アナログ集積回路 基本回路(1) - el.gunma-u ...kobaweb/lecture/2009lecture-4.pdf ·...
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Gunma University
アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
アナログ集積回路
基本回路(1)
担当 小林春夫
この資料はATN 麻殖生健二氏および
小林研究室学生の協力のもと作成された
群馬大学工学部電気電子工学科
「集積回路システム工学」 講義資料 (4)
Gunma University
アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
オペアンプ回路設計の先駆者
Bob Widlar (1937-1991)
フェアチャイルドセミコンダクター社で1960年代に活躍。
様々な世界初のアナログ設計を
行ない、後の業界標準となる。
世界初のICオペアンプμA702
μA741 の元となった LM101
電圧レギュレータ μA723
ワイドラー電流源
バンドギャップ電圧参照回路
等
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
1.基礎
2.ソース接地回路
3.ソースフォロア
4.ゲート接地回路
5.エミッタ接地回路
6.エミッタフォロア
7.ベース接地回路
8.付録
8.1 ゲート接地回路の等価モデル
8.2 ベース接地回路の等価モデル
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
ディスクリート回路と集積回路の違い(1)
+
-
Vin VoutVcc
+
-
VoutVinVDDVss
+
+
-
-
• モノリシック回路
(一個の半導体結晶上に作られる集積回路)では
右図のような構成をとる。
個別部品回路による
オーディオ増幅器の典型例
CMOS集積回路による
オーディオ増幅器の典型例
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
ディスクリート
回路
・最小限のトランジスタ
・段間接続にキャパシタ
CMOS集積回路
コスト
受動部品<能動部品
•コスト要因 : チップの使用面積
•個別部品回路で用いられるキャパシタ使用不可
外付けが必要となりコスト高
最小面積の部品である
トランジスタを多数用いる。
最も安価で最
適な回路方法
ディスクリート回路と集積回路の違い(2)
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
アナログ回路の近似解析
・ 大信号解析大信号解析大信号解析大信号解析、、、、直流解析直流解析直流解析直流解析
主に直流レベル(バイアス電圧やバイアス電流)の解析に使用。
微分により、下記小信号特性(ゲイン等)を求めることができる。
・ 小信号解析小信号解析小信号解析小信号解析、、、、交流解析交流解析交流解析交流解析
上記直流レベル近辺での微小交流信号に対する特性の解析。
ゲイン解析、入出力特性等、主要特性の解析に使用。
小信号モデルを使って簡単に解析できる。
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
*ポートとは
一方の端子に流れ込む電流が
他方の端子から流れ出る電流に
等しい対のことである。
小信号モデル ー
増幅器の2ポートモデリング(1)
i1
i1
i2
i2
V1V2
++
--
2ポート回路網
222121
212111
2
1
vyvyi
vyvyi
+=
+=
2ポート等価回路
i1V1+-
y11 y12v2 i2 V2+-
y22y21v1アドミタンスパラメータ方程式
これらの式は小信号記述 :
トランジスタは固定動作点近辺の小信号
に対してだけ線形動作をするため
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
各パラメータの解釈
( )
( )
==
==
=
==
=
=
=
=
Zov
Gv
v
Zv
v
iy
v
iy
v
iy
v
iy
m
i
101
2
222
02
1
221
01
2
121
102
1
111
力アドミタンス =入力短絡時の出
タンス 方向トランスコンダク =出力短絡時の順
通常は無視タンス 方向トランスコンダク =入力短絡時の逆
力アドミタンス =出力短絡時の入
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
ユニラテラル(単方向性)
2ポート等価回路
+V 1-
i 1z i
i2
V2
+
-
V1Gm
zo
+V 1-
i 1z i
+
+
-
-
V2V1 i2zoav
(a)ノートン型出力モデル
(b)テフナン型出力モデル
omiv ZGv
va −= == 02
1
2Gm,Zo,avの3つのパラメータの
なかの2つから、残りのパラメー
タを求めることができる。
大部分の増幅器(とくに低周波)では 入力⇒出力への単方向性(ユニラテラル)
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
2ポート等価回路でモデル化した増幅器の
入力および出力ローディングの例
Vin +
+
--
V1i1 RiRs i2 V2=Vout+
-
V1Gm RoRL
•Ri=1kΩΩΩΩ, , , , Ro=1MΩΩΩΩ,,,,Gm=m=m=m=1mA/V
•Rs,RLをそれぞれ入力発生器の信号源抵抗と負荷抵抗とする。
入力が理想電圧源で出力が無負荷のときの低周波ゲインvout/vinを求める。
またRs= 1kΩΩΩΩ,RL =1MΩΩΩΩの場合も求める。
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(1) 理想電圧源、無負荷の場合
2ポート増幅器モデル自体のv1からvoutへの開放ゲイン
( )( )1000
1000/1
1
2
102
−=
Ω−=
−== =∞→
KVmA
GmRoV
V
V
VoutiRL
信号源抵抗と入力抵抗は分圧器として働き、出力抵抗は負荷抵抗と並列になっ
ている。VinからVoutまでの全体のゲインを求める。
( )Lo RRGmRsRi
Ri
V
Vout
Vin
V
Vin
Vout
+−==
1
1250−=
Vin
Vout
(2) Rs,RLが存在する場合
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
1個のトランジスタからなる基本増幅段
MOSトランジスタトランジスタトランジスタトランジスタ
ソース接地
ゲート接地
ドレイン接地(ソースフォロワ)
回路仕様に適合したプロセスの選択が必要。一般的に下記特徴あり。
バイポーラ特徴項目 CMOS
デジタルとの混載
トランスコンダクタンスGm*
入力抵抗
飽和電圧
雑音
ドライバビリティ
遮断周波数 fT*
その他
容易
低い
∞
0
大きい(1/f雑音)
小さい
低い
ASIC向き
困難(IIL利用)
高い
低い
大きい
小さい
大きい
高い
低雑音、高ゲイン向き
アナログスイッチ、
SC回路向き
バイポーラトランジスタバイポーラトランジスタバイポーラトランジスタバイポーラトランジスタ
エミッタ接地
ベース接地
コレクタ接地(エミッタフォロワ)
• 基本増幅段の構成法
*:同一電流条件
MOS は特性の製造ばらつき大
MOS のモデリングは複雑
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
トランスコンダクタンス gm(バイポーラトランジスタ)
Ic = Is・(1+Vce/VA)・exp(Vbe/VT)
gm =
= (1/ VT) Is・(1+Vce/VA)・exp(Vbe/VT)
= Ic / VT
δIcδVbe
gm =IcVT
Ic
+Vbe -
+Vce-
VT = qT/k (熱電圧, 温度300K で26mV)VA: Early 電圧
q: 電子の電荷、T: 絶対温度
k: Boltzmann 定数
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
トランスコンダクタンス gm(MOSトランジスタ 飽和領域)
Id = β・ (W / L) (Vgs – Vth)
gm =
= 2 β (W/L) (Vgs – Vth)
= 2 β (W/L) Id
δIdδVgs
2
n
n
n
D
G
S
W
L
Id
+Vgs -
+Vds-
D
G
S
gm は W / L , Idβn,
に比例
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
トランスコンダクタンス gm(MOSトランジスタ 飽和領域 (2))
Id = β・ (W / L) (Vgs – Vth)
gm =
= 2 β (W/L) (Vgs – Vth)
= 2 Id / (Vgs – Vth)
= 2 Id / Vov
δIdδVgs
2
n
n
D
G
S
W
L
Id
+Vgs -
+Vds-
D
G
S
Vov = Vgd – Vth
オーバードライブ電圧
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
MOSトランジスタ の線形領域
トランスコンダクタンス gm
gm =
= 2 β (W/L) Vds
δIdδVgs
線形領域では飽和領域に比べ
gm が小さい。
Id = 2β・ (W / L) x[(Vgs – Vth) Vds – (1/2) Vds ]
2n
nD
G
S
W
L
Id
+Vgs -
+Vds-
D
G
S
線形領域 Vds < Vgs - Vth
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
トランジスタの出力抵抗
MOS, Bipolar ともバイアス電流に反比例
rds = VA / Ids
-Va Vds
Ids
Ids1
Ids2
傾きの逆数が出力抵抗
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
1.基礎
2.ソース接地回路
3.ソースフォロア
4.ゲート接地回路
5.エミッタ接地回路
6.エミッタフォロア
7.ベース接地回路
8.付録
8.1 ゲート接地回路の等価モデル
8.2 ベース接地回路の等価モデル
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
ソースソースソースソース接地増幅回路接地増幅回路接地増幅回路接地増幅回路 概要概要概要概要
Vdd
Vout
Rd
Vin
M1
(a) ソース接地アンプ
~~~~
VGS ID
直流成分(バイアス)
=Vdd-Id・Rd
変化分
= gm・Rd・VinVout
時間Vdd
Vov
Vomax
Vomin
(b) 出力波形
( )2
2tiD
oxnDD
DdDDo
VVRL
WCV
RIVV
−−=
−=
µ
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路ソースソースソースソース((((またはまたはまたはまたはエミッタエミッタエミッタエミッタ))))接地増幅回路接地増幅回路接地増幅回路接地増幅回路概要概要概要概要 最も基本的な増幅回路で、電圧を増幅する場合に使う。MOSトランジスタの場合はソース接地、バイポーラの場合はエミッタ接地である。後者はベース電流を無視すればソース接地と同等に解析できる。直流動作直流動作直流動作直流動作レベルレベルレベルレベルおよびおよびおよびおよびゲインゲインゲインゲイン 上図(a)に回路構成を示す。また、出力を上図(b)に示す。・入力には直流電圧VGSと増幅したい信号電圧Vinを印加する。・VGSの大きさによって出力ドレイン電流Id(直流バイアス電流)が決まる。これによって、出力の直流バイアスがきまる。・ゲインをできるだけ大きくしたい場合、VGSはVoutがVomax(=Vdd)とVomin(=Vov=Vgs-Vth:オーバードライブ電圧、トランジスタが飽和領域で動作できる最小Vds)の丁度真中になるIdになるように設定すると良い。・ゲインはトランジスタのgmと負荷抵抗でほぼ決まり、次式で表現できる。なお、符号が-になるのは、極性が反転するためである。
dddddcout IRVV −=,
dm
in
outv Rg
V
VA ⋅−==ゲイン
〔〔〔〔計算例計算例計算例計算例〕〕〕〕 入力信号振幅 = 100mVpp, Vdd=3V, Id=1mA, gm =
10mS(@W/L=100um/0.5um) の場合に、(1) ゲインAv=10倍の回路を設計しなさい。また、その時の直流出力レベルを求めよ(2) 上記(1)でもとめたRdのまま、ゲインを20倍にするにはどうすればよいか。(ただし、Id=1mAのまま)。(1) ゲイン=gm・Rd より、 Rd=10/10m =1kΩ 出力直流レベルVodc=Vdd-Id・Rd より、Vodc=2V(2) ゲインを20倍にするには、gmを2倍にすればよい。電流条件が同じ場合、gmはW/Lの√に比例する。したがってW/Lを4倍(=
400um/0.5um)にすればよい。ただし、このとき出力信号振幅は2Vppになり、Vomax=Vddとなり、上限ギリギリになる。2Vpp Vodc=2V
Vdd=3V
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
ソースソースソースソース接地増幅回路接地増幅回路接地増幅回路接地増幅回路のののの動作点動作点動作点動作点
VthVin1 Vgs
Vout
Vdd
(a) 入出力特性
Vindc
Vodc
Vov
(b) MOSトランジスタの
Id-Vds 特性上の動作点の動き
Id
VDSVGS1VGS2VGS3
ΔVin
ΔVout
ddddout IRVV −=
Vdd
Vdd/Rd
Rd:大
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
同図から、ゲイン(=Δvout/Δvin)をあげるには、抵抗を大きく、すなわち直線の勾配をゆるやかにする方法が有効だがあまり大きくしすぎるとIdを極めて小さくする必要がある。抵抗負荷抵抗負荷抵抗負荷抵抗負荷ののののソースソースソースソース接地接地接地接地アンプアンプアンプアンプ回路構成回路構成回路構成回路構成、、、、直流入出力特性直流入出力特性直流入出力特性直流入出力特性、、、、動作点動作点動作点動作点のののの動動動動きききき 前述の回路構成の入出力特性を上図(a)に示す。(a) VGS = 0の時、M1には電流が流れないので、Vo=Vdd (b) VGS > VthでM1に電流が流れ始め、負荷抵抗における電位降下でVoは低下し始める。 この勾配ΔVo / ΔVGSがゲインである。(c) VGSがさらに上昇して、VoがM1のVov(オーバドライブ電圧=Vgs – Vth) より低下すると、飽和する。 通常、出力振幅が大きくなるように、VodcがVddとVovの中間にくるようにするために、Viの直流バイアスレベルをVindcに設定する。(動作点の動き) この増幅動作イメージをMOSトランジスタの静特性である Id – Vds特性を使って説明する。 抵抗による負荷線は、であるので、上図(b)のように書ける。すなわち、Id=0ではVddであり、Vo=Vds=0では、Id=Vdd/Rdである。負荷線はその2点を結ぶ直線で表現でき、直流動作点はその上を移動する。 今、入力ViがVgs2を中心にΔVin変化したとすると、それに対応してVds、すなわちVoは、ΔVout変化する。
ddddout IRVV −=
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
ソース接地増幅回路のゲイン解析手法
gmVGSG
S
D
VinRd
Vout
下の小信号モデルを使っても
同じ結果を導出できる
Vdd
Vout
dmTHinoxd
in
outv
THinoxdddddddout
ininTH
RgVVL
WCR
V
VA
VVL
WCRVIRVV
VVVat
−=−−=∂
∂=
−−=−=
<<
)(
)(2
1 2
1
µ
µ
G
D
S
Rd
VinM1
大信号動作解析
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路ゲインゲインゲインゲイン解析手法解析手法解析手法解析手法 ゲイン解析の代表的な方法は次の2つである。・大信号動作解析:直流特性をもとに解析する方法・小信号解析:交流成分(信号の変動分)だけを取り出した小信号等価モデルを利用して解析する方法 通常、後者の方が簡単であるので、以降の解析にはこの小信号解析法を使用する。大信号動作解析大信号動作解析大信号動作解析大信号動作解析によるによるによるによるゲインゲインゲインゲイン解析解析解析解析 上図から、ゲインは次式のように算出できる。dmTHinoxd
in
outv
THinoxdddddddout
ininTH
RgVVL
WCR
V
VA
VVL
WCRVIRVV
VVVat
−=−−=∂
∂=
−−=−=
<<
)(
)(2
1 2
1
µ
µ
したがって、ゲインは
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
小信号小信号小信号小信号モデルモデルモデルモデルによるによるによるによる特性解析特性解析特性解析特性解析
gmvgs
G
S
D
vin Rd
vout
ro(b) 出力抵抗roの影響を
考慮した場合の等価回路
gmvgs
G
S
D
vinRd
vout
(a) 小信号等価モデル
トランスコンダクタンスGm
m
voi
om g
v
iG ==
=0
入力抵抗Ri
∞→=i
ii
i
vR
出力抵抗Ro
o
vio
oo rDR
i
vR ==
=0
電圧ゲインAv
)(0
dom
ioi
o
v Rrgv
vA −==
=
I iIo
I i Io
omv rgARD
−=→∞
lim無負荷の場合、
dmvo RgAar −=の場合、 を無視 )(
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路小信号動作解析小信号動作解析小信号動作解析小信号動作解析によるによるによるによるゲインゲインゲインゲイン解析解析解析解析理想理想理想理想アンプアンプアンプアンプのののの場合場合場合場合 小信号動作モデルを構成する場合、電源やバイアス電位等、電位の動かないノードはGNDとして扱う。したがって、抵抗Rdは上図(a)のように、Vdd側は接地される。ゲインは次式のようにキルヒホフの電流則を使ってノード方程式をたて、算出できる。dm
in
outv
ings
doutgsm
Rgv
vA
vv
RVvg
D
−==
=
−=
であるので、一方、
を適用すると、にキルヒホフの電流則ノード
/)0(
出力抵抗出力抵抗出力抵抗出力抵抗 roのののの影響影響影響影響をををを考慮考慮考慮考慮したしたしたした場合場合場合場合 上図(b)に小信号等価モデルをしめした。出力抵抗 roがRdと並列にはいるため、ゲインはとなり、理想の場合に比べ、ゲインは少し低下する。)//( odmv rRgA −=無負荷無負荷無負荷無負荷のののの場合場合場合場合 ゲインはである。 omv rgA −=
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
電圧電圧電圧電圧ゲインゲインゲインゲインののののバイアスバイアスバイアスバイアス電流依存特性電流依存特性電流依存特性電流依存特性
ID (A )
31 0
81 0 − 71 0 − 61 0 − 51 0 − 41 0 − 31 0 −
11 0
21 0
最 大 M O S F E T
電 圧 ゲ イ ン
二乗則領域
サブスレッショルド領域
MOSではバイアス電流が小さいほど Intrinsic Gain が大。
Bipolar では Intrinsic Gain はバイアス電流に依存しない。
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
d
oxA
d
Adoxomv
IL
WCV
I
VI
L
WCrgA
⋅−=
⋅−=−=
µ
µ
2
2
最大電圧最大電圧最大電圧最大電圧ゲインゲインゲインゲイン*ののののバイアスバイアスバイアスバイアス電流依存性電流依存性電流依存性電流依存性 (*:理想電流源負荷の場合に相当) 二乗則領域の最大電圧ゲインは、ゲインは 1/√Id に比例。二乗則領域では
最大電圧ゲインは 1/√Id に比例 サブスレッショルド領域では、gmは Id に比例するため、Avは電流に依存しない。二乗則領域二乗則領域二乗則領域二乗則領域でのでのでのでの最大電圧最大電圧最大電圧最大電圧ゲインゲインゲインゲイン 二乗則領域の最大電圧ゲインは、( ) ov
A
t
A
A
D
moD
D
momv
R
V
V
VV
V
VI
grI
I
grga
GS
D
2
2/
lim
−=−
−=
−=−=−=∞→
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
例例例例 題題題題
とする。のバイアス値は求める。として、電圧ゲインを VVi
XdLdVVtmL
mWVACoxn
kKRDVVDD
1
0,0,0,8.0,1
50,2/100,
,5,5
=====
===Ω==
λµ
µµµ
ii
+
-
io
Vin
RDVo
+
-
Vigm
ro
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
( ) ( ) AVtVL
WkI GSD µ1008.01
1
5010
2
100
2
262,
=−××=−= −
( )( ) VKmAVo DDDDDS RIVVV 5.451.05 =−=−== Ω
VGSVDS VtVV 2.05.4 =−= >
( ) ( )V
AVtV
L
Wkg GSm
µ10008.01
1
5010100 6, =−××=−= −
( )( ) 550.1 / −=−=−= ΩKVmADmv Rga
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ソース抵抗(デジェネレーション抵抗)
を有するソース接地増幅回路
(ソース帰還ソース接地増幅器)
Vdd
Rd
Vout
VinM1
Rs
gmVGSVin
Rd
Vout
roRs
Vx
Vx
インピーダンスが
1/gmに見える
(a) デジェネレーション抵抗付
ソース接地回路
(b) 等価回路
gmbVBS
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路ソースソースソースソース抵抗抵抗抵抗抵抗((((デジェネレーションデジェネレーションデジェネレーションデジェネレーション抵抗抵抗抵抗抵抗))))をををを有有有有するするするするソースソースソースソース接地接地接地接地アンプアンプアンプアンプ 上図(a)に示す回路は、トランスコンダクタンスが低下するが、出力抵抗が増大する。また、低歪回路として利用される。ゲインゲインゲインゲイン解析解析解析解析 上図(b)の小信号等価モデルを使って、キルヒホフの電流則を適用すると、ゲインは以下にように解析できる。
s
dv
ms
s
m
d
o
sdsm
dmv
o
d
s
o
oinm
m
osx
d
o
s
x
o
xoxinm
R
RA
gR
Rg
R
r
RRRg
RgA
VR
R
r
VVg
grRV
R
V
R
V
r
VVVVg
−≈
>>
+
−≈+
++
−=∴
−=+=
−==−
+−
ならば/1
11
))(1
////(
)( [ ]
する。に増大したことを意味
倍 この式は出力抵抗が、 sm
osmosmbmout
Rg
rRgrRggR
+
+≈++≈
1
)1()(1
出力抵抗解析出力抵抗解析出力抵抗解析出力抵抗解析 本回路の別の特徴は、出力抵抗が大きくできるという点である。 負荷抵抗Rdを除いた出力抵抗は、以下の通りである。
上式より、ゲインは、主として Rd と Rsの比で決まるため、歪を低減できる。
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1.基礎
2.ソース接地回路
3.ソースフォロア
4.ゲート接地回路
5.エミッタ接地回路
6.エミッタフォロア
7.ベース接地回路
8.付録
8.1 ゲート接地回路の等価モデル
8.2 ベース接地回路の等価モデル
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
バッファ回路
ボルテージ・フォロワ回路
オペアンプを使用するので、
回路量、消費電力が大きくなる。
エミッタ・フォロワ回路(バイポーラ)
ソース・フォロワ回路(MOS)
回路が簡単であるが、高精度は得られない。
Vin +VoutA
Vin = Vout
Pin < Pout
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
バッファ回路
Vout1 と Vout2 は等しくない。
Vin R1
GND
R2
R3
GND
R4
+Vin R1
GND
R2
R3
GND
R4
Vout1
Vout2
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
A級出力段
エミッタ・フォロワ、ソースフォロワ回路
Vout
Vin
Vee
Vcc
Vout
Vin
Vss
Vdd
バッファとして使用される。
Emitter Follower
(コレクタ接地回路)
Source Follower
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
エミッタ・フォロワ回路の動作(1)
(出力電圧=入力電圧、入力電流小)
Vout
Vin
Vee
Vcc
Ib
Ie
+-Vbe(on)
Vout = Vin – Vbe(on) Vbe(on) = 0.7 V
Ib /Ie = 1/(β-1)
β= 100
Ib = 0
Vin
Vout
Vbe(on)
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エミッタ・フォロワ回路の動作(2)
(出力電流大)
Vout
Vin
Vee
Vcc
Ib
Ie
電荷供給
C
Vout
Vin
Vee
Vcc
Ib
Ie
電荷引き抜き
C
Slew Rate
スルーレート
dV/dt = I/C
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
エミッタ・フォロワ回路の電流源
Vout
Vin
Vee
Vcc
Ie
Vin Vout
Vee
Vcc
RVb
Vout
Vin
Vee
Vcc
R
Ie = (Vb – 0.7)/R
Ie はVin によらず一定
Ie =(Vin – 0.7 – Vee)/R
Ie はVin に依存する
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
パワーアンプの効率
Vout
Vin
Vee
Vcc
Emitter Follower(A級出力段)
R
L
Ibias
効率 =
Pin : 電源 Vcc, Vee から供給される電力
Pout : 負荷RLに供給される電力
エミッタ・フォロワの最大効率は
25%と低い。
常にバイアス電流Ibiasが流れているため。
Pout
Pin
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
ドレインドレインドレインドレイン接地回路構成接地回路構成接地回路構成接地回路構成((((ソースフォロワソースフォロワソースフォロワソースフォロワ))))
(a) ドレイン接地回路構成
入力信号は、ゲート
出力信号は、ソース
Vdd
Vout
(≒vi)
viM1
RL(負荷抵抗)
Vin,dc
+
-
-
-
+
+
gm・vgs=-gmb・vs
gmb・vbs
ro
io
RL vo=VVVVs
vi
vgs
(b) 小信号等価回路
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
MOSソースフォロアのゲインは
1よりかなり低い⇒利用されない。
(レベルシフト的に利用)
ソースフォロアソースフォロアソースフォロアソースフォロア((((ドレインドレインドレインドレイン接地接地接地接地アンプアンプアンプアンプ)))) 上図(a)(b)に示すドレイン接地回路は、一般にはソースフォロアと呼ばれ、電圧ゲインは1以下だが電力アンプとして使用される。ソースフォロアソースフォロアソースフォロアソースフォロア(抵抗負荷抵抗負荷抵抗負荷抵抗負荷))))(1) ゲイン解析 上図(b)の小信号等価モデルを適用すると、ゲインは以下のように解析できる。ソースフォロアソースフォロアソースフォロアソースフォロア((((定電流源負荷定電流源負荷定電流源負荷定電流源負荷))))(1) ゲイン解析 ゲインは左記の式で RL=∞とおくことにより、以下にように解析できる。
( )L
oombm
om
oL
mbm
m
i
o
o
o
L
oombgsm
ogsi
R
rrgg
rg
rRgg
g
v
v
r
v
R
vvgvg
vvv
io
+++
=
+++
=∴
=−−−
+=
=
1
11
0
0
( )
χ+=
+
=+
=
∞→
++
∞→∞→
=∞→
=
1
1
1
1lim
1lim 0
m
mbmbm
m
rR
o
ombm
omio
vi
vo
R
g
ggg
g
vi
vo
r
rgg
rg
o
L
L
ならばさらに、
VthVin
Vout
1.0
1/(1+χ)
mmb gg /=χ
Vdd
Vout
Vin M1
M2Vb低電流源
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
+
-
-
-
+
+
gm・vgs -gmb・vs
gmb・vbs= ro
io
RL vo=VVVVs
vi
vgs
で駆動して計算とし出力を電圧源vovi 0=
は次式となる。であり oogs Rvv −=
m
Lo
mbmo
o
g
Rrgg
i
vRo
1
11
1≈
+++
==
ソースフォロワソースフォロワソースフォロワソースフォロワのののの出力抵抗出力抵抗出力抵抗出力抵抗
出力インピーダンスが
1/gmに見える
Vdd
Vout(≒Vin)
VinM1
RL(負荷抵抗)
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
1.基礎
2.ソース接地回路
3.ソースフォロア
4.ゲート接地回路
5.エミッタ接地回路
6.エミッタフォロア
7.ベース接地回路
8.付録
8.1 ゲート接地回路の等価モデル
8.2 ベース接地回路の等価モデル
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
ゲート接地回路構成
VDD
RD
+ +
--
Vi Vo
入力信号は、ソース
出力信号は、ドレイン
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
ro
S D
gmVgs
gmbVbs
(a) 低周波ハイブリッドπ型モデル
ハイブリッドπ型モデルから
T型モデルへの変換(付録参照)
ゲートゲートゲートゲート接地回路接地回路接地回路接地回路のののの小信号小信号小信号小信号モデルモデルモデルモデル
(b) 低周波T型モデル
+
-
DS
ro
(gm+gmb)Vsg
G
Vsg
gmbgm +
1
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
ゲート接地増幅回路
Vdd
Rd
Vout
Vin
M1
+
ー
VbVdd
Rd
Vout
Vin
M1
+
ー
VbI1C1
(a) ゲート接地増幅回路 (b) ゲート接地増幅回路の信号入力
+++
-- -
Vi RD
Vogmbgm +
1
(gm+gmb)Vsg
Vsg
(c) 小信号等価回路(roを無視した場合)
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路ゲートゲートゲートゲート接地接地接地接地アンプアンプアンプアンプ 上図(a)にゲート接地アンプの回路構成を示す。信号はソースに入力される。通常、直流動作電流の安定化のため、同図(b)のように定電流源でバイアス電流を流しておき、ソースに交流信号を印加するのが一般的である。 本回路は入力インピーダンスが低いため高周波増幅向きである。図(c)にroを無視した場合の等価回路を示す。(1) トランスコンダクタンス Gmは次式のようになる。(2) 入力抵抗 入力抵抗は次式のように、ソースフォロアの出力抵抗と同じで、かなり小さい。 1/gm を50Ωにすることにより、同軸ケーブルとの整合がとれ、効率よく増幅できる。(3) 出力抵抗
mmbm
inggg
R11
≈+
=
mbmm ggG +=
Do RR =
( ) Dmbmom RggRGva +==
1== imRGia
(4) 開放回路電圧ゲイン(5) 短絡回路電流ゲイン
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
roが有限な場合の特性
• roは増幅器の入力から出力につながっているので
roを介したフィードバックが生じる
• roが有限な場合でもro≫1/Gmであれば影響を無視できる。
++
-
V1
Rs
Ri
Ri(ideal)
Gmv1
+
-
Vs
ii
ro
Vo
-
RLR
Ro
io
入力信号源
モデル
増幅器モデル 負荷モデル
roを考慮した小信号等価回路
* R = Rd
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路 r r r roをををを考慮考慮考慮考慮したしたしたしたゲートゲートゲートゲート接地接地接地接地アンプアンプアンプアンプ 上図にroを考慮したゲート接地アンプの等価回路を示す。ここで、R = Rdである。(1) 入力抵抗 キルヒホフの電流則を使うと
( ))(
)(
)(
1
11
1
111
ideali
Lo
L
Lo
t
t
oL
o
oidealit
t
tmo
to
L
o
o
ot
ideali
t
ti
R
RRrRRGm
RRr
i
vRi
rRR
rGm
rRv
i
vGr
vv
RR
v
r
vv
R
vii
++−
+==∴
+
+−+=∴
⋅=+
+=≡
−
−
( )( )
( )( )
( ) ombm
LD
mbm
i
ombm
ombm
LDo
i
D
mbm
ideali
mbmm
rgg
RR
ggR
rgg
rgg
RRr
t
tR
RR
ggR
ggG
iv
++
+
+
++
+==
=
+=
+=
∴
1
1
1
1
≒
のとき≫
ンプではここで、ゲート接地ア
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路(2) 出力抵抗 出力抵抗は、次のステップで計算する。1の結果と並列接続とSTEP2: の場合を計算STEP1: である。のときの
stepR
R
o
oRos
ivv
∞→
== 0
−+
++
=
=
m
ideali
oideali
o
t
t
GRRs
rRRsr
Rv
iRRo
)(
)(
11
111
したがって、
キルヒホフの電流則から
m
ideali
oideali
o
t
t
oideali
o
m
oo
o
t
ideali
o
tmto
GRRs
rRRsr
i
v
rRRs
rG
rrt
t
r
vv
R
v
Rs
v
r
vvvG
vi
ii
−+
++
=∴
++
+−=∴
=++
+−=
−
−≡
)(
)(
)(
)(
11
111
111
1
11
0111
1
1
( )( )
( )( )[ ]( ) ( )
( )( )sombm
Rsgmbgmrogmbgm
ombmo
mbm
ideali
mbmm
RrggRRo
rggRsrRRo
ggR
ggG
+≅
+++=
+=
+=
++ のときは≫で≫ 11
1
1
ゲート接地アンプでは
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
1.基礎
2.ソース接地回路
3.ソースフォロア
4.ゲート接地回路
5.エミッタ接地回路
6.エミッタフォロア
7.ベース接地回路
8.付録
8.1 ゲート接地回路の等価モデル
8.2 ベース接地回路の等価モデル
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
エミッタ接地回路
-
+
-
ic
Rc
Vcc
Vin
Voutib
+
抵抗性負荷エミッタ接地増幅器
T
insc
V
VII exp=
大信号等価回路
-
Vbe
+
-
+
-
Rc
Vcc
Vin
Voutib
+
Ic
順方向活性領域順方向活性領域順方向活性領域順方向活性領域ではではではでは
T
i
F
s
F
cb
V
VIII exp
ββ
==
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
Vcc Vo,VVCE(sat) V i,V0.5 1 1.5Vcc
V i,V0.5 1 1.5Ib,A
エミッタ接地回路のViに対する
出力電圧とベース電流特性
VT
ViRcIsVccIcRcVccVo exp−=−=
)(satcEo VV =
c
satcccc
R
VVI
E )(−=
Vi:大の場合、TRS:飽和領域で動作
エミッタ接地回路の電圧ー電流特性
順方向活性領域
飽和領域
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
+++
-- -
Vi V1
ii
Rcro
gmv1
io
rπ
小信号等価回路
を無視πより≪ rbrrb
エミッタエミッタエミッタエミッタ接地回路接地回路接地回路接地回路のののの特性特性特性特性
Gunma University
アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路エミッタエミッタエミッタエミッタ接地接地接地接地アンプアンプアンプアンプのののの特性特性特性特性 上図にエミッタ接地アンプの等価回路を示す。(1) 入力抵抗mi
ii
gr
i
vR
0βπ===
mvo
i
om g
v
iG == = 0
(2) トランスコンダクタンス ( )comio
i
ov Rrg
v
va −== = 0
ocvi
o
oo rR
i
vR == = 0
(4) 電圧ゲイン(3) 出力抵抗
Rcが十分大きいとき、avは、η
1lim −=−=−=−=
∞→ T
A
c
A
T
comv
Rc V
V
I
V
V
Irga短絡回路電流ゲインai は、
om
i
i
im
ri
oi rg
R
v
vG
i
ia
o
βπ =====0
Intrinsic Gain = - VA/ VT
バイアス電流に依存しない
npn, pnp に依存しない
Si BJT, SiGe HBT, GaAs HBT でも同じ
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
-
+
-
Ic=100μA
Rc=5kΩ
Vcc
Vin
Voutib
+
(a)増幅回路例
(a)図のエミッタ接地増幅器の入力抵
抗,出力抵抗,電圧ゲインおよび電流
ゲインを求めよう。
Ic=100μμμμA,ββββo=100,rb=0,ro=∞とする。
( )
100
2.19526
100
5
26100
)26(100
==
−≅Ω
−≅−=
Ω==
Ω=≅==
oi
cmv
m
oi
a
kmV
uARga
kRcRo
kuA
mV
grR
β
βπ
例例例例 題題題題
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
RL=10kΩ
-
Vs
+
Rc=5kΩ
Vcc
Rs=20kΩ
VBIAS
Vout
+
+ +
--
-
Vs
V1
R
L=10kΩ
Gmv1
r
π=26kΩ
Rc=5kΩ
Rs=20kΩ
左図回路の電圧ゲインを計算する。VBIASは直流コレク
タ電流が100μAとなるように調整するものとする。
( ) ( )
( )( )25.7
510
510
2026
26
260
1
1
1
−≅
Ω+Ω
ΩΩ
Ω+Ω
Ω
Ω−=
+−=−=
+=
kk
kk
kk
k
RRRR
RGRRG
RR
R
s
o
so
is
imomo
is
is
vv
vvv
vv
LL
例例例例 題題題題
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
エミッタ帰還エミッタ接地増幅器(1)
-
+
-
RcVcc
Vin Vout+
RE(a)エミッタ帰還エミッタ接地増幅器
+++
-- -
V1
ibRc
ro
gmv1=βoib
io
rπ
+
-
Ve
RE
VoutVin
(b)エミッタ帰還CE増幅器の小信号等価回路
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路エミッタエミッタエミッタエミッタ抵抗抵抗抵抗抵抗((((デジェネレーションデジェネレーションデジェネレーションデジェネレーション抵抗抵抗抵抗抵抗))))をををを有有有有するするするするエミッタエミッタエミッタエミッタ接地接地接地接地アンプアンプアンプアンプ 上図(a)に示す回路は、MOSの場合と同様、トランスコンダクタンスが低下するが、入出力抵抗が増大する。また、低歪回路として利用される。入力抵抗入力抵抗入力抵抗入力抵抗 上図(b)の小信号等価モデルを使って、キルヒホフの電流則を適用すると、入力抵抗は以下にように解析できる。トランスコンダクタンストランスコンダクタンストランスコンダクタンストランスコンダクタンス
( )
( )
( )
( ) Eoi
Eco
o
co
Eo
b
ii
Ec
o
Ec
c
oo
be
eib
bo
o
coeo
bo
o
coe
E
e
RrR
REroRcro
RRr
Rr
Rri
vR
RR
r
RR
R
r
iv
r
vvi
ir
Rivi
ir
Riv
R
v
1
,,
11
11
11
1
++≅
++
++
++==
++
++=∴
−=
=+
+
+=+
+
β
ββ
β
β
β
π
π
π
入力抵抗はならば≫ ≫
( )
REgm
REgm
gmGm
gmro
REroo
gmrooREgm
oro
RE
gmvi
ioGm
r
o
REro
r
o
vive
+
=⋅+
≅
++⋅+
−
==∴
+++
+
⋅=
1
1
1
1
1
1111
1
111
1
なので≫および
≫、≫実際多くの場合 β
β
β
π
βπ
β
とするで、では出力を短絡するの 0== Rcvi
ioGm
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
+
+
-
-V1 rogmv1rπ
REVt
i1it
出力抵抗解析用回路
エミッタエミッタエミッタエミッタ帰還帰還帰還帰還エミッタエミッタエミッタエミッタ接地増幅器接地増幅器接地増幅器接地増幅器((((2222))))
Rcを無視したときのエミッタ帰還CE増幅器の
小信号2ポート等価回路
+
V1
-
Ri
V1Gm
Ro
( )EmRgrRi +≅ 1π
( )Emo RgrRo +≅ 1
+≅
Em
m
Rg
gGm
1
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路出力抵抗出力抵抗出力抵抗出力抵抗( )
( )
( )
+≅>>
+≅<<
+
+=
+
+=+
+≅
+
++==∴
++=+−=
+=−=
−=
ooo
Emoo
o
Em
Emo
E
Emo
E
Emoo
EmoE
t
to
EmotEtot
Emmttmt
Et
rRogmRE
RgrRogmRE
Rg
Rgr
r
R
Rgr
RrRr
grR
RErgmroREr
RrgrRri
vR
RrgriRririvv
Rrgiivgii
Rriv
ββ
β
β
ππ
π
π
π
ππ
ππ
π
1
1
1
1
1
11
1
1
111
11
1
なら、
なら、
なので≪
でもβoが有限なら
出力抵抗は有限値
∞→ER
出力抵抗が
(1+gm・Re)倍になる
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
1.基礎
2.ソース接地回路
3.ソースフォロア
4.ゲート接地回路
5.エミッタ接地回路
6.エミッタフォロア
7.ベース接地回路
8.付録
8.1 ゲート接地回路の等価モデル
8.2 ベース接地回路の等価モデル
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
コレクタ接地回路(エミッタフォロワ)
-
+
-
io
RL
Vcc
Vs
Vout
ii
+
-VEE
バイアス
Rs
(a)コレクタ接地回路構成
入力信号は、ベース
出力信号は、エミッタ
-
V1
RL
Rs
Vi
rπ
ro
+
+
+
-
+
-
-
Vs
Vo
oiigmv β=1
Ri
ii
Ro
io
(b) 小信号等価回路
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路エミッタフォロアエミッタフォロアエミッタフォロアエミッタフォロア((((コレクタコレクタコレクタコレクタ接地接地接地接地アンプアンプアンプアンプ)))) 上図(a)(b)に示すコレクタ接地回路は、一般にはエミッタフォロアと呼ばれ、電圧ゲインは1以下だが電力アンプとして使用される。電圧電圧電圧電圧ゲインゲインゲインゲイン 上図(b)の小信号等価モデルを適用すると、ゲインは以下のように解析できる。キルヒホフの電流則より、( )( )
( ) ( )
RLgm
RL
gmRL
gmRL
vs
vo
RLrooRsr
vs
vo
rRsroRLo
roRLo
rRsvs
vo
ro
vo
RL
vo
rRs
vovso
rRs
vovs
+
=+
≅
≈
+
+
++
=∴
=−−
+
−+
+
−
11
,1,
1
//
//11
1
0
のとき、≫≫≫ なら、≫βπ
πβ
β
π
πβ
π
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
-
RLrπ ro+
+
- VoibβVtit ib
(a)エミッタフォロワの入力抵抗を計算するための回路
エミッタフォロワエミッタフォロワエミッタフォロワエミッタフォロワのののの入出力抵抗入出力抵抗入出力抵抗入出力抵抗
(b)エミッタフォロワの出力抵抗を計算するための回路
V1-
rπ r o+
+
-
1gm v
itRs
Vt
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路エミッタフォロアエミッタフォロアエミッタフォロアエミッタフォロア((((コレクタコレクタコレクタコレクタ接地接地接地接地アンプアンプアンプアンプ)))) 上図(a)(b)に入力抵抗および出力抵抗を計算するための等価回路を示す入力抵抗入力抵抗入力抵抗入力抵抗 キルヒホフの電流則より、ib=itと置くと
( )( )
)1
(
1
11
L
oLt
i
oL
toot
o
o
L
o
Rgm
o
rRori
vR
rR
iirivriv
totr
v
R
v
t
t
tt
ii
+⋅≈
++==∴
+
++=+=
+=+
β
β
β
β
π
ππ
ベース側からみた抵抗値が、エミッタと
小信号接地点間に接続された微分抵
抗値を(ββββo+1)倍したものにrππππを加えた値に等しい。
( )
( )1
1
1
11
1
1
++≅
++
+
+==∴
+++
+=
+−=
o
Rs
gmRo
o
Rs
gmroo
ro
Rsr
i
vRo
Rsr
rvg
r
v
Rsr
vi
Rsr
rvv
ot
tm
o
tt
t
t
t
β
ββ
β
π
π
π
π
π
π
のとき≫、≫
出力抵抗出力抵抗出力抵抗出力抵抗
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
1.基礎
2.ソース接地回路
3.ソースフォロア
4.ゲート接地回路
5.エミッタ接地回路
6.エミッタフォロア
7.ベース接地回路
8.付録
8.1 ゲート接地回路の等価モデル
8.2 ベース接地回路の等価モデル
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
ベース接地回路
RcRcRcRc
+
-
VinVinVinVin
VccVccVccVcc
VoutVoutVoutVout
+
-
典型的ベース接地増幅器
入力信号は、エミッタ
出力信号は、コレクタ
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
Cμ
Cπ
rb
rμ
rπ ro
gmv1
+
-
v1
ベース
エミッタ
コレクタ
(a) 低周波ハイブリッドπ型モデル
(b) 低周波T型モデル
ベースベースベースベース接地回路接地回路接地回路接地回路のののの小信号小信号小信号小信号モデルモデルモデルモデル
- +v1
gmv1
C
B
E
re
EC
B
ro, rμ および電荷蓄積素子を無視している。
ハイブリッドπ型モデルから
T型モデルへの変換(付録参照)
m
o
o
mm
e
gg
rg
rα
βπ
=
+
=
+
=1
1
1
1
1
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
+++
-- -
Vi
Ve
Rc
gmve
re Vo
ベース接地段の小信号等価回路
ro, rb ,rμ は無視できるものとした。
ベースベースベースベース接地回路接地回路接地回路接地回路のののの特性解析特性解析特性解析特性解析
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路ベースベースベースベース接地接地接地接地アンプアンプアンプアンプ上図にro、rb、ruを無視した場合の等価回路を示す。(1) トランスコンダクタンス Gmは次式のようになる。(2) 入力抵抗 入力抵抗は次式のように、エミッタフォロアの出力抵抗と同じで、かなり小さい。 1/gm を50Ωにすることにより、同軸ケーブルとの整合がとれ、効率よく増幅できる。(3) 出力抵抗
(4) 開放回路電圧ゲイン(5) 短絡回路電流ゲインmm gG =
erRi =
co RR =
cmomv RgRGa ==
0α=== emimi rgRGa
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
Rbの影響を考慮した
ベース接地小信号モデル
Vout
io
-
ii
+
+
-
①gmve
Rc
rbVb
-
++
-
Ve
Vin
re
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路 r r r rbをををを考慮考慮考慮考慮したしたしたしたベースベースベースベース接地接地接地接地アンプアンプアンプアンプ 上図にrbを考慮したベース接地アンプの等価回路を示す。(1) トランスコンダクタンス
π
πβ
r
r
gG
r
rr
g
v
v
vvv
r
v
r
vvg
v
vg
v
iG
b
mm
bb
o
m
e
i
bei
e
e
b
bem
in
emvo
i
om
+
=∴
+=+=∴
+=
=−+
==
=
1
11
0
0
、キルヒホフの法則より
+=
+=
===
ππ
α
r
r
gr
rr
v
vr
rv
v
i
vRi
b
m
obe
e
ie
e
e
i
i
i
11
(2) 入力抵抗
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
++
-
V1
Rs
Ri
Ri(ideal)
Gmv1
+
-
Vs
ii
ro
Vo
-
RLR
Ro
io
入力信号源
モデル
増幅器モデル 負荷モデル
rorororoのののの影響影響影響影響をををを考慮考慮考慮考慮したしたしたしたベースベースベースベース接地小信号接地小信号接地小信号接地小信号モデルモデルモデルモデル
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路 r r r roをををを考慮考慮考慮考慮したしたしたしたベースベースベースベース接地接地接地接地アンプアンプアンプアンプ 上図にroを考慮したベース接地アンプの等価回路を示す。ここで、R = Rdである。(1) 入力抵抗 キルヒホフの電流則を使うと
( ))(
)(
)(
1
11
1
111
ideali
Lo
L
Lo
t
t
oL
o
oidealit
t
tmo
to
L
o
o
ot
ideali
t
t
R
RRrRRGm
RRr
i
vRi
rRR
rGm
rRv
i
vGr
vv
RR
v
r
vv
R
vi
++−
+==∴
+
+−+=∴
⋅=+
+=
−
−
RcRg
rR
gmGm
m
oeideali
=
==
=α
)(
( )
( )( )
( )
( ) ( )e
om
L
eom
L
m
om
om
Lo
Lo
oLm
Lo
omLm
Lo
rrg
RRcor
rg
RRco
g
oRi
org
o
rg
RRcrRi
RRcro
roRRco
g
RRcr
o
rg
o
RRcg
RRcr
t
tRi
iv
≈+=+
+
+
+
+++
+=
++
+==∴
ααα
α
α
β
ββ
αβ
≒
のときは≫
≒
のときは≫
1
1
11
1
ベース接地アンプでは
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路(2) 出力抵抗 出力抵抗は、次のステップで計算する。1の結果と並列接続とSTEP2: の場合を計算STEP1: である。のときの
stepR
R
o
oRos
ivv
∞→
== 0
−+
++
=
=
GmidealRiRs
roidealRiRsro
Rit
vtRRo
)(
11
1
)(
11
したがって、
キルヒホフの電流則から
m
ideali
oideali
o
t
t
oideali
o
m
oo
o
t
ideali
o
tm
GRRs
rRRsr
i
v
rRRs
rG
rrt
t
r
vv
R
v
Rs
v
r
vvvGt
vi
i
−+
++
=∴
++
+−=∴
=++
+−=
−
−
)(
)(
)(
)(
11
111
111
1
11
0111
1
1
ベース接地アンプではmg
rR
gmGm
oeideali
α==
=
)(
+
++
=
π
α
r
Rs
rgRsr
RRoo
omo
1
1
≅⇒
++≅⇒
+=⇒∞→
=⇒
Rsrg
RRoogmRsogmro
rgRsrRRorRs
rrg
RRoRs
rRRoRs
o
om
o
omo
o
om
o
ααα
απ
απ
のとき ≫で≫
のとき ≪
入力が理想電流源
=入力が理想電圧源
1
1
0
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
エミッタ接地とベース接地の比較
入力抵抗
エミッタ接地 ベース接地
電流ゲイン
+
=
o
m
e
g
r
β
11
1
m
o
g
β ベース接地の方
が(βo+1)の割
合だけ小さい
oβo
oemrg
β
β
+=
1
ベース接地の方
が(βo+1)の割
合だけ小さい
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
1.基礎
2.ソース接地回路
3.ソースフォロア
4.ゲート接地回路
5.エミッタ接地回路
6.エミッタフォロア
7.ベース接地回路
8.付録
8.1 ゲート接地回路の等価モデル
8.2 ベース接地回路の等価モデル
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
ro
S D
gmVgs
gmbVbs
(a)低周波ハイブリッドπ型モデル
ハイブリッドπ型モデルから
T型モデルへの変換
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
DS
ro
(gm+gmb)Vsg
(b)2つの制御電流源をまとめる。
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
DS
ro
G
(gm+gmb)Vsg (gm+gmb)Vsg
(c) まとめた電流源を2つに変換する。
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
+
-
DS
ro
(gm+gmb)Vsg
G
Vsg
gmbgm +
1
(d)ソースとゲートの間の電流源を抵抗に変換する。
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
+++
-- -
Vi RD
Vogmbgm +
1
(gm+gmb)Vsg
Vsg
rorororo→∞→∞→∞→∞としたときのとしたときのとしたときのとしたときのゲートゲートゲートゲート接地増幅段接地増幅段接地増幅段接地増幅段のののの小信号等価回路小信号等価回路小信号等価回路小信号等価回路
•トランスコンダクタンスGm
•入力抵抗Ri
mbmm ggG +=
mbm ggRi
+=
1
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1.基礎
2.ソース接地回路
3.ソースフォロア
4.ゲート接地回路
5.エミッタ接地回路
6.エミッタフォロア
7.ベース接地回路
8.付録
8.1 ゲート接地回路の等価モデル
8.2 ベース接地回路の等価モデル
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アナログアナログアナログアナログ技術技術技術技術シリーズシリーズシリーズシリーズ アナログアナログアナログアナログ集積回路集積回路集積回路集積回路
Cμ
Cπ
rb
rμ
rπ ro
gmv1
+
-
v1
ベース
エミッタ
コレクタ
(a) 低周波ハイブリッドπ型モデル
ベースベースベースベース接地回路接地回路接地回路接地回路のののの小信号小信号小信号小信号モデルモデルモデルモデル
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-
+
rπ
gmv1
gmv1v1
rb
Cπ
Cμ
rμ
ro
ベースコレクタ
エミッタ
(b)コレクタ電流源gmを2つの直列電流源に変換し、
中間点をベースに接続する。
この変換はベース電流に依存しない。
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+
-
gmv1
Cπ
Cμ
エミッタ
コレクタ
ベース
rμ
re
ro
rb
v1
(c)ベースとエミッタ間の電流源を1/gm値の抵抗に変換する。
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EC
B
- +v1
gmv1
C
B
E
re
(d)低周波用T型モデル.
ro, rμ および電荷蓄積素子を無視している。
m
o
o
mm
e
gg
rg
rα
βπ
=
+
=
+
=1
1
1
1
1
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演習2ー1
以下のNMOSソース接地回路において、Id=1mA, ゲイン=20dBになるようにバイア
ス電圧VGSおよびRdを設計しなさい。
ただし、電源電圧=3.3V, W/L=100um/0.5um, k’(=μCox)=160uA/V^2, Vth=0.6V, チャ
ネル長変調効果は無視。
また、Rd, VGSをそのままにして、W/L=200um/0.5umにするとゲインはいくらになる
でしょう。
~
+
-
+
-
VDC
3.3V
Rd
VGS
Id
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演習2ー1解説 以下のNMOSソース接地回路において、Id=1mA, ゲイン=20dBになるようにバイアス電圧VGS
およびRdを設計しなさい。ただし、電源電圧=3.3V, W/L=100um/0.5um, k’(=μCox)=160uA/V^2,
Vth=0.6V, チャネル長変調効果は無視。
また、Rd, VGSをそのままにして、W/L=200um/0.5umにするとゲインはいくらになるでしょう。
~
+
-
+
-
VDC
3.3V
Rd
VGS
Id
Ω==
==−
=
=∴
=×
×=−
−=
kRRg
mSm
VV
Ig
VV
mVV
VVL
WkI
ddm
THGS
dm
GS
THGS
THGSd
25.110
825.0
22
85.0
16
1
200160
12)(
)('2
1
2
2
より、
より、
µ
dBRg
mSm
VV
Ig
mAI
L
W
dm
THGS
dm
d
262025.116
1625.0
42
2
4005.0
200
==×=∴
==−
=
=
==
倍
にすると、