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2020.12 作成 1
CM75MXUC-24T1/ CM75MXUCP-24T1 大電力スイッチング用 絶縁形
MXUC
コレクタ電流 IC ..................................... 7 5 A コレクタ・エミッタ間電圧 VCES .............. 1 2 0 0 V 最大接合温度 Tvjmax ............................. 1 7 5 °C ●フラットベース形 ●銅ベース板(ニッケルめっき) ●スズめっきピン端子 ●RoHS 指令準拠
MXUCP
コレクタ電流 IC ..................................... 7 5 A コレクタ・エミッタ間電圧 VCES .............. 1 2 0 0 V 最大接合温度 Tvjmax ............................. 1 7 5 °C ●フラットベース形 ●銅ベース板(ニッケルめっき) ●スズめっきプレスフィットピン端子 ●RoHS 指令準拠
CIB (Converter+Inverter+Chopper Brake) ●UL Recognized under UL1557, File No.E323585 用途 インバータ装置,サーボアンプ,電源装置 など
オプション ・PC-TIM 塗布仕様(注 10)
内部接続図 TERMINAL CODE
1 R 16 TH1 31 P 2 R 17 TH2 32 P
3 S 18 GwN 33 N
4 S 19 E 34 N 5 T 20 GvN 35 N 6 T 21 E1
7 GuP 22 GuN
8 U 23 GB
9 U 24 N1
10 GvP 25 N1
11 V 26 P1
12 V 27 P1 13 GwP 28 B 14 W 29 B 15 W 30 P
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CM75MXUC-24T1/CM75MXUCP-24T1
大電力スイッチング用 絶縁形
2020.12 作成 2
外形図 単位 mm
MXUC
SECTION A
SECTION B
MOUNTING HOLES
Tolerance otherwise specified Division of Dimension Tolerance
0.5 to 3 ±0.2 over 3 to 6 ±0.3 over 6 to 30 ±0.5 over 30 to 120 ±0.8 over 120 to 400 ±1.2
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CM75MXUC-24T1/CM75MXUCP-24T1
大電力スイッチング用 絶縁形
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外形図 単位 mm
MXUCP
SECTION A
SECTION B
MOUNTING HOLES
PCB DRILL HOLE PATTERN Tolerance otherwise specified
Division of Dimension Tolerance 0.5 to 3 ±0.2
over 3 to 6 ±0.3 over 6 to 30 ±0.5 over 30 to 120 ±0.8 over 120 to 400 ±1.2
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CM75MXUC-24T1/CM75MXUCP-24T1
大電力スイッチング用 絶縁形
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最大定格(指定のない場合,Tvj=25 °C) インバータ部 IGBT/FWD
記号 項目 条件 定格値 単位 VCES コレクタ・エミッタ間電圧 G-E 間短絡 1200 V VGES ゲート・エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 20 V IC
コレクタ電流 直流, TC=83 °C (注2, 4) 75
A
ICRM パルス, 繰返し (注3) 150 Pt o t コレクタ損失 TC=25 °C (注2,4) 330 W IE (注1)
エミッタ電流 直流 (注2) 75
A
IERM (注1) パルス, 繰返し (注3) 150 T v j m a x 最大接合温度 瞬時動作(過負荷等)(注10) 175 °C
ブレーキ部 IGBT/DIODE 記号 項目 条件 定格値 単位
VCES コレクタ・エミッタ間電圧 G-E 間短絡 1200 V VGES ゲート・エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 20 V IC
コレクタ電流 直流, TC=106 °C (注2, 4) 50
A
ICRM パルス, 繰返し (注3) 100 Pt o t コレクタ損失 TC=25 °C (注2,4) 279 W VRRM ピーク繰返し逆電圧 G-E 間短絡 1200 V IF
順電流 直流 (注2) 35
A
IFRM パルス, 繰返し (注3) 70 T v j m a x 最大接合温度 瞬時動作(過負荷等)(注10) 175 °C
コンバータ部 DIODE 記号 項目 条件 定格値 単位
VRRM ピーク繰返し逆電圧 - 1600 V Ea 推奨交流入力電圧 実効値 440 V Io 直流出力電流 三相全波整流,Tc=119 °C (注4) 75 A
IFSM サージ順電流 正弦半波 1 サイクル波高値 T v j =25 °C 600
A
f=60Hz,非繰返し T v j =150 °C 480
I 2t 電流二乗時間積 1 サイクルサージ順電流 T v j =25 °C 1500 A2s
T v j =150 °C 960
Tvjmax 最大接合温度 瞬時動作(過負荷等)(注10) 150 °C
モジュール 記号 項目 条件 定格値 単位
V i s o l 絶縁耐電圧 全端子・ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間 2500 V T C m a x 最大ケース温度 (注4,10) 125 °C T v j o p 動作接合温度 連続動作(注10) -40 ~ +150 °C
T s t g 保存温度 - -40 ~ +125
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電気的特性(指定のない場合,Tv j=25 °C) インバータ部 IGBT/FWD
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 ICES コレクタ・エミッタ間遮断電流 VCE=VCES, G-E 間短絡 - - 1.0 mA IGES ゲート・エミッタ間漏れ電流 VGE=VGES, C-E 間短絡 - - 0.5 μA VGE(th) ゲート・エミッタ間しきい値電圧 IC=7.5 mA, VCE=10 V 5.4 6.0 6.6 V
VCEsat (Terminal)
IC=75 A, T v j =25 °C - 2.10 2.60 VGE=15 V, T v j =125 °C - 2.45 - V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 試験回路図参照 (注5) T v j =150 °C - 2.55 -
VCEsat (Chip)
IC=75 A, T v j =25 °C - 1.95 2.25 VGE=15 V, T v j =125 °C - 2.25 - V (注5) T v j =150 °C - 2.30 -
C i e s 入力容量 - - 12.1 C o e s 出力容量 VCE=10 V, G-E 間短絡 - - 0.4 nF C r e s 帰還容量 - - 0.2 QG ゲート電荷量 VCC=600 V, IC=75A, VGE=15 V - 0.38 - μC t d ( o n ) ターンオン遅延時間 VCC=600 V, IC=75 A, VGE=±15 V,
- - 300 t r 上昇時間 - - 150 ns
t d ( o f f ) ターンオフ遅延時間 RG=13 Ω, 誘導負荷
- - 500 t f 下降時間 - - 400
VEC (注 1)
(Terminal)
エミッタ・コレクタ間電圧
IE=75 A, T v j =25 °C - 2.10 2.75 G-E 間短絡, T v j =125 °C - 2.35 - V 試験回路図参照 (注5) T v j =150 °C - 2.40 -
VEC (注 1)
(Chip)
T v j =25 °C - 1.95 2.40 IE=75 A, G-E 間短絡 (注5) T v j =125 °C - 1.95 - V T v j =150 °C - 1.95 -
t r r (注1) 逆回復時間 VCC=600 V, IE=75 A, VGE=±15 V, RG=13 Ω, 誘導負荷
- - 400 ns Qr r (注1) 逆回復電荷 - 7.0 - μC Eon ターンオンスイッチング損失 VCC=600 V, IC=IE=75 A, - 10.7 - Eoff ターンオフスイッチング損失 VGE=±15 V, RG=13 Ω, T v j =150 °C, - 7.0 - mJ Err (注1) 逆回復損失 誘導負荷, 1 パルスあたり - 3.2 - r g 内部ゲート抵抗 1 素子あたり - 0 - Ω
ブレーキ部 IGBT/FWD
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 ICES コレクタ・エミッタ間遮断電流 VCE=VCES, G-E 間短絡 - - 1.0 mA IGES ゲート・エミッタ間漏れ電流 VGE=VGES, C-E 間短絡 - - 0.5 μA VGE(th) ゲート・エミッタ間しきい値電圧 IC=5.0 mA, VCE=10 V 5.4 6.0 6.6 V
VCEsat (Terminal)
IC=50 A, T v j =25 °C - 1.95 2.45 VGE=15 V, T v j =125 °C - 2.30 - V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 試験回路図参照 (注5) T v j =150 °C - 2.40 -
VCEsat (Chip)
IC=50 A, T v j =25 °C - 1.85 2.15 VGE=15 V, T v j =125 °C - 2.10 - V (注5) T v j =150 °C - 2.15 -
C i e s 入力容量 - - 8.5 C o e s 出力容量 VCE=10 V, G-E 間短絡 - - 0.2 nF C r e s 帰還容量 - - 0.1 QG ゲート電荷量 VCC=600 V, IC=50 A, VGE=15 V - 0.26 - μC t d ( o n ) ターンオン遅延時間 VCC=600 V, IC=50 A, VGE=±15 V,
- - 300 t r 上昇時間 - - 150 ns
t d ( o f f ) ターンオフ遅延時間 RG=18 Ω, 誘導負荷
- - 500 t f 下降時間 - - 400
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電気的特性(続き:指定のない場合,Tv j=25 °C) ブレーキ部 IGBT/DIODE
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 Eon ターンオンスイッチング損失 VCC=600 V, IC=50 A, VGE=±15 V, RG=18 Ω, - 5.6 - mJ
Eoff ターンオフスイッチング損失 T v j =150 °C, 誘導負荷, 1 パルスあたり - 4.9 - r g 内部ゲート抵抗 1 素子あたり - 0 - Ω IRRM 逆電流 VR=VRRM, G-E 間短絡 - - 1.0 mA
VF
(Terminal)
IF=35 A, T v j =25 °C - 1.95 2.55 G-E 間短絡 T v j =125 °C - 2.20 - V
順電圧 試験回路図参照 (注5) T v j =150 °C - 2.25 -
VF
(Chip)
T v j =25 °C - 1.90 2.35 IF=35 A, G-E 間短絡 (注5) T v j =125 °C - 1.90 - V T v j =150 °C - 1.90 -
t r r (注1) 逆回復時間 VCC=600 V, IF=35 A, VGE=±15 V, - - 400 ns Qr r (注1) 逆回復電荷 RG=27 Ω, 誘導負荷 - 3.5 - μC
Err (注1) 逆回復損失 VCC=600 V, IF=50 A, VGE=±15 V, RG=18 Ω, - 1.7 - mJ
T v j =150 °C, 誘導負荷, 1 パルスあたり
コンバータ部 IGBT/DIODE
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 IRRM 逆電流 VR=VRRM, T v j =150 °C - - 20 mA
VF (Terminal)
順電圧 IF=75 A
T v j =25 °C - 1.35 1.80
V
T v j =150 °C - 1.35 -
VF (Chip)
T v j =25 °C - 1.20 1.45 T v j =150 °C - 1.15 -
NTC サーミスタ部
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 R25 ゼロ負荷抵抗値 TC=25 °C (注4) 4.85 5.00 5.15 kΩ ΔR/R 抵抗値許容差 R100=493 Ω, TC=100 °C (注4) -7.3 - +7.8 % B(25/50) B 定数 計算式による値 (注6) - 3375 - K P25 電力損失 TC=25 °C (注4) - - 10 mW
熱的特性
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 Rt h ( j - c ) Q
熱抵抗 接合・ケース間, インバータ IGBT, 1 素子あたり (注4) - - 452
K/kW
Rt h( j - c ) D 接合・ケース間, インバータ FWD, 1 素子あたり (注4) - - 804 Rt h ( j - c ) Q
熱抵抗 接合・ケース間, ブレーキ IGBT (注4) - - 536
K/kW
Rt h( j - c ) D 接合・ケース間, ブレーキ DIODE (注4) - - 1393 Rt h ( j - c ) D 接合・ケース間, コンバータ DIODE , 1 素子あたり (注4) 834
Rt h ( c - s ) 接触熱抵抗 ケース・ヒートシンク間 熱伝導性グリース塗布 (注4,7,10) - 11.5 -
K/kW 1 モジュールあたり PC-TIM 塗布 (注4,8,10) - 3.1 -
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機械的特性
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 Ms 締付けトルク 取付け M 5 ねじ 2.5 3.0 3.5 N·m
ds 沿面距離 はんだ付けピン端子(MXUC)
端子間 16.5 - -
mm
端子・ベース板間 18.3 - -
プレスフィットピン端子(MXUCP) 端子間 9.0 - - 端子・ベース板間 15.8 - -
da 空間距離 はんだ付けピン端子(MXUC)
端子間 10.3 - - 端子・ベース板間 18.1 - -
プレスフィットピン端子(MXUCP) 端子間 8.8 - - 端子・ベース板間 15.8 - -
ec ベース板平面度 X, Y 各中心線上 (注9) ±0 - +200 μm m 質量 - - 270 - g
推奨動作条件 記号 項目 条件
規格値 単位
最小 標準 最大
VCC 電源電圧 P1-N1 端子間 - 600 850 V VGEon ゲート(駆動)電圧 G*P-*/G*N-E/GB-E 端子間 (*=U,V,W) (注 12) 13.5 15.0 16.5 V
RG 外部ゲート抵抗 インバータ部 IGBT 1 素子あたり 13 - 130
Ω
ブレーキ部 IGBT 18 - 180
* : 本製品は RoHS※指令(2011/65/EU),((EU)2015/863)に準拠しています。 ※Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment.
注 1. フリーホイールダイオード(FWD)の定格又は特性を示します。 2. 接合温度は,最大接合温度(Tv jm a x)以下です。 3. パルス幅及び繰返し率は,素子の温度上昇が,最大接合温度(Tv jm a x)を越えない値とします。 4. ケース温度(TC)及びヒートシンク温度(Ts)の定義点は,チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です。
チップ中心位置は,チップ配置図のとおりです。 5. パルス幅及び繰返し率は,素子の温度上昇が無視できる値とします。
6. )TT/()
RRln(B )/(
502550
255025
11−=
R25:絶対温度 T25 [K] におけるゼロ負荷抵抗値;T25 [K]=25 [°C]+273.15=298.15 R50:絶対温度 T50 [K] におけるゼロ負荷抵抗値;T50 [K]=50 [°C]+273.15=323.15
7. 標準値は,熱伝導率 λ=0.9 W/(m·K) の放熱用グリースを厚み D(C-S)=50 μm で使用したときの値です。 8. 標準値は,熱伝導率 λ=3.4 W/(m·K) の PC-TIM を厚み D(C-S)=50 μm で使用したときの値です。 9. ベース板(取付面)平面度測定箇所は,下図のとおりです。
Y
X
+:Convex
-:Concave
+:C
onve
x
-:Con
cave
Mounting side
Mounting side
Mounting side
2 mm
2 mm
10. 放熱用グリースや PC-TIMを用いた長期使用時に対する特性(ポンピングアウト等による熱抵抗の増加も含む)は、お客様のアプリケーションの実使用条件にてご確認ください。各温度条件(Tv j m a x , T v j o p , T C m a x)については、長期使用する場合においても温度上昇を考慮して最大定 格以下でご使用頂く必要があります。
11. プリント基板をスタンドオフにねじ止めする場合は,下記仕様のタッピンねじをご使用ください。 プリント基板厚み : t1.6 仕様 メーカ 寸法 締付けトルク 締付け方法 (1) PT EJOT 社 K25×8 0.55 ± 0.055 N・m (2) PT K25×10 0.75 ± 0.075 N・m 手作業(電動ドライバー30 rpm 相当) (3) DELTA PT 25×8 0.55 ± 0.055 N・m ~電動ドライバー 600 rpm 以下 (4) DELTA PT 25×10 0.75 ± 0.075 N・m (5) B1 タッピンねじ - 呼び径(φ)2.6×10 0.75 ± 0.075 N・m 又は,呼び径(φ)2.6×12
12. ICRMで動作させるには,VGE=15V が必要です。
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チップ配置図 (Top view) 単位:mm, 公差:±1 mm MXUC
MXUCP
Tr*P/Tr*N/TrBr: IGBT, Di*P/Di*N: DIODE (*=U/V/W), DiBr: BRAKE DIODE, CR*P/CR*N: CONVERTER DIODE (*=R/S/T), Th: NTC thermistor
オプション:PC-TIM 塗布ベース板(モジュール裏面)図 MXUC MXUCP
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試験回路及び試験波形
VCC
-VGE
+VGE
-VGE +
vCE
vGE 0
iE
iC
P1
N1
*
G*P
*
G*N
E1
Load
RG
*: U, V, W
~
t
t f t r td ( o n )
iC
10%
90 %
90 % vGE ~
~
~
0 V
0 A
0
td ( o f f ) t
Ir r
Qrr=0.5×Irr×trr
0.5×Irr
t tr r
iE
0 A
IE
スイッチング特性試験回路及び試験波形 逆回復特性試験波形
0.1×ICM
ICM VCC vCE
iC
t 0
t i
0.1×VCC
0.1×VCC
VCC ICM
vCE iC
t 0 0.02×ICM
t i
IEM
vEC iE
t 0 V
t i
t
VCC
0 A
IGBT ターンオンスイッチング損失 IGBT ターンオフスイッチング損失 FWD 逆回復損失
スイッチング損失及び逆回復損失試験波形(積分時間説明図)
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試験回路
V G-E short-
circuited
26,27
8,9
24,25
7
8,9
22
21
VGE=15 V IC
V G-E short-
circuited
26,27
11,12
24,25
10
11,12
20
21
VGE=15 V IC
V G-E short-
circuited
26,27
14,15
24,25
13
14,15
18
21
VGE=15 V IC
26,27
28,29
24,25
23
21
IF
V G-E short-
circuited
TrUP TrVP TrWP Brake DIODE
G-E short- circuited
26,27
8,9
24,25
7
8,9
22
21
VGE=15 V IC
V
G-E short- circuited
26,27
11,12
24,25
10
11,12
20
21
VGE=15 V IC
V
G-E short- circuited
26,27
14,15
24,25
13
14,15
18
21
VGE=15 V IC
V
26,27
28,29
24,25
23
21
VGE=15 V IC
V
TrUN TrVN TrWN Brake IGBT
ゲート・エミッ
タ間短絡
GVP-V, GVN-E1, GWP-W, GWN-E1, GB-E1
ゲート・エミッ
タ間短絡
GUP-U, GUN-E1, GWP-W, GWN-E1, GB-E1
ゲート・エミッ
タ間短絡
GUP-U, GUN-E1, GVP-V, GVN-E1, GB-E1
ゲート・エミッ
タ間短絡
GUP-U, GUN-E1, GVP-V, GVN-E1, GWP-W, GWN-E1
VCEs at 試験回路
V G-E short-
circuited
26,27
8,9
24,25
7
8,9
22
21
IE G-E short-
circuited
V G-E short-
circuited
26,27
11,12
24,25
10
11,12
20
21
IE G-E short-
circuited
V G-E short-
circuited
26,27
14,15
24,25
13
14,15
18
21
IE G-E short-
circuited
30~32
1,2
33~35
IF
V
DiUP DiVP DiWP
G-E short- circuited
26,27
8,9
24,25
7
8,9
22
21
IE
V
G-E short- circuited
G-E short- circuited
26,27
11,12
24,25
10
11,12
20
21
IE
V
G-E short- circuited
G-E short- circuited
26,27
14,15
24,25
13
14,15
18
21
IE
V
G-E short- circuited
30~32
1,2
33~35
IF
V
DiUN DiVN DiWN CONVERTER DIODE (ex.phase-R)
ゲート・エミッ
タ間短絡
GVP-V, GVN-E1, GWP-W, GWN-E1, GB-E1
ゲート・エミッ
タ間短絡
GUP-U, GUN-E1, GWP-W, GWN-E1, GB-E1
ゲート・エミッ
タ間短絡
GUP-U, GUN-E1, GVP-V, GVN-E1, GB-E1
VEC 試験回路 VF 試験回路
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特性図
インバータ部 出力特性 コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性 (代表例) (代表例) Tv j=25 °C (チップ) VGE=15 V (チップ)
コレクタ電流
I C
(A
)
コレ
クタ・エミッタ間飽和電圧
V C
Esat
(V)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ電流 IC (A)
コレクタ・エミッタ間電圧特性 フリーホイールダイオード順特性 (代表例) (代表例) Tv j=25 °C (チップ) G-E間短絡 (チップ)
コレクタ・エミッタ間電
圧
V CE
(V)
エミッタ電流
I E
(A
)
ゲート・エミッタ間電圧 VGE (V) エミッタ・コレクタ間電圧 VEC (V)
IC=150 A
IC=75 A
IC=37.5 A
Tv j=25 °C
Tv j=150 °C
Tv j=25 °C
VGE=20 V
10 V
8 V
11 V
13.5 V
15 V
12 V
Tv j=125 °C
Tv j=125 °C
Tv j=150 °C
-
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特性図
インバータ部 スイッチング時間特性 スイッチング時間特性 (代表例) (代表例) VCC=600 V, RG=13 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷 VCC=600 V, IC=75 A, VGE=±15 V, 誘導負荷 ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
スイッチング時間
(n
s)
スイッチング時間
(n
s)
コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω)
スイッチング損失特性 スイッチング損失特性 (代表例) (代表例) VCC=600 V, IC/IE=75 A, VGE=±15 V, VCC=600 V, RG=13 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
スイッチング損失
, 逆回復損失
(m
J)
スイッチング損失
, 逆回復損失
(m
J)
コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω) エミッタ電流 IE (A)
t f
td ( on )
t f
td ( o f f )
t r
E o n
E o f f
E r r
E o f f
E r r
E o n
td ( on)
td ( o f f )
t r
-
CM75MXUC-24T1/CM75MXUCP-24T1
大電力スイッチング用 絶縁形
2020.12 作成 13
特性図
インバータ部 容量特性 フリーホイールダイオード逆回復特性 (代表例) (代表例) VCC=600 V, RG=13 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷 G-E間短絡, Tv j=25 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
容量
(n
F)
t rr
(ns
), I r
r (
A)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) エミッタ電流 IE (A)
ゲート容量特性 過渡熱インピーダンス特性 (代表例) (最大) Single pulse, TC=25°C VCC=600 V, IC=75 A, Tv j=25 °C Rth( j -c )Q=452 K/kW, Rth( j -c )D=804 K/kW
ゲート・エミッタ間電圧
V G
E (
V)
NO
RM
ALIZ
ED T
RAN
SIEN
T TH
ERM
AL I
MPE
DAN
CE
Zth
(j-c
)
ゲート容量 QG (nC) 時間 (S)
C i e s
C o e s
C r e s
t r r
I r r
-
CM75MXUC-24T1/CM75MXUCP-24T1
大電力スイッチング用 絶縁形
2020.12 作成 14
特性図
インバータ部 ターンオフスイッチング安全動作領域 短絡安全動作領域 (逆バイアス安全動作領域) (最大) (最大) VCC≤850 V, RG=13~130 Ω, VGE=±15 V, -----------------: Tv j=25~150 °C (Normal load operations (Continuous) VCC≤800 V, RG=13~130 Ω, VGE=±15 V, - - - - - -: Tv j=175 °C (Unusual load operations (Limited period) Tvj= 25 ~ 150 °C, tW≤8 μs, 非繰返し
NO
RM
ALIZ
ED C
OLL
ECTO
R C
UR
REN
T I C
NO
RM
ALIZ
ED C
OLL
ECTO
R C
UR
REN
T I C
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
-
CM75MXUC-24T1/CM75MXUCP-24T1
大電力スイッチング用 絶縁形
2020.12 作成 15
特性図
ブレーキ部 出力特性 コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性 (代表例) (代表例) Tv j=25 °C (チップ) VGE=15 V (チップ)
コレクタ電流
I C
(A
)
コレ
クタ・エミッタ間飽和電圧
V C
Esat
(V)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ電流 IC (A)
コレクタ・エミッタ間電圧特性 ダイオード順特性 (代表例) (代表例) Tv j=25 °C (チップ) G-E間短絡 (チップ)
コレクタ・エミッタ間電
圧
V CE
(V)
エミッタ電流
I E
(A
)
ゲート・エミッタ間電圧 VGE (V) エミッタ・コレクタ間電圧 VEC (V)
IC=100 A
IC=50 A
IC=25 A
Tv j=25 °C
Tv j=150 °C
Tv j=25 °C
VGE=20 V
10 V
8 V
11 V
13.5 V
15 V 12 V
Tv j=150 °C
Tv j=125 °C
Tv j=125 °C
-
CM75MXUC-24T1/CM75MXUCP-24T1
大電力スイッチング用 絶縁形
2020.12 作成 16
特性図
ブレーキ部 スイッチング時間特性 スイッチング時間特性 (代表例) (代表例) VCC=600 V, RG=18 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷 VCC=600 V, IC=50 A, VGE=±15 V, 誘導負荷 ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
スイッチング時間
(n
s)
スイッチング時間
(n
s)
コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω)
スイッチング損失特性 スイッチング損失特性 (代表例) (代表例) VCC=600 V, IC/IE=50 A, VGE=±15 V, VCC=600 V, RG=18 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
スイッチング損失
, 逆回復損失
(m
J)
スイッチング損失
, 逆回復損失
(m
J)
コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω) エミッタ電流 IE (A)
t f
td ( on )
t f
td ( o f f )
t r
E o n
E o f f
E r r
E o n
E r r E o f f
td ( on )
t r
td ( o f f )
-
CM75MXUC-24T1/CM75MXUCP-24T1
大電力スイッチング用 絶縁形
2020.12 作成 17
特性図
ブレーキ部 容量特性 (代表例) G-E間短絡, Tv j=25 °C
容量
(n
F)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
ゲート容量特性 過渡熱インピーダンス特性 (代表例) (最大) Single pulse, TC=25°C VCC=600 V, IC=50 A, Tv j=25 °C Rth( j -c )Q=536 K/kW, Rth( j -c )D=1393 K/kW
ゲート・エミッタ間電圧
V G
E (
V)
NO
RM
ALIZ
ED T
RAN
SIEN
T TH
ERM
AL I
MPE
DAN
CE
Zth
(j-c
)
ゲート容量 QG (nC) 時間 (S)
C i e s
C o e s
C r e s
-
CM75MXUC-24T1/CM75MXUCP-24T1
大電力スイッチング用 絶縁形
2020.12 作成 18
特性図
ブレーキ部 ターンオフスイッチング安全動作領域 短絡安全動作領域 (逆バイアス安全動作領域) (最大) (最大) VCC≤850 V, RG=18~180 Ω, VGE=±15 V, -----------------: Tv j=25~150 °C (Normal load operations (Continuous) VCC≤800 V, RG=18~180 Ω, VGE=±15 V, - - - - - -: Tv j=175 °C (Unusual load operations (Limited period) Tvj= 25 ~ 150 °C, tW≤8 μs, 非繰返し
NO
RM
ALIZ
ED C
OLL
ECTO
R C
UR
REN
T I C
NO
RM
ALIZ
ED C
OLL
ECTO
R C
UR
REN
T I C
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コンバータ部 コンバータダイオード順特性 過渡熱インピーダンス特性 (代表例) (最大) Single pulse, TC=25 °C Rt h( j - c ) D=834 K/kW
順電流
I F
(A)
NO
RM
ALIZ
ED T
RAN
SIEN
T TH
ERM
AL IM
PED
ANC
E Z
th(j
-c)
順電圧 VF (V) 時間 (S)
Tv j=25 °C
Tv j=150 °C
-
CM75MXUC-24T1/CM75MXUCP-24T1
大電力スイッチング用 絶縁形
2020.12 作成 19
特性図
NTC サーミスタ部 温度特性 (代表例)
抵抗値
R
(k
Ω)
温度 T (°C)
注意:特性曲線は参照用であり、保証されるものではありません
-
CM75MXUC-24T1/CM75MXUCP-24T1
大電力スイッチング用 絶縁形
2020.12 作成 20
特記事項
本資料に記載されている情報は、いかなる場合でも、条件、特性及び品質を保証するものではありませ
ん。弊社半導体製品は必ず本資料に記載された最大定格の範囲内でご使用いただき、また、適用される法
令による要求、規範及び基準をお客様が遵守することを前提としております。
なお、弊社の権限を有する者が署名した書面による明示の承諾がある場合を除き、人身事故を招くおそ
れのある用途に弊社半導体製品を使用することはできません。
パワー半導体製品は、長期の信頼性(パワーサイクルやサーマルサイクル等)について寿命を有してい
ることや、特殊環境下(結露、高湿度、高粉塵、高塩分、高地、有機物・腐食性ガス・爆発性ガスが多い
環境、端子部等への過度な応力等)での使用により、故障が発生したり、誤動作したりする場合がありま
すので、十分ご注意ください。また、技術的要件によっては弊社半導体製品に環境規制物質等が含まれる
可能性があります。詳細確認を要する場合には、最寄りの弊社営業所、あるいは代理店までお問い合わせ
ください。
本資料の内容・データは,専門技術・教育を受けられた技術者を対象としています。弊社半導体製品の
お客様用途への適合性及び適合性に関する弊社製品データの完全性については、お客様の技術部門の責任
にて評価・判断してください。なお、貴社製品への適用検討にあたって、弊社半導体製品単体で評価する
だけでなく、システム全体で十分に評価し、適用可否をご判断ください。必要に応じ、電源と半導体製品
の間に適切な容量のヒューズまたはブレーカーを取り付けて二次破壊を防ぐなど、安全設計に十分ご留意
ください。関連するアプリケーションノート・技術資料も合わせてご参照ください。
-
CM75MXUC-24T1/CM75MXUCP-24T1
大電力スイッチング用 絶縁形
© Mitsubishi Electric Corporation 2020.12 作成 21
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弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合があ
ります。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として、人身事故、火災事故、社会的損害など
を生じさせないような安全性を考慮した冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分
ご留意ください。
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内部接続図外形図MXUC外形図MXUCP