7/25/2019 Triptico Fet

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CARACTERSTICAS:

Dispositivo UNIPOLAR. Controlado por tensin Posee una gran impedancia de

entrada.

ESTRUCTURA: Barra semiconductora con

contactos hmicos en lose tremos.

Puerta de control mu!impuri"cado con portadoresdistintos a los de la #arra.

La tensin puerta surtidor $% &' (polari)a inversamente lasuniones.

*+R,INAL+'-uente o surtidor $'(

Drenador $D(Puerta $&(

SIMBOLO:

OPERACIN:

Para %&' /0

1.- V DS < V P: +l canal casicompletamente a#ierto /1 resistenciape2ue3a ! apro imadamenteconstante /1 comportamientoapro imadamente lineal /1 R+&I4N45,ICA

2.- V DS V P: +l canal se va cerrandopor un punto ! la resistencia aumentacon la tensin /1 comportamiento nolineal /1 R+&I4N D+ CON*RACCI4N

3.- V DS > V P: La resistencia es grande! apro imadamente constante /1

6 +* 7uente de corriente /1R+&I4ND+ 'A*URACI4N

4.- V DS mu !"!#$%$: Conduccininversa en las uniones8 ID se dispara !se produce 79cilmente la destruccindel 6 +* /1 R+&I4N D+ RUP*URA

&ONAS DE 'UNCIONAMIENTO

1.- ZONA PINCH-OFF OSATURACION:

ID de:a de crecer ! se hace constante aID''.

CONDICION- ;%D'; 1 ; ;%p; < ;%&'; ;

+cuacion de 'hoc=le!-

'iendo I D'' el valor de la corriente esaturacin cuando % &' /0

2.- ZONA DE CORTE:

+L canal desaparece

CONDICION- ;%&'; > ;%p; /1 ID' ? 0

3.- ZONA DE RUPTURA:

CONDICION- ;%D'; > B%D'

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CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA

'iendo- g m la transconductancia ! sede"ne de la siguiente manera-

gm=d I D

d V GS

CURVA DE SALIDA

V() / volta:e pinch@ o

PARAMETROS

IMPORTANTES

"Ao de la Inversin para el DesarrolloRural y la Seguridad Alimentaria"

CURSO:

Circuitos electrnicos I

NOMBRE:

Pauccara &alindo ,arco+nri2ue

CODIGO:

ID''%PO / @% *% *B%D'gm

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