용어가공 (void)

가공경화 (strain hardening)

가전자대 (valence band)

갈바닉 부식 (galvanic corrosion)

강자성 (ferromagnetic)

강화상 (reinforcing phase)

격자 (lattice)

격자점 (lattice point)

결정격자 (crystal lattice)

결정입계 (grain boundary)

결정질 (crystalline)

결합각 (bond angle)

결합길이 (bond length)

결합에너지 (bond energy)

결합에너지곡선,결합에너지우물 (bond-energy curve,bond-energy well)

용어결합-힘 곡선 (bond-force curve)

경각입계 (tilt boundary)

경도 (hardness)

경자석 (hard magnet)

계면 분극 (interfacial polarization)

고무 (rubber)

고분자 (polymer)

고분자 (polymers)

고분자 기지 복합재료 (polymer matrix composites, PMCS)

고상선 (solidus boundary)

고용한계선 (solvus boundary)

공공 (vacancy)

공석 반응 (eutectoid reaction)

공식 (pitting corrosion)

공유결합 (covalent bonding)

용어공정 반응 (eutectic reaction)

공칭변형도 (engineering strain, ε)

공칭응력 (engineering stress, σ)

과공석 합금 (hypereutectoid alloy)

과냉액체 (supercooled liquid)

광기전력 (photovoltaic)

광전도도 (photoconductivity)

교차결합 (crosslink)

구상화퍼얼라이트 (spheroidite)

구정 (spherulite)

굴절 (refraction)

굴절률 (refractive index)

규칙배열 (syndiotactic)

균일 변형도 (uniform strain, εu)

균일 부식 (uniform corrosion)

용어균일핵생성 (homogeneous nucleation)

글라스 세라믹 (glass ceramic)

금속 기지 복합재료 (metal-matrix composites, MMCs)

금속간 화합물 (intermetallics)

금속결합 (metallic bond)

기계가공 (machining)

기저면 (basal plane)

기저면 슬립(basal slip)

기지상 (matrix phase)

기초 (basis)

나선전위 (screw dislocation)

납땜 (soldering)

내부전자 (core electron)

네트워크 변형재 (network modifier)

네트워크 형성재 (network former)

용어농도분극 (concentration polarization)

다결정 (polycrystalline)

다이접착 (die-bonding)

단량체 (monomer)

단면감소율 (percent reduction in area, %RA)

단범위 규칙도 (short-range order)

단순입방 (simple cubic, SC)

단위정 (unit cell)

단조 (forging)

도너 준위 (donor level)

동일배열 (isotactic)

등방성 (isotropic)

등변형도 조건 (isostrain condition)

등응력 조건 (isostress condition)

디프 드로잉 (deep-drawing)

용어마르텐사이트 (martensite)

마르텐사이트 변태 (nartensite transformation)

마르텐사이트 변태개시온도(Ms) (martensite start temperature)

마르텐사이트 변태완료온도(Mt) (martensite finish temperature)

마모 (wear)

면밀도 (planar density)

면심입방정 (face-centered cubic, FCC)

면족 (family of plane)

물리증착 (physical vapor deposition, PVD)

바이플라 접합 트랜지스터 (bipolar junction transistor)

반강자성 (antiferromagnetic)

반응속도(론) (kinetics)

반자성 (diamagnetic)

발광 (luminescence)

방향족 (family of direction)

용어배위수 (coordination number)

밴드 갭 (band gap)

버거스 벡터 (burger's vector, b)

버거스 회로 (Burger's circuit)

베이나이트 (bainite)

변위변태 (displacive transformation)

복합재료 (composites)

부동태 (passivation)

부분 정합계면 (srmicoherent interface)

부식피로 (corrosion fatigue)

부정합 계면 (incoherent interface)

부피밀도 (volumetric density)

부피팽창계수 (volumtric thermal expansion coefficient)

분극 (polarization)

분말야금 (powder metallurgy)

용어분산 (dispersion)

분자(쌍극자) 분극 (molecular (dipole) polarization)

불균일 핵생성 (heterogeneous nucleation)

불변 반응 (invariant reaction)

브레이징 (brazing)

블록 혼성중합체 (block copolymer)

비강도 (specific strength)

비결정질 (noncrystalline)

비고용 화합물 (line compound)

비열 (specific heat)

비유리질화 (devitrificaion)

비저항 (resistivity, ρ)

비저항의 온도계수 (temperature coefficient of resistivity)

비정조성 용융 (incongruent melting)

비정질 재료 (amorphous material)

용어비탄성계수 (specific modulus)

비투자율 (relative permeabillity, μr)

비틀림입계 (twist boundary)

사면체 자리 (tetrahedral site)

사출 성형 (injection molding)

산소농담전지 (oxygen concentration cell)

산화 (oxidation)

산화(애노드) 반응 (oxidation (anodic) reaction)

상 (phase)

상자성 (paramagnetic)

상태도 (phase diagram)

석출경화 (state point)

석출물 (precipitation hardening)

선밀도 (linear density)

섬유광학 (fiber optics)

용어성분 (component)

소결 (sintering)

소성변형 (plastic deformation)

솔-젤법 (sol-gel technique)

송풍 성형 (blow molding)

수소결합 (hydrogen bond)

수소취화 (hydrogen embrittlement)

수지상정 (dendrite)

수직응력 (normal stress)

스퍼터링 (sputtering)

슬러리 침투 (slurry infiltration)

슬립계 (slip system)

슬립면 (slip plane)

슬립방향 (slip direction)

슬립주조 (slip-casting)

용어시간의존변형 (time-dependent deformation)

시멘타이트 (cementite)

시효 (aging)

쌍정 (twin)

자구 (magnetic domain)

자기 벡터 (magnetic vector, M)

자기 유도 (magnetic induction, B)

자기 확산 (self-diffusion)

자기장의 세기 (magnetic field strength, H)

자연시효 (natural aging)

자화율 (magnetic susceptibillity, χ)

장범위 규칙도 (long-range order)

재결정 (recrystallization)

재결정온도 (recrystallization temperature)

재결합 (recombination)

용어저항 (resistance, R)

적층결함 (stacking fault)

적층복합재료 (laminate composites)

전기도금 (electrochemical plating)

전기음성도 (electronegativity)

전기화학적 부식 (electrochemical corrosion)

전단계수 (shear modulus, G)

전단응력 (shear stress)

전도대 (conduction band)

전도체 (conductor)

전왜 (electrostriction)

전위 (dislocation)

전위상승 (dislocation climb)

전위활주 (dislocation glide)

전율고용계 (isomophous system)

용어전이 수 (tranference numbers)

전자 분극 (electronic polarization)

전자이동 (electron transfer)

절연체 (insulator)

점결합 (point defect)

점도 (viscosity)

점탄성변형 (viscoelastic deformation)

접착접합 (adhesive bonding)

정공 (hole)

정적피로 (static fatigue)

정조성 용융 (congruent melting)

정합계면 (coherent interface)

조밀육방정 (hexagonal close packed, HCP)

조밀충진 구조 (close-packed structure)

조밀충진면 (close-packed plane)

용어조밀충진방향 (close-packed direction)

주조 (casting)

준강자성 (ferromagnetic)

중합도 (degree of polymerization)

지렛대 법칙 (lever rule)

직접용해기구 (direct dissolution mechanisms)

진변형도 (true strain, ?t)

진성 전도 (intrinsic conduction)

진응력 (true stress, ?t)

집합체 복합재료 (aggregate composites)

체심입방정 (body-centered cubic, BCC)

초석 시멘타이트 (proeutectiod cementite)

초전도 (superconductivity)

초정 (primary solid phrase)

최대밀도면 (highest density plane)

용어축열용량 (thermal capacitance)

충돌주기 (mean time between collisions)

취성 (brittle)

치환형 고용체 (substitutional solid solution)

침식 부식 (erosion corrosion)

침입형 고용체 (substitutional solid solution)

침입형 원자 (interstitial)

침입형 자리 (interstices)

칼날전위 (edge dislocation)

캐비테이션 손상 (cavitation damage)

코어 밴드 (core band)

코어링 (coring)

콘크리트 (concrete)

크리프 (creep)

탄성 중합체 (elastomer)

용어탄성변형 (elestic deformation)

탄성한계 (elastic limit)

탄소-탄소 복합재료 (carbon-carbon composites)

템퍼드 마르텐사이트 (tempered martensite)

투자율(permeability, μ)

틈새부식 (crevice corrosion)

파괴 (fracture)

파괴시 공칭 변형도 (engineering strain at fracture, t)

파손 (failure)

팔면체 자리 (octahedral site)

퍼얼라이트 (pearlite)

편석 반응 (montectoid reaction)

편정 반응 (monotectic reaction)

편차속도 (drift velocity)

포석 반응 (peritectoid reaction)

용어포정 반응 (peritectic reaction)

표면경화 (case-hardening)

풀트루젼 (pultrusion)

피로 (fatigue)

필라멘트 와인딩 (filament winding, FW)

하드페이싱 (hard-facing)

항복강도 (yield strength)

항복응력 (yield stress, yp)

항복점 변형도 (yield point strain, ε yp)

핵생성 (nucleation)

핸드레이업 (hand layup)

형광 (fluorescence)

혼성배열 (atactic)

혼합법칙 (rule of mixture)

화염 가수분해 (flame hydrolysis)

용어화학증착 (chemical vapor deposition, CVD)

확산계수 (diffusion coefficient)

확산접합 (diffusion bonding)

환원(캐소드) 반응 (reduction potential)

환원전위 (reduction potential)

활성화 분극 (activation polarization)

회복 (recovery)

회절 (diffraction)

흡수계수 (index of absorption)

흡수율 (absorption coefficient)

희생 애노드 (sacrificial anode)

Bragg 의 법칙 (bragg's law)

Coulomb의 힘 (Coulombic force)

Curie 온도 (Curie temperature)

Czochralski 법 (Czochralski method, CZ)

용어Faraday 식 (Faraday's equation)

Fermi 에너지 (Fermi energy, Ef)

Fermi-Dirac 분포함수 (Fermi-Dirac distribution function)

Fick의 제1법칙 (Fick's first law)

Fick의 제2법칙 (Fick's second law)

Frenkel 결합 (Frenkel defect)

Gibbs 자유에너지 (Gibbs free energy)

Gibbs의 상률 (Gibbs phase rule)

Hume-Rothery의 법칙 (Hume-Rothery' rule)

Miller 지수 (Miller indices)

Nernst 식 (Nernst equation)

Pauli의 베타원리 (Pauli's exclusion principle)

Petch-Hall 식 (Petch-Hall equation)

Pilling-Bedworth 비(PB) (Pilling-Bedworth ratio)

pn 접합 다이오드 (pn junction diode)

용어Schmid의 법칙 (Schmid's law)

Schottky 결합 (Schottky defect)

Van der Waals결합 (Van der Waals bond)

정의 물질이 빠져나간 공간. 부피결합.

금속이 변형되면서 일어나는 경화. 가공중에 생성되는 고밀도의 전위가 다른 전위의 이동을 방해하여 발생하는 경화.

0 K에서 부분적이라도 채워진 밴드 중 에너지가 높은 전자 밴드.

조성적인 차이로 인해 국부적인 애노드 영역과 캐소드 영역이 형성되어 발생하는 부식의 형태.

자성재료의 한 분류로, 이웃한 자기 쌍극자들이 서로 같은 방향으로 정렬하여 강한 내부 자기장이 형성되어 있는 재료. 강자성체는 외부 자기장에 대해 큰 반응을 나타낸다.

복합재료의 구성요소 중에서 보통 강한 쪽을 말하며 입자, 섬유, 판재, 위스커 등의 형태를 가질수 있다.

반복하여 삼차원 공간을 채우는 패턴. 이들 위에 원자나 이온을 놓으면 결정구조가 완성된다.

격자의 위치. 하나의 격자점에는 한 개 혹은 한 개 이상의 원자나 이온이 놓일 수 있다.

삼차원 구조를 주기적으로 채우는 기본틀.

방위가 다른 두 결정립이 만나는 경계면. 결정입계는 면결함이다.

삼차원 격자공간에 원자나 이온이 질서있게 배치되어 장범위 규칙도를 갖는 재료.

세 개의 원자나 이온이 결합하면서 이루는 각. 보통 공유결합 구조 내의 결합각을 거론할 때 많이 사용하는 용어이다.

한 쌍의 이온이나 원자 사이의 평형분리거리. 이 거리는 결합-에너지 곡선의 에너지가 초소인 지점이나 결합-힘 곡선의 전체 힘이 0인 지점에서 직접 구할 수 있다.

결합되어 있는 두 원자나 이온을 무한대의 거리만큼 띄어 놓기 위해 필요한 에너지. 결합에너지는 결합-에너지 곡선의 깊이에 해당된다.

이온이나 원자 사이의 거리를 변수로 하여 한쌍의 이온들 또는 원자들의 결합과 관련된 에너지를 나타내는 곡선.

정의이온이나 원자 사이의 거리를 함수로 하여 한 쌍의 이온들 또는 원자들의 결합과 관련된 힘을 나타내는 곡선. 이 곡선은 결합-에너지 곡선을 미분하여 얻을 수 있다.

같은 부호를 갖는 칼날전위들이 수직 방향으로 배열되면서 형성한 경계면. 전위의 모든 과잉 반쪽면들이 결정의 일부를 형성하는 결과로 결정이 기운다.

재료가 단단한 정도를 말하며 외력의 침투에 저항하는 재료의 능력이다. 영구적인 압입 자국을 만드는데 큰힘을 필요로 하면 경도가 높은 재료이다.

큰 이력곡선을 갖는 강자성 또는 준강자성재료.

계면이나 표면 부근에 전하가 쌓여 있는 공간 전하층.

관심온도(일반적으로 상온)가 유리천이온도 이상인 유체와 유사한 비결정질 또는 지정질 재료.

거대 분자로 이루어진 재료. 고분자는 선형(사슬) 구조나 3차원 네트워크 구조를 갖는다.

분자량이 큰 분자들로 구성된 공업용 재료. 이 분자들은 보통 1차원적인 사슬 구조나 3차원적인 그물망 구조를 하고 있다.

기지재가 고분자로 된 복합재료의 총칭.

평형냉각조건을 냉각할 때 액상이 완전히 사라지는 온도.

단상의 고상 영역과 2상의 고상영역을 구분하는 상경계.

정상적으로 채워져 있던 원자나 이온이 비면서 생긴 결합.

고상이 냉각중에 새로운 두 개의 고상으로 등온·가역적으로 변태하는 반응.

일반적으로 고여 있는 전해액 중에서 오염물질이 금속의 수평을 이루고 있는 표면 부분에 응착하고 이 곳에서 산소농도구배가 발생하여 일어나는 매우 국부적인 부식의 한 형태.

4개 이상의 평균 최외각 전자수를 갖는 전기음성도가 큰 원소들 사이에 형성하는 1차결함의 형태.

정의 액상이 냉각중에 두 개의 고상으로 등온·가역적으로 변태하는 반응.

시편이나 부품의 길이 변화를 원래의 길이로 나눈 값.

하중을 하중방향에 수직한 원래의 길이로 나눈 값.

공석조성보다 큰 조성의 합금.

열역학적 용해온도보다 더 낮은 온도에 있는 액체. 과냉 액체는 준안정 또는 불안정하기 때문에 언제든지 결정화될 수 있다.

빛이나 전자기파의 자극에 의해 발생하는 전압으로 일반적으로 반도체 소자에서 발생한다.

광 자극()에 의해 발생하는 전기전도도의 증가.

고분자 사슬간의 1차결합. 고분자 사슬들은 산소나 황으로 이루어진 작은 무리를 다리로 하여 연결된다. 고분자 사슬들은 이 밖에 다른 종류의 원자로 이루어진 작은 무리로도 연결된다.

페라이트 중에 구상화된 탄화물이 존재하는 2상 구조의 미세조직으로, 공석온도보다 낮은 온도에서 퍼얼라이트, 베이나이트 또는 마르텐사이트를 열처리하여 형성한다.

결정질 고분자와 비결정질 고분자의 구형 집합체로, 고분자가 용체에서 결정화할 때 바깥을 향해 방사상으로 성장한다.

빛이 한 매체에서 다른 매체로 입사함에 따라 빛이 휘어지는 현상.

진공에서의 빛의 속도를 매체에서의 빛의 속도로 나눈 값. 입사각의 sine값을 굴절각의 sine값으로 나눈 것. 유전체 표면에서 반사되는 빛의 양에 대한 척도.

중합시 측면 그룹이 증축의 다른 측면에 서로 엇갈려 위치하여 형성된 비닐 고분자의 배열.

인장강도 또는 최대하중에 도달하기 전에 일어난 변형도. 이 시점까지는 시편의 전 표점부에 걸쳐 일정한 변형이 일어나므로 변형도도 일정하다.

국부적인 애노드 영역의 위치가 시간에 따라 변하여 발생하는 전기화학적 부식의 일반적인 형태.

정의 무작위로 핵생성이 일어나는 현상.

산화물 유리의 비유리질화에 의해 형성된 미세한 결정립의 결정질 세라믹.

기지재가 금속으로 된 복합재료의 총칭.

AlLi, Ni3Al, Al3V, AlSb, 등과 같이 특정한 원자 비율을 갖는 화학당량적인 금속 화합물.

3개 이하의 최외각전자를 갖는 전기양전성 원자 사이에 형성된 1차결합의 형태.

필요없는 부분의 재료를 전단 변형에 의해 제거하는 공정.

결정의 윗면과 아랫면.육방정에서 기저면은 육각형의 6개 모서리에 원자를 하나씩 놓아 만든 면으로 정의한다. c축은 기저면에 수직이다.

전위의 이동에 의해 HCP결정의 기저면에서 일어나는 변형.

복합재료의 구성 요소 중 하나로 섬유나 기타 강화재 사이의 공간을 채워 주는 물질. 강화재를 묶어 주는 역할과 측면강도를 보강해 주는 역할을 한다.

각 격자 위치에 놓여 있는 원자나 이온의 수.

결정의 반을 잘라 상단을 하단에 대해 잘린 선과 평행한 방향으로 변위시켜 형성한 전위. 나선 전위의 버거스 벡터는 전위선과 평향하다.

금속을 접합하는 수단으로 450 ℃ 이하의 매우 낮은 용융점을 가진 합금을 사이에 놓고 열을 가하여 양호한 접합을 얻는 방법.

원자의 내부 부각에 채워져 있는 전자.

일반적으로 산화물 유리에서, 이웃 원자들과 세 개 이상의 결합을 형성하지 못하는 이온. 네트워크 변형재에 의해 3차원 네트워크가 파괴된다. 네트워크 변형재는 우수한 유리형성재가 아니다.

사슬 내에서 이웃 원자들과 세 개 이상의 결합을 형성할 수 있는 즉, 삼기능기(tri-functionality)를 갖는 원소 또는 zachariasen의 규칙을 만족하는 이온, 네트워크 형성재는 우수한 유리 형성재이다.

정의 전해질액 중의 이온 확산속도가 느리기 때문에 감소하는 기구.

다수의 결정이나 결정립이 모여서 형성한 고체. 일반적으로 등방성을 갖는다.

집적회로(IC)칩을 전자 패키지 케이스에 결합시키는 공정.

상대적으로 작은 크기의 분자로서 동일한 분자와 결합하여 거대한 고분자 사슬을 형성한다.

파단된 인장시편에서 단면적의 변화를 원래의 단면적으로 나눈 값으로 퍼센트로 나타낸 것.

한 이온이나 원자를 중심으로 배열되어 있는 최근접 원자들의 국부적 규칙.

입방의 8개 모서리에 원자나 이온이 하나씩 놓여 있는 결정구조.

재료를 대표할 수 있는 가장 작은 부분. 결저의 단위정은 재료를 대표할 수 있는 가장 작은 원자 혹은 이온 집합체로 이들이 반복되면서 전체 결정의 부피를 채운다.

금속을 가열한 상태에서 해머로 치거나 프레스로 눌러 원하는 형상으로 만드는 공정.

반도체의 밴드 갭 내에 있는 불순물 준위로, IV조 반도체에 V족이나 VI족 원소의 첨가에 의해 형성되는 잉여 전자들과 관련되어 있다.

중합시 모든 측면 그룹이 증축의 같은 쪽에 위치하여 형성된 비닐 고분자의 배열.

측정된 방향과 무관하게 성질이 일정한 것.

복합재료의 해석에 있어서 섬유와 기지에 같은 변형도가 발생하는 조건. 섬유의 배열방향에 평행하게 하중이 작용하는 경우에 해당한다.

복합재료의 해석에 있어서 섬유와 기지가 같은 응력을 받는 조건. 섬유의 배열방향에 수직하게 하중이 작용하는 경우에 해당한다.

원형의 금속평판을 소성변형에 의해 컵의 형상으로 만드는 공정.

정의 원래는 탄소가 과포화된 준안정상의 BCT철을 명명하는데 사용된 용어. Fe-C마르텐사이트는 오스테나이트를 낮은 온도로 급랭하면 형성된다. 그밖에 많은 금속, 비금속 재료에서도 Fe-C마르텐사이트와 유사한 성질을 지니는 상들이 존재한다. 따라서, 최근에는 이러한 상들도 일반적으로 마르텐사이트라고 한다.

조성 변화없이 전단에 의해 모상이 새로운 상으로 변태하는 것.

Fe-C마르텐사이트에서 오스테나이트가 마르텐사이트로 변태가 시작되는 온도. 다른 계에서는 모상의 변태가 시작되는 온도.

Fe-C마르텐사이트에서 오스테나이트가 마르텐사이트로 변태가 완료하는 온도. 다른 계에서는 모상이 변탱완료하는 온도.

화학적이기보다는 기계적인 상호작용에 의해 발생하는 재료 표면의 손실.

결정학적 면에서 단위면적당 존재하는 원자나 이온의 수.

단순입방으 각 모서리와 여섯 면의 중심에 원자를 하나씩 배치하여 형성한 입방 구조.

결정 내에 존재하는 동등한 면들의 집합. 면족의 지수에 음과 양의 부호를 붙여 가능한 순열을 만들어 보면 특정 면족에 속하는 모든 면들을 알아낼 수 있다.

코팅하고자 하는 물질을 가열하여 기체상태의 입자로 만든 다음 대상체에 달라 붙게 함으로써 얇고 균일한 코팅층을 만드는 공정.

npn 또는 pnp와 같이 세 층의 도핑된 재료들로 이루어진 반도체 소자로 증폭기로 사용한다.

자성재료의 한 분류로, 같은 세기를 갖는 이웃한 자기 쌍극자들이 서로 반대방향으로 배열되어 있는 재료. 반자성체는 외부 자기장에 대해 약한 반응을 나타낸다.

상변태 시간이 반응속도에 미치는 영향을 포함하여 각종 인자들이 반응속도에 미치는 영향을 다루는 분야.

자성재료의 한 분류로, 내부장의 방향이 외부장과 반대방향인 재료. 반자성체는 외부 자기장에 대해 약한 반응을 나타낸다.

고주파의 빛이나 전자기파를 흡수하여 저주파로 재방사하는 현상.

결정 내에 존재하는 동등한 방향들의 집합. 방향족의 지수에 음과 양의 부호를 붙여 가능한 순열을 만들어 보면 특정 방향족에 속하는 모든 방향들을 알아낼 수 있다.

정의 하나의 원자나 이온을 둘러싸고 있는 최근접 원자수.

반도체 또는 절연체에서 가전자대의 꼭대기와 전도대의 밑바닥 사이를 의미하며, 이 범위 내에서는 전자 에너지 준위들이 위치하는 것이 금지되어 있다.

버거스 회로의 끝점에서 시작점을 연결하는 벡터. 버거스 벡터는 해당 전위에 대해 상수이다.

전위선을 포함하지 않는 부위에 만들어 보면 폐쇄회로를 구성하나, 전위를 포함하는 부위에 만들어 보면 열린 회로를 구성하는 회로.

페라이트와 시멘타이트의 2상으로구성된 미세조직. 오스테나이트강을 퍼얼라이트 영역 아래의 온도와 마르텐사이트 변태개시온도. Ms 이상의 온도 사이로 급랭하면 베이나이트가 형성된다.

무기재료학이나 지질학에서 비금속에서의 마르텐사이트 변태 또는 비열적 변태를 지칭하는 용어.

두 가지 이상의 재료가 결합하여 만들어진 재료이며, 보통 기지개 속에 섬유, 판, 입자 등의 강화재가 묻혀 있는 형태이다.

부식환경에서 재료의 환원전위를 양의 방향으로 현저하게 상승시키는 재료의 표면상태.

계면에서 두 상의 원자배열 차이가 전위에 의해 조정될 수 있는 두 상 사이의 계면.

부식과 기계적인 피로가 동시에 발생화여 재료에 손상을 주는 열화기구. 두 현상이 동시에 발생하면 서로 상승효과를 나타내어, 각각 독립적으로 일어나는 경우보다 피해 정도가 매우 심하다.

계면 양쪽의 원자배열상태가 서로 다른 두 상을 구분하는 계면.

결정의 단위부피당 존재하는 원자수. 일반적으로 단위정의 부피를 기준으로 하여 구한다.

온도 1도 변화에 따른 재료 부피의 변화분율.

재료 내에 있는 양전하와 음전하의 분리 현상으로 일반적으로 전기장에 의해 발생한다. 재료 단위부피당 모든 쌍극자의 벡터 합이 분극이다.

매우 고운 금속입자를 만들고 이를 원하는 형상과 거의 같은 크기의 부품으로 성형한 다음 고온에서 소결하여 고체로 만드는 공정.

정의 파장에 따른 굴절계수의 변화.

전기장 하에서 분자내 영구 쌍극자들의 일시적인 배열.

특정한 위치에서 핵생성이 유발되는 과정.

자유도가 0인 반응.

두 개의 재료를 접합하는 수단으로 비교적 용융점이 낮은 합금을 사이에 놓고 이것이 녹도록 충분히 가열하되 모재는 녹지 않도록 하는 접합방법.

2개 이상의 단위체로 구성된 고분자로, 각 단위체들이 길게 반복되는 고분자.

어떤 재료의 인장강도를 밀도로 나눈 값.

3차원서거 규칙도가 부족한 비정질. 비정질 재료들은 고무 또는 유리이다.

조성이 온도 변화에 무관한 화합물.

단위무게당 열용량.

일부 산화물 유리의 구조를 결정질의 세라믹으로 전환시키는 고온 열처리.

외부 전기장에 따른 전기전하의 이동을 저항 또는 방해하는 재료의 고유한 성질.

온도 변화에 의한 전도체에 비저항 변화의 크기를 나타내는 재료의 고유한 성질.

고상이 원래의 고상과는 다른 조성의 액상과 고상으로 변태하는 평형 용융반응.

결정질 재료의 특성인 장범위 규칙도를 상실한 재료, 비정질 재료는 고무이거나 유리이다.

정의 어떤 재료의 탄성계수를 밀도로 나눈 값.

진공의 투자율에 대한 재료의 투자율 비.

같은 부호를 갖는 나선전위들이 동일한 면에서 바둑판의 격자와 같은 형태를 이루면서 형성한 경계, 격자 주변의 변위에 의해 비틀림이 일어난다.

결정 내에서 네 개의 최근접 원자들로 이루어진 공간.

녹은 고분자 덩어리를 차가운 금형에 주입한 다음 입력을 가함으로써 금형 공간과 같은 형상의 제품을 만드는 공정.

전해질 내의 산소농도구배로 인해 형성된는 전기화학 전지.

재료가 산소와 결합하여 산화물을 형성하는 기상열화기구.

전자를 생산하는 전기화학반응.

다른 부분과 기계적으로 분리되는 계면에 의해 구분되는 물질의 균질한 부분.

자성재료의 한 분류로, 내부자의 방향이 외부장과 같은 방향인 재료, 상자성체는 외부 자기장에 대해 약한 반응을 나타낸다.

조성과 온도에 따라 존재하는 상들을 나타내는 도식적인 표현.

미세하고 균일하게 분포하는 석출물의 존재로 인한 합금의 경화 또는 강화.

결정 중의 기지와 화학조성이 다른 작은 부분을 말하며 결정구조도 기지와 다를 수 있다.

결정학적 방향으로 단위길이당 놓여 있는 원자의 수.

광신호를 이용하여 정보를 전달하기 위해 투명한 섬유를 사용하는 기술.

정의 합금의 조성을 나타내는데 사용되는 화학적인 물질(원소 또는 화합물)

승온하여 광범위한 고상 확산에 의해 분말들을 응집시키는 과정.

영구적인 변형. 예를 들어 휘어진 금속막대가 제자리로 돌아오지 않는다면 소성변형되었다고 한다.

금속 알콕사이드와 물을 반응시켜 젤을 형성하고 점도가 어느 정도에 이르면 이를 방사하여 섬유 등을 뽑아내는 방법. 그럼 다음 가열하여 남아 있는 유기질 분자를 증발시키면 순수한 산화물을 얻는다.

녹은 산화물 유리나 고분자 덩어리를 위에서부터 아래로 공기를 불어 넣어 제품을 만드는 공정.

수소 원자가 전기 음성도가 큰 원자들(N, O, F, C)과 공유결합할 때 발생하는 2차결함의 형태.

체심입방정(BCC)의 금속에서 H+의 높은 확산계수로 인해 발생하는 열화기구이며, 이에 의해 재료의 연성은 감소한다.

응고되는 금속 내부에서 응고에 따른 잠열의 방출 형태 때문에 형성되는 나무가지 모양의 조직.

힘을 힘고 수직인 면의 면적으로 나눈 값.

불활성 기체를 이온화한 다음 금속타깃을 향하여 가속하면 충돌하면서 금속 원자가 증발되며 이를 대상체까지 이동시켜 대상체에 안착하게 만드는 공정.

세라믹 분말과 용제 및 유기결합체로 이루어진 세라믹 슬러리 속으로 강화섬유를 통과시켜 코팅하는 공정.

소성변형이 일어날 수 있는 면과 방향의 조합. 예를 들면 FCC금 속의 경우에 [110](111)은 하나의 슬립계이고 <110>{111}은 이와 유사한 모든 슬립계를 대표하는 슬립계이다.

전위가 활주에 의해 움직이는 면. 슬립면은 버거스 벡터와 단위 접선 벡터에 의해 정의된다.

전위가 이동할 때 원자들이 슬립면 위에서 변위를 일으키는 방향. 슬립방향은 전위의 버거스 벡터 방향과 평행하다.

속이 빈 세라믹 부품을 만드는 공정으로, 슬립이라고 하는 세라믹 현탁액을 석고 주형에 주입하여 주형과 접한 바깥층으로부터 수분이 다공질의 주형벽에 흡착되도록 한 후 남은 액체를 쏟아내어 제품을 얻는다.

정의 탄성변형이든 소성변형이든 불문하고 시간의 함수로 일어나는 변형의 총칭.

탄화철상. Fe3C

과포화 고용체로부터 제2상을 석출하는 열처리.

정상적인 원자배열이 거울에 비쳐진 모습으로 존재하는 결정결함.

모든 내부 자기 쌍극자들이 서로 같은 방향으로 정렬된 강자성체 또는 준강자성 내의 미소부피.

고체 내의 내부 자기장의 세기에 대한 척도.

외부 자기장에 의해 발생하는 자화 정도에 대한 척도.

동종 원자가 동종 원자로만 이루어진 재료 내를 확산하는 기구.

외부 자기장의 세기에 대한 척도.

상온에서 과포화 고용체로부터 제2상이 석출하는 과정.

자기장의 세기 H와 자화 M사이의 관계에 대한 비례상수.

재료의 결정질 내에 존재하는 원자나 이온 또는 분자가 질서있게 배열되어 있는 상태.

변형된 재료에서 핵생성이 일어나 응력이 없는 새로운 결정립이 성장하는 과정으로, 결정립계의 이동에 의해 일어난다.

이떤 특정시간, 흔히 1시간 이내에 재결정이 일어나는 온도.

전자와 정공 상이의 상호작용으로, 재결합에 의해 전자와 정공이 모두 소멸한다.

정의 외부 전기장에 따른 전기 전하의 이동을 저항 또는 방해하는 재료의 외인성 특성. R=ρ(L/A)로 정의된다.

조밀충진면의 적층순서가 정상적인 순서와 바뀌어져 생긴 결합. 예를 들면 FCC결정에서의 정상적인 적층순서는 ABCABC.....인데 결정의 일부분이 ABCBCABC......같은 적층순서를 가지면 이 부위는 적층결함을 갖고 있다고 말한다.

여러 층의 라미나를 미리결정된 섬유방향에 따라 쌓여서 만든 복합재료.

얇은 금속막을 입히기 위한 전기화학적 공정. 대상체가 캐소드이고 코팅되는 물질이 에노드가 된다.

원소들이 전자를 끌어당기는 상대적인 경향.

전하의 이동이 주요한 역할을 하는 액상-고상 열화기구.

탄성한계 내에서 전단응력-전단변형도 곡선의 기울기.

힘을 힘이 작용하는 면의 면적으로 나눈 값. 전단응력은 전위의 이동을 일으키는 응력 성분이다.

전자가 위치할 수 있는 에너지 준위들의 밴드로, 가전자대 위에 있으며 밴드 갭에 의해 가전자대와 분리되어 있다.

금속과 같이 높은 전도도를 갖는 재료. 전도체에서는 전기 전하가 효과적으로 이동할 수 있다.

전기장에 의해 발생하는 재료의 크기 변화.

결정질 고체 내에 있는 선결합으로 소성변형을 일으키는 결합이다.

공공이 칼날전위의 과잉 반쪽면(extra half plane)으로 확산해 옴에 따라 발생하는 전위의 이동. 전위 상승에 의해 전위는 평행한 다른 슬립면으로 옮겨갈 수 있다. 전위 상승은 물질의 이동을 수반한다.

슬립면 윌에서 일어나는 전위의 이동(버거스 벡터와 단위접선 벡터로 정의된다). 이런 형태의 움직임은 물질의 이동을 수반하지 않는다.

동일한 구조로 되어 있는 계. 상태도에서 고상이 동일한 구조로 되어 있어 전 조성범위에 걸쳐 완전한 고용도를 나타내는 계.

정의 0에서 1사이의 값으로, 고체내에서 전기 전하의 총 이동량에 대한 양이온, 음이온, 전자 및 정공의 상대적 기여도를 나타낸다.

전기장하에서 원자 내에 있는 양전하와 음전하의 중심이 일시적으로 분리되어 발생하는 분극.

전기양전성인 원소가 전자를 내놓아 양이온이 되고 전기음전성인 원소가 전자를 받아들여 음이온이 되면서 이온결합이 일어나는 과정.

전기전도성이 좋지 않은 재료, 낮은 전도도값을 갖는다.

원자, 이온, 격자 자리, 혹은 침입형 자리 하나와 관련된 결함, 만일 어느 격자 자리에 원자가 비어 있으면 점결합이 형성되었다고 한다.

전단응력과 전단변형률 속도 사이의 비례계수로 유체 내에서 소모되는 에너지의 척도가 된다.

시간의존 변형과 시간불변 변형이 결합된 형태. 이러한 거동은 일반적으로 고분자에서 가장 뚜렷하다. 역학적으로 이것은 스프링과 대시포트제진기 또는 완충기의 결합에 해당한다.

두 개의 부품을 접착제에 의해 접합하는 공정. 보통 이 공정은 고분자를 다른 고분자, 금속, 세라믹, 복합재료를 접합시키는데 사용한다.

전자 준위들이 거의 채워져 있는 밴드 내에 있는 빈 전자 준위.

상온에서 불과의 반응으로 인해 Si-O결합 파괴를 유발하는 화학적 열화기구.

고상이 동일한 조성을 갖는 액상으로 변태하는 평형용융 반응.

경계면을 따라 격자면이 일대 일로 일치하고 있는 두 상을 구분하는 계면.

육방 기저면과 기저면의 수직방향으로 서 있는 직사각형 옆면들로 이루어진 결정. 원자를 기저면의 각 모서리와 중심에 배치한 다음 세 개의 원자를 포함하는 면을 기저면 사이에 삽입시켜 완성한 결정구조. 각 원자는 12개씩의 최근접 원자를 가지며 원자충진율은 0.74이다.

동종의 구형 원자를 가능한한 조밀하게 충진되도록 한 구조. 배위수는 12이며 원자충진율은 0.74이다. HCP와 FCC는 조밀충진 구조를 갖는다.

각 원자가 6개의 이웃 원자와 접촉하는 결정학적 면.

정의 원자들이 서로 접촉하는 결정학적 방향.

녹은 용융된 재료로 주형을 채워 이것이 응고되면서 주형 공간을 닮은 제품을 얻을 수 있는 공정.

자성재료의 한 분류로, 서로 다른 세기를 갖는 이웃한 자기 쌍극자들이 반대방향으로 배열되어 있는 재료. 준강자성체는 외부 자기장에 대해 큰 반응을 나타낸다.

고분자를 형성하기 위해 결합된 단위체의 수. 고분자의 조성과 존재하는 상의 조성으로 계산할 수 있는 식.

2상의 혼합상태에서, 존재하는 두 상의 상대적인 양을 합금의 조성과 존재하는 상의 조성으로 계산할 수 있는 식.

고체가 실제적인 전하의 이동 없이 직접적으로 주의의 액체로 용해되는 기구.

순간 길이를 원래 길이로 나눈 값의 자연대수값.

Si, Ge, GaAs와 같은 순수반도체에서의 전기 전도.

힘을 힘에 수직한 순간 면적으로 나눈 값.

강화재가 모래나 자갈처럼 집합체인 복합재료.

단순입방의 각 모서리에 원자 하나씩을 배치한 다음 입방의 중심에 하나의 원잘르 배치하여 형성한 입방 구조.

과공석 강을 오스테나이트와 시멘타이트의 2상 영역으로부터 냉각하여 공석 변태 온도보다 낮은 온도로 유지할 때 최초로 형성되는 시멘타이트.

전기 전하 운반체의 이동에 대한 저항이 없는 상태.

용융상태의 합금의 냉각시에 액상중에 처음으로 나타나는 고상.

주어진 결정계에서 단위면적당 가장 많은 수의 원자나 이온을 갖는 결정학적 면.

정의 비열에 대한 외인성 특성으로, 비열에 시편의 무게를 곱하여 얻을 수 있다.

외부 전기장에 의한 전하 운반체의 이동중에 발생하는 산란 사이의 평균시간.

외부로부터 하중을 받았을 때 구부러짐으로써 에너지를 흡수하는 능력이 없고 여러 조각으로 부러지는 특성을 가진 재료를 일컬을 때 사용하는 말. 예를 들면 자동차의 창문 유리는 취성이 있어나 금속이나 플라스틱으로 된 범퍼는 그렇지 않다. 보다 정확하게 말하면 취성인 재료는 파괴 변형도가 낮은 재료이다.

A 원자로 이루어진 재료의 A 원자 자리를 B원자로 치환함으로써 형성되는 고용체. 이러한 고용체를 A내에 B가 고용된 치환형 고용체라고 한다.

일반적으로 파이프의 굽힘부와 같이 유체가 매우 빠른 속도나 큰 각으로 재료와 충돌하는 부위에서 발생하는 재료 열화기구의 한 형태.

불순물 원자나 이온이 모재의 침입형 자리를 점유하여 형성된 고용체.

침입형 자리에 들어 있는 원자나 이온으로, 일종의 점결합이다. 침입형 원자는 용매 원자와 동종일 수도 있으며 이종일 수도 있다.

적어도 4개의 이상의 원자나 이온에 의해 만들어진 원자 사이의 공간. 결정 내에 존재하는 침입형 자리는 사면체 아니면 팔면체이다.

과잉 반쪽면을 격자 내에 삽입하여 만든 전위.

재료 표면에 기포가 형성되고 이것이 터져 표면 아래의 재려에 손상을 입히는 응력이 수반된 부식의 한 형태.

전자 에너지 준위들로 구성된 밴드로 일반적으로 완전히 채워져 있으며, 가전자대나 전도대에 비해 핵에 더 가까이 위치해 있다.

비평형 응고에 의해 단상에서 발생하는 용질 분포의 변화. 코어링은 어떤 온도에서 고상과 액상의 조성이 서로 다르기 때문에 일어난다.

시멘트 기지에 가는 모래 입자와 굵은 자갈 입자가 혼합된 집합체 복합재료.

비교적 고온에서 낮은 응력하에서 일어나는 시간의존 변형.

교차결합의 형성이나 단단한 부위의 첨가에 의해 600%정도 연신 후에도 원래의 크기로 거의 완전히 회복되는 고무. 고분자만이 탄성중합체가 될 수 있다.

정의 하중이 제거되면 원상태로 회복될 수 있는 변형. 이는 하중이 제거되면 부품이 원래의 크기로 돌아감을 의미한다. 고무 밴드의 변형이 전형적인 예이다.

그 이상에서는 영구 변형이 발생하는 임계응력. 탄성한계 내에서는 하중을 제거하면 모든 변형이 회복된다.

강화섬유도 탄소이고 기지개도 탄소인 복합재료.

마르텐사이트가 존재하는 조직을 열처리하여 얻는 조직. 템퍼드 마르텐사이트는 α-페라이트 기지에 Fe3C입자가 미세하게 분산되어 있다. 템퍼링에 의해 마르텐사이트 조직의 연성과 인성이 증가한다.

자기유도 B와 외부 자기장의 세기 H를 관련 짓는 재료 특성.

일반적으로 전해질이나 흐름이 제한되어 산소농도구배가 존재하는 영역에서 발생하는 매우 국부적인 형태의 부식.

부품이나 요소가 물리적으로 분리됨. 대부분의 경우에 파손과 동의어이다.

파괴가 일어났을 때의 공칭 변형도.

보통은 시편이나 부품이 지탱능력 이상의 하중을 받았을 때 여러 조각으로 분리되는 것을 뜻함. 이는 또한 부품이나 구조에 발생한 변형이 너무 커서 원래 목적한 기능을 만족할 수 없는 경우를 뜻하는 때가 많다.

결정 내에 존재하는 6개의 최근접 원자들에 의해 이루어지는 공간.

강에서 페라이트와 시멘타이트가 교대로 층상을 이루는 2상 조직. 퍼얼라이트는 오스테나이트가 분해되어 형성된다.

냉각반중의 고상이 처음의 고상과는 다른 조성의 두 고상으로 등온·가역적으로 변태하는 과정.

냉각중의 액상이 처음의 액상과는 다른 조성의 액상과 고상으로 등온·가역적으로 변태하는 과정.

외부 전기장에 의해 전기 전하 운반체가 고체 내를 이동하는 평균속도.

냉각중의 두 개의 고상이 처음의 두 고상의 조성과는 다른 조성을 지닌 고상으로 등온·가역적으로 변태하는 과정.

정의 냉각중의 고상과 액상이 처음의 액상이나 고상의 조성과는 다른 고상으로 등온·가역적으로 변태하는 과정.

표면층의 조성을 바꾸거나 표면만을 열처리하여 부품의 표면을 단단하게 만드는 공정.

기지재가 될 수지로 적셔진 섬유다발을 가열된 다이늬 공간을 통하여 잡아당김으로써 I빔과 같이 길다란 고분자기지 복합재료 제품을 만드는 공정.

시편이나 부품에 반복되는 하중이나 변형도를 가하는 일.

복합재료로 속이 빈 원통형 제품을 만드는 공정으로 수지로 적셔진 섬유다발을 일정한 패턴에 따라 연속적으로 맨드릴에 감은 다음에 경화시켜 제품을 얻는다.

단단한 재료의 두꺼운 층을 용접이나 브레이징으로 대상체의 표면에 붙이는 공정.

인장시험에서 그 값부터 영구 변형이 발생하는 임계응력.

인장 실험에서 소성변형이 시작되는 응력.

변형거동이 영구 변형이 되기 시작하는 때의 변형도. 탄소강과 같은 재료에서는 탄성 영역으로부터 소성 영역으로의 천이가 뚜렷하므로 항복점 변형도도 명확하게 정의할 수 있다.

여러 종류의 상변태의 시작 단계.

미리 정해진 방위에 따라 손으로 프리프레그 낱장을 층층이 쌍거나 직물과 수지를 교대로 바른 다음 경화함으로써 적층복합재료를 만드는 간단한 공정.

자극을 제거하면 곧 중단되는 발광현상.

중합시 측면 그룹이 중축의 양측에 있는 임의의 자리에 무질서하게 위치하여 형성된 비닐 고분자의 배열.

복합재료의 특성을 계산할 수 있는 공식으로 복합재료의 특성은 구성요소 각각의 특성에 각각의 부피분율을 곱한 다음 선형적인 합으로 나타낸다.

실리콘 테트라콜로라이드(SiCl4)를 산화시켜 실리카(SiO2) 섬유를 만드는 공정.

정의 두 가지의 기체 물질이 화학적으로 반응하여 반응 생성물로서 얇은 고체 피막을 대상체의 표면에 입히는 공정.

단위면적을 통과하는 물질의 유속과 농도 기울기 사이의 비례상수. 확산계수는 Arrhenius형태의 식을 따르면 온도에 크게 의존한다. 확산계수는 고체상태에서 원자나 이온의 이동이 얼마나 용이하게 진행하는가를 나타낸다.

압착된 두 개의 부품을 고온조건에서 경계면에서의 고상 확산에 의한 상호 원자이동으로 결합하는 공정.

전자의 농도를 감소시키는 전기화학적 반응.

금 속의 반응성을 나타내는 척도로 여러 형태의 부식정도를 예측하는데 유용하다.

부식속도를 감소시키는 기구. 부식과정에서 어느 한 단계의 활성화 장벽이 매우 높기 때문에, 전체 부식속도가 상당히 감소하게 되는 기구.

냉간가공에 의해 재료 내에 축적된 에너지의 일부가 제거되는 공정.

재료와 전자기파와의 특정한 상호작용. 평행한 면에서 반사된 전자기파가 보강간섭을 일으키면 회절이 일어나며, 회절은 Bragg의 법칙에 의해 지배받는다.

복소굴절계수의 허수부.

투명한 재료에서 흡수되는 빛의 양에 대한 척도로, 단위는 길이의 역수이다.

방식하고자 하는 금속보다 활성인 금속을 전기적으로 접촉시켜 인위적으로 갈바닉 전지를 형성시키는 음극 방식의 한 종류.

X-선 회절을 정의하는 식. Nλ= 2d sineθ

전기를 띤 물체 사이에 작용하는 정전기적 힘. 이 힘은 두 물체의 전하량에 비례하며 두 물체간 거리의 제곱에 반비례한다. 만일 두 물체가 반대 부호의 전기를 띠고 있으며 서로 끌어당기며, 같은 부호의 전기를 띠고 있으면 서로 민다.

그 이상의 온도에서 강자성체가 상자성 특성을 나타내는 온도.

용융된 실리콘 용액으로부터 일정한 결정방위로 단결정 실리콘을 성장시키는 공정.

정의 부식으로 인한 무게 감량과 부식 전류와의 관계를 나타내는 식.

어떤 온도에서도 전자가 위치할 확률이 50%인 전자에너지 준위.

어떤 온도에서 특정한 전자에너지 준위나 점유될 확률을 나타내는 함수.

정상상태조건하에서 단위면적당 확상되는 물질의 유속은 농도 기울기에 비례한다는 것을 나타내는 식.

비정상상태조건에서, 어떤 위치에서 시간에 따른 농도의 변화는 농도를 위치에 대해 두 번 미분한 값과 비례한다는 것을 나타내는 식.

이온결합 고체 내에서 발생하는 결함의 한 종류로 공공/침입형 원자로 이루어져 있다. 크기와 관련된 문제 때문에 Frenkel 결함은 가급적으면 양이온 침입형 원자를 발생히키려고 한다.

게의 엔탈피와 엔트로피(무질서도)의 함수인 열역학적 에너지.

평형계에서 존재하는 상의 수와 조절 가능한 외부 변수들의 수와의 관계를 나타내는 식.

치환형 고용체의 형성조건. 원자들의 상대적인 크기, 결합 특성, 원소의 전기음성도가 주요한 인자이다.

결정 내의 방향과 면을 나타내는 표기법.

전기화학적 전지전위와 반응물, 생성물의 활동도와의 관계를 나타내는 식.

상호 작용하는 두 전자는 동일한 네 개의 양자수를 동시에 갖을 수 없다는 양자역학의 원리.

결정립 크기와 항복응력 사이의 관계를 나타내는 식. 이 식에 의하면 결정립 크기가 작을수록 항복강도가 증가한다.

1몰의 산화물의 부피를 1몰의 산화물을 생성하는데 소모되는 금속의 부피로 나눈 값.

p형 반도체와 n형 반도체로 이루어진 소형 전자소자. pn접합 다이오드를 사용하면 전류가 한 방향으로만 흐르게 되며, 반대방향으로 흐르는 전류는 차단된다.

정의 결정의 방향, 수직응력, 소성변형을 일으키는 전단응력 사이의 관계를 나타내는 식.

이온결합 내에서 발생하는 결합의 한 종류로 한 쌍의 양이온/음이온 공공이로 이루어져 있다. 양이온 공공의 수와 음이온 공공의 수의 비율은 전기 중성도를 만족시키야 한다.

임시 쌍극자가 주변의 원자에 새로운 임시 쌍극자를 유발하여 형성하는 2차 결합의 형태. 두 쌍극자는 Coulomb의 인력에 의해 끌린다.