~ Íë ÃÌ µ 4j$ Íë ÃÌ µ - 三菱電機 mitsubishi electric...hg-801f , -1804 ª ip « ©2018...
TRANSCRIPT
HG-801F 岡-1804〈IP〉 ©2018 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERVED. 2018年4月作成
三菱SiCパワーデバイス
SiCPower
Devices
三菱パワーデバイスSiCパワーデバイス
菱洋エレクトロ株式会社 大阪支店 (06)6455-5121 京都営業所 (075)371-5751株式会社立花エレテック (06)6539-2707 北陸支店 (076)233-3505協栄産業株式会社 大阪営業所 (06)6343-9663菱電商事株式会社 関西支社 (06)4797-3956 京都支店 (075)231-4396 北陸支店 (076)224-4102 姫路営業所 (079)287-2000 広島支社 (082)227-5411 福山営業所 (084)923-6393 四国支社 (087)885-3913
菱洋エレクトロ株式会社 名古屋支店 (052)203-0277株式会社立花エレテック 名古屋支社 (052)935-1619協栄産業株式会社 名古屋支店 (052)332-3861菱電商事株式会社 名古屋支社 (052)211-1217 豊田営業所 (0565)37-8108 静岡支社 (054)286-2215 浜松支店 (053)469-0576 沼津営業所 (0559)63-5190 三重営業所 (059)213-3133
岡谷鋼機株式会社 名古屋本店 (052)204-8302 刈谷支店 (0566)21-3222東海エレクトロニクス株式会社本社 (052)261-3211 小牧支店 (0568)75-2851中部三菱電機機器販売株式会社本社 (052)889-0032エレックヒシキ株式会社本社 (052)704-2121株式会社菱和 浜松支店 (053)450-3162
http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/ 〈三菱半導体ホームページ〉
(技術・資料お問い合わせ)
お問い合わせ先
(営業お問い合わせ窓口)代理店
菱洋エレクトロ株式会社 福岡営業所 (092)474-4311菱電商事株式会社 九州支社 (092)736-5759
株式会社カナデン 九州支店 (093)561-6483株式会社たけびし 九州支店 (092)473-7580
株式会社カナデン 関西支社 (06)6763-6809加賀デバイス株式会社 第二営業統括部 (06)6105-0449株式会社たけびし (075)325-2211 大阪支店 (06)6341-5081萬世電機株式会社 (06)6454-8233東海エレクトロニクス株式会社 大阪支店 (06)6310-6115山陽三菱電機販売株式会社 (082)243-9300
菱洋エレクトロ株式会社 (03)5565-1511 大宮支店 (048)614-8841 八王子支店 (042)645-8531 横浜支店 (045)474-1011 松本支店 (0263)36-8011 仙台支店 (022)266-3800株式会社立花エレテック 東京支社 (03)6400-3619協栄産業株式会社 (03)3481-2044 栃木営業所 (028)683-3011 日立営業所 (029)272-3911 群馬営業所 (027)327-4345 新潟営業所 (025)281-1171 東北支店 (022)232-7711 北海道支店 (011)642-6101
菱電商事株式会社 (03)5396-6224 茨城営業所 (029)828-6993 神奈川支社 (045)264-7125 北関東支社 (027)280-5515 新潟営業所 (0258)86-0190 東北支社 (022)217-5722株式会社カナデン (03)3433-1227 東北支店 (022)266-3118加賀デバイス株式会社 (03)5657-0144株式会社たけびし 東京支店 (045)474-3259萬世電機株式会社 東京支店 (03)3219-1800株式会社コシダテック (03)5789-1615東海エレクトロニクス株式会社 東京支店 (03)3704-2581 熊谷支店 (048)527-1620
関西支社 大阪府大阪市北区大深町4番20号(グランフロント大阪タワーA) 半導体・デバイス部 第一営業課 (06)6486-4500 第二営業課 (06)6486-4508 第三営業課 (06)6486-4509 第四営業課 (06)6486-4519
九州支社 福岡県福岡市中央区天神二丁目12番1号(天神ビル) 本社 パワーデバイス営業部 第三営業課 九州支社駐在 (092)721-2146
中部支社 愛知県名古屋市中村区名駅三丁目28番12号(大名古屋ビルヂング) 半導体・デバイス部 第一営業課 (052)565-3339 第二営業課 (052)565-3268 第三営業課 (052)565-3269 第四営業課 (052)565-3278
本 社 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号(東京ビル) パワーデバイス営業部 第一営業課 (03)3218-3239 第二営業課 (03)3218-3239 液晶営業部 第二営業課 (03)3218-3736 高周波光デバイス営業第一部 (03)3218-3687 高周波光デバイス営業第二部 (03)3218-4880
本社地区
中部支社地区
関西支社地区
九州支社地区
(2018年3月1日現在)三菱電機本社・支社・支店
半導体・デバイス事業本部 〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号(東京ビル)
21
*SiC:Silicon Carbide(炭化ケイ素) シリコンと炭素を1:1で結合した化合物
各機器へのSiCパワーモジュール搭載
メリット
ビル設備電力損失の低減機器の小型化によるレイアウトの自由度増
自動車電力損失の低減冷却システムの小型化回生電力の有効活用
家電さらなる省エネ化冷却システムの小型化機器の小型・薄型化
鉄道車両用インバーターの小型・軽量化回生電力の増加騒音の低減
産業高トルク化・高速化・小型化冷却システムの小型化工作機械の生産性向上
エネルギーエネルギー変換効率の向上受動部品の小型化高速動作による騒音の低減
鉄道車両、産業機器、ビル設備、電気自動車、再生可能エネルギー、家電…
これらパワーエレクトロニクス機器の省エネ化のキーデバイスとしてパワーデバイスが欠かせません。
そこで注目されているのが、新材料のSiC*。
SiCは材料の特性により電力損失を飛躍的に低減させ、パワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネ化が可能です。
三菱電機は、1990年代初めにSiCの要素技術開発をスタートし、SiC搭載品の実用化で省エネ効果をすでに実証しています。
革新的なSiCパワーモジュールで、低炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献してまいります。
Innovative Power Devicesfor a Sustainable Future
優れた特性を持つSiC
SiCはシリコンに比べて絶縁破壊電界強度が約10倍高いことから、電気抵抗の主要因となるドリフト層が10分の1に薄くなることで抵抗値が大幅に低減され、電力損失を大きく減らすことが可能となります。このことにより、パワーデバイスの導通損失およびスイッチング損失が大幅に低減します。
電力損失の低減従来では温度が高温になると、電子が伝導帯に移動し、リーク電流が増加し、正常に動作しないことがありました。 SiCはバンドギャップ幅がシリコンの約3倍となるため、高温時でもリーク電流の増加が少なく、高温動作が可能になります。
高温度動作
SiCは高い絶縁破壊電界強度で電力損失が低減するとともに、高耐圧化が容易となるため、Siでは使用できなかったSBD(Schottky Barrier Diode)を使用することが可能になります。SBDは蓄積キャリアがないため、高速スイッチング動作が実現できます。
高速スイッチング動作SiCは熱伝導率がシリコンに比べて約3倍となるため、放熱性が向上します。高い放熱効果
Si SiC
熱伝導率がSiの約3倍
伝導帯
バンドギャップ 約3倍
価電子帯
SiC 高温
ハイブリッドSiCモジュール
SiCSi
Ic:500A/div
ターンオンスイッチング波形
Vce:250V/div
t:1μs/div
高速スイッチング動作を実現
抵抗値が大幅に低減
Si
ドレイン電極Si基板
n-n+
ソース ソースゲート
n+p p
Si-MOSFETの構造
SiC
ドレイン電極
SiC-MOSFETの構造
電流の流れ
n-n+ソース ソース
ゲート
n+p pSiC基板
101
■技術用語 SiCIPMDIPIPM™
DIPPFC™
SBDMOSFETIGBTTr
Silicon Carbide(炭化ケイ素)Intelligent Power ModuleDual-In-Line Package Intelligent Power Module
Dual-In-Line Package Power Factor Correction
Schottky Barrier DiodeMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorInsulated Gate Bipolar TransistorTransistor
FW-SWFW-DCTr-SWTr-DCIGBT-SWIGBT-DCPV
CSTBT™JBS
環流時のスイッチング損失環流時のDC損失トランジスターのスイッチング損失トランジスターのDC損失IGBTのスイッチング損失IGBTのDC損失Photovoltaics太陽光発電
キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBTJunction Barrier Schottky
力率改善回路を内蔵したトランスファモールドタイプのインテリジェントパワー半導体モジュール
保護機能付き制御素子を内蔵したトランスファモールドタイプのインテリジェントパワー半導体モジュール
用途別に適した各種SiCパワーモジュール
BD20060TBD20060SBD20060ABD10120SBD20120SBD20120SJPMH200CS1D060PMH75CL1A120PMF75CL1A120FMF400BX-24AFMF800DX-24AFMF600DX2-24AFMF800DX2-24ACMH100DY-24NFHCMH150DY-24NFHCMH200DU-24NFHCMH300DU-24NFHCMH400DU-24NFHCMH600DU-24NFHPSH50YA2A6CMH1200DC-34SPSF15S92F6PSF25S92F6PSH20L91A6-APSF20L91A6-A
フルSiC-IPMハイブリッドSiC-IPM
SiC-SBD
高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュール
PV用大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM
ハイブリッドSiCパワーモジュール
200
電流[A]定格
P3
P4
P5
P6
P7
掲載ページ製品名 形名用途
産業
家電・産業
鉄道
家電
回路構成 ステイタス電圧[V]
フルSiCパワーモジュール
75
400800600800
600
20
1020
600
1200
1200
1200
1200
600
6 in 1
------
2 in 1
2 in 1
6 in 1 4 in 1
4 in 12 in 1
インターリーブ
10015020030040060050
12001525
20Arms
発売中サンプル提供中
発売中
開発中
開発中
発売中
サンプル提供中
1700600
超小型フルSiC DIPIPMTM
超小型ハイブリッドSiC DIPPFCTM
超小型フルSiC DIPPFCTM
6 in 1
21
*SiC:Silicon Carbide(炭化ケイ素) シリコンと炭素を1:1で結合した化合物
各機器へのSiCパワーモジュール搭載
メリット
ビル設備電力損失の低減機器の小型化によるレイアウトの自由度増
自動車電力損失の低減冷却システムの小型化回生電力の有効活用
家電さらなる省エネ化冷却システムの小型化機器の小型・薄型化
鉄道車両用インバーターの小型・軽量化回生電力の増加騒音の低減
産業高トルク化・高速化・小型化冷却システムの小型化工作機械の生産性向上
エネルギーエネルギー変換効率の向上受動部品の小型化高速動作による騒音の低減
鉄道車両、産業機器、ビル設備、電気自動車、再生可能エネルギー、家電…
これらパワーエレクトロニクス機器の省エネ化のキーデバイスとしてパワーデバイスが欠かせません。
そこで注目されているのが、新材料のSiC*。
SiCは材料の特性により電力損失を飛躍的に低減させ、パワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネ化が可能です。
三菱電機は、1990年代初めにSiCの要素技術開発をスタートし、SiC搭載品の実用化で省エネ効果をすでに実証しています。
革新的なSiCパワーモジュールで、低炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献してまいります。
Innovative Power Devicesfor a Sustainable Future
優れた特性を持つSiC
SiCはシリコンに比べて絶縁破壊電界強度が約10倍高いことから、電気抵抗の主要因となるドリフト層が10分の1に薄くなることで抵抗値が大幅に低減され、電力損失を大きく減らすことが可能となります。このことにより、パワーデバイスの導通損失およびスイッチング損失が大幅に低減します。
電力損失の低減従来では温度が高温になると、電子が伝導帯に移動し、リーク電流が増加し、正常に動作しないことがありました。 SiCはバンドギャップ幅がシリコンの約3倍となるため、高温時でもリーク電流の増加が少なく、高温動作が可能になります。
高温度動作
SiCは高い絶縁破壊電界強度で電力損失が低減するとともに、高耐圧化が容易となるため、Siでは使用できなかったSBD(Schottky Barrier Diode)を使用することが可能になります。SBDは蓄積キャリアがないため、高速スイッチング動作が実現できます。
高速スイッチング動作SiCは熱伝導率がシリコンに比べて約3倍となるため、放熱性が向上します。高い放熱効果
Si SiC
熱伝導率がSiの約3倍
伝導帯
バンドギャップ 約3倍
価電子帯
SiC 高温
ハイブリッドSiCモジュール
SiCSi
Ic:500A/div
ターンオンスイッチング波形
Vce:250V/div
t:1μs/div
高速スイッチング動作を実現
抵抗値が大幅に低減
Si
ドレイン電極Si基板
n-n+
ソース ソースゲート
n+p p
Si-MOSFETの構造
SiC
ドレイン電極
SiC-MOSFETの構造
電流の流れ
n-n+ソース ソース
ゲート
n+p pSiC基板
101
■技術用語 SiCIPMDIPIPM™
DIPPFC™
SBDMOSFETIGBTTr
Silicon Carbide(炭化ケイ素)Intelligent Power ModuleDual-In-Line Package Intelligent Power Module
Dual-In-Line Package Power Factor Correction
Schottky Barrier DiodeMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorInsulated Gate Bipolar TransistorTransistor
FW-SWFW-DCTr-SWTr-DCIGBT-SWIGBT-DCPV
CSTBT™JBS
環流時のスイッチング損失環流時のDC損失トランジスターのスイッチング損失トランジスターのDC損失IGBTのスイッチング損失IGBTのDC損失Photovoltaics太陽光発電
キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBTJunction Barrier Schottky
力率改善回路を内蔵したトランスファモールドタイプのインテリジェントパワー半導体モジュール
保護機能付き制御素子を内蔵したトランスファモールドタイプのインテリジェントパワー半導体モジュール
用途別に適した各種SiCパワーモジュール
BD20060TBD20060SBD20060ABD10120SBD20120SBD20120SJPMH200CS1D060PMH75CL1A120PMF75CL1A120FMF400BX-24AFMF800DX-24AFMF600DX2-24AFMF800DX2-24ACMH100DY-24NFHCMH150DY-24NFHCMH200DU-24NFHCMH300DU-24NFHCMH400DU-24NFHCMH600DU-24NFHPSH50YA2A6CMH1200DC-34SPSF15S92F6PSF25S92F6PSH20L91A6-APSF20L91A6-A
フルSiC-IPMハイブリッドSiC-IPM
SiC-SBD
高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュール
PV用大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM
ハイブリッドSiCパワーモジュール
200
電流[A]定格
P3
P4
P5
P6
P7
掲載ページ製品名 形名用途
産業
家電・産業
鉄道
家電
回路構成 ステイタス電圧[V]
フルSiCパワーモジュール
75
400800600800
600
20
1020
600
1200
1200
1200
1200
600
6 in 1
------
2 in 1
2 in 1
6 in 1 4 in 1
4 in 12 in 1
インターリーブ
10015020030040060050
12001525
20Arms
発売中サンプル提供中
発売中
開発中
開発中
発売中
サンプル提供中
1700600
超小型フルSiC DIPIPMTM
超小型ハイブリッドSiC DIPPFCTM
超小型フルSiC DIPPFCTM
6 in 1
3 4
■特長
■内部ブロック図
電源システム用 SiC-SBDBD20060T /BD20060S/BD20060A/BD10120S/BD20120S/BD20120SJ
・従来品に比べ電力損失を約21%低減※
・電力損失の低減や高周波動作により、 リアクトルやヒートシンクなどの小型化が可能・JBS構造の採用により高サージ耐量を 実現し、高信頼性に寄与※ 当社製のパワー半導体モジュールDIPPFCTMに搭載された Siダイオードと比較
電源システムの低消費電力・小型化・高信頼性に貢献
発売中
■電力損失比較※
電力
損失[
W]
Diode_SWDiode_DC
Conditions : Vcc=200V, Vout=370V, L=0.2mH, fc=30kHz, Iin=20A, Tj=125℃
Si DIode SiC-SBD
約21%低減
■特長
■内部ブロック図
産業用 600V/200A ハイブリッドSiC-IPMPMH200CS1D060
・IPM用の電流センス、温度センス機能付IGBTとSiC-SBDのハイブリッドで 高機能化と低損失化を実現し、モーターの高トルク化・高速化が可能・従来品※と比較しリカバリー損失(Err)を95%削減・従来品※と互換パッケージにより置き換えが可能※ 当社製S1シリーズ PM200CS1D060
駆動回路・保護機能を内蔵したIPMにSiC-SBDを搭載電力損失約20%低減で産業機器の性能向上に貢献
P
N
U V W
:SiC-SBD搭載箇所
発売中
■電力損失比較
電力
損失[
W]
FW_SWFW_DC
IGBT_SWIGBT_DC
Condition:Vcc=300V, Io=85Arms, fc=15kHz, VD=15V,P.F=1, Modulation=1 , 三相変調, Tj=125℃
Si-IPM ハイブリッドSiC-IPM
約20%低減
■従来品との パッケージ比較
■特長・従来品※に比べ電力損失を約70%低減・SiCの性能をフルに発揮する低インダクタンスパッケージを採用・従来品※に比べ大幅にパッケージが小型となり、設置面積が約60% 削減することで、インバーター機器の小型化・軽量化に貢献※ 当社製IGBTモジュール CM400DY-24NF(1200V/400A 2in1) を2個使用した場合
設置面積約60%の削減を実現産業用インバーターの小型化・軽量化に貢献
■電力損失比較 1200V/800AフルSiCパワーモジュール
産業用 1200V/400A・1200V/800A フルSiCパワーモジュールFMF400BX-24A/FMF800DX-24A
FW_SWFW_DC
Tr_SWTr_DC
電力
損失[
W]
Condition:Vcc=600V, Io=222Arms(110kWインバーター想定), fc=15kHz, P.F=0.8, Modulation=1 ,三相変調, Tj=125℃
IGBTモジュール(Si) フルSiCモジュール
約70%低減
■製品ラインアップ
産業機器 92.3 × 121.7mm1200V
外形サイズ(D)×(W)回路構成定格電流定格電圧用途400A800A
4 in 12 in 1
1200V/400A品(4in1) 1個または1200V/800A品(2in1) 1個
フルSiCパワーモジュール
1200V/400A品(2in1) 2個Siパワーモジュール
設置面積約60%
削減
発売中
■特長
■内部ブロック図
産業用 1200V/75A ハイブリッド/フルSiC-IPMPMH75CL1A120/PMF75CL1A120
・駆動回路・保護機能を内蔵し高機能化を実現・従来品※に比べ、電力損失を大幅に低減・従来品※と互換パッケージにより 置き換えが可能※ 当社製IPM L1シリーズ PM75CL1A120
駆動回路・保護機能を内蔵し、高機能化を実現■主な仕様
1200V/75A 6in1定 格
搭載機能・駆動回路内蔵・制御電源電圧低下保護・短絡保護・過熱保護
:SiC-SBD搭載箇所:SiC-MOSFET搭載箇所
電流センス機能付きSiC-MOSFET
N
P
U V W
フル SiC-IPM
サンプル提供中開発中
■電力損失比較
電力
損失[
W]
FW_SWFW_DC
Tr_SWTr_DC
Condition:Vcc=600V, Io=31Arms(インバーター15kW想定), fc=15kHz, P.F=0.9, Modulation=1 ,三相変調, Tj=125℃
Si-IPM ハイブリッドSiC-IPM フルSiC-IPM
約25%低減
約70%低減
:SiC-SBD内蔵箇所
(1) (2) (1) (2) (3)
(1)カソード(2)アノード
(1)NC(2)カソード(3)アノード
BD20060T BD20060S/BD20060ABD10120S/BD20120S
ドレイン
センス ソース
ゲート
■製品ラインアップパッケージ定格電流定格電圧型名用途
家電・
産業
車載
BD20060T
BD20060S★★
BD20060A★★
BD10120S★★
BD20120S★★
BD20120SJ★★
20A
10A
20A1200V
600V
TO-220-2L
TO-247-3L
TO-263S-3L
TO-247-3L
★★開発中
3 4
■特長
■内部ブロック図
電源システム用 SiC-SBDBD20060T /BD20060S/BD20060A/BD10120S/BD20120S/BD20120SJ
・従来品に比べ電力損失を約21%低減※
・電力損失の低減や高周波動作により、 リアクトルやヒートシンクなどの小型化が可能・JBS構造の採用により高サージ耐量を 実現し、高信頼性に寄与※ 当社製のパワー半導体モジュールDIPPFCTMに搭載された Siダイオードと比較
電源システムの低消費電力・小型化・高信頼性に貢献
発売中
■電力損失比較※
電力
損失[
W]
Diode_SWDiode_DC
Conditions : Vcc=200V, Vout=370V, L=0.2mH, fc=30kHz, Iin=20A, Tj=125℃
Si DIode SiC-SBD
約21%低減
■特長
■内部ブロック図
産業用 600V/200A ハイブリッドSiC-IPMPMH200CS1D060
・IPM用の電流センス、温度センス機能付IGBTとSiC-SBDのハイブリッドで 高機能化と低損失化を実現し、モーターの高トルク化・高速化が可能・従来品※と比較しリカバリー損失(Err)を95%削減・従来品※と互換パッケージにより置き換えが可能※ 当社製S1シリーズ PM200CS1D060
駆動回路・保護機能を内蔵したIPMにSiC-SBDを搭載電力損失約20%低減で産業機器の性能向上に貢献
P
N
U V W
:SiC-SBD搭載箇所
発売中
■電力損失比較
電力
損失[
W]
FW_SWFW_DC
IGBT_SWIGBT_DC
Condition:Vcc=300V, Io=85Arms, fc=15kHz, VD=15V,P.F=1, Modulation=1 , 三相変調, Tj=125℃
Si-IPM ハイブリッドSiC-IPM
約20%低減
■従来品との パッケージ比較
■特長・従来品※に比べ電力損失を約70%低減・SiCの性能をフルに発揮する低インダクタンスパッケージを採用・従来品※に比べ大幅にパッケージが小型となり、設置面積が約60% 削減することで、インバーター機器の小型化・軽量化に貢献※ 当社製IGBTモジュール CM400DY-24NF(1200V/400A 2in1) を2個使用した場合
設置面積約60%の削減を実現産業用インバーターの小型化・軽量化に貢献
■電力損失比較 1200V/800AフルSiCパワーモジュール
産業用 1200V/400A・1200V/800A フルSiCパワーモジュールFMF400BX-24A/FMF800DX-24A
FW_SWFW_DC
Tr_SWTr_DC
電力
損失[
W]
Condition:Vcc=600V, Io=222Arms(110kWインバーター想定), fc=15kHz, P.F=0.8, Modulation=1 ,三相変調, Tj=125℃
IGBTモジュール(Si) フルSiCモジュール
約70%低減
■製品ラインアップ
産業機器 92.3 × 121.7mm1200V
外形サイズ(D)×(W)回路構成定格電流定格電圧用途400A800A
4 in 12 in 1
1200V/400A品(4in1) 1個または1200V/800A品(2in1) 1個
フルSiCパワーモジュール
1200V/400A品(2in1) 2個Siパワーモジュール
設置面積約60%
削減
発売中
■特長
■内部ブロック図
産業用 1200V/75A ハイブリッド/フルSiC-IPMPMH75CL1A120/PMF75CL1A120
・駆動回路・保護機能を内蔵し高機能化を実現・従来品※に比べ、電力損失を大幅に低減・従来品※と互換パッケージにより 置き換えが可能※ 当社製IPM L1シリーズ PM75CL1A120
駆動回路・保護機能を内蔵し、高機能化を実現■主な仕様
1200V/75A 6in1定 格
搭載機能・駆動回路内蔵・制御電源電圧低下保護・短絡保護・過熱保護
:SiC-SBD搭載箇所:SiC-MOSFET搭載箇所
電流センス機能付きSiC-MOSFET
N
P
U V W
フル SiC-IPM
サンプル提供中開発中
■電力損失比較
電力
損失[
W]
FW_SWFW_DC
Tr_SWTr_DC
Condition:Vcc=600V, Io=31Arms(インバーター15kW想定), fc=15kHz, P.F=0.9, Modulation=1 ,三相変調, Tj=125℃
Si-IPM ハイブリッドSiC-IPM フルSiC-IPM
約25%低減
約70%低減
:SiC-SBD内蔵箇所
(1) (2) (1) (2) (3)
(1)カソード(2)アノード
(1)NC(2)カソード(3)アノード
BD20060T BD20060S/BD20060ABD10120S/BD20120S
ドレイン
センス ソース
ゲート
■製品ラインアップパッケージ定格電流定格電圧型名用途
家電・
産業
車載
BD20060T
BD20060S★★
BD20060A★★
BD10120S★★
BD20120S★★
BD20120SJ★★
20A
10A
20A1200V
600V
TO-220-2L
TO-247-3L
TO-263S-3L
TO-247-3L
★★開発中
5 6
■特長
■リカバリー波形(FWD)
高周波用 ハイブリッドSiCパワーモジュール
・電力損失の約40%低減により 機器の高効率・小型・軽量化に貢献・低インダクタンスパッケージでサージ 電圧を抑制・従来品※と互換パッケージにより 置き換えが可能※ 当社製IGBTモジュール NFHシリーズ
高周波スイッチングを行うパワーエレクトロニクス機器に最適
発売中
4 2
3 1
(E1) (C2)
Si-IGBTSi-IGBT
C2
G2G1
E1
C1 E2
(C1) (E2)
鉄道車両インバーター用に適した大容量・低損失・高信頼性設計モジュール■特長
■内部ブロック図
鉄道車両インバーター用 ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH1200DC-34S
・従来品※に比べ電力損失を30%低減・鉄道用途に適した高信頼性設計・従来品※と互換パッケージにより 置き換えが可能※ 当社製パワーモジュールCM1200DC-34N
■主な仕様150℃
4000Vrms2.3V
140mJ390mJ2.3V
9.0μC
最大動作温度絶縁耐電圧
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
モジュール特性
IGBT部特性@150℃
ダイオード部特性@150℃
エミッタ・コレクタ間電圧容量性電荷
ターンオンターンオフ
スイッチング損失850V、1200A
■電力損失比較
電力
損失[
W]
FW_SWFW_DC
IGBT_SWIGBT_DC
Condition:Vcc=850V、Io=600Arms、fc=1kHz、P.F=1、Modulation=1、 三相変調、Tj=125℃
CM1200DC-34N CMH1200DC-34S
約30%低減
:SiC-SBD搭載箇所
発売中
■電力損失比較
Condition:Vcc=600V、Io=600Ap、fc=15kHz、P.F=0.8、Modulation=1、 三相変調、Tj=125℃
200ns/div
IE:100A/div
CMH600DU-24NFH(ハイブリッドSiC)
CM600DU-24NFH(Si-IGBT)
■製品ラインアップ外形サイズ(D)×(W)回路構成定格電流定格電圧型名用途
産業機器
CMH100DY-24NFH
CMH150DY-24NFH
CMH200DU-24NFH
CMH300DU-24NFH
CMH400DU-24NFH
CMH600DU-24NFH
100A
150A
200A
300A
400A
600A
1200V 2 in 1
48 × 94mm
48 × 94mm
62 × 108mm
62 × 108mm
80 × 110mm
80 × 110mm
FW_SWFW_DC
IGBT_SWIGBT_DC
電力
損失[
W]
CM600DU-24NFH(Si-IGBT)
CMH600DU-24NFH(ハイブリッドSiC)
約40%低減
■特長・短絡制限回路を内蔵することで、短絡耐量を確保・従来品に比べ電力損失を約70%低減※
・SiCの性能をフルに発揮する低インダクタンス パッケージを採用 ※当社製IGBTモジュール CM400DY-24NF (1200V/400A 2in1)を2個使用した場合
短絡制限回路を内蔵し、産業用インバーターの性能向上に貢献
■電力損失比較 1200V/800AフルSiCパワーモジュール
産業用 1200V/600A·1200V/800AフルSiCパワーモジュール FMF600DX2-24A/FMF800DX2-24A 開発中
FW_SWFW_DC
Tr_SWTr_DC
電力
損失[
W]
Condition:Vcc=600V, Io=222Arms(110kWインバーター想定), fc=15kHz, P.F=0.8, Modulation=1 ,三相変調, Tj=125℃
IGBTモジュール(Si) フルSiCモジュール
約70%低減
■製品ラインアップ外形サイズ定格電流定格電圧型名
FMF600DX2-24A★★
FMF800DX2-24A★★
600A
800A1200V 79.6×122mm
★★開発中
太陽光発電システム用パワーコンディショナーの電力変換効率の向上に貢献■特長
PV用 600V/50A大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM
PSH50YA2A6
・ダイオード部にSiC-SBD、トランジスタ部にCSTBTTM構造の 第7世代IGBTを搭載・従来品※に比べ、電力損失を約25%低減・短絡保護方式の変更により、インバーターシステムの小型化を実現※ 当社製 大型DIPIPMTM PS61A99
■電力損失比較
電力
損失[
W]
FW_SWFW_DC
IGBT_SWIGBT_DC
Condition:Vcc=300V, Io=25Arms, P.F=0.8, fc=10kHz, Tj=125℃
Si DIPIPMTM Hybrid SiC DIPIPMTM
約25%低減
■内部ブロック図 :SiC-SBD搭載箇所
VVP1
VVPC
VN1VNWNFOVNC
CFO VSC
N
VW
PVWP1
VWPCWP
WNVCIN
LVIC
LVIC
VP
LVIC
■内部ブロック図と駆動回路(例)
発売中
駆動回路(ユーザー)
VD
G
SC
R1
E
RG_ext
FMF800DX2-24A
Filter/Invert SC
Detect
保護動作3 保護動作2保護動作1
短絡過電流
5 6
■特長
■リカバリー波形(FWD)
高周波用 ハイブリッドSiCパワーモジュール
・電力損失の約40%低減により 機器の高効率・小型・軽量化に貢献・低インダクタンスパッケージでサージ 電圧を抑制・従来品※と互換パッケージにより 置き換えが可能※ 当社製IGBTモジュール NFHシリーズ
高周波スイッチングを行うパワーエレクトロニクス機器に最適
発売中
4 2
3 1
(E1) (C2)
Si-IGBTSi-IGBT
C2
G2G1
E1
C1 E2
(C1) (E2)
鉄道車両インバーター用に適した大容量・低損失・高信頼性設計モジュール■特長
■内部ブロック図
鉄道車両インバーター用 ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH1200DC-34S
・従来品※に比べ電力損失を30%低減・鉄道用途に適した高信頼性設計・従来品※と互換パッケージにより 置き換えが可能※ 当社製パワーモジュールCM1200DC-34N
■主な仕様150℃
4000Vrms2.3V
140mJ390mJ2.3V
9.0μC
最大動作温度絶縁耐電圧
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
モジュール特性
IGBT部特性@150℃
ダイオード部特性@150℃
エミッタ・コレクタ間電圧容量性電荷
ターンオンターンオフ
スイッチング損失850V、1200A
■電力損失比較
電力
損失[
W]
FW_SWFW_DC
IGBT_SWIGBT_DC
Condition:Vcc=850V、Io=600Arms、fc=1kHz、P.F=1、Modulation=1、 三相変調、Tj=125℃
CM1200DC-34N CMH1200DC-34S
約30%低減
:SiC-SBD搭載箇所
発売中
■電力損失比較
Condition:Vcc=600V、Io=600Ap、fc=15kHz、P.F=0.8、Modulation=1、 三相変調、Tj=125℃
200ns/div
IE:100A/div
CMH600DU-24NFH(ハイブリッドSiC)
CM600DU-24NFH(Si-IGBT)
■製品ラインアップ外形サイズ(D)×(W)回路構成定格電流定格電圧型名用途
産業機器
CMH100DY-24NFH
CMH150DY-24NFH
CMH200DU-24NFH
CMH300DU-24NFH
CMH400DU-24NFH
CMH600DU-24NFH
100A
150A
200A
300A
400A
600A
1200V 2 in 1
48 × 94mm
48 × 94mm
62 × 108mm
62 × 108mm
80 × 110mm
80 × 110mm
FW_SWFW_DC
IGBT_SWIGBT_DC
電力
損失[
W]
CM600DU-24NFH(Si-IGBT)
CMH600DU-24NFH(ハイブリッドSiC)
約40%低減
■特長・短絡制限回路を内蔵することで、短絡耐量を確保・従来品に比べ電力損失を約70%低減※
・SiCの性能をフルに発揮する低インダクタンス パッケージを採用 ※当社製IGBTモジュール CM400DY-24NF (1200V/400A 2in1)を2個使用した場合
短絡制限回路を内蔵し、産業用インバーターの性能向上に貢献
■電力損失比較 1200V/800AフルSiCパワーモジュール
産業用 1200V/600A·1200V/800AフルSiCパワーモジュール FMF600DX2-24A/FMF800DX2-24A 開発中
FW_SWFW_DC
Tr_SWTr_DC
電力
損失[
W]
Condition:Vcc=600V, Io=222Arms(110kWインバーター想定), fc=15kHz, P.F=0.8, Modulation=1 ,三相変調, Tj=125℃
IGBTモジュール(Si) フルSiCモジュール
約70%低減
■製品ラインアップ外形サイズ定格電流定格電圧型名
FMF600DX2-24A★★
FMF800DX2-24A★★
600A
800A1200V 79.6×122mm
★★開発中
太陽光発電システム用パワーコンディショナーの電力変換効率の向上に貢献■特長
PV用 600V/50A大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM
PSH50YA2A6
・ダイオード部にSiC-SBD、トランジスタ部にCSTBTTM構造の 第7世代IGBTを搭載・従来品※に比べ、電力損失を約25%低減・短絡保護方式の変更により、インバーターシステムの小型化を実現※ 当社製 大型DIPIPMTM PS61A99
■電力損失比較
電力
損失[
W]
FW_SWFW_DC
IGBT_SWIGBT_DC
Condition:Vcc=300V, Io=25Arms, P.F=0.8, fc=10kHz, Tj=125℃
Si DIPIPMTM Hybrid SiC DIPIPMTM
約25%低減
■内部ブロック図 :SiC-SBD搭載箇所
VVP1
VVPC
VN1VNWNFOVNC
CFO VSC
N
VW
PVWP1
VWPCWP
WNVCIN
LVIC
LVIC
VP
LVIC
■内部ブロック図と駆動回路(例)
発売中
駆動回路(ユーザー)
VD
G
SC
R1
E
RG_ext
FMF800DX2-24A
Filter/Invert SC
Detect
保護動作3 保護動作2保護動作1
短絡過電流
SiCパワーモジュールラインアップ
7 8
TAB#110,t=0.5
80±0.25
94
48 13
47.5
21.2
184
121212
2323 1717
2-φ6.5MOUNTING HOLES
3-M5 NUTS
7716 16 16
LABEL29+1
.0–0
.5
TAB#110,t=0.5
29+1 –0
.58.8
58.2
5
4
4-φ6.5 MOUNTING HOLES3-M6 NUTS
108
62
18 187 7 18
8.522
2.84
7.56
156
717
.5
14 14 14
25 2.521.525
Tc measured point7.57.5
LABEL
25.7
18
48±
0.25
93±0.25
3-M6 NUTS
4-φ6.5 MOUTINGHOLES
(8.5)
(22.
2)
9.25(
10)
(8.5)
(9)
(9)
93±0.25
62±
0.25
110
17.5
18.2
5
80
615
6
2514 14 14
25 21.5
LABEL29+1
.0–0
.5
21.2
8.5
18 18 187 7 TAB#110. t=0.5
106
19.753.25
7
16 15.25 2-φ5.5
6-M5NUTS
MOUNTINGHOLES
6-23-23-23-2
10.75
712
(SCR
EWIN
G DE
PTH)
19-□0.5
32.75 23 23 23
1331
5511.
7532
13.5
17.5
17.5
19.75
1214
.5
1616
12011
1 5 9 13 19
12
5-M4 NUTネジ深さ7.5
23.79 2-2.
54
2-2.
54
2-2.
54
5-2.5410.16 10.16
15
3
197
19 19 19
10.16
106 ±0.3
28 6.5
211
.61.
1
10
16.5
30
7
120
1 4
967.4
5.5750 398.
52.
525
1.65 7 10 15
31.2 42
.7
LABEL
2-φ5.5MOUNTINGHOLES
2-R7
15-□0.64
13.64
(3)
(20
.5)
13
4.06 18.8 57.15
3.81
3.81
3.81
3.81
3.81
19.05 3.5
177
121.7
94.539
13.64
41.352244
7.75110±0.5
50±
0.5
57.5
6292.3
4-φ5.5 MOUNTING HOLES
3.75
6.5(
21.14
)
6-M6 NUTS
612222221.14
3918.4923.72
6.7239
11.85±0.2
20±
0.1
4 2
3 1
130±0.557±0.25 57±0.25
140±
0.5
124±
0.25
30±
0.2
55.2±0.3
6-φ7 MOUNTING HOLES
4-M8 NUTS
6-M4 NUTS
53±0.2 57±0.240±0.2 44±0.2
5±0.
2
SCREWING DEPTHMIN. 16.5
SCREWING DEPTHMIN. 7.7
38+1 -0
18±0.216±0.2
38±0.520x1.778(-35.56)
35±0.3
14-0.5
18
18
25
1
0.28
14x2.54(-35.56)
12(2
.2)
2-R1.6 24
±0.
5(1
)
1.778±0.2
4-C1.2
HEAT SINK SIDE
1
8-0.6
0.450.45
0.45 0.450.2
0.25
0.282.54±0.2
14±
0.5
5.5±
0.5
Lot No.Type name
3MIN
SiC搭載で高周波スイッチングに対応可能となり周辺部品の小型化に貢献■特長
■内部ブロック図(フルSiC DIPPFC™)
家電用 超小型ハイブリッド/フルSiC DIPPFCTM
PSH20L91A6-A/PSF20L91A6-A
■電力損失比較
電力
損失[
W]
Di_SWDi_DC
Tr_SWoffTr_SWon
Tr_DC
Si DIPPFC™ フルSiC DIPPFC™
Condition:Vin=240Vrms, Vout=370V, Ic=20Arms, fc=40kHz, Tj=125℃
:SiC-SBD搭載箇所:SiC-MOSFET搭載箇所
約45%低減
・SiCチップ搭載により高周波スイッチング(40kHzまで)に対応可能となり、リアクトルやヒートシンクなどの周辺部品の小型化が可能
・超小型DIPIPMTM と同一パッケージのため、インバーター部とヒートシンクを共用する際に高さ合わせのスペーサーが不要となり実装が容易
駆動IC
VDP1P2
L1L2
N2
N1
Vin1Vin2
FoCFo
GNDCin1Cin2
家電用超小型フルSiC DIPIPMTM
PSF15S92F6-A/PSF25S92F6-A超小型ハイブリッド/フルSiC DIPPFCTM
PSH20L91A6-A/PSF20L91A6-A長尺
鉄道車両インバーター用1700V/1200AハイブリッドSiCパワーモジュールCMH1200DC-34S
PV用 600V/50A大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM
PSH50YA2A6
高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH400DU-24NFHCMH600DU-24NFH
高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH200DU-24NFHCMH300DU-24NFH
高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH100DY-24NFHCMH150DY-24NFH
産業用フルSiCパワーモジュールFMF600DX2-24AFMF800DX2-24A
産業用1200V/400A,1200V/800AフルSiCパワーモジュールFMF400BX-24AFMF800DX-24A
産業用1200V/75Aハイブリッド/フルSiC-IPMPMH75CL1A120/PMF75CL1A120PV用600V/75AフルSiC IPM PMF75B4L1A060
産業用600V/200AハイブリッドSiC-IPMPMH200CS1D060
Unit :mm
*暫定形名
(2.54×10)
1.8
8.6
0.8 22.7
168
10±0.3 10±0.3 10±0.3 10±0.3 10±0.3 10±0.3
70 ±0.379 ±0.5
2.54±0.3
31±0
.5
A = 2.54±0.3B = 5.08±0.3
B B B
12 53 4 6 87 9 1110 15 1716 20
303132
333440
294241
18 191412 13
B
B
B
A A A AA A
A 2.8
12.7
Type name , Lot No. 2-ø4.5±0.2
発売中
家電用超小型フルSiC DIPIPMTM
PSF15S92F6/PSF25S92F6短尺
家電用超小型フルSiC DIPIPMTM
PSF15S92F6-C/PSF25S92F6-C制御側千鳥
4-C1.218 25
17 1
Type nameLot No.
16-0.5
0.5 0.5 0.5
35±0.3
8-0.6
20X1.778(=35.56)38±0.5
12
24±0
.5(1
)9.
5±0.
5
5.5±
0.5
0.28
14X2.54(=35.56)2.54±0.2
0.281.778±0.2
3 MIN2-R
1.6
HEAT SINK SIDE
4-C1.218 25
17 1
16-0.5
0.50.5
0.50.5
8-0.6
35±0.320X1.778(=35.56)
38±0.5
24±0
.5(1
)
14X2.54(=35.56)
0.282.54±0.2
0.281.778±0.2
12 2-R1.6
5.5±
0.5
9.5±
0.5
HEAT SINK SIDE
3 MIN
Type nameLot No.
エアコンなど家電製品の通年エネルギー消費効率改善や産業機器の使いやすさ向上に貢献■特長
■内部ブロック図
家電用 600V/15A・25A超小型フルSiC DIPIPMTM
PSF15S92F6/PSF25S92F6
■電力損失比較
電力
損失[
W]
FW_SWFW_DC
Tr_SWTr_DC
Vcc=300V, VD=15V(Si),18V(SiC), fc=15kHz, P.F=0.95, Modulation=0.8, Io=1.5Arms, Tj=125℃
Si DIPIPMTM フルSiC DIPIPMTM
約70%低減
発売中
・SiC-MOSFET搭載によりオン抵抗の低減化を実現し、従来品※に比べ電力損失を約70%低減・リカバリー電流の低減で低ノイズなシステムが可能・P側電源用ブートストラップダイオード、温度情報出力など豊富な機能を搭載・当社独自技術の高Vth SiC-MOSFET搭載により、ゲート駆動用の負バイアス回路が不要・従来品※とパッケージおよびピン配置の互換性を確保し、本製品に切り替えるだけで性能が向上
※ 超小型DIPIPMTM シリーズ
:SiC-MOSEFT搭載箇所
LVIC HVIC
NW NV NU W V U P
2.5
122
38.5
16 15 14 13 10 9 8 7 6 5
4- 5.5 MOUNTING HOLES
12
1 2 43
11
22
(12.4)(12.4)
(7.4)(12)
14.9
94.171.7
6
6
21.14 22 23.72 22 6-M6 NUTS
(12)
4.2
6.5
(16
.7)
(15
.1)
(5.
75)
11.5
79.6 64
.5
13.6 3.5
6250
±0.
2
110±0.2
A BCC
B2B1
SiCパワーモジュールラインアップ
7 8
TAB#110,t=0.5
80±0.25
94
48 13
47.5
21.2
184
121212
2323 1717
2-φ6.5MOUNTING HOLES
3-M5 NUTS
7716 16 16
LABEL29+1
.0–0
.5
TAB#110,t=0.5
29+1 –0
.58.8
58.2
5
4
4-φ6.5 MOUNTING HOLES3-M6 NUTS
108
62
18 187 7 18
8.522
2.84
7.56
156
717
.5
14 14 14
25 2.521.525
Tc measured point7.57.5
LABEL
25.7
18
48±
0.25
93±0.25
3-M6 NUTS
4-φ6.5 MOUTINGHOLES
(8.5)
(22.
2)
9.25(
10)
(8.5)
(9)
(9)
93±0.25
62±
0.25
110
17.5
18.2
5
80
615
6
2514 14 14
25 21.5
LABEL29+1
.0–0
.5
21.2
8.5
18 18 187 7 TAB#110. t=0.5
106
19.753.25
7
16 15.25 2-φ5.5
6-M5NUTS
MOUNTINGHOLES
6-23-23-23-2
10.75
712
(SCR
EWIN
G DE
PTH)
19-□0.5
32.75 23 23 23
1331
5511.
7532
13.5
17.5
17.5
19.75
1214
.5
1616
12011
1 5 9 13 19
12
5-M4 NUTネジ深さ7.5
23.79 2-2.
54
2-2.
54
2-2.
545-2.5410.16 10.16
15
3
197
19 19 19
10.16
106 ±0.3
28 6.5
211
.61.
1
10
16.5
30
7
120
1 4
967.4
5.5750 398.
52.
525
1.65 7 10 15
31.2 42
.7
LABEL
2-φ5.5MOUNTINGHOLES
2-R7
15-□0.64
13.64
(3)
(20
.5)
13
4.06 18.8 57.15
3.81
3.81
3.81
3.81
3.81
19.05 3.5
177
121.7
94.539
13.64
41.352244
7.75110±0.5
50±
0.5
57.5
6292.3
4-φ5.5 MOUNTING HOLES
3.75
6.5(
21.14
)
6-M6 NUTS
612222221.14
3918.4923.72
6.7239
11.85±0.2
20±
0.1
4 2
3 1
130±0.557±0.25 57±0.25
140±
0.5
124±
0.25
30±
0.2
55.2±0.3
6-φ7 MOUNTING HOLES
4-M8 NUTS
6-M4 NUTS
53±0.2 57±0.240±0.2 44±0.2
5±0.
2
SCREWING DEPTHMIN. 16.5
SCREWING DEPTHMIN. 7.7
38+1 -0
18±0.216±0.2
38±0.520x1.778(-35.56)
35±0.3
14-0.5
18
18
25
1
0.28
14x2.54(-35.56)
12(2
.2)
2-R1.6 24
±0.
5(1
)
1.778±0.2
4-C1.2
HEAT SINK SIDE
1
8-0.6
0.450.45
0.45 0.450.2
0.25
0.282.54±0.2
14±
0.5
5.5±
0.5
Lot No.Type name
3MIN
SiC搭載で高周波スイッチングに対応可能となり周辺部品の小型化に貢献■特長
■内部ブロック図(フルSiC DIPPFC™)
家電用 超小型ハイブリッド/フルSiC DIPPFCTM
PSH20L91A6-A/PSF20L91A6-A
■電力損失比較
電力
損失[
W]
Di_SWDi_DC
Tr_SWoffTr_SWon
Tr_DC
Si DIPPFC™ フルSiC DIPPFC™
Condition:Vin=240Vrms, Vout=370V, Ic=20Arms, fc=40kHz, Tj=125℃
:SiC-SBD搭載箇所:SiC-MOSFET搭載箇所
約45%低減
・SiCチップ搭載により高周波スイッチング(40kHzまで)に対応可能となり、リアクトルやヒートシンクなどの周辺部品の小型化が可能
・超小型DIPIPMTM と同一パッケージのため、インバーター部とヒートシンクを共用する際に高さ合わせのスペーサーが不要となり実装が容易
駆動IC
VDP1P2
L1L2
N2
N1
Vin1Vin2
FoCFo
GNDCin1Cin2
家電用超小型フルSiC DIPIPMTM
PSF15S92F6-A/PSF25S92F6-A超小型ハイブリッド/フルSiC DIPPFCTM
PSH20L91A6-A/PSF20L91A6-A長尺
鉄道車両インバーター用1700V/1200AハイブリッドSiCパワーモジュールCMH1200DC-34S
PV用 600V/50A大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM
PSH50YA2A6
高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH400DU-24NFHCMH600DU-24NFH
高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH200DU-24NFHCMH300DU-24NFH
高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH100DY-24NFHCMH150DY-24NFH
産業用フルSiCパワーモジュールFMF600DX2-24AFMF800DX2-24A
産業用1200V/400A,1200V/800AフルSiCパワーモジュールFMF400BX-24AFMF800DX-24A
産業用1200V/75Aハイブリッド/フルSiC-IPMPMH75CL1A120/PMF75CL1A120
産業用600V/200AハイブリッドSiC-IPMPMH200CS1D060
Unit :mm
*暫定形名
(2.54×10)
1.8
8.6
0.8 22.7
168
10±0.3 10±0.3 10±0.3 10±0.3 10±0.3 10±0.3
70 ±0.379 ±0.5
2.54±0.3
31±0
.5
A = 2.54±0.3B = 5.08±0.3
B B B
12 53 4 6 87 9 1110 15 1716 20
303132
333440
294241
18 191412 13
B
B
B
A A A AA A
A 2.8
12.7
Type name , Lot No. 2-ø4.5±0.2
発売中
家電用超小型フルSiC DIPIPMTM
PSF15S92F6/PSF25S92F6短尺
家電用超小型フルSiC DIPIPMTM
PSF15S92F6-C/PSF25S92F6-C制御側千鳥
4-C1.218 25
17 1
Type nameLot No.
16-0.5
0.5 0.5 0.5
35±0.3
8-0.6
20X1.778(=35.56)38±0.5
12
24±0
.5(1
)9.
5±0.
5
5.5±
0.5
0.28
14X2.54(=35.56)2.54±0.2
0.281.778±0.2
3 MIN2-R
1.6
HEAT SINK SIDE
4-C1.218 25
17 1
16-0.5
0.50.5
0.50.5
8-0.6
35±0.320X1.778(=35.56)
38±0.5
24±0
.5(1
)
14X2.54(=35.56)
0.282.54±0.2
0.281.778±0.2
12 2-R1.6
5.5±
0.5
9.5±
0.5
HEAT SINK SIDE
3 MIN
Type nameLot No.
エアコンなど家電製品の通年エネルギー消費効率改善や産業機器の使いやすさ向上に貢献■特長
■内部ブロック図
家電用 600V/15A・25A超小型フルSiC DIPIPMTM
PSF15S92F6/PSF25S92F6
■電力損失比較
電力
損失[
W]
FW_SWFW_DC
Tr_SWTr_DC
Vcc=300V, VD=15V(Si),18V(SiC), fc=15kHz, P.F=0.95, Modulation=0.8, Io=1.5Arms, Tj=125℃
Si DIPIPMTM フルSiC DIPIPMTM
約70%低減
発売中
・SiC-MOSFET搭載によりオン抵抗の低減化を実現し、従来品※に比べ電力損失を約70%低減・リカバリー電流の低減で低ノイズなシステムが可能・P側電源用ブートストラップダイオード、温度情報出力など豊富な機能を搭載・当社独自技術の高Vth SiC-MOSFET搭載により、ゲート駆動用の負バイアス回路が不要・従来品※とパッケージおよびピン配置の互換性を確保し、本製品に切り替えるだけで性能が向上
※ 超小型DIPIPMTM シリーズ
:SiC-MOSEFT搭載箇所
LVIC HVIC
NW NV NU W V U P
2.5
122
38.5
16 15 14 13 10 9 8 7 6 5
4- 5.5 MOUNTING HOLES
12
1 2 43
11
22
(12.4)(12.4)
(7.4)(12)
14.9
94.171.7
6
6
21.14 22 23.72 22 6-M6 NUTS
(12)
4.2
6.5
(16
.7)
(15
.1)
(5.
75)
11.5
79.6 64
.5
13.6 3.5
6250
±0.
2
110±0.2
A BCC
B2B1
109
低炭素社会の実現と豊かな生活の両立へ
三菱電機のSiCパワーデバイスの開発と搭載製品三菱電機は、1990年代初めに新材料であるSiCにいち早く着目し、特性を追求したさまざまな要素技術開発を行なってきました。そして2010年にはSiCパワーモジュールを搭載したエアコンを世界で初めて製品化し、さらには鉄道やFA機器などでSiC搭載による省エネ効果を実証しています。今後も、先行した開発と実績で競争力のあるSiCパワーモジュールを提供していきます。
SiCパワーモジュールおよび搭載製品につきましては、経済産業省および国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の委託・助成研究の成果の一部が活用されています。
※1 広報発表時点において。当社調べ。 ※2 2018年4月現在、開発中。*表記の年月は広報発表時点、または製品発売月を記載しています。
2014年2014年2月電気自動車(EV)用モータードライブシステムを開発※2
2014年5月高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールのサンプル提供開始
2013年
2013年3月鉄道車両用補助電源装置を営業車両に納入
2013年2月SiC適用エレベーター制御装置を開発※2
2013年2月SiCパワーモジュールの大容量化技術を開発※2
2013年12月フルSiCパワーモジュール適用鉄道車両用インバーター装置を製品化
2013年5月SiCパワーモジュール発売
2012年
2012年12月数値制御装置(CNC)ドライブユニット発売
2012年3月SiCインバーター内蔵モーターシステムを開発※2
2012年9月鉄道車両用主回路システム搭載車両で実証
2012年7月SiCパワーモジュールサンプル提供開始
2011年10月SiC適用鉄道車両用インバーターの製品化
2011年2011年1月太陽光発電システム向けパワーコンディショナで国内業界最高電力変換効率※1を実証
2010年1月SiCダイオード搭載の大容量パワーモジュールを開発
2010年
2010年10月インバーターエアコン「霧ヶ峰」を発売
2009年11月20kW SiCインバーターで世界最高値※1となる電力損失90%低減実証
2009年2009年2月11kW SiCインバーターで世界最高値※1の電力損失約70%低減を実証
2006年1月SiCインバーターで3.7kW定格モーターの駆動に成功
2006年
さまざまな要素開発2000年代
新材料「SiC(炭化ケイ素)」パワー半導体の開発を他社に先駆けて着手
1990年代
2014年11月PV用大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM発売
2016年5月フルSiC DIPIPMTM搭載パッケージエアコン
「スリムエアコン」発売
2016年10月フルSiC DIPIPMTM搭載ルームエアコン
「霧ヶ峰FZ・Zシリーズ」発売
2016年2016年4月超小型フルSiCDIPIPM™発売
2015年2015年1月フルSiC-IPM搭載国内住宅用太陽光発電システム向けパワーコンディショナ発売
2015年6月東海道新幹線車両向けフルSiCパワーモジュール適用主回路システムを開発
2017年
2018年
2017年3月HEV用超小型SiCインバーターを開発
2017年9月電力損失が世界最小のSiCパワー半導体素子を開発
2017年12月国立大学法人東京大学と世界で初めてSiCパワー半導体素子の抵抗要因の影響度を解明
2018年1月6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発
2017年3月SiC-SBD発売
109
低炭素社会の実現と豊かな生活の両立へ
三菱電機のSiCパワーデバイスの開発と搭載製品三菱電機は、1990年代初めに新材料であるSiCにいち早く着目し、特性を追求したさまざまな要素技術開発を行なってきました。そして2010年にはSiCパワーモジュールを搭載したエアコンを世界で初めて製品化し、さらには鉄道やFA機器などでSiC搭載による省エネ効果を実証しています。今後も、先行した開発と実績で競争力のあるSiCパワーモジュールを提供していきます。
SiCパワーモジュールおよび搭載製品につきましては、経済産業省および国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の委託・助成研究の成果の一部が活用されています。
※1 広報発表時点において。当社調べ。 ※2 2018年4月現在、開発中。*表記の年月は広報発表時点、または製品発売月を記載しています。
2014年2014年2月電気自動車(EV)用モータードライブシステムを開発※2
2014年5月高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールのサンプル提供開始
2013年
2013年3月鉄道車両用補助電源装置を営業車両に納入
2013年2月SiC適用エレベーター制御装置を開発※2
2013年2月SiCパワーモジュールの大容量化技術を開発※2
2013年12月フルSiCパワーモジュール適用鉄道車両用インバーター装置を製品化
2013年5月SiCパワーモジュール発売
2012年
2012年12月数値制御装置(CNC)ドライブユニット発売
2012年3月SiCインバーター内蔵モーターシステムを開発※2
2012年9月鉄道車両用主回路システム搭載車両で実証
2012年7月SiCパワーモジュールサンプル提供開始
2011年10月SiC適用鉄道車両用インバーターの製品化
2011年2011年1月太陽光発電システム向けパワーコンディショナで国内業界最高電力変換効率※1を実証
2010年1月SiCダイオード搭載の大容量パワーモジュールを開発
2010年
2010年10月インバーターエアコン「霧ヶ峰」を発売
2009年11月20kW SiCインバーターで世界最高値※1となる電力損失90%低減実証
2009年2009年2月11kW SiCインバーターで世界最高値※1の電力損失約70%低減を実証
2006年1月SiCインバーターで3.7kW定格モーターの駆動に成功
2006年
さまざまな要素開発2000年代
新材料「SiC(炭化ケイ素)」パワー半導体の開発を他社に先駆けて着手
1990年代
2014年11月PV用大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM発売
2016年5月フルSiC DIPIPMTM搭載パッケージエアコン
「スリムエアコン」発売
2016年10月フルSiC DIPIPMTM搭載ルームエアコン
「霧ヶ峰FZ・Zシリーズ」発売
2016年2016年4月超小型フルSiCDIPIPM™発売
2015年2015年1月フルSiC-IPM搭載国内住宅用太陽光発電システム向けパワーコンディショナ発売
2015年6月東海道新幹線車両向けフルSiCパワーモジュール適用主回路システムを開発
2017年
2018年
2017年3月HEV用超小型SiCインバーターを開発
2017年9月電力損失が世界最小のSiCパワー半導体素子を開発
2017年12月国立大学法人東京大学と世界で初めてSiCパワー半導体素子の抵抗要因の影響度を解明
2018年1月6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発
2017年3月SiC-SBD発売
HG-801G 岡-1804〈IP〉 ©2018 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERVED. 2018年4月作成
三菱SiCパワーデバイス
SiCPower
Devices
三菱パワーデバイスSiCパワーデバイス
菱洋エレクトロ株式会社 大阪支店 (06)6455-5121 京都営業所 (075)371-5751株式会社立花エレテック (06)6539-2707 北陸支店 (076)233-3505協栄産業株式会社 大阪営業所 (06)6343-9663菱電商事株式会社 関西支社 (06)4797-3956 京都支店 (075)231-4396 北陸支店 (076)224-4102 姫路営業所 (079)287-2000 広島支社 (082)227-5411 福山営業所 (084)923-6393 四国支社 (087)885-3913
菱洋エレクトロ株式会社 名古屋支店 (052)203-0277株式会社立花エレテック 名古屋支社 (052)935-1619協栄産業株式会社 名古屋支店 (052)332-3861菱電商事株式会社 名古屋支社 (052)211-1217 豊田営業所 (0565)37-8108 静岡支社 (054)286-2215 浜松支店 (053)469-0576 沼津営業所 (0559)63-5190 三重営業所 (059)213-3133
岡谷鋼機株式会社 名古屋本店 (052)204-8302 刈谷支店 (0566)21-3222東海エレクトロニクス株式会社本社 (052)261-3211 小牧支店 (0568)75-2851中部三菱電機機器販売株式会社本社 (052)889-0032エレックヒシキ株式会社本社 (052)704-2121株式会社菱和 浜松支店 (053)450-3162
http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/ 〈三菱半導体ホームページ〉
(技術・資料お問い合わせ)
お問い合わせ先
(営業お問い合わせ窓口)代理店
菱洋エレクトロ株式会社 福岡営業所 (092)474-4311菱電商事株式会社 九州支社 (092)736-5759
株式会社カナデン 九州支店 (093)561-6483株式会社たけびし 九州支店 (092)473-7580
株式会社カナデン 関西支社 (06)6763-6809加賀デバイス株式会社 第二営業統括部 (06)6105-0449株式会社たけびし (075)325-2211 大阪支店 (06)6341-5081萬世電機株式会社 (06)6454-8233東海エレクトロニクス株式会社 大阪支店 (06)6310-6115山陽三菱電機販売株式会社 (082)243-9300
菱洋エレクトロ株式会社 (03)5565-1511 大宮支店 (048)614-8841 八王子支店 (042)645-8531 横浜支店 (045)474-1011 松本支店 (0263)36-8011 仙台支店 (022)266-3800株式会社立花エレテック 東京支社 (03)6400-3619協栄産業株式会社 (03)3481-2044 栃木営業所 (028)683-3011 日立営業所 (029)272-3911 群馬営業所 (027)327-4345 新潟営業所 (025)281-1171 東北支店 (022)232-7711 北海道支店 (011)642-6101
菱電商事株式会社 (03)5396-6224 茨城営業所 (029)828-6993 神奈川支社 (045)264-7125 北関東支社 (027)280-5515 新潟営業所 (0258)86-0190 東北支社 (022)217-5722株式会社カナデン (03)3433-1227 東北支店 (022)266-3118加賀デバイス株式会社 (03)5657-0144株式会社たけびし 東京支店 (045)474-3259萬世電機株式会社 東京支店 (03)3219-1800株式会社コシダテック (03)5789-1615東海エレクトロニクス株式会社 東京支店 (03)3704-2581 熊谷支店 (048)527-1620
関西支社 大阪府大阪市北区大深町4番20号(グランフロント大阪タワーA) 半導体・デバイス部 第一営業課 (06)6486-4500 第二営業課 (06)6486-4508 第三営業課 (06)6486-4509 第四営業課 (06)6486-4519
九州支社 福岡県福岡市中央区天神二丁目12番1号(天神ビル) 本社 パワーデバイス営業部 第三営業課 九州支社駐在 (092)721-2146
中部支社 愛知県名古屋市中村区名駅三丁目28番12号(大名古屋ビルヂング) 半導体・デバイス部 第一営業課 (052)565-3339 第二営業課 (052)565-3268 第三営業課 (052)565-3269 第四営業課 (052)565-3278
本 社 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号(東京ビル) パワーデバイス営業部 第一営業課 (03)3218-3239 第二営業課 (03)3218-3239 液晶営業部 第二営業課 (03)3218-3736 高周波光デバイス営業第一部 (03)3218-3687 高周波光デバイス営業第二部 (03)3218-4880
本社地区
中部支社地区
関西支社地区
九州支社地区
(2018年3月1日現在)三菱電機本社・支社・支店
半導体・デバイス事業本部 〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号(東京ビル)