MERCADO RICARDO ITZELELECTRONICA BASICAVIE. 113.11.2015

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET Y MOSFET)FET DEFINICINLos transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres terminales: FUENTE (Source) DRENAJE (Drain) PUERTA (Gate) Que trabajan controlando la corriente entre drenaje y fuente a travs del campo elctrico establecido mediante la tensin aplicada al terminal de puerta. La terminal de puerta, que funciona como terminal de control, no maneja virtualmente corriente, salvo alguna corriente de fuga. A continuacin se muestra el smbolo de un FET y su esquema de polarizacin APLICACIONES

Estos dispositivos presentan una elevada impedancia de entrada que resulta esencial en variadas aplicaciones como pueden ser: Llaves analgicas Amplificadores de muy alta impedancia de entrada Resistencias controladas por tensin y fuentes de corriente. Algunos tipos de FET presentan facilidades en cuanto a su integracin en reas pequeas y se utilizan especialmente en altas escalas de integracin (LSI o VLSI), con un amplio desarrollo para circuitos digitales (microprocesadores, memorias, etc.)

ANALISIS DEL FUNCIONAMIENTO

Primero se analizar el efecto de las variaciones de la tensin de puerta manteniendo constante la tensin de drenaje en un valor pequeo. Luego se mantiene la tensin de puerta constante haciendo variar la tensin drenaje A partir de estos anlisis se diferenciarn las distintas zonas de funcionamiento: zona de corte, zona hmica o resistiva, zona de estrangulacin o saturacin del canal y zona de ruptura. a) Tensin de drenaje constante (VDS=cte.). Si se aplica una tensin constante pequea (fraccin de voltio) entre drenaje y fuente, la corriente de drenaje (ID) resulta funcin de la tensin aplicada entre puerta y fuente (VGS). Esta corriente puede fluir aun con una polarizacin nula en la puerta. A medida que se aumenta la polarizacin inversa de puerta la corriente entre drenaje y fuente va disminuyendo (el canal se angosta debido al efecto de la carga espacial) hasta que, para un determinado valor de tensin de puerta (VP, tensin de contraccin del canal o de pinch-off ) la circulacin se interrumpe.

(b)Tensin de puerta constante (VGS constante). Manteniendo constante la tensin de puerta en un valor tal que asegure que el JFET est en la zona de conduccin para tensin de drenaje - fuente nula la corriente de drenaje ser nula.

Al ir incrementando la tensin de drenaje (vDS) la corriente comienza a aumentar linealmente produciendo una mayor cada de tensin en el canal que eleva la polarizacin inversa de puerta y produce el estrechamiento del canal.http://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/TransistoresdeEfectoDeCampo.pdfhttp://hispavila.com/blog/wp-content/uploads/2015/08/tema4_el-mosfet.pdf