GliederungGliederung

1 Ult i l tt S kt1. Ultraviolettes Spektrum

2. Entstehung der VUV- und EUV- Strahlungg g

3. VUV- und EUV- Quellenarten

4. Anwendungen

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UV S kUV- Spektrum

VISUV-AUV-C-FUV

UV-BUV-C-VUVEUV

VUV – Vakuum Ultraviolette Strahlung (12,4 – 6,2 eV)VUV Vakuum Ultraviolette Strahlung (12,4 6,2 eV)

EUV – Extreme Ultraviolette Strahlung (1,2 – 0,12 keV)

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E h d VUV d EUV S hlEntstehung der VUV- und EUV- Strahlung

– Synchrotronstrahlung

– Ionisation (Plasma)

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N ü li h Q llNatürliche Quellen

Sonne

17 nm 19 nm

29 nm 30 nm29 nm 30 nm

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N ü li h Q llNatürliche Quellen

P lPulsar:- Synchrotronstrahlung entlang der

Dipolachse auch im VUV und EUVDipolachse auch im VUV und EUV

Quasar:

eine der stärksten Quellen - eine der stärksten Quellen

- Zentrum Punktförmig im VIS

- VUV und EUV enormen Intensitäten- VUV und EUV enormen Intensitäten

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Kü li h Q llKünstliche Quellen

Excimerstrahlung:

Ar2* – 126nm

Kr2 * – 146nm

F2 * – 157nm

Xe2 * – 172nm

(ArF * – 193,3nm)

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Kü li h Q llKünstliche QuellenFEL - Freie Elektronen Laser

FLASH – Freie Elektronenlaser Hamburg

EUV: 4,12nm – 30nm

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Kü li h Q llKünstliche Quellen„Superheißes Plasma“

Hochenergetische Bestrahlung von Materie mittels:

Synchrotronstrahlung– Synchrotronstrahlung

– Gamma-Strahlung

speziellen elektrischen Entladungen– speziellen elektrischen Entladungen

– Laserstrahlung:

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Anwendungen VUVAnwendungen VUV

XERADEX Excimer-Ultraviolettstrahler (OSRAM)

Inkohärente VUV-Strahlung bei 172 nmWirkungsgrad: ca. 40 %keine AnlaufzeitNachschaltfähig ohne Auswirkung auf die Lebensdauer 20WKeine Kühlung erforderlich im Normalbetrieb (247mm)

Einige Anwendungsgebiete:Abbau von organischen RückständenÄtzen von KunststoffoberflächenAktivierung von Waferoberflächen 60WEntfernung von Fotolack (537mm)OzonproduktionFotokatalytische Reinigung von Wafern

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A d VUVAnwendungen VUV

Excimer-Ultraviolettstrahler 172nm (Heraeus) ( )

Nennleistung: 100 W

Abmessungen: (282x175x80) mm

450 W @ 30 cm

900 W @ 60 900 W @ 60 cm

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A d EUVAnwendungen EUV

EUV-Lithographie in der Zukunft g p

Herausforderungen:Herausforderungen:

– Strahlungsquelle

– Ausbreitung der Strahlung nur im VakuumAusbreitung der Strahlung nur im Vakuum

– Strahlführung nur mit Spiegeln möglich (MoSi-Spiegel für 13,5 nm)

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A d EUVAnwendungen EUV

Laserinduziertes Plasma EUV-Quelle:

– CO2 Laser (10,6 µm) ( , µ )

– Zinn-Tropfen als Target (13,5nm)

Cymer, San Diego, USA Philips Extreme UV GmbH, Aachen

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Vielen Dank

für Ihre

Aufmerksamkeit

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Q ll bQuellenangaben

- Deutsches Institut für Normung (Hrsg.): Strahlungsphysik im optischen Bereich und Lichttechnik; Benennung der Wellenlängenbereiche. DIN 5031 Teil 7, Januar 1984.

- ISO 21348 1. Mai 2007. Space environment (natural and artificial) — Process for determining solar irradiances.

- http://www.nasa.gov

- www.wikipedia.org

- http://www.sematech.org/meetings/archives/litho/8128/pres/B3%20Philips_Corthout.pdf

- http://www.cymer.com

- http://medienschafe.files.wordpress.com

- http://www.helmholtz-berlin.de/

- http://www.osram.de

- http://www.heraeus-noblelight.com

- www windows2universe org/www.windows2universe.org/

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