【シリコンウエハメーカー】

4. 水晶振動子作製用水晶ウエハの厚みムラ修正加工【水晶メーカー】

5. 超高精度光学部品の最終仕上【研磨メーカー】

40超高精度オプティクス

町工場レベルでも特別なノウハウ無しに、安価にナノメータオーダの加工を実現

製造技術のイノベーション製造技術のイノベーション

osaka university - kek 機械工学センター · research center for ultra-precision science and...

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