El transistor bipolar PNPObjetivo: Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP. Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar PNP.Marco terico:Transistor bipolar PNP: Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.Regin de corte: En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0). De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.Regin de saturacin: En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor est en saturacin, la relacin lineal de amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple. De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.Recta de carga: En una grfica Ic (corriente de colector) vs Vce (voltaje colector-emisor). A la lnea recta que une los puntos de saturacin y de corte se le llama recta de carga. Es la recta travs de la cual se desplaza el punto de trabajo.Punto de trabajo: es punto de la grafica Ic vs Vce en la cual est operando el transistor.Materiales: Un multmetro. Un microamperimetro. Un miliampermetro. Un transistor 2N3906. Un osciloscopio. Resistores: Re=330, Rc=1 k, R1=56 k, R2=22 K Condensadores: Cb=0.1 F, Cc=0,1 F, Ce=3,3 F Un potencimetro de 1 M.Procedimiento:1. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro. Llenar la tabla 1.

Tabla 1resistenciaDirecta()Inversa()

Base-Emisor0,671>60 M

Base-Colector0,660>60 M

Colector-Emisor3,32 M>60 M

2. Armar el siguiente circuito:a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener el (P1=0)b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce), entre base-emisor (Vbe) y entre emisor-tierra (Ve).c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.

Tabla 2 (Q1)Valores(R1=56k)

terico7,25424,1823002,3520,62,402

medidos7,2272663,1620,6912,199

d) Cambiar R1 a 68 K (por ajuste de P1), repetir los pasos (a) y (b). anotar los datos en la tabla 3.

Tabla 3 (Q2)Valores(R1=68k)

terico6,03620,12033003,9720,61,998

medidos6203004,5480,6911,858

e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K, 250k, 500k y 1M. observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce (usar Re=0).llenar la tabla 5.

Tabla 5Valores(R1)156k306k556k1.056 M

9 2 00

35 5 00

3,4710,1711,9911,99

Q3Q4Q5Q6

3. Ajustar el generador de seales a 50mv.pp, 1 kHz, onda senoidal. Observar la salida V0 con el osciloscopio. Anotar en la tabla 4.Tabla 4TablaVi(mv.pp)V0(v.pp)AvV0(sin Ce)Av(sin Ce)

2(Q1)

3(Q2)

Cuestionario:1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin operativa con el ohmmetro.En la tabla 1 se observa que las resistencias base-emisor, base-colector y colector-emisor en polarizacin directa son bajas, ya que en polarizacin directa el transistor conduce corriente. En polarizacin inversa se observa que las resistencias son muy altas lo cual est bien ya que en polarizacin inversa el transistor no conduce corriente.

2. Representar la recta de carga en un grfico Ic vs Vce del circuito del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2, 3 y 5.

3. en qu regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 2 y 3?Los puntos de la tabla 2 y3 se encuentra en la regin activa

4. Qu sucedera con el punto de operacin si cambiamos R1 a 120 K?Si aumentamos el R1 el punto de operacin se desplazara hacia la regin de corte.

5. Exponer sus conclusiones acerca del experimento.En el experimento notamos que si aumentamos el valor de R1 el punto de operacin se desplaza hacia la regin de corte ya que la corriente de colector y la corriente de base empez a disminuir y el voltaje de colector-emisor a aumentar cuando aumentamos R1.Tambin notamos lo mismo en el caso de la Re ya que cuando hicimos Re =0 el punto de operacin se desplaz hacia la regin de saturacin.

Bibliografa: http://www.areatecnologia.com/TUTORIALES/EL%20TRANSISTOR.htm

www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

unicrom.com/Tut_transistor_bipolar.asp

teora de circuitos y dispositivos electrnicos robert L. Boylestad

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA, ELECTRICA YDE TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRESMATRICULA

TURPO ZEVALLOS SERGIO ALEXANDER

14190067

CURSOTEMA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

TRANSISTOR BIPOLAR PNP

INFORMEFECHASNOTA

FINALREALIZADOENTREGA

NUMERO25/05/1501/06/15

6

GRUPOPROFESOR

2

ING. LUIS PARETTO