7/25/2019 Procesos de Dopado

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Procesos de dopadoFernando Daniel Aguirre Sagan

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Difusin

Definicin: Redistribucin de tomosdesde regiones de alta concentracin de

especies mviles hacia regiones de bajaconcentracin.

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Tipos de mecanismos de difusin

1. ntersticial: !a impure"a penetra en elcristal de forma intersticial # se mueve o

salta a otra posicin intersticial.

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Tipos de mecanismos de difusin

$. Substitucional: %n tomo salta desdeun punto de la red cristalina a otro

ad#acente &ue es necesario &ue est'vacante.

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Tipos de mecanismos de difusin

(. )ecanismo de patada: %n tomo deimpure"a pasa de un lugar intersticial a un

lugar de la red despla"ando un tomo.

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Hornos de difusin.

!os re&uerimientos bsicos &ue debecumplir un sistema de difusin son:%n m'todo para atraer las impure"as

difusoras hacia la oblea)antenerlas all* durante un tiempo # una

+, espec*fica

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Hornos de difusin.

Se reali"an normalmente en tubosabiertos -los hornos de difusin en los

&ue las obleas se colocan en una bar&uilladentro de un tubo hori"ontal de cuar"o dealta pure"a. /l horno se calienta-mediante arrollamientos resistivos secontrola la +, electrnicamente en la "onacentral del horno: entre +, entre 0 23 #1$2 3.

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Implantacin inica.

Se dopa un substrato mediante un flujode iones energ'ticos de la impure"a

-obtenidos de un plasma de la misma&ue se pro#ectan contra la oblea -blanco.

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Implantacin inica.

!os iones de impure"as penetran en elsubstrato con una alta energ*a -velocidad

# pierden su energ*a mediante colisionescon los n4cleos # los electrones &ueacaban deteni'ndolos.

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Implantacin inica.

!os iones &uedan parados a unadeterminada distancia de la superficie de

la oblea formado un perfil deimplantacin.

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Implantador inico

5ona de focali"acin: /l ha" de ionesseleccionado # acelerado es focali"ado

mediante las correspondientes lenteselectromagn'ticas6 &ue diminu#en sudivergencia a valores en torno al gradose7agesimal.

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Implantador inico

5ona de defle7in # barrido: /st formada6esencialmente6 por placas de desviacin

electrosttica.Separa a&uellos iones &ue han perdido

energ*a en su camino por colisiones conresiduos de gas o las paredes del

implantadorReali"a irradiacin uniforme de la oblea

mediante un barrido de la misma por el ha".

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Implantador inico

3mara del blanco. /n ella se aloja laoblea u obleas a implantar # se puede

orientar adecuadamente la muestra conrelacin al ha" #6 en muchos casos6 hacerun control de temperatura.

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