r6020knx : トランジスタ...図 4-1 dv/dt 測定回路図 4-2 dv/dt 波形図 5-1 dv/dt...

R6020KNX　　Nch 600V 20A Power MOSFET 　　 Datasheet

ll外形図外形図

VDSS 600V 　

RDS(on)(Max.) 0.196Ω

ID ±20A TO-220FM

PD 68W 　

　　　　　　

ll内部回路図内部回路図ll特長特長

1) 低オン抵抗2) 高速スイッチングスピード3) 並列使用が容易4) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠

ll包装仕様包装仕様

タイプ

包装形態 Bulk

リールサイズ (mm) -

ll用途用途テープ幅 (mm) -

スイッチング基本発注単位(個) 500

テーピングコード -

標印 R6020KNXll絶対最大定格絶対最大定格 (Ta = 25°C、特に指定のない限り)

Parameter Symbol Value Unit

ドレイン・ソース間電圧 VDSS 600 V

ドレイン電流（直流） (TC = 25°C) ID*1 ±20 A

ドレイン電流 (パルス) IDP*2 ±60 A

ゲート・ソース間電圧Static

VGSS±20 V

AC (f＞1Hz) ±30 V

アバランシェエネルギー (単発) EAS*3 418 mJ

アバランシェ電流 IAS 3.4 A

許容損失 (TC = 25°C) PD 68 W

ジャンクション温度 Tj 150 ℃

保存温度 Tstg -55～+150 ℃

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/12 20150911 - Rev.001 　　　　

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ll熱抵抗熱抵抗　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

Parameter SymbolValues

UnitMin. Typ. Max.

熱抵抗 (ジャンクション・ケース間) RthJC*4 - - 1.8 ℃/W

熱抵抗 (ジャンクション・外気間) RthJA - - 70 ℃/W

実装温度 (ウエーブソルダリング 10秒) Tsold - - 265 ℃

ll電気的特性電気的特性 (Ta = 25°C) 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

Parameter Symbol ConditionsValues

UnitMin. Typ. Max.

ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA 600 - - V

ドレイン遮断電流 IDSS

VDS = 600V, VGS = 0V 　　　

μA Tj = 25°C - - 100

Tj = 125°C - - 1000

ゲート漏れ電流 IGSS VGS = ±20V, VDS = 0V - - ±100 nA

ゲートしきい値電圧 VGS(th) VDS = 10V, ID = 1mA 3 - 5 V

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(on)*5

VGS = 10V, ID = 9.5A 　　　

Ω Tj = 25°C - 0.170 0.196

Tj = 125°C - 0.36 -

ゲート抵抗 RG f = 1MHz, open drain - 2.3 - Ω

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

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ll電気的特性電気的特性 (Ta = 25℃) 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


UnitMin. Typ. Max.

順伝達アドミタンス |Yfs|*5 VDS = 10V, ID = 10A 5 10 - S

入力容量 Ciss VGS = 0V - 1550 -

pF出力容量 Coss VDS = 25V - 1350 -

帰還容量 Crss f = 1MHz - 55 -

ターンオン遅延時間 td(on)*5 VDD ⋍ 300V, VGS = 10V - 30 -

ns上昇時間 tr*5 ID = 10A - 30 -

ターンオフ遅延時間 td(off)*5 RL ⋍ 30Ω - 55 -

下降時間 tf*5 RG = 10Ω - 10 -

llゲート電荷量特性ゲート電荷量特性 (Ta = 25℃) 　　　　　　　　


UnitMin. Typ. Max.

ゲート総電荷量 Qg*5 VDD ⋍ 300V - 40 -

nCゲート･ソース間電荷量 Qgs*5 ID = 20A - 12 -

ゲート･ドレイン間電荷量 Qgd*5 VGS = 10V - 15 -

ゲートプラトー電圧 V(plateau) VDD ⋍ 300V, ID = 20A - 6.4 - V

*1 安全動作領域内で使用してください。

*2 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1%

*3 L≒70mH, VDD=50V, RG=25Ω, スタート Tj=25℃

*4 TC=25℃

*5 パルス

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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ll内部ダイオード特性内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta = 25℃) 　　　　　　　　


UnitMin. Typ. Max.

ソース電流(直流) IS*1

TC = 25℃

- - 20 A

ソース電流(パルス) ISP*2 - - 60 A

順方向電圧 VSD*5 VGS = 0V, IS = 20A - - 1.5 V

逆回復時間 trr*5 IS = 20A di/dt = 100A/μs

- 500 - ns

逆回復電荷量 Qrr*5 - 7.5 - μC

逆回復ピーク電流 Irrm*5 - 30 - A

ll過渡熱特性過渡熱特性　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

Symbol Value Unit Symbol Value Unit

Rth1 0.118

K/W

Cth1 0.00216

Ws/KRth2 0.722 Cth2 0.0346

Rth3 2.15 Cth3 0.491

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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ll電気的特性曲線電気的特性曲線

Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area

Fig.3 Avalanche Energy Derating Curve 　　　　vs. Junction Temperature

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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Fig.4 Typical Output Characteristics(I) Fig.5 Typical Output Characteristics(II)

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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Fig.6 Breakdown Voltage vs.　　　　Junction Temperature

Fig.7 Typical Transfer Characteristics

Fig.8 Gate Threshold Voltage vs.　　　　　Junction Temperature

Fig.9 Forward Transfer Admittance vs.　　　　　Drain Current

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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Fig.10 Static Drain - Source On - State 　　　Resistance vs. Gate Source Voltage

Fig.11 Static Drain - Source On - State 　　　Resistance vs. Junction Temperature

Fig.12 Static Drain - Source On - State 　　　　　Resistance vs. Drain Current

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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Fig.13 Typical Capacitance vs.　　　　　Drain - Source Voltage

Fig.14 Switching Characteristics Fig.15 Dynamic Input Characteristics

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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Fig.16 Inverse Diode Forward Current　　　　　vs. Source - Drain Voltage

Fig.17 Reverse Recovery Time vs. 　　　　　Inverse Diode Forward Current

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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ll測定回路図測定回路図

図 1-1 スイッチング時間測定回路図 1-2 スイッチング波形

図 2-1 ゲート電荷量測定回路図 2-2 ゲート電荷量波形

図 3-1 アバランシェ測定回路図 3-2 アバランシェ波形

図 4-1 dv/dt 測定回路図 4-2 dv/dt 波形

図 5-1 dv/dt 測定回路図 5-2 dv/dt 波形

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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llDimensions

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


Datasheet

Part Number R6020KNXPackage TO-220FMUnit Quantity 500Minimum Package Quantity 500Packing Type BulkConstitution Materials List inquiryRoHS Yes

R6020KNX - Web PageDistribution Inventory

https://www.rohm.co.jp/products/transistors/mosfets/standard/r6020knx-product?utm_medium=pdf&utm_source=datasheet

https://www.rohm.co.jp/distribution/-/dinventory/R6020KNX/sample/0?utm_medium=pdf&utm_source=datasheet

https://www.rohm.co.jp/distribution/-/dinventory/R6020KNX/sample/0?utm_medium=pdf&utm_source=datasheet

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