Registro de básico de memoria

El FF también es conocido como:

"Registro Básico" término utilizado para la forma más sencilla de un FF. "Multivibrador Biestable" término pocas veces utilizado para describir a un

FF.Asi también en microprocesadores, un registro de memoria, es una pequeña cantidad de memoria ultrarrápida, integrada en un microprocesador, que permite almacenar y acceder a datos frecuentemente usados. Esto permite incrementar la velocidad de ejecución de los programas.

Los registros de memoria son un tipo de registros del microprocesador, que se usan exclusivamente para almacenar direcciones de memoria.

En una celda de memoria básica siendo este el logigrama, cuenta con la siguiente tabla de verdad, donde, se ve una acción ya sea escritura o lectura

SET Data In R/|W Operación

1 0 0 0 (Escritura)

1 0 1 0 (Lectura)

1 1 0 1 (Escritura)

1 1 1 1 Lectura)

Celdas de memoria bipolarAhora se describirá como sería una celda común bipolar de almacenamiento. Están asociados dos transistores inversores para implementar un flip-flop básico. La celda está conectada a una línea de palabras y a dos líneas de bits. Normalmente, las líneas de bit se mantienen en un voltaje menor al de las líneas de palabras. Bajo estas condiciones los dos diodos tienen polarización inversa, lo cual impide que fluya corriente a través de ellos, provocando así que la celda esté aislada de las líneas de bit. Este sistema consta de dos operaciones: de lectura y de escritura.

Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de la sigla en inglés Random Access Memory. Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y contienen un conjunto de variables de dirección que permiten seleccionar cualquier dirección de memoria de forma directa e independiente de la posición en la que se encuentre.

Estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la información cuando no hay energía y se clasifican en dos categorías básicas: la RAM estática y la RAM dinámica, las cuales se describen en las siguientes dos secciones.

Memoria RAM estática

Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores MOSFET, aunque también existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares. En la figura 10.2.1 se observa la estructura típica de una celda de memoria de una SRAM.

Estructura de una celda de memoria SRAM

Como se observa en la figura la celda se activa mediante un nivel activo a la entrada superior y los datos se cargan o se leen a través de las líneas laterales.

Organización interna de la memoria.

Las celdas de memoria se disponen en el interior de un chip atendiendo a dos organizaciones principales: la organización por palabras, también denominada 2D, y la organización por bits, también denominada 2 ½ D o 3D.

Organización 2D

Es la organización más sencilla que responde al esquema mostrado en la siguiente figura:

Las celdas forman una matriz de 2n filas y m columnas, siendo 2n el número de palabras del chip y m el número de bits de cada palabra. Cada fila es seleccionada por la decodificación de una configuración diferente de los n bits de dirección.Esta organización tiene el inconveniente que el selector (decodificador) de palabras crece exponencialmente con el tamaño de la memoria. Igual le ocurre al número de entradas (fan-in) de las puertas OR que generan la salida de datos.

Organización 3D

En lugar de una única selección (decodificador) de 2n salidas en esta organización se utilizan dos decodificadores de 2n/2 operando en coincidencia. Las líneas de dirección se reparten entre los dos decodificadores. Para una configuración dada de las líneas de dirección se selecciona un único bit de la matriz. Por ello se la denomina también organización por bits.

Conclusiones

A partir de esta práctica el alumno logro ensamblar una celda de memoria básica capaz de almacenar un 1 o un 0 lógico, siendo esto un dispositivo de almacenamiento temporal; en esta misma se uso un interruptor llamado R/W’ con el cual se podía realizar la acción ya sea de escritura o lectura, ya que mientras este en un nivel alto estará apta para leer información, y mientras este en estado bajo realizara la operación de escritura.

Observaciones

Una celda básica de memoria es un dispositivo capaza de guardar 0’s y 1’s a comparación de un FF que es la memoria mas pequeña, lo que una celda puede realizar es la operación de lectura y escritura de un bit, ya que puedes guárdalo, y sin quitar la energía lo seguirá guardando, ya que es una memoria volátil, asi lo podrás leer, o visualizar en dato binario insertado

Horizontal2. ¿Cuando el interruptor R/W' esta en uno, que acción realiza la memoria? (7)5. Es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en los sistemas

digitales (14)8. Interruptor de la celda de memoria para insertar un dato binario (0 o 1) (6)9. ¿Como se llama la salida donde se muestra lo que guardo la memoria? (7)10. ¿Que tipo de datos o de numeración guarda una celda de memoria básica? (8)

Vertical1. Memoria más pequeña, capaz de guardar un 0 o 1 lógico (8)3. La celda de memoria esta formada a partir de... (10)4. ¿Que tipo de memoria es una celda de memoria? (7)6. ¿Cuando el interruptor R/W' esta en cero, que acción realiza la memoria? (9)7. Interruptor para activar o disponer la memoria a que funcione (3)

Horizontal2. LECTURA— ¿Cuando el interruptor R/W' esta en uno, que acción realiza la memoria?5. CELDADEMEMORIA—Es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit

en los sistemas digitales8. DATAIN—Interruptor de la celda de memoria para insertar un dato binario (0 o 1)9. DATAOUT— ¿Como se llama la salida donde se muestra lo que guardo la memoria?10. BINARIOS— ¿Que tipo de datos o de numeración guarda una celda de memoria básica?

Vertical1. FLIPFLOP—Memoria más pequeña, capaz de guardar un 0 o 1 lógico3. BIESTABLES—La celda de memoria esta formada a partir de...4. VOLATIL— ¿Que tipo de memoria es una celda de memoria?6. ESCRITURA— ¿Cuando el interruptor R/W' esta en cero, que acción realiza la memoria?7. SET—Interruptor para activar o disponer la memoria a que funcione