INSTITUTO TECNOLOGICO DE PACHUCA

Ingeniería en Sistemas Computacionales

Materia: ARQUITECTURA DE

COMPUTADORAS

Practica Memoria RAM

Equipo: CLR

Alumnos:

MENESES HERNANDEZ

ALEJANDRA ITZEL

OLMOS ESTRADA PEDRO RAÚL

REYES SANCHEZ ANA LAURA

Catedrático: ING. LEÓN OLIVARES ERIC

Semestre: Quinto

Pachuca, Hgo; 20 de Octubre del 2015

Introducción

Una unidad de memoria es un conjunto de celdas de almacenamiento junto con los

circuitos asociados que se requieren para transferir información al y del dispositivo.

El tiempo que toma en transferir información a o de cualquier posición al azar

deseada siempre es el mismo, de ahí el nombre de memoria de acceso aleatorio o

RAM.

Una unidad de memoria almacena información binaria en grupos de bits llamados

palabras. Una palabra de memoria es una entidad de bits que siempre se guardan

o sacan juntos, como una unidad. Una palabra de memoria es un grupo de unos y

ceros y podría representar un número, una instrucción, uno o más caracteres

alfanuméricos o cualquier otra información codificada en binario.

La comunicación entre la memoria y su entorno se efectúa a través de líneas de

entrada y salida de datos, líneas de selección de direcciones y líneas de control que

especifican la dirección de transferencia. En la figura siguiente se presenta un

diagrama de bloques de la unidad de memoria. Las n líneas de entrada de datos

alimentan la información que se guardará en la memoria, y las n líneas de salida de

datos proporcionan la información que viene de la memoria. Las k líneas de

dirección especifican la palabra específica escogida, de entre muchas disponibles.

Las dos entradas de control especifican la dirección de la transferencia deseada: la

entrada de escritura hace que se transfieran datos binarios a la memoria; la de

lectura hace que se saquen datos binarios de la memoria.

La unidad de memoria se especifica con el número de palabras que contiene y el

número de bits que hay en cada palabra. Las líneas de dirección seleccionan una

palabra específica. A cada palabra de la memoria se asigna un número de

identificación, llamado dirección, entre 0 y 2k – 1, donde k es el número de líneas

de dirección. La selección de una palabra específica de la memoria se efectúa

aplicando los k bits de dirección a las líneas de dirección.

Opciones de Lectura y Escritura

n líneas de salida de datos

Escribir

Leer

k líneas de dirección Unidad de memoria

2k palabras

n bits por palabra

n líneas de entrada de datos

Las dos operaciones que efectúa una memoria de acceso aleatorio son escritura y

lectura. La señal de escritura especifica una operación de transferencia hacia

adentro, y la de lectura, una de transferencia hacia afuera. Al aceptar una de estas

señales de control, los circuitos internos de la memoria efectúan la operación

deseada.

Los pasos que deben seguirse para transferir una nueva palabra a la memoria son:

1. Aplique la dirección binaria de la localidad deseada a las líneas de dirección.

2. Aplique a las líneas de entrada de datos los bits de datos que se guardarán

en la memoria.

3. Active la entrada escribir.

La unidad de memoria tomará entonces los bits de las líneas de datos de entrada y

los almacenará en la localidad especificada por las líneas de dirección.

Los pasos que deben seguirse para sacar de la memoria una palabra almacenada

son:

1. Aplique a las líneas de dirección la dirección binaria de la localidad deseada.

2. Active la entrada leer.

La unidad de memoria tomará entonces los bits de la localidad seleccionada por la

dirección y los aplicará a las líneas de datos de salida. El contenido de la localidad

seleccionada no cambia después de la lectura.

DIAGRAMA LÓGICO

Desarrollo

Esta práctica

consiste en

comprender el

funcionamiento

de una memoria

RAM y sus

operaciones de

lectura y

escritura, para

esto utilizamos el

circuito 74s289

que tiene la

función de dar a

conocer cómo

funciona dicha

memoria. El

circuito 74s289 está constituido internamente de la siguiente manera (DATA

SHEET).

Las cuatro entradas de direccion seleccionan una de 16 palabras de la memoria. El

bit menos significativo de la direccicon es A0, y el mas significativo, A3. La entrada

de la selección de chip (CE, chip enable), debe ser 0 para habilitar la memoria. Si

CE es 1, la memoria queda inhabilitada. La entrada de habilitacion de escritura

(R/W, read/write) determina el tipo de operación, como se indica en la tabla de

funcion. Se efectua una escritura cuando R/W = 0. Ello consiste en una transferencia

del número binario que está en las entradas de datos a la palabra seleccionada de

la memoria. La operación de lectura se efectúa cuando R/W =1, y transfiere el valor

de complemento almacenado en la palabra seleccionada, a las lineas de datos de

la salida.

Material y equipo

1 Multímetro

1 Fuente de poder con salida de 12 a 5 volts de corriente continúa

1 Protoboard

1 Circuito 7489

7404

13 leds

2 DIP switch de 4 interruptores

8 resistencias de 1k

Proceso

Para poder realizar el funcionamiento de la memoria RAM por medio del circuito

74s289 utilizamos el programa PROTEUS el cual es un paquete de software para

el diseño de circuitos electrónicos que incluye captura (composición) de los

esquemas, simulaciones analógicas y digitales combinadas.

Se utilizó una fuente de poder de 5 volts, para los DIP switch de dirección y de datos

colocamos resistencias de 1 k, nuestro bus de dirección fue colocada en las

entradas A0, A1, A2, A3 porque así está configurado el circuito siguiendo el Data

sheet al mismo tiempo a 4 leds y el bus de datos a las entradas D1, D2, D3, D4

igualmente conectándolos a 4 leds, en las salidas Q1, Q2, Q3, Q4 son conectados

a las compuertas negadas 7404, puesto que las salidas 74289 producen los valores

de complemento, salidas que conectamos a los leds que son los que indicaran los

datos que se mandan. Conecte la entrada CE a tierra, y la R/W, a un interruptor de

dos posiciones. Hay que tener cuidado al usar el interruptor R/W. La forma correcta

de escribir requiere colocar primero la direccion en el contador y luego las entradas

en los cuatro interruptores de dos posiciones. Para almacenar la palabra en la

memoria, cambie el interruptor R/W a la posicion de escritura y luego vuelvalo a la

posicion de lectura. Tenga cuidado de no modificar la direccion ni las entradas

cuando R/W esté en el modo de escritura.

A continuación se muestra el diagrama de conexión el cual representa el

funcionamiento de nuestro circuito:

Evidencias

En la dirección 1000 (8) se ingresan los datos 1000 (8) y por lo tanto la salida deberá

ser esta misma:

Conclusiones

Comprendimos con mayor precisión el funcionamiento de una memoria RAM y

como es que los buses del sistema, llevan los datos hasta esta, guardándolos de

manera temporal, y posteriormente como es que los buses llevan a la lectura de

datos.

Algunas de las competencias que logramos:

La habilidad de comprensión acerca del funcionamiento correcto de nuestro

circuito de RAM

Capacidad para conocer el circuito 74S289 que esta misma simula lo que

con lleva el funcionamiento de una RAM.

La eficiencia en la atención de los buses (dirección, control, datos).

Esta información que realizamos nos ha ayudado a comprender mejor lo que es una

memoria RAM ya que para nuestro punto de vista no teníamos el conocimiento de

todo lo que implica una memoria RAM y que a la vez qué tan importante es para

nuestro equipo de cómputo.

Competencias Obtenidas:

1. Colaborar en equipo para deducir soluciones aplicadas a circuitos digitales.

2. Diseñar circuitos digitales.

3. Conocer los conceptos fundamentales de los modelos de arquitecturas de

cómputo.

4. Conocer y analizar los bloques que conforman un sistema de cómputo.

Referencias en formato APA

M. MORRIS MANOS. (2003). DISEÑO DIGITAL. México: PEARSON

EDUCACIÓN.

Roger L. Tokheim. (2015). Electrónica digital. México: MCGRAW-HILL /

INTERAMERICANA DE MEXICO.

Heriberto Antonino. (2012). Memoria ram7489. 2015, de BuenasTareas.com

Sitio web: http://www.buenastareas.com/ensayos/Memoria-

Ram7489/1558512.html