ОКР «Парад»
DESCRIPTION
ФГУП «НИИЭТ». ОКР «Парад». Начальник лаборатории Грищенко Сергей Викторович. ОКР «Парад». - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
ОКР «Парад»
ФГУП «НИИЭТ»
Начальник лаборатории Грищенко Сергей Викторович
ОКР «Парад»
«Разработка базовой технологии сборки миниатюрных
многокристальных усилителей мощности на основе LDMOS
транзисторов, МОП и керамических конденсаторов и резисторов
с использованием новых конструкционных материалов »
Цель ОКР — разработка базовой технологии сборки миниатюрных многокристальных усилителей мощности на основе LDMOS транзисторов, МОП и керамических конденсаторов и резисторов с использованием новых
конструкционных материалов. Зарубежный аналог : миниатюрный усилитель мощности
MPAL2731M15 фирмы Integra Technology (США).
Основная сфера применения — усилители мощности в перспективных радиолокационных станциях S-диапазона с активными фазированными
антенными решётками.
Требования к электрическим характеристикам макетных образцов
Наименование параметра, единица измерения
Значение
1 Полоса рабочих частот, ГГц 2,7 – 3,1
2 Выходная мощность, Вт 10,0
3 Коэффициент усиления по мощности, дБ ≥10,0
4 Напряжение питания, В 36,0
Поперечное сечение LDMOS транзисторной структуры
Электрические параметры транзисторного кристалла
Наименование параметра Значение
Крутизна характеристики S, А/В (UСИ = 10 В, IС = 0,7 A), 0,4
Входная емкость С11И , пФ (UЗИ = 0, UСИ = 36 В, f = 1 МГц) 20
Выходная емкость С22И, пФ (UЗИ = 0, UСИ = 36 В, f = 1 МГц) 9
Проходная емкость С12И, пФ (UЗИ = 0, UСИ = 36 В, f = 1 МГц) 0,7
Пороговое напряжение UЗИ.пор, В (IC = 30 мА, UСИ = 10 В) 3
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии RСИ.отк , Ом 1,4
Максимально допустимый постоянный ток стока IC.max, А
(UЗИ = 12 В, UСИ = 10 В) 2,5
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора Pmax, Вт (Tк = 40 °С) 30
Максимально допустимое напряжение сток-исток UСИ.max, В
(UЗИ = 0, IC.ост = 0,5 мА) 65,0
Принципиальная схема усилителя мощности
Схема включения многокристального усилителя мощности
XW1 XW2
R1
L1C2 C3
+36В
Вход ВЧ Выход ВЧW1 W2
DA1
C1 C4
Cхема размещения компонентов в многокристальномусилителе мощности
Керамический конденсатор
МДП конденсатор
Транзисторный кристалл
Чип резистор
Индуктивность (проволочные выводы)
Требования к параметрам макетных образцов
№п/п
Наименование параметра Значение
1 Прочность микропаяных и микроклеевых соединений (на срез), МПа
≥ 6,0
2 Прочность микросварных соединений, (на отрыв), гс ≥ 4,0
3 Точность посадки компонентов, мкм ± 10
4 Герметичность изделия по нормализованному потоку гелия, л(мкм рт. ст)/с
5×10-4
5 Воспроизводимость резонансной частоты входной согласующей цепи усилителей мощности, %
± 1,0
6 Воспроизводимость резонансной частоты выходной согласующей цепи усилителей мощности, %
± 1,5
7 Разброс значений комплексного коэффициента передачи по модулю, дБ
1,0
8 Разброс значений комплексного коэффициента передачи по фазе, град
10,0
Зависимость выходной мощности и КПД от частоты многокристального усилителя мощности
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
2,6 2,7 2,8 2,9 3 3,1 3,2
F, ГГц
Рв
ых,
Вт
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
КП
Д,
%
Pвых
КПД
Миниатюрный многокристальный усилитель мощности
Миниатюрный многокристальный усилитель мощности в контактном устройстве для измерения энергетических параметров