Магнетосопротивление в массиве квантовых точек с...
DESCRIPTION
Магнетосопротивление в массиве квантовых точек с разной степенью локализации носителей заряда N.P . Stepina , E.S. Koptev , A.G. Pogosov , A.V. Dvurechenskii , A.I. Nikiforov. INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS, SIBERIAN BRANCH OF THE RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCE. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
-
N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.G. Pogosov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov
-
ooo : WL : VRH o
-
3-41011-2 10 -15 1-1.5 Ge Ge Si INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS, SIBERIAN BRANCH OF THE RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCE 2D
-
- .
-
???????????
-
81011 -2 ~3HTREM ~41011 -2 ~ 81011 -2 (200200 )
-
3.
- hopping regimediffusive regimeG>0.4G0G
- VRH b=B/Btr , Btr=h/2el2, - digamma ij21N -
- G>0.4e2/h - G
-
Negative magnetoresistance, VRH modelThe behavior of length parameter with x is opposite than VRH theory predictsr ~ (T0/T)1/2
-
, WL
-
, WL
xLf*lx*kFlasdrs,4K4713414.31351.436e-65.5e-55.8e-966214214.51411.451e-55.6e-52.8e-85918612.3851.233e-54.8e-55e-83390*50.510.8591.080.00454.2e-54e-622250*12.14.7241.040.794.06e-51.7e-51
-
L G(T) L MC
-
, ,
-
. . G ( ) , .
:
. , . . , , . , , .
-
[B.L. Altshuler, A.G. Aronov, and D.E. Khmelnitsky, J. Phys. C 15, 7367 (1982)]
-
*