Нижегородский государственный университет им. Н.И....

12
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Научно-исследовательский физико- Научно-исследовательский физико- технический институт ННГУ технический институт ННГУ Физический факультет ННГУ Физический факультет ННГУ

Upload: toviel

Post on 12-Jan-2016

46 views

Category:

Documents


0 download

DESCRIPTION

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ Физический факультет ННГУ. Разработка и производство полупроводниковых фотодиодов и лазеров. Режимы. Многомодовый , непрерывный. Максим. выходная мощность. 2 Вт. - PowerPoint PPT Presentation

TRANSCRIPT

Page 1: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Научно-исследовательский физико-Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУтехнический институт ННГУ

Физический факультет ННГУФизический факультет ННГУ

Page 2: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

2598.94 nm

0 nm

1299.47 nm

2598.94 nm0 nm 1299.47 nm

Параметры п/п лазеров

Режимы Многомодовый, непрерывный

Максим. выходная мощность

2 Вт

Пороговый ток

0,6 A

Апертура излучения

1001 мкм

Расхождение 10ox50O

Длина волны 9401000 нм

Ширина спектра

24 нм

Основные результаты:• Полупроводниковый лазер на длине

волны 0,96 - 0,98 мкм, излучающий через подложку

• Полупроводниковые лазеры с широкими туннельно связанными волноводами

• Двухполосные лазеры на квантовых ямах InGaAs/GaAs/InGaP

Руководитель проекта: к.ф.-м.н. Б.Н. Звонков

Структуры с квантовыми ямами InGaAs/GaAs/InGaP и лазерные диоды

Разработка и производство полупроводниковыхфотодиодов и лазеров

Page 3: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

1,2 1,3 1,4 1,5

0,1

0,2

0,3

FL

Inte

nsi

ty, a

rb.u

n.

, mkm

Лазерные диоды на квантовых точках InAs/GaAs

Лазерные диоды, излучающие в диапазоне 1,3-1,55 мкм

Разработка и производство полупроводниковыхфотодиодов и лазеров

Page 4: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

1,2 1,4 1,6

10-2

10-1

100

EL

in

ten

sit

y,

arb

.un

.

, m

12

3

n+-GaAs

GaAsInGaAsGaAs

n+-GaAs

GaAsInGaAsGaAs

n+-GaAs

GaAsInGaAsGaAs

Фото - диоды, сформированные на квантово-размерной гетероструктуре GaAs/InGaAs/InAs-QD/GaAs

Основные результаты: фото-диоды на диоде Шоттки, сформированном на квантово-размерной гетероструктуре GaAs/InGaAs/InAs-QD/GaAs, работающие при комнатной температуре; длина волны излучения может перестраиваться в некоторых пределах путем изменения толщины и состава покровного слоя GaAs/InGaAs

Спектры ЭЛ (300 К) диодов на различных гетероструктурах с квантовыми точками: 1 – со слоем изолированных квантовых точек; 2, 3 – с квантовыми точками, покрытыми покровным слоем InGaAs КЯ. Толщины слоя GaAs : 1, 2 - 30 нм; 3 - 10 нм.

Разработка и производство полупроводниковыхфотодиодов и лазеров

Page 5: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Двухчастотный лазер на основе гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs

с квантовыми ямами

Спектр двух полос генерации лазера

0.95 1.000

1

2

3 300 K

2

1

I,ar

b.u

n.

, mkm

Достоинство: возможность генерации разностной частоты лазера, соответствующей дальней ИК области длин волн (30-80 мкм)

Публикации:Труды конференции «Нанофотоника». 2003. Т.2. С.315-317.

Разработка и производство полупроводниковыхфотодиодов и лазеров

Page 6: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Пример спектра эмиссии на двух длинах волн, а также нелинейные сигналы на суммарных и разностных частотах при комнатной температуре

460 480 500920 960 10000

4

8

12sum-frequency mode

ffffffff

I, ar

b.u

n.

, nm

Схематическое изображение

LD1 LD2

heat sink

Оптическое перемешивание в структуре лазерных диодов GaAs/InGaAs/InGaP: новая схема для генерации суммарных и разностных

частот

Основные результаты: впервые продемонстрирована возможность непрерывной генерации суммарных и разностных частот в структуре состыкованных лазерных диодов GaAs/InGaAs/InGaP

Сотрудничество:• Институт физики микроструктур РАН, Н.Новгород• Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород• Physics Department and Institute for Quantum Studies, Texas A&M University, USA (grant CRDF)

Разработка и производство полупроводниковыхфотодиодов и лазеров

Page 7: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Основные применения лазерных диодов

Разработка и производство полупроводниковыхфотодиодов и лазеров

ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

• Оптические системы связи

• Накачка твёрдотельных лазеров

• Лазерная локация

• Экологический мониторинг

• Медицина

• Охранная сигнализация

• Защита и идентификация продукции и изделий

Page 8: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Применение в качестве защиты

• Защита и идентификация изделий предприятий, терпящих убытки за счет реализации на рынке аналогичной контрафактной продукции;

• Защита и идентификация материальных ценностей, находящихся в государственной и частной собственности;

• Защита документов и ценных бумаг от подделки;

• Защита произведений искусства;

Разработка и производство полупроводниковыхфотодиодов и лазеров

Page 9: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Высокоскоростная сверхпластичность объемных нанокристаллических алюминиевых сплавов

Основные результаты: получены рекордные характеристики высокоскоростной сверхпластичности: удлинение до разрушения составляет 880% при скорости деформации 1 с-1 (100 % в секунду) для нанокристаллического алюминиевого сплава Al-4.5%Mg-0.22%Sc-0.15%Zr.

0.1 мм/с

0.3 мм/с

3.0 мм/с

2250%

1430%

880%

Образцы после высокоскоростной сверхпластической деформации при T=450 0C

Руководитель проекта: профессор д.ф.-м.н. Чувильдеев В.Н.

Работы выполнены при поддержке Международного научно- технического центра – проект #1413 “Aluminum Composite Alloys with High-Strain-Rate Superplasticity Effect” в сотрудничестве с Ливерморской национальной лабораторией (США)

Разработка и создание нано- и микрокристаллических металлов и сплавов с улучшенными пластическими и прочностными

свойствами

Page 10: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Сверхпластичность нанокристаллических магниевых сплавов

Изделие из нанокристаллического магниевого сплава МА14. Скорость штамповки - 1 мм/с, температура штамповки - 240 oC

Основные результаты:1. Разработаны и получены новые сверхпластичные нанокристаллические

магниевые сплавы по технологии равноканального углового прессования.2. Получены рекордные сверхпластические характеристики при низких

температурах: удлинение до разрушения составляет 810 % and 570 % при температурах 250-300 C в нанокристаллических магниевых сплавах МА14 и AZ91, соответственно.

• Chuvil’deev V.N., Nieh T.G., Gryaznov M.Yu., Sysoev A.N., Kopylov V.I. Low-temperature superplasticity and internal friction in microcrystalline magnesium alloys processed by ECAP. Scripta Materialia, 2004, vol.50, No.6, pp.861-865.• Chuvil'deev V.N., Nieh T.G., Gryaznov M.Yu., Sysoev A.N., Kopylov V.I. Superplasticity and internal friction in microcrystalline AZ91 and ZK60 magnesium alloys processed by equal-channel angular pressing. Journal of Alloys and Compounds, 2004, Vol. 378, №1-2, pp 253-257.

Разработка и создание нано- и микрокристаллических металлов и сплавов с улучшенными пластическими и прочностными

свойствами

Page 11: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Нанокристаллические поршневые силумины

Основные результаты: 1. Разработаны и получены новые сверхпластичные нанокристаллические силумины по технологии равноканального углового прессования.2. Получены рекордные характеристики пластичности (без потери прочности) для нанокристаллического сплава Al–18%Si: удлинение до разрушения составляет порядка 200%, что в 4 раза выше, чем пластичность аналогичного литого сплава.

Ультрамелкозеренная структура нанокристаллического сплава Al–18%Si

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

220

0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600

Temperature of deformation, oС

Elo

nga

tion

to

fail

ure

, %

ECAP microcrystalline Al-18%Si alloy

Cast Al-18%Si

Пластические характеристики литого и нанокристаллического сплава Al–18%Si

Разработка и создание нано- и микрокристаллических металлов и сплавов с улучшенными пластическими и прочностными

свойствами

Page 12: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Применение

МАТЕРИАЛЫ ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ

ПОТЕНЦИАЛЬНЫЕ ЗАКАЗЧИКИ

Высокопрочные магниевые сплавы с эффектом сверхпластичности

Детали кузова автомобиля

Элементы двигателя

Корпуса электронных приборов: корпуса ноутбуков, сотовых телефонов и пр.

Предприятия авиакосмического комплекса

Предприятия автомобильной промышленности

Предприятия электронной промышленности

Высокопрочные алюминиевые сплавы с эффектом высокоскоростной сверхпластичности

Элементы фюзеляжа, обтекатели

Элементы корпуса и переборки

Предприятия авиакосмического комплекса

Судостроительные предприятия

Высокопрочные титановые сплавы

Крепеж Предприятия авиакосмического комплекса

Поршневые сплавы с уникальными механическими свойствами

Высокопрочные и высокоресурсные поршни двигателей внутреннего сгорания

Предприятия автомобильной промышленности

Моторостроительные предприятия

Разработка и создание нано- и микрокристаллических металлов и сплавов с улучшенными пластическими и прочностными

свойствами