项目一 项目一

直流稳压电源的制作直流稳压电源的制作

任务一 元器件检测及二极管 任务一 元器件检测及二极管的单向导电性观察的单向导电性观察

1、了解半导体的基本知识和 PN结的形成

2、理解 PN结及其单向导电特性、二极管、稳压管的特性

3、掌握二极管在实际中的应用，提高实践能力

常用的导体一般为银、铜、铝等物体；绝缘体为橡胶、塑料、胶木等；导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

用来制造半导体器件的材料主要是硅 (Si)、锗 (Ge)和砷化镓 (GaAs) 等。

自然界中的物质根据导电能力的不同分为导体、绝缘体和半导体。

(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。

半导体材料的特性： 1、光敏性：半导体的导电能力受光照影响。 ↑ ↑光照 导电能力 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等 )。 2、热敏性： 半导体的导电能力受温度影响。 T°↑ ↑导电能力 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻 )。 3、掺杂性：纯净的半导体掺入微量某种杂质导电性会大大增强。

一、 本征半导体本征半导体 — 纯净的、结构完整的半导体。如硅、

锗单晶体。

+4

+4

+4

+4

简化模型

+4

硅 (锗 )单晶体中的共价键结构

价电子

(共价键中的两个电子 )

—共价键 相邻原子共有价电子所形成的束缚。

共价键

晶体中原子的排列方式

+4

+4

+4

+4

本征半导体中的自由电子和空穴

自由电子

空穴

空穴 空穴可在共价键内移动

动画演示

本征激发：价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。

载流子：自由运动的带电粒子。半导体中的载流子有两种，自由电子和空穴。

复合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。

导电机理：

金属导电：自由电子

半导体导电：自由电子、空穴

两种载流子

自由电子

空穴

两种载流子的运动

自由电子 (在共价键以外 )的运动

空穴 (在共价键以内 )的运动

结论：1. 本征半导体中电子和空穴成对出现，且数量少；

2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；

3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。

温度对半导体器件性能影响很大。

二、杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质元素，掺杂后的半导体称为杂质半导体。

掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下 :

T=300 K室温下 ,本征硅的电子和空穴浓度 : n = p =1.4×1010/cm3

1

2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度 :

n=5×1016/cm3

（一） N 型半导体（电子型半导体）：掺入五价元素

N 型

+5

+4 +4+4

+4+4

磷原子 自由电子

自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。电子为多数载流子空穴为少数载流子

按掺入杂质的不同可分为 N型半导体和 P型半导体。

施主离子

受主离子

+3

+4 +4+4

+4+4

（二） P 型半导体（空穴型半导体）：掺入三价元素

P 型

空穴硼原子

注意 : 杂质半导体中载流子虽有多少之分，由于还有不能移动的杂质离子，因而整个半导体仍呈电中性 。

空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。

电子为少数载流子空穴为多数载流子

三、 PN 结（一） PN 结的形成1. 载流子的浓度差引起多子的扩散

2. 复合使交界面形成空间电荷区(耗尽层 )

空间电荷区特点 :无载流子， 阻止扩散进行，利于少子的漂移。3. 扩散和漂移达到动态平衡

扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。

内建电场

（二） PN 结的单向导电性1. 外加正向电压 (正向偏置 )

P 区 N 区

内电场+

U R

外电场

外电场使多子向 PN 结移动 ,中和部分离子使空间电

荷区变窄。

IF

限流电阻

扩散运动加强形成正向电流 IF 。IF = I 多子 I 少子 I 多子

2. 外加反向电压 (反向偏置 )

P 区 N 区

+U R

内电场外电场

外电场使少子背离 PN 结移动，空间电荷区变宽。IR

PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大 ; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。

漂移运动加强形成反向电流 IR

IR = I 少子 0

（三） PN 结的反向击穿问题 当 PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为 PN结的反向击穿。

——热击穿 不可逆

雪崩击穿 齐纳击穿

电击穿

——可逆

思考与练习：

1. N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 （ ）价元素。这种半导体内的多数载流子为（

），少数载流子为（ ）。2. P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的

（ ）价元素。这种半导体内的多数载流子为（ ），少数载流子为（ ）。

3. PN 结正向偏置时，内、外电场方向（ ）， PN 结反向偏置时，内、外电场方向（ ）。

五

三

自由电子空穴

自由电子空穴

相反一致

任务二 任务二 半导体二极管的特半导体二极管的特性及主要参数性及主要参数

一、 二极管的结构与符号

二、 二极管的伏安特性

三、 二极管的主要参数

四、 二极管电路的分析方法

一、 半导体二极管的结构构成：PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管

符号：VD分类：

按材料分硅二极管

锗二极管按结构分

点接触型面接触型

点接触型

正极引线

触丝

N 型锗片

外壳

负极引线

负极引线

面接触型

N型锗

PN 结

正极引线铝合金小球

底座

金锑合金

平面型正极引线

负极引线

集成电路中平面型

PN

P 型支持衬底

二极管的图形符号

不同功能二极管的图形符号不同，下图为：

普通管（检波、整流、开关）、稳压、发光、变容、

光敏（光电）、隧道、触发等二极管的图形符号

二极管的外型

发光 变容 检波 开关 整流

二极管的外型

开关 变容

整流

红外发光

二、 二极管伏安特性

硅管硅管 0.5V,0.5V,锗管锗管00.1V.1V。。

反向击穿电压 U(BR) 导通压降导通压降

外加电压大于死区电外加电压大于死区电压二极管才能导通。压二极管才能导通。 外加电压大于反向击外加电压大于反向击

穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。失去单向导电性。

正向特性正向特性

反向特性

特点：非线性特点：非线性

硅硅 00.7V.7V

锗锗 0.3V0.3VU

I

死区电压死区电压P N+–

P N–+

反向电流反向电流在一定电压在一定电压范围内保持范围内保持常数。常数。

IR

反向击穿类型：

电击穿热击穿

特别注意 ：

温度对二极管的特性有显著影响。当温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。变化规律是：在室温附近，温度每升高 1℃，正向压降约减小 2～ 2.5mV，温度每升高 10℃，反向电流约增大一倍。

— PN 结未损坏，断电即恢复。— PN 结烧毁。

温度对二极管特性的影响

60

40

20

– 0.02

0 0.4

–25–50

IV / mA

UV / V

20C80C

T 升高时，

UV(th) 以 (2 2.5) mV/ C 下降

硅管的伏安特性 锗管的伏安特性

60

40

20

– 0.02

– 0.04

0 0.4 0.8–25–50

IV / mA

UV / V

IV / mA

UV / V0.2 0.4

– 25– 505

10

15

–0.01

–0.02

0

三、 二极管的主要参数

1. IF — 最大整流电流 (最大正向平均电流 )

2. URM — 最高反向工作电压 ，为 UBR / 2

3. IR — 反向饱和电流 (越小单向导电性越好 )

IV

UV

U (BR)

I F

URMO

4. fM — 最高工作频率 (超过时单向导电性变差 )

二极管二极管的单向导电性的单向导电性 1. 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴

极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正 极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。向电阻较小，正向电流较大。

2. 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴 极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反 极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反

向电阻较大，反向电流很小。向电阻较大，反向电流很小。 3. 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。去单向导电性。 4. 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。向电流愈大。

上 次 课 重 点 内 容 复 习

一、两种半导体和两种载流子

两种载流子的运动

自由电子（带负电）空穴（带正电）

本征半导体：

杂质半导体

N 型 (多子为电子 )

P 型 (多子为空穴 )

二、二、二极管（由 PN结构成）1. 1. 特性特性— — 单向导电导电

正向电阻小 ( 理想为 0)，反向电阻大 ()。

iD

O uD

U (BR)

I F

URM2. 2. 主要参数主要参数 — 正向 最大平均电流 IF

—反向最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿 )

反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响 )

IS

与温度有关

二极管电路分析举例 二极管电路分析举例定性分析：判断二极管的工作状态 导通

截止

否则，正向管压降否则，正向管压降 硅硅 00.6~0.7V.6~0.7V锗锗 00.2~.2~0.3V0.3V

分析方法：分析方法：将二极管断开，分析二极管两端将二极管断开，分析二极管两端电位电位的高低的高低或所加电压或所加电压 UUDD的正负的正负。。

若 若 VV 阳阳 >V>V 阴阴 或 或 UUDD为正为正 ( ( 正向偏置 正向偏置 ))，二极管导通，二极管导通

若 若 VV 阳阳 <V<V 阴阴 或 或 UUDD为负为负 ( ( 反向偏置 反向偏置 ))，二极管截止，二极管截止

若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。零，反向截止时二极管相当于断开。

一、二极管整流电路

所谓整流，就是将交流电变成脉动直流电。

Du2 uo～u1 RL

a

b

u2

π 2π 3π

uo

π 2π 3π

变压器输出波形 负载端电压波形

二、钳位电路

钳位电路是指能把一个周期信号转变为单向的（只有正向或只有负向）或叠加在某一直流电平上，而不改变它的波形 的电路。

D

R

A F

U+

二极管钳位电路

输入 A点电位为零， D导通，输出 F的电位被钳制在零伏。 若 A点电位较高时， D截止， F的电位被钳制在 U+。

电路如图，求：电路如图，求： UUABAB

V 阳 =－ 6 V V 阴 =－ 12 V

V 阳 >V 阴 二极管导通

若忽略管压降，二极管可看作短路， UAB = － 6V

否则， UAB低于－ 6V一个管压降，为－ 6.3Ｖ或－

6.7V

例 1 ：

取 取 B B 点作参考点，点作参考点，断开二极管，分析二断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电极管阳极和阴极的电位。位。

在这里，二极管起在这里，二极管起钳位钳位作用。作用。

D

6V12V

3k

B

A

UAB

+

–

正钳位电路

输出波形输入波形

t

ou

O1t 2t 3tt

iu

O1t 2t 3t

mU

mU

三、限幅电路

当输入信号电压在一定范围内变化时 , 输出电压随输入电压相应变化；而当输入电压超出该范围时 , 输出电压保持不变 , 这就是限幅电路。

D0

R

D1ui uo

+ +

- -

ωω当 ui>UD时，D1导通，D2截止， uo=UD=+0.7V; 当 ui<-UD时，D2导通，D1截止， uo=-UD=-0.7V;若输入电压 ui在±0.7V之间时，D1、D2均截止， uo=ui。Uo被限幅在±0.7V之间。

¦Øt

uiuo/V

0.7

-0.7

上限幅电路 下限幅电路

t

ou

O

mU

mUt

iu

O

mU

mU

t

iu

O

mU

mU

t

iu

O

mU

mU

E=0V时

0<E<UmV时

-Um<E<0V时

t

ou

O

mU

mU

t

ou

O

mU

mU

两个二极管的阴极接在一起两个二极管的阴极接在一起取 取 B B 点作参考点，断开二点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极管，分析二极管阳极和阴极的电位。极的电位。

VV11 阳阳 ==－－ 6 V6 V，， VV22 阳阳 =0 V=0 V，， VV11 阴阴 = = VV22 阴阴 = = －－ 12 V12 V

UUD1D1 = 6V = 6V，， UUD2D2 =12V =12V

∵∵ UUD2D2 > >UUD1D1 ∴∴ DD2 2 优先导通优先导通，使，使 VVAA ＝ ＝ 0 V0 V 则则 DD11 截止截止若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路， UUABAB = 0 V= 0 V

例 2:

DD11 承受反向电压为承受反向电压为－－ 6 V6 V

流过 流过 DD22 的电流为的电流为：： mA43

122D I

求：求： UUABAB

在这里：在这里： DD2 2 起钳位作起钳位作

用， 用， DD11 起隔离作起隔离作 用。 用。

B

D1

6V12V

3kA

D2

UAB

+

–

uuii > 8V > 8V ，二极管导通，可看作短路 ，二极管导通，可看作短路 uuoo = 8V = 8V

uuii < 8V < 8V ，二极管截止，可看作开路 ，二极管截止，可看作开路 uuoo = = uuii

已知：已知： 二极管是理想的，试画二极管是理想的，试画出 出 uuoo 波形。波形。

V sin18i tu

8V8V

例例33 ：：

uuii

t

18V18V参考点参考点

二极管阴极电位为 二极管阴极电位为 8 V8 V

DD

8V8V

RR

uuoouuii

++ ++

–– ––

动画

ωt

四、元器件保护电路

在电子电路中常用二极管来保护其他元器件免受过高电压损害 的电路。

二极管的用途：二极管的用途： 整流、检波、限幅、钳位、开整流、检波、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿等。关、元件保护、温度补偿等。

直流稳压电源组成

小功率直流稳压电源的组成小功率直流稳压电源的组成

功能：把交流电压变成稳定的大小合适的直流电压。

u4 uou3u2u1

交流电源交流电源

220V220V

负载负载

电源变压器电源变压器 整流电路整流电路 滤波电路滤波电路 稳压电路稳压电路

整流电路整流电路的作用整流电路的作用 :: 将交流电压转变为脉动的直流电压。

常见的整流电路：常见的整流电路： 半波、全波、桥式；单相和三相整流等。分析时可把二极管当作理想元件处理：分析时可把二极管当作理想元件处理： 二极管的正向导通电阻为零； 反向截止，电阻为无穷大。

整流原理：整流原理： 利用二极管的单向导电性

一 单相桥式整流电路 一 单相桥式整流电路

2. 2. 工作原理工作原理 （（ 11）） uu 正半周：正半周：VVaa>V>Vbb ，，二极管二极管 DD11 、 、

DD33 导通， 导通， DD22 、 、 DD44 截截止 。止 。

工作波形工作波形1. 1. 电路结构电路结构

－RL

u

io

uo

1

23

4a

b

+

–

+

–

－

动画

u

t

U2

uo

uD

t

t

U2

uD2

uD4

U2

u

t

U2

uD1uD3

uo

uD

t

t

U2

U2

RLu

io

uo

1

23

4a

b

+

–

+

–

（（ 22）） uu 负半周负半周：：VVaa<V<Vbb ，，二极管二极管 DD22 、 、

DD44 导通， 导通， DD11 、 、 DD33 截截止 。止 。

－

－

工作波形工作波形

（ 3） UO整体波形ui

t

U2

uo

t

U2

可见：与半波整流相比，桥式整流将负半周的波形也传输到了负载，且进行了倒相。能量传输增加了一倍。

4. 4. 参数计算参数计算(1) (1) 整流电压平均值 整流电压平均值 UUoo

(2) (2) 整流电流平均值 整流电流平均值 IIooLL R

U

R

UI 9.0o

o

(3) (3) 流过每管电流平均值 流过每管电流平均值 IIDD o2

1D II

(4) (4) 每管承受的最高反向电压 每管承受的最高反向电压 UUDRMDRM UU 2DRM

) d( sin2π2

2 π

οttU U0.9oU

▲ 整流桥块

正确使用：

~~

输入交流电压

+ 输出直流电压

~~

~~

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▲ 二极管的选择： 平均电流 ID 与最高反向电压UDRM

是选择整流二极管的主要依据。IF ID ， URM UDRM

实际选管时应留有余量：实际选管时应留有余量： IIFF 1.11.1IIDD ， ， UURMRM 1.1 1.1 UUDRMDRM

常用的整流桥块

滤波电路滤波电路

交流电压经整流电路整流后输出的是脉动直流，其中既有直流成份又有交流成份。

滤波原理：滤波原理：滤波电路利用储能元件电容两端的电压(或通过电感中的电流 )不能突变的特性 , 滤掉整流电路输出电压中的交流成份，保留其直流成份，达到平滑输出电压波形的目的。

方法：将电容与负载 RL并联 (或将电感与负载 RL

串联 )。

一一 电容滤波器 电容滤波器 一、 半波滤波电路结构 一、 半波滤波电路结构

1. 1. 工作原理工作原理 u >uC时，二极管导通，电源在给负载 RL 供电的同时也给电容充电， uC 增加， uo= uC 。 uu < <uuC时，二极管截止，电容通过负载时，二极管截止，电容通过负载 RRLL 放电，放电， uuCC

按指数规律下降， 按指数规律下降， uuoo= = uuC 。。

+C

ic

i

–

+ +

–

aD

uou

b

RL

io

= uC

2. 2. 工作波形工作波形

二极管承受的最高反向电压 为 。

UU 22DRM

动画

uo

U2

U2

u

tO

tO

当 RL开路时

若 RL接入电

路，且满足RLC>(3~5)T/2

时，UO≈1.2U2

2O 2UU

线性基础稳压器 线性基础稳压器

稳压电路（稳压器）是为电路或负载提供稳定的输稳压电路（稳压器）是为电路或负载提供稳定的输出电压的一种电子设备。出电压的一种电子设备。 稳压电路的输出电压大小基本上与电网电压、负载稳压电路的输出电压大小基本上与电网电压、负载及环境温度的变化无关。理想的稳压器是输出阻抗为及环境温度的变化无关。理想的稳压器是输出阻抗为零的恒压源。实际上，它是内阻很小的电压源。其内零的恒压源。实际上，它是内阻很小的电压源。其内阻越小，稳压性能越好。阻越小，稳压性能越好。 稳压电路是整个电子系统的一个组成部分，也可以稳压电路是整个电子系统的一个组成部分，也可以是一个独立的电子部件。是一个独立的电子部件。

一 集成稳压电源 一 集成稳压电源单片集成稳压电源，具有体积小 ,可靠性高 ,使

用灵活 ,价格低廉等优点。最简单的集成稳压电源只有输入，输出和公共引

出端 ,故称之为三端集成稳压器。1. 分类

XXXX两位数字为输出电压值

三端稳压器

输出固定电压

输出可调电压输出可调电压

输出正电压78XX

输出负电压79XX

（ 1. 25 ~ 37 V 连续可调）

2. 2. 外形及引脚功能外形及引脚功能

W7800系列稳压器外形1—输入端

2 —公共端3 —输出端

W7900系列稳压器外形

1 — 公共端3—输入端

2 —输出端

塑料封装塑料封装

常用的三端集成稳压器

输出为固定正电压时的接法如图所示。 (1)(1) 输出为固定电压的电路输出为固定电压的电路

输入与输输入与输出之间的出之间的电压不得电压不得低于低于 3V3V！！

5. 5. 三端固定输出集成稳压器的应用三端固定输出集成稳压器的应用

CO

W7805

CiUi

+

_

+

_

UO

1 3

2

0.1~1F 1F

为了瞬时增减负载电流为了瞬时增减负载电流时，不致引起输出电压时，不致引起输出电压有较大的波动。即用来有较大的波动。即用来改善负载的瞬态响应。改善负载的瞬态响应。

用来抵消输入端接线用来抵消输入端接线较长时的电感效应，较长时的电感效应，防止产生自激振荡。防止产生自激振荡。即用以改善波形。即用以改善波形。

直流稳压电源复习课

例例 11：试用联线将下图中的元器件联接成桥式整流电路。：试用联线将下图中的元器件联接成桥式整流电路。

例例 22：：分析图示桥式整流电路中的二极管分析图示桥式整流电路中的二极管 DD22 或或 DD44

断开时负载电压的波形。断开时负载电压的波形。如果如果 DD22 或或 DD4 4 接反，后果如接反，后果如何？何？如果如果 DD2 2 或或 DD44因击穿或烧坏而短路，后果又如何？因击穿或烧坏而短路，后果又如何？

uo

+

_~ u

+_ RL

D2

D4

D1

D3

解：解：当 D2或 D4断开后 电路为单相半波整流电路。正半周时， D1和 D3导通，负载中有电流过，负载电压 uo=u；负半周时， D1和 D3截止，负载中无电流通过，负载两端无

电压， uo =0。

uo

u

π 2π 3π 4πt

tπ 2π 3π 4π

o

o

如果如果 DD22或或 DD44接反接反

则正半周时，二极管 D1、 D4或 D2、 D3导通，电

流经 D1、 D4或 D2、 D3而造成电源短路，电流很

大，因此变压器及 D1、 D4或 D2、 D3将被烧坏。

如果如果 DD22或或 DD44因击穿烧坏而短路因击穿烧坏而短路

则正半周时，情况与 D2或 D4接反类似，电源及

D1或 D3也将因电流过大而烧坏。

uo

+

_~ u

+_ RL

D2

D4

D1

D3

例 3 ：桥式整流电路如图 , 若 D3 管烧断 , 输出电压波形为 _________

～u

1

D2

u2 uo

RLD3D4

D1u2

uO

A.

uO

C.uO

D.

uO

B.

C

例 4：整流电路如下图所示，输出电压为 18V，则变压器副边电压有效值为多少？

Rl

D1 D2

D4 D3

+

-

u2~

+

-

u0

.

2

1820

0.9U V V

例例 55：试设计一台输出电压为：试设计一台输出电压为 24V24V，输出电流为，输出电流为1A1A的直流电源，电路形式可采用半波或桥式整流，试的直流电源，电路形式可采用半波或桥式整流，试确定两种电路形式的变压器副边绕组的电压有效值，并确定两种电路形式的变压器副边绕组的电压有效值，并选定相应的整流二极管。选定相应的整流二极管。

（ 2 ） 当 采 用 桥 式 整 流 电 路 时 ， 变 压 器 副 边 绕 组电 压 有 效 值 为 ：

7.269.0

24

0.9o

2 U

U V

整 流 二 极 管 承 受 的 最 高 反 向 电 压 为 ：6.377.2641.12 2RM UU V

流 过 整 流 二 极 管 的 平 均 电 流 为 ：

5.02

1oD II A

因 此 可 选 用 四 只 2 C Z 1 1 A 整 流 二 极 管 ， 其 最 大 整流 电 流 为 1 A ， 最 高 反 向 工 作 电 压 为 1 0 0 V 。

（ 2 ） 当 采 用 桥 式 整 流 电 路 时 ， 变 压 器 副 边 绕 组电 压 有 效 值 为 ：

7.269.0

24

0.9o

2 U

U V

整 流 二 极 管 承 受 的 最 高 反 向 电 压 为 ：6.377.2641.12 2RM UU V

流 过 整 流 二 极 管 的 平 均 电 流 为 ：

5.02

1oD II A

因 此 可 选 用 四 只 2 C Z 1 1 A 整 流 二 极 管 ， 其 最 大 整流 电 流 为 1 A ， 最 高 反 向 工 作 电 压 为 1 0 0 V 。

例 6：有一单相桥式整流滤波电路，已知交流电源频 率 f=50Hz ，负载电阻 RL = 200，要求直流输出电压 Uo=30V，选择整流二极管及滤波电容器。

流过二极管的电流流过二极管的电流

二极管承受的最高反向电压二极管承受的最高反向电压V 352522DRM UU

变压器副边电压的有效值变压器副边电压的有效值

A0750200

30

2

1

2

1

2

1

L

OOD .

R

UII

u RLuo

+ +

– –

~ +C解： 1. 1. 选择整流二极管选择整流二极管

25V1.2

30

21O

.

UU

可选用二极管 2CP11IOM =100mA UDRM =50V

例 6：有一单相桥式整流滤波电路，已知交流电源频 率 f=50Hz ，负载电阻 RL = 200，要求直流输出电压 Uo=30V，选择整流二极管及滤波电容器。

取 RLC = 5 T/2

已知RL = 50

S 05.02

5015L CR

u RLuo

+ +

– –

~ +C解： 2. 选择滤波电容器

F250F10250200

0.05

050 6

L

R

.C

可选用 C=250F，耐压为 50V的极性电容器

例 7：在下图中，二极管的正向压降忽略不计，试画出输出电压的波形。

R

D

E3V

+

-

ui

+

-

u0

3Vt

ui