temario electronica de potencia aplicada

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Electrónica de Potencia Aplicada OBJETIVO GENERAL: El alumno diseñará circuitos con semiconductores electrónicos para el control de mecanismos TEMARIO Unidad 1 Diodos 1.1.- Unión P N. 1.1.1.- Modelo 1.1.2.- Características de polarización 1.1.3.- Características de transición y difusión 1.1.4.- Corriente de desplazamiento y de difusión 1.2.- Diodo de silicio 1.2.1.- El diodo ideal y símbolo 1.2.2.- Polarización 1.2.3.- Curva característica 1.2.4.- Tiempo de recuperación en sentido inverso. 1.2.5.- Efectos de la temperatura 1.2.6.- Región Zener. 1.3.- Rectificación 1.3.1.- Rectificador de media onda y onda completa 1.4.- Fuente de alimentación 1.4.1.- Regulación de voltaje 1.5.- Otros tipos de diodos 1.6.- Diodos industriales Unidad 2: Transistores y Tiristores 2.1.- Transistor de unión bipolar (BJT). 2.1.1- Tipos de transistores bipolares. NPN y PNP 2.1.2.- Características, funcionamiento y símbolo 2.1.3.- Polarización 2.1.4.- Configuraciones. 2.1.4.1.- Base común. 2.1.4.2.- Colector común. 2.1.4.3.- Emisor común. 2.1.5.- Diseño de circuitos conmutadores. 2.1.5.1.- Estado de corte. 2.1.5.2.- Estado de saturación. 2.1.6.- Operación con cargas. 2.1.6.1.- Resistiva 2.2.- Rectificador controlado de silicio (SCR). 2.2.1.- Características. 2.3.- DIAC. 2.3.1.- Características. 2.4.- Triac. 2.4.1.- Características. 2.4.2.- Arreglo RC para protección del TRIAC. Unidad 3: Sensores 3.1.- Transductores. 3.1.1.- Transductores de presión. 3.1.2.- Transductores de humedad. 3.2- Detectores. 3.2.1.- Inducción. 3.2.2.- Características generales. 3.2.3.- Detectores capacitivos. 3.2.4.- Detectores inductivos. 3.3.- Criterios de selección. 3.3.1.- Según la distancia de detección. 3.3.2.- Según las condiciones del material. 3.3.3.- Según condiciones ambientales. 3.3.4.- Según frecuencia de detección. 3.4.- Precauciones de montaje 3.5.- Normas de aplicación europea y americanas

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  • Electrnica de Potencia Aplicada

    OBJETIVO GENERAL: El alumno disear circuitos con semiconductores electrnicos para el control de mecanismos

    TEMARIO

    Unidad 1 Diodos 1.1.- Unin P N. 1.1.1.- Modelo 1.1.2.- Caractersticas de polarizacin 1.1.3.- Caractersticas de transicin y difusin 1.1.4.- Corriente de desplazamiento y de difusin 1.2.- Diodo de silicio 1.2.1.- El diodo ideal y smbolo 1.2.2.- Polarizacin 1.2.3.- Curva caracterstica 1.2.4.- Tiempo de recuperacin en sentido inverso. 1.2.5.- Efectos de la temperatura 1.2.6.- Regin Zener. 1.3.- Rectificacin 1.3.1.- Rectificador de media onda y onda completa 1.4.- Fuente de alimentacin 1.4.1.- Regulacin de voltaje 1.5.- Otros tipos de diodos 1.6.- Diodos industriales

    Unidad 2: Transistores y Tiristores 2.1.- Transistor de unin bipolar (BJT). 2.1.1- Tipos de transistores bipolares. NPN y PNP 2.1.2.- Caractersticas, funcionamiento y smbolo 2.1.3.- Polarizacin 2.1.4.- Configuraciones. 2.1.4.1.- Base comn. 2.1.4.2.- Colector comn. 2.1.4.3.- Emisor comn. 2.1.5.- Diseo de circuitos conmutadores. 2.1.5.1.- Estado de corte. 2.1.5.2.- Estado de saturacin. 2.1.6.- Operacin con cargas. 2.1.6.1.- Resistiva 2.2.- Rectificador controlado de silicio (SCR). 2.2.1.- Caractersticas. 2.3.- DIAC. 2.3.1.- Caractersticas. 2.4.- Triac. 2.4.1.- Caractersticas. 2.4.2.- Arreglo RC para proteccin del TRIAC.

    Unidad 3: Sensores 3.1.- Transductores. 3.1.1.- Transductores de presin. 3.1.2.- Transductores de humedad. 3.2- Detectores. 3.2.1.- Induccin. 3.2.2.- Caractersticas generales. 3.2.3.- Detectores capacitivos. 3.2.4.- Detectores inductivos. 3.3.- Criterios de seleccin. 3.3.1.- Segn la distancia de deteccin. 3.3.2.- Segn las condiciones del material. 3.3.3.- Segn condiciones ambientales. 3.3.4.- Segn frecuencia de deteccin. 3.4.- Precauciones de montaje

    3.5.- Normas de aplicacin europea y americanas

  • Unidad 4: Actuadores de Estado Slido Para Abrir y Cerrar 4.1.- Regin de corte y saturacin. 4.2.- Conmutacin 4.3.- Aplicaciones 4.4.- Polarizacin y caractersticas. 4.4.1.- Diodo controlado de silicio, SCR 4.4.2.- Triac 4.4.3.- Diodo interruptor bilateral, DIB 4..4.4.- Interruptores de silicio unilaterales y bilaterales, SUS, SBS. 4.4.5.- Interruptor controlado por compuerta, GT

    Unidad 5: Optoelectrnica 5.1.- Absorcin ptica de un semiconductor 5.1.1.- Emisin de luz. 5.1.2.- Foto celdas y foto resistencias. 5.2.- Emisores y detectores infrarrojos. 5.2.1.- LEDS Infrarrojos. 5.2.2.- Foto diodos. 5.2.3.- Foto transistores. 5.2.4.- Foto DIACS. 5.2.5.- Utilizacin de manuales. 5.3.- Opto aisladores y foto acopladores. 5.3.1.- Opto aislador con transistor de salida. 5.3.2.- Opto aislador con SCR de salida. 5.3.3.- Opto aislador con triac de salida. 5.4.- Interruptores pticos 5.5.- Foto detectores y fibras ptica. 5.6.- Aplicaciones en circuitos de control y fuerza.

    Unidad 6: Circuitos Electrnicos 6.1.- Caractersticas y Diseo 6.1.1.- Aplicaciones 6.1.2.- Planteamiento 6.1.3.- Clculo del diseo 6.2.- Manejo de Manuales tcnicos 6.3.- Diagrama esquemtico 6.4.- Diagrama fsico 6.5.- Especificaciones 6.6.- Ejemplos de circuitos electrnicos

    EVALUACIN

    ACTIVIDAD 1 EVALUACIN 2 EVALUACIN 3 EVALUACIN

    UNIDAD I y II III y IV V y VI

    Examen departamental 65% 65% 30%

    prcticas de laboratorio 20% 20% 20%

    participaciones en clase 5 % 5 %

    Tareas 10 % 10

    Proyecto 50

    BIBLIOGRAFA:

    Malvino, Principios de Electrnica, Mc. Graw Hill, Mxico, 1992, 976 p.p. Boylestad Robert/ Nashelsky Louis, Electrnica Terica de los Circuitos, Prentice-Hall

    Hispanoamericana, S.A. Mxico, 1997, 949 p.p. Maloney Timothy, Electrnica Industrial, Prentice-Hall, Mxico, 1996, 845 p.p. Coughlin Robert F./ Driscoll Frederick F., Amplificadores Operacionales y Circuitos Integrados

    Lineales, Prentice-Hall, Mxico, 1998, 518 p.p.