11aa010/11lc010 11aa080/11lc080 11aa020/11lc020 ...© 2008 microchip technology inc. preliminary...

11AA010/11LC010 11AA080/11LC08011AA020/11LC020 11AA160/11LC16011AA040/11LC040

1K-16K UNI/O™ シリアル EEPROM ファミリデータシート

ご注意：この日本語版ドキュメントは、参考資料としてご使用の上、最新情報につきましては、必ず英語版オリジナルをご参照いただきますようお願いします。

特徴 :• シングル I/OのUNI/O™ シリアルインターフェースバス

• 低消費電力 CMOS 技術

- 1 mA のアクティブ電流 ( 標準 )- 1 µA のスタンバイ電流 ( 最大 ) (I-temp)

• 128 × 8 ～ 2,048 × 8 のビット構成

• シュミットトリガ入力によるノイズ抑制

• グランドバウンスを回避する出力スロープ制御

• 最大 100 kbps のビットレート ( クロック周波数100 kHz に相当 )

• セルフタイムの書き込みサイクル ( 自動消去を含む )

• 最大 16 バイトのページ書き込みバッファ

• より高度な制御を可能にするステータスレジスタ:- ライトイネーブルラッチビット

- ライトインプログレスビット

• ブロック書き込み保護機能

- アレイを保護しない、アレイの 1/4、1/2、またはすべてを保護する、から選択

• 内蔵書き込み保護機能

- 電源オン / オフ時のデータ保護回路

- ライトイネーブルラッチ

• 高い信頼性

- 書き込み耐性 : 1,000,000 回の消去 / 書き込みサイクル

- データ保持時間 : 200 年超

- 静電気放電保護 : 4,000V 超

• 3 ピンの SOT-23 パッケージ

• 8 ピンの PDIP、SOIC、MSOP、および TDFNパッケージ

• 鉛フリーおよび RoHS 準拠

• 対応する仕様温度 :

ピン機能表

概要 :マイクロチップテクノロジー社の11AAXXX/11LCXXX (11XX*) デバイスは、1K ビット～ 16K ビットのシリアル EEPROM (ElectricallyErasable PROM) ファミリです。これらのデバイスはx8ビットメモリ単位のブロックで構成されており、シングル I/OのUNI/O™シリアルバスをサポートしています。クロックとデータはマンチェスター符号化技術を使用して 1 つのシリアルビットストリーム (SCIO) として送信され、レシーバはクロック信号を抽出することによって各ビットのタイミングと値を正しくデコードします。

低電圧設計を利用することで、11AAXXX デバイスなら最小 1.8V での動作が可能で、この場合のスタンバイ電流は 1 µA、アクティブ電流はわずか 1 mAです。

11XX ファミリには、8 ピン PDIP/SOIC の標準パッケージに加え、より高度な 3 ピン SOT-23、8 ピンTDFN、8ピンMSOPパッケージも用意されています。

パッケージタイプ ( 原寸大ではありません )

- 工業用 (I): -40°C ～ +85°C- 車載 (E): -40°C ～ +125°C

Name Function

SCIO Serial Clock, Data Input/OutputVSS GroundVCC Supply Voltage

NCNCNC

VSS

1234

8765

VCCNCNCSCIO

PDIP/SOIC(P, SN)

NCNCNC

VSS

1234

8765

VCCNCNCSCIO

(MS)

TDFN

NC

NC

NC

VSS

NC

NC

SCIO5

6

7

8

4

3

2

1 VCC

(MN)

MSOP

SOT23

2

3

1 SCIO

VCC

VSS

(TT)

* 本文書では、11 シリーズデバイスを総称する製品番号として 11XX の表記を使用します。

© 2008 Microchip Technology Inc. Preliminary DS22067D_JP - ページ 1

11AAXXX/11LCXXX

デバイス選択表

Part Number Density (bits) Organization VCC Range Page Size

(Bytes)Temp.

Ranges Packages

11LC010 1K 128 x 8 2.5-5.5V 16 I,E P, SN, MS, MN, TT

11AA010 1K 128 x 8 1.8-5.5V 16 I P, SN, MS, MN, TT





11LC080 8K 1,024 x 8 2.5-5.5V 16 I,E P, SN, MS, MN, TT

11AA080 8K 1,024 x 8 1.8-5.5V 16 I P, SN, MS, MN, TT

11LC160 16K 2,048 x 8 2.5-5.5V 16 I,E P, SN, MS, MN, TT

11AA160 16K 2,048 x 8 1.8-5.5V 16 I P, SN, MS, MN, TT

DS22067D_JP - ページ 2 Preliminary © 2008 Microchip Technology Inc.

11AAXXX/11LCXXX

1.0 電気的特性

絶対最大定格 (†)

VCC ..................................................................................................................................................................................... 6.5V

VSS を基準にした SCIO.......................................................................................................................... -0.6V ～ VCC+1.0V保存温度 ........................................................................................................................................................-65°C ～ +150°Cバイアス付加時周囲温度 ............................................................................................................................-40°C ～ +125°C全ピンに対する静電気放電保護 .................................................................................................................................... 4 kV

表 1-1: DC 特性

† 注意 : 上記の「絶対最大定格」を超えるストレスを加えると、デバイスに恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格のみを規定するものであり、この条件、あるいはこの仕様の動作条件に記載する規定値以上の他の条件でのデバイス動作を定めたものではありません。最大定格の状態に長時間放置すると、デバイスの信頼性に影響を与える場合があります。

DC CHARACTERISTICS

Electrical Characteristics:Industrial (I): VCC = 2.5V to 5.5V TA = -40°C to +85°C

VCC = 1.8V to 2.5V TA = -20°C to +85°CAutomotive (E): VCC = 2.5V to 5.5V TA = -40°C to +125°C

Param.No. Sym. Characteristic Min. Max. Units Test Conditions

D1 VIH High-level input voltage

0.7*VCC VCC+1 V

D2 VIL Low-level inputvoltage

-0.3-0.3

0.3*VCC0.2*VCC

VV

VCC ≥ 2.5VVCC < 2.5V

D3 VHYS Hysteresis of Schmitt Trigger inputs (SCIO)

0.05*VCC — V VCC ≥ 2.5V (Note 1)

D4 VOH High-level outputvoltage

VCC -0.5VCC -0.5

——

VV

IOH = -300 µA, VCC = 5.5VIOH = -200 µA, VCC = 2.5V

D5 VOL Low-level outputvoltage

——

0.40.4

VV

IOI = 300 µA, VCC = 5.5VIOI = 200 µA, Vcc = 2.5V

D6 IO Output current limit (Note 2)

——

±4±3

mAmA

VCC = 5.5V (Note 1)VCC = 2.5V (Note 1)

D7 ILI Input leakage current (SCIO)

— ±1 µA VIN = VSS or VCC

D8 CINT Internal Capacitance(all inputs and outputs)

— 7 pF TA = 25°C, FCLK = 1 MHz,VCC = 5.0V (Note 1)

D9 ICC Read Read OperatingCurrent

——

31

mAmA

VCC=5.5V; FBUS=100 kHz, CB=100 pFVCC=2.5V; FBUS=100 kHz, CB=100 pF

D10 ICC Write Write OperatingCurrent

——

53

mAmA

VCC = 5.5VVCC = 2.5V

D11 ICCS Standby Current —

—

5

1

µA

µA

VCC = 5.5VTA = 125°C

VCC = 5.5VTA = 85°C

D12 ICCI Idle Mode Current — 50 µA VCC = 5.5V注 1: このパラメータは無作為に抽出された一部のデバイスを対象に定期的にテストされるもので、テス

トは全数テストではありません。

2: IO を超えないよう、SCIO 出力ドライバのインピーダンスは変化します。


11AAXXX/11LCXXX

表 1-3: AC テスト条件

表 1-2: AC 特性

AC CHARACTERISTICS

Electrical Characteristics:Industrial (I): VCC = 2.5V to 5.5V TA = -40°C to +85°C

VCC = 1.8V to 2.5V TA = -20°C to +85°CAutomotive (E): VCC = 2.5V to 5.5V TA = -40°C to +125°C

Param.No. Sym. Characteristic Min. Max. Units Test Conditions

1 FBUS Serial bus frequency 10 100 kHz —2 TE Bit period 10 100 µs —3 TIJIT Input edge jitter tolerance — ±0.10 UI (Note 3)4 FDRIFT Serial bus frequency drift

rate tolerance— ±0.75 % per byte —

5 FDEV Serial bus frequency drift limit

— ±6 % per command

—

6 TOJIT Output edge jitter — ±0.25 UI (Note 3)7 TR SCIO input rise time

(Note 1)— 100 ns —

8 TF SCIO input fall time(Note 1)

— 100 ns —

9 TSTBY Standby pulse time 600 — µs —10 TSS Start header setup time 10 — µs —11 THDR Start header low pulse time 5 — µs —12 TSP Input filter spike

suppression (SCIO)— 50 ns (Note 1)

13 TWC Write cycle time(byte or page)

——

510

msms

Write, WRSR commandsERAL, SETAL commands

14 — Endurance (per page) 1M — cycles 25°C, VCC = 5.5V (Note 2)

注 1: このパラメータは無作為に抽出された一部のデバイスを対象に定期的にテストされるもので、テストは全数テストではありません。

2: このパラメータはテストされていませんが、特性解析に基づいて保証されています。特定のアプリケーションにおけるデータ書き換え耐久性の概算については、マイクロチップ社のウェブサイトwww.microchip.com の Total Endurance™ Model をご覧ください。

3: 1 UI (Unit Interval) は、現在のバス周波数の 1 ビット周期 (TE) と同じです。

AC Waveform: VLO = 0.2VVHI = VCC - 0.2V CL = 100 pF

Timing Measurement Reference LevelInput 0.5 VCC

Output 0.5 VCC


11AAXXX/11LCXXX

図 1-1: バスタイミング – 開始ヘッダ

図 1-2: バスタイミング – データ

図 1-3: バスタイミング – スタンバイパルス

図 1-4: バスタイミング – ジッタ

SCIO

2

Data ‘0’ Data ‘1’ Data ‘0’ Data ‘1’ Data ‘0’ Data ‘1’ Data ‘0’ Data ‘1’ MAK bit NoSAK bit

1110

2

SCIO

7 8

Data ‘0’ Data ‘1’ Data ‘1’ Data ‘0’

12

SCIO

9

StandbyMode

Ideal Edge

32

3 6 62

6 6

Ideal Edge Ideal Edge Ideal Edgefrom Master from Master from Slave from Slave


11AAXXX/11LCXXX

2.0 機能の説明

2.1 動作説明

11XX シリアル EEPROM ファミリは、UNI/O™ プロトコルをサポートしています。このデバイスファミリは、マイクロチップ社の PIC® マイクロコントローラをはじめとする各種マイクロコントローラ、ASIC、または UNI/O プロトコルに合わせて正しく構成できるディスクリート I/O ラインを備えたデバイスと接続して使用できます。

11XX デバイスには、8 ビット命令レジスタがあります。こうしたデバイスへのアクセスには、SCIOピンを使用します。

表 4-1 に、デバイスを動作させるための命令バイトとフォーマットを一覧で示します。すべての命令、アドレス、およびデータは、MSB から LSB の順に転送されます。

データはマンチェスター符号化によって I/O ストリームに組み込まれます。バスはマスターデバイスによって制御されます。クロック周期の決定、バスのアクセス制御、すべての動作の開始はマスターデバイスによって実行され、11XX はスレーブとして動作します。マスターデバイスとスレーブデバイスはいずれも、トランスミッタにもレシーバにもなり、いずれのモードをアクティブにするかはマスターデバイスが決定します。

図 2-1: ブロック図

SCIO

STATUSRegister

I/O Control MemoryControlLogic

X

Dec

HV Generator

EEPROM

Array

Page Latches

Y Decoder

Sense Amp.R/W Control

Logic

VccVss

Current-LimitedSlope

Control


11AAXXX/11LCXXX

3.0 バスの特性

3.1 スタンバイパルス

マスターが SCIO を制御している場合、TSTBY の期間 SCIO を High のままにするとスタンバイパルスが生成されます。この時点で 11XXはリセットされ、スタンバイモードに戻ります。その後、SCIO がHigh から Low に遷移すると ( ヘッダの最初の Lowパルス )、デバイスはアクティブ状態に戻ります。

コマンドが正常終了した場合 ( すなわち、NoMAK/SAK の組み合わせで確認応答シーケンス中に終了した場合 )、直前のコマンドで選択したのと同じデバイスに対してのみ、スタンバイパルス不要で新規コマンドを開始できます。ただしその場合、コマンドが終了してから次の開始ヘッダが始まるまでの間、TSS の間隔を置く必要があります。TSS の期間が経過したら、開始ヘッダ (THDRの長さの Low パルスを含む ) を送信して新規コマンドを開始できます。

NoMAK/SAK の組み合わせ以外の方法でコマンドが終了した場合は、どのデバイスを選択するかにかかわらず、マスターがスタンバイパルスを実行してから新規コマンドを開始する必要があります。

連続した 2 つのコマンドの例を図 3-1 に示します。どちらのコマンドもデバイスアドレスが同じなので、両方とも同じデバイスが選択されていることが分かります。

スレーブが SCIO を制御している間は、スタンバイパルスを生成できません。この場合、マスターはスレーブの送信が完了して SCIO が解放されるのを待ってからパルスを生成する必要があります。

コマンドの途中でマスターがエラーを検出した場合は、スタンバイパルスを生成してコマンドを実行し直します。

図 3-1: 連続したコマンドの例

3.2 データ転送の開始

コマンドの先頭には必ず開始ヘッダが必要です。開始ヘッダとは、THDR の期間だけ SCIO を Low に維持した後、8 ビットの「01010101」コードを送信するものです。このコードはスレーブの内部クロック周期とマスターのクロック周期の同期に使用されるので、正確なタイミングとすることがきわめて重要です。

スタンバイパルスが不要な場合 (同じデバイスに対して連続してコマンドを実行する場合 ) は、コマンドが終了してから次の開始ヘッダを始めるまでの間に TSS の間隔を置く必要があります。

図 3-2 に、開始ヘッダの波形 ( すべてのバイトの末尾に必要な確認応答シーケンスを含む)を示します。

図 3-2: 開始ヘッダ

注 : POR/BOR イベント発生後は、SCIO を Lowから High に遷移させてから通信を続行する必要があります(スタンバイパルスの生成を含む )。

1 101010 0

Start Header

SCIO

Device AddressM

AK

0 000101 0

MA

K

NoS

AK

SA

K

Standby Pulse(1)

1 101010 0

Start Header

SCIO

Device Address

MA

K

0 000101 0

MA

K

NoS

AK

SA

K

NoM

AK

SA

KTS

S

注 1: POR/BOR イベントの後は、SCIO を Low から High に遷移させてから最初のスタンバイパルスを生成する必要があります。

SCIO

Data ‘0’ Data ‘1’ Data ‘0’ Data ‘1’ Data ‘0’ Data ‘1’ Data ‘0’ Data ‘1’ MAK NoSAKTSS THDR


11AAXXX/11LCXXX

3.3 確認応答

開始ヘッダを含め、各バイトの送信後には必ず確認応答ルーチンが発生します。このルーチンは 2ビットで構成されます。最初のビットはマスターから送信され、2 番目のビットはスレーブから送信されます。

マスターから「1」を送信すると MAK (Master Acknowledge) となり、スレーブに対して現在の処理を継続するように指示します。これに対して、マスターから「0」を送信すると NoMAK (Not Acknowledge) となり、現在の処理を終了するように指示します ( 書き込みコマンドに対しては書き込みサイクルが開始します )。

スレーブから「1」を送信すると SAK (Slave Acknowledge) となり、通信が正しく実行されていることを確認する役割を果たします。なお、NoMAK とは異なり、ビット期間に中央のエッジがない場合には NoSAK となります。

NoSAK は次のイベントで発生します。

• 開始ヘッダの直後

• 送信されたアドレスに該当するスレーブがバス上に存在しない場合、デバイスアドレスの直後

• コマンドが無効な場合 ( 書き込みサイクル中のREAD、CRRD、WRITE、WRSR、SETAL、ERAL 各命令を含む )、コマンドバイトの直後

• スレーブとマスターの同期がとれなくなった場合

• NoMAK によってコマンドが途中で終了した場合(ただしデバイスアドレス直後のNoMAKを除く )

詳細については、図 3-3 および図 3-4 を参照してください。

開始ヘッダ以外のバイトの後でスレーブからNoSAK を受信した場合、何らかのエラーが発生しています。この場合は、マスターが再度スタンバイパルスを実行して目的のコマンドを開始し直すようにします。

図 3-3: 確認応答ルーチン

図 3-4: 確認応答ビット

3.4 デバイスのアドレス指定

開始ヘッダに続いて、マスターデバイスから最初に受信するバイトは、デバイスのアドレスバイトです。デバイスのアドレスバイトは、先頭 4 ビットがファミリコード (11XX の場合は「1010」) を表します。デバイスのアドレスバイトの末尾 4 ビットはデバイスコードで、「0000」に固定されています。

図 3-5: デバイスのアドレスバイトの割り当て

3.5 バスの競合の防止

バスの競合によって大電流が流れるのを回避するため、11XX には電流制限のできる出力ドライバがあります。SCIO ピンによってシンクまたはソース可能な最大電流は、それぞれ IOL および IOH 仕様で定められています。11XX では、最大電流レベルを超えないよう、出力ドライバのインピーダンスは変化します。

注 : 開始ヘッダの後には必ずMAKを送信する必要があります。

注 : WRITE 命令または WRSR 命令が NoMAKによって終了しても、データバイトが受信されていなければ書き込みサイクルは開始しません。

注 : バス競合を回避するため、開始ヘッダの後には NoSAK が送信されます。

Master Slave

MAK SAK

MAK (‘1’)

NoMAK (‘0’)

SAK (‘1’)

NoSAK1

注 1:されます。

NoSAK は、無効な SAK のシーケンスとして定義

1 0 1 0 0 0 0

MAKSLAVE ADDRESS

0

SAK


11AAXXX/11LCXXX

3.6 デバイススタンバイ

11XX には低電力のスタンバイモードがあり、デバイスはこのモードで新しいコマンドの開始を待機します。SCIO が High から Low に遷移すると低電力モードが終了して、デバイスは開始ヘッダを受信できる状態になります。

デバイスは、次の場合にスタンバイモードに入ります。

• NoMAK の後に SAK が送信された場合 ( すなわち、コマンドが正常に終了した場合 )

• スタンバイパルスを受信した場合

3.7 デバイスアイドル

11XX にはアイドルモードがあり、このモードではスタンバイパルスが発生するまですべてのシリアルデータが無視されます。デバイスは、次の場合にアイドルモードに入ります。

• デバイスアドレスが無効な場合

• 書き込みサイクル中の READ、CRRD、WRITE、WRSR、SETAL、ERAL 各コマンドを含め、コマンドバイトが無効な場合

• エッジ遷移がない場合

• WREN、WRDI、SETAL、ERAL各コマンドバイトの後に MAK を受信した場合

• WRSRコマンドのデータバイトの後に MAK を受信した場合

開始ヘッダが無効な場合も、間接的にデバイスがアイドルモードに入ります。開始ヘッダが有効か無効かはスレーブからは検出できませんが、スレーブはマスターと正しく同期がとれなくなります。スレーブとマスターの同期がとれなくなるとエッジ遷移がなくなるため、デバイスはアイドルモードに入ります。

3.8 同期

11XX は、コマンドを開始するたびに開始ヘッダを利用してマスターのバスクロック周期を判断します。この周期は、そのコマンド内の後続のすべての通信の基準として使用されます。

11XX には、再同期回路があります。各 MAK ビット中の中央のデータエッジ位置を監視するのに続いて、内部のタイムリファレンスを調整することでマスターとの同期を維持します。

11XX が同期を失う原因として、2 つの変量があります。1 つは周波数ドリフトで、これはビット周期TE の変化と定義されます。もう 1 つはエッジジッ

タで、これは単独で発生します。ビット周期自体は一定でありながら、ビット周期内におけるエッジの位置が変化することを指します。

3.8.1 周波数ドリフト

システム内では、電圧や温度などの変化によって周波数ドリフトが発生する可能性があります。再同期回路は、このような周波数ドリフトに対する耐性を高めます。この耐性は、FDRIFT と FDEV の 2 つのパラメータによって決まります。FDRIFT は、1 バイト当たりのバス周波数の変化の最大許容値を指定します。FDEV は、あるコマンド内 ( すなわち、開始ヘッダの終わりからそのコマンドの通信が終了するまで ) の全体的な周波数変動の最大値を指定します。再同期回路は次のコマンドの先頭の開始ヘッダでリセットされ、ここから別の周波数ドリフトFDEVが許容されます。

3.8.2 エッジジッタ

マスターからのエッジ遷移が常にビット周期の中央または最後で正確に発生するようにすることは、必ずしも可能ではありません。このため、再同期回路は多少のエッジジッタを許容できるように設計されています。

11XX では毎回 MAK ビットで位相を調整するようになっているため、直前の MAK ビットを基準にしたピークツーピークのジッタの最大許容値を TIJITで指定します。直前の MAK ビットの位置はマスターからは測定が困難なため、システムの最大および最小ジッタの値は最悪のケースと見なされます。これらの値は、ソフトウェア内のさまざまな分岐パスの実行時間 ( サーマルノイズによるジッタなど )をもとに決まります。

最小値と最大値の差をビット周期に対する割合 (%)として計算して、これを TIJIT と比較してジッタコンプライアンスを決定します。

注 : WRITE、WRSR、SETAL、ERAL各コマンドの場合、他の書き込み条件がすべて満たされていれば、NoMAK を受信した時点で書き込みサイクルが開始されます。

注 : 11XX では MAK ビットの間でのみ再同期を実行するため、全体的に同期をどれだけ維持できるかは、周波数ドリフトとエッジジッタの組み合わせによって決まります( すなわち、MAK ビットのエッジジッタが最大許容値の場合、周波数ドリフトはまったく許容できなくなります )。逆に、あるバイト内で周波数ドリフトが最大許容値に達している場合は、エッジジッタが存在してはなりません。


11AAXXX/11LCXXX

4.0 デバイスのコマンド

デバイスのアドレスバイトの後、マスターからコマンドバイトを送信して、実行する処理の種類を指定する必要があります。各命令のコードを表 4-1に示します。

表 4-1: 命令セット

4.1 READ 命令

READ コマンドは、マスターから任意のメモリ番地にランダムにアクセスする際に使用します。READ命令がスレーブに送られた後、2 バイトのワードアドレスが送信されます (各バイトの送信後に確認応答シーケンスが実行されます )。次に、スレーブからマスターに最初のデータバイトが送信されます。さらにデータを読み出す場合はマスターからMAK が送信され、次のデータバイトを出力するよ

うにスレーブに伝えます。この動作を繰り返して、最後にマスターがNoMAKを送信すると処理が完了します。

この方法での連続読み出しを可能にするため、11XX は各バイトの送信後に 1 ずつ増分する内部アドレスポインタを備えています。このアドレスポインタにより、1 回の動作でメモリの全内容を連続して読み出すことが可能になります。最後の番地に到達しても、マスターから MAK が送信されて処理が継続される場合は、アドレスポインタは「0x000」番地にロールオーバします。

図 4-1: READ コマンドのシーケンス

Instruction Name Instruction Code Hex Code Description

READ 0000 0011 0x03 Read data from memory array beginning at specified addressCRRD 0000 0110 0x06 Read data from current location in memory arrayWRITE 0110 1100 0x6C Write data to memory array beginning at specified addressWREN 1001 0110 0x96 Set the write enable latch (enable write operations)WRDI 1001 0001 0x91 Reset the write enable latch (disable write operations)RDSR 0000 0101 0x05 Read STATUS registerWRSR 0110 1110 0x6E Write STATUS register ERAL 0110 1101 0x6D Write ‘0x00’ to entire arraySETAL 0110 0111 0x67 Write ‘0xFF’ to entire array

7 6 5 4

Data Byte 1

3 2 1 0 7 6 5 4

Data Byte 2

3 2 1 0 7 6 5 4

Data Byte n

3 2 1 0SCIO

MA

K

MA

K

NoM

AK

1 101010 0

Start Header

SCIO

Device Address

MA

K

0 000101 0

MA

K

Command

0 100000 1

MA

K

NoS

AK

SA

KStandby Pulse

SCIO

SA

K

15 14 13 12

Word Address MSB

11 10 9 8

MA

KS

AK

7 6 5 4

Word Address LSB

3 2 1 0

MA

KS

AK

SAK

SA

K

SA

K


11AAXXX/11LCXXX

4.2 CRRD (Current Address Read) 命令

11XX の内部アドレスカウンタには、最後にアクセスしたメモリアレイ番地のアドレスが格納されています。CRRD命令は、マスターが現在のメモリ番地からデータの読み出しを再開する際に使用します。したがって、このコマンドはワードアドレスの指定なしに発行できます。

READ命令とCRRD命令の違いは先頭のワードアドレスを指定するかどうかだけであり、MAK によるアレイからの連続的なデータ読み出しを継続要求できる点も含め、それ以外の点はすべて同じです。

READ命令と同じく、CRRD命令もNoMAKを送信することによって終了します。

内部アドレスカウンタは、表 4-2 に示したイベントが発生すると値が変更されます。

表 4-2: 内部アドレスカウンタ

図 4-2: CRRD コマンドのシーケンス

Command Event Action

— Power-on Reset Counter is undefinedREAD or WRITE

MAK edge following each Address byte

Counter is updated with newly received value

READ, WRITE, or CRRD

MAK/NoMAK edge following each data byte

Counter is incremented by 1

注 : READ、WRITE、CRRD各命令において、データバイトの直後に MAK またはNoMAKのどちらのエッジも受信されない場合 ( すなわち、スタンバイパルスが発生した場合 ) は、内部アドレスカウンタの値は増分しません。

注 : WRITE コマンドの途中でページの最後のデータバイトがロードされると、内部アドレスポインタは選択されているページの先頭へロールオーバします。

7 6 5 4

Data Byte 1

3 2 1 0 7 6 5 4

Data Byte 2

3 2 1 0

7 6 5 4

Data Byte n

3 2 1 0SCIO

MA

K

MA

K

NoM

AK

1 101010 0

Start Header

SCIO

Device Address

MA

K

0 000101 0

MA

K

Command

1 000000 1

MA

K

NoS

AK

SA

K

Standby Pulse

SCIO

SA

K

SA

K

SA

K

SAK


11AAXXX/11LCXXX

4.3 WRITE 命令

11XXにデータを書き込む前に、WREN命令を発行して、ライトイネーブルラッチをセットする必要があります (4.4 項参照 )。ライトイネーブルラッチをセットした後、ユーザーは WRITE命令 ( ヘッダおよびデバイスアドレスバイトを含む ) を発行して、その直後にワードアドレスの MSB と LSB を送信できます。その後、確認応答シーケンスの実行が完了したら、マスターは書き込むデータを送信します。

11XX には 16 バイトのページバッファがあり、最大 16 バイトを一度に書き込むことができます。この機能を利用するには、マスターが最大16個のデータバイトを 11XX に送信します。これらのデータは一時的にページバッファに保存されます。各データバイトの送信後、マスターは MAK を送信して、更にデータバイトを送信するかどうかを示します。それに続くデータがない場合はマスターからNoMAK が送信され、これにより内部の書き込みサイクルが開始します。

1 ワードを受信するたびに、内部アドレスポインタの下位 4 ビットに 1 が加算されます。ワードアドレスの上位ビットは変化しません。ページの末尾を超えてマスターがデータを送信した場合は、アドレスカウンタがそのページの先頭にロールオーバして、その後受信したデータはそこに書き込まれます。

図 4-3: WRITE コマンドのシーケンス

注 : データが送信される前にNoMAKが送信された場合、または NoMAK が送信される前にスタンバイパルスが生成された場合は、11XX はリセットされ、書き込みサイクルは開始されません。

注 : ページ書き込み動作は、書き込むバイト数に関係なく、1 物理ページ内でのバイト書き込みに限られます。物理的なページ境界は、ページサイズ (16 バイト ) の整数倍であるアドレスから始まって、ページサイズの整数倍 -1 のアドレスまでです。例えば、アドレス 0x30 で始まるページは、アドレス 0x3F で終わります。ページライトコマンドが物理的なページ境界をまたいで書き込もうとすると、ユーザーが期待するようにデータは次のページに書き込まれず、現在のページの先頭に折り返されます (以前に同位置に保存されたデータを上書きします )。したがって、アプリケーションソフトウェアはページ境界をまたがるようなページ書き込み動作を回避する必要があります。

7 6 5 4

Data Byte 1

3 2 1 0 7 6 5 4

Data Byte 2

3 2 1 0 7 6 5 4

Data Byte n

3 2 1 0SCIO

MA

K

MA

K

No

MAK

1 101010 0

Start Header

SCIO

Device Address

MA

K

0 000101 0M

AK

Command

1 010110 0

MA

K

NoS

AK

SA

K

Standby Pulse

SCIO

SA

K

15 14 13 12

Word Address MSB

11 10 9 8

MA

KS

AK

7 6 5 4

Word Address LSB

3 2 1 0

MA

KS

AK

SA

K

SA

K

SA

K

Twc


11AAXXX/11LCXXX

4.4 WREN (Write Enable) および WRDI (Write Disable) 命令

11XX にはライトイネーブルラッチがあります。書き込み保護機能マトリックスについては、表 6-1 を参照してください。内部書き込みの前に必ずこのラッチをセットする必要があります。WREN命令はこのラッチをセットします。WRDI命令はこのラッチをリセットします。

以下は、ライトイネーブルラッチをリセットするときの条件のリストです。

• 電源投入時

• WRDI命令が正常に実行された時

• WRSR命令が正常に実行された時

• WRITE命令が正常に実行された時

• ERAL命令が正常に実行された時

• SETAL命令が正常に実行された時

図 4-4: WREN コマンドのシーケンス

図 4-5: WRDI コマンドのシーケンス

注 : WREN命令と WRDI命令は、コマンドバイトの直後にNoMAKを送信して終了する必要があります。このタイミングで NoMAKを受信できない場合、コマンドは無効となり、デバイスは SAK を返すこともコマンドを実行することもなくアイドルモードに入ります。

1 101010 0

Start Header

SCIO

Device Address

MA

K

0 000101 0

MA

K

Command

1 001001 1

NoM

AK

NoS

AK

SA

K

Standby Pulse

SCIO

SA

K

1 101010 0

Start Header

SCIO

Device Address

MA

K

0 000101 0

MA

K

Command

0 101001 0

NoM

AK

NoS

AK

SA

K

Standby Pulse

SCIO

SA

K


11AAXXX/11LCXXX

4.5 RDSR (Read Status Register) 命令

RDSR命令は、ステータスレジスタにアクセスするために使用します。ステータスレジスタは、書き込みサイクル中を含めいつでも読み出しできます。ステータスレジスタのフォーマットは次のとおりです。

ライトインプログレス (WIP) ビットは、11XX が書き込み動作中でビジー状態かどうかを示します。「1」に設定されていると、書き込み実行中で、「0」に設定されていると、書き込みは実行されていません。このビットは読み出し専用です。

ライトイネーブルラッチ (WEL) ビットは、ライトイネーブルラッチの状態を示します。「1」に設定されていると、ラッチはアレイへの書き込みを許可し、「0」に設定されていると、ラッチはアレイへの書き込みを禁止します。このビットは WREN命令でセットされ、WRDI 命令でクリアされます。それ以外の命令では、このビットは読み出し専用です。

ブロック保護 (BP0 および BP1) ビットは、どのブロックが現在書き込み保護状態にあるのかを示します。これらのビットは、ユーザーが WRSR命令を発行するとセットされます。これらのビットは不揮発性です。

WIPおよびWELビットは動的に (RDSR命令の発行とは非同期に ) 更新されます。また、ステータスレジスタのデータを受信後、確認応答シーケンスでマスターが MAK を送信すると、同じデータの再送を要求できます。このことにより、マスターは完全なコマンドを実行し直さなくても WIP および WELビットの状態を継続して監視できます。

それ以上の送信が不要な場合は、マスターからNoMAK を送信して処理を終了します。

図 4-6: RDSR コマンドのシーケンス

7 6 5 4 3 2 1 0X X X X BP1 BP0 WEL WIP注 : ビット 4 ～ビット 7 は無関係で、「0」と

して読み出されます。

注 : 11XXがステータスレジスタに対して内部書き込みサイクルを実行中にRDSRコマンドが開始された場合、コマンドの全体にわたって新しいブロック保護ビットの値が読み出されます。

注 : 書き込みサイクル中にRDSRコマンドを実行すると、ICC Read と ICC Write の動作電流の合計の電流を消費します。

1 101010 0

Start Header

SCIO

Device Address

MA

K

0 000101 0

MA

KCommand

1 100000 0

MA

K

NoS

AK

SA

K

Standby Pulse

SCIO

SA

K

STATUS Register Data

3 2 1 0

NoM

AK

S

AK

NoMAK の代わりに MAK を送信すると、ステータスレジスタのデータを連続して読み出し ( ポーリング )注 :

0000

できます。


11AAXXX/11LCXXX

4.6 WRSR (Write Status Register) 命令

WRSR命令では、ステータスレジスタに適切なビットを書き込むことで、アレイの 4 つの保護レベルのいずれか 1 つを選択します。アレイは 4 つのセグメントに分割されます。ユーザーは、アレイの 4 つのセグメントのうち 1 つも保護しないか、1 つ、2 つ、または4つすべてを書き込み保護するかを選択できます。この区分けは、表 4-3 のように制御されます。

ステータスレジスタのデータを送信後、確認応答シーケンスでマスターが NoMAK を送信すると、内部書き込みサイクルが開始します。

表 4-3: アレイの保護

表 4-4: 保護されるアレイの番地

図 4-7: WRSR コマンドのシーケンス

注 : WRSR命令は、データバイトの直後にNoMAK を送信して終了する必要があります。このタイミングで NoMAK を受信できない場合、コマンドは無効となり、デバイスは SAK を返すこともコマンドを実行することもなくアイドルモードに入ります。

BP1 BP0 Address Ranges Write-Protected Address Ranges Unprotected

0 0 None All0 1 Upper 1/4 Lower 3/41 0 Upper 1/2 Lower 1/21 1 All None

Density Upper 1/4 Upper 1/2 All Sectors

1K 60h-7Fh 40h-7Fh 00h-7Fh2K C0h-FFh 80h-FFh 00h-FFh4K 180h-1FFh 100h-1FFh 000h-1FFh8K 300h-3FFh 200h-3FFh 000h-3FFh16K 600h-7FFh 400h-7FFh 000h-7FFh

1 101010 0

Start Header

SCIO

Device Address

MA

K

0 000101 0M

AK

Command

1 010110 1

MA

K

NoS

AK

SA

K

Standby Pulse

SCIO

SA

K

7 6 5 4

Status Register Data

3 2 1 0

NoM

AK

SA

K

Twc


11AAXXX/11LCXXX

4.7 ERAL (Erase All) 命令

ERAL命令は、ユーザーが1つのコマンドでメモリアレイ全体に「0x00」を書き込むために使用します。この命令を実行する前に、WREN命令を実行してライトイネーブルラッチ (WEL) をセットしておく必要があります。

ライトイネーブルラッチをセットした後、ユーザーは ERAL命令 ( ヘッダおよびデバイスアドレスバイトを含む ) を発行できます。マスターからNoMAK ビットが送信された直後に内部書き込みサイクルが開始され、サイクル中はメモリアレイのすべてのワードに「0x00」が書き込まれます。

ブロック保護ビット (BP0、BP1) の両方が 0 の場合を除き ( つまり、アレイの 1/4、1/2、またはすべてが保護されている場合)、ERAL命令は無視されます。

図 4-8: ERAL コマンドのシーケンス

4.8 SETAL (Set All) 命令

SETAL命令は、ユーザーが 1 つのコマンドでメモリアレイ全体に「0xFF」を書き込むために使用します。この命令を実行する前に、WREN命令を実行してライトイネーブルラッチ (WEL) をセットしておく必要があります。

ライトイネーブルラッチをセットした後、ユーザーは SETAL命令 ( ヘッダおよびデバイスアドレスバイトを含む ) を発行できます。マスターからNoMAK ビットが送信された直後に内部書き込みサイクルが開始され、サイクル中はメモリアレイのすべてのワードに「0xFF」が書き込まれます。

ブロック保護ビット (BP0、BP1) の両方が 0 の場合を除き ( つまり、アレイの 1/4、1/2、またはすべてが保護されている場合 )、SETAL命令は無視されます。

図 4-9: SETAL コマンドのシーケンス

注 : ERAL 命令は、コマンドバイトの直後にNoMAK を送信して終了する必要があります。このタイミングで NoMAK を受信できない場合、コマンドは無効となり、デバイスは SAK を返すこともコマンドを実行することもなくアイドルモードに入ります。

1 101010 0

Start Header

SCIO

Device Address

MA

K

0 000101 0

MA

K

Command

1 110110 0

NoM

AK

NoS

AK

SAK

Standby Pulse

SCIO

SA

K

Twc

注 : SETAL命令は、コマンドバイトの直後にNoMAK を送信して終了する必要があります。このタイミングで NoMAK を受信できない場合、コマンドは無効となり、デバイスは SAK を返すこともコマンドを実行することもなくアイドルモードに入ります。

1 101010 0

Start Header

SCIO

Device Address

MA

K

0 000101 0

MA

K

Command

1 100110 1

NoM

AK

NoS

AK

SA

K

Standby Pulse

SCIO

SA

K

Twc


11AAXXX/11LCXXX

5.0 データ保護

不慮意なアレイへの書き込みを回避するため、次の保護機能が実装されています。

• 電源投入時にライトイネーブルラッチ (WEL) はリセットされる

• ライトイネーブルラッチをセットするには、WREN (Write Enable) 命令の発行が必要

• WRITE、ERAL、SETAL、WRSR コマンドの後にライトイネーブルラッチはリセットされる

• 内部書き込みサイクル中は、アレイにアクセスするコマンドやステータスレジスタへの書き込みを実行するコマンドは無視され、プログラミングには影響しない

6.0 電源オン時の状態

11XX は、電源オン時に次の状態になります。

• デバイスは低電力のシャットダウンモードになるため、アイドルモードに移行するには、SCIOが Low から High に遷移することが必要

• ライトイネーブルラッチ (WEL) がリセットされる

• 内部アドレスポインタは定義なし

• デバイスがアクティブな状態になるには、SCIOが Low から High に遷移して、スタンバイパルスの後に High から Low に遷移すること ( ヘッダの最初の Low パルス ) が必要

.

表 6-1: 書き込み保護機能のマトリックス

WEL Protected Blocks Unprotected Blocks Status Register

0 Protected Protected Protected1 Protected Writable Writable


11AAXXX/11LCXXX

7.0 ピン説明

各ピンの説明を表 7-1 に示します。

表 7-1: ピン機能表

7.1 SCIO (Serial Clock、Data Input/Output)

SCIO は、デバイスへのコマンドとアドレスの入力、およびデータの入出力のための双方向ピンです。シリアルクロックは、マンチェスター符号化によってデータストリームに組み込まれます。各ビットは、ビット周期の中央での信号遷移によって表現されます。

Name 3-pin SOT-23 8-pin PDIP/SOIC/MSOP/TDFN Description

SCIO 1 5 Serial Clock, Data Input/Output

VCC 2 8 Supply Voltage

VSS 3 4 Ground

NC — 1,2,3,6,7 No Internal Connection


11AAXXX/11LCXXX

8.0 パッケージ情報

8.1 パッケージマーキング情報

T/XXXNNNXXXXXXXX

YYWW

8-Lead PDIP

I/P 1L711AA160

0828

Example:

3e

8-Lead PDIP Package Marking (Pb-Free)

Device Line 1 Marking Device Line 1 Marking

11AA010 11AA010 11LC010 11LC01011AA020 11AA020 11LC020 11LC02011AA040 11AA040 11LC040 11LC04011AA080 11AA080 11LC080 11LC08011AA160 11AA160 11LC160 11LC160

注 : T = 仕様温度範囲 (I、E)

記号の説明 : XX...X カスタマ固有情報Y 製造年コード ( 西暦の最終桁 )YY 製造年コード ( 西暦の下 2 桁 )WW 製造週コード ( 例 : 1 月の第 1 週を「01」と表示 )NNN 英数字によるトレーサビリティコード鉛フリーのつや消し錫 (Sn) メッキ製品を示す JEDEC 準拠マーク* このパッケージは鉛フリーです。鉛フリーを示すJEDEC準拠マーク( )は

このパッケージの外部包装に表示されています。

注 : マイクロチップ社のパーツ番号全体が 1 行に収まらない場合は、次の行に続きます。このためカスタマ固有情報用の文字数が制限されます。

3e

3e


11AAXXX/11LCXXX

8-Lead SOIC

XXXXYYWWXXXXXXXT

NNN

Example:

SN 082811AA160I

1L73e

8-Lead SOIC Package Marking (Pb-Free)


11AA010 11AA010T 11LC010 11LC010T11AA020 11AA020T 11LC020 11LC020T11AA040 11AA040T 11LC040 11LC040T11AA080 11AA080T 11LC080 11LC080T11AA160 11AA160T 11LC160 11LC160T





3e

3e


11AAXXX/11LCXXX

3e

8-Lead MSOP (150 mil) Example:

XXXXXXTYWWNNN

11A01I 8281L7

8-Lead MSOP Package Marking (Pb-Free)


11AA010 11A01T 11LC010 11L01T11AA020 11A02T 11LC020 11L02T11AA040 11A04T 11LC040 11L04T11AA080 11A08T 11LC080 11L08T11AA160 11AAT 11LC160 11LAT





3e

3e


11AAXXX/11LCXXX

8-Lead 2x3 TDFN Example:

XXXYWWNN

D5182817

8-Lead 2x3 TDFN Package Marking (Pb-Free)

Device I-Temp Marking Device I-Temp Marking E-Temp Marking

11AA010 D11 11LC010 D14 D1511AA020 D21 11LC020 D24 D2511AA040 D31 11LC040 D34 D3511AA080 D41 11LC080 D44 D4511AA160 D51 11LC160 D54 D55




3e

3e


11AAXXX/11LCXXX

3-Lead SOT-23

XXNN

Example:

B517

3-Lead SOT-23 Package Marking (Pb-Free)

Device I-Temp Marking Device I-Temp Marking E-Temp Marking

11AA010 B1NN 11LC010 M1NN N1NN11AA020 B2NN 11LC020 M2NN N2NN11AA040 B3NN 11LC040 M3NN N3NN11AA080 B4NN 11LC080 M4NN N4NN11AA160 B5NN 11LC160 M5NN N5NN




3e

3e


11AAXXX/11LCXXX

8 ピンプラスチックデュアルインライン (P) – 300 mil ボディ [PDIP]

注 :1. ピン 1 のビジュアルインデックスの場所はばらつきがありますが、必ず斜線部分内にあります。

2. § 重要な特徴

3. 寸法 D と E1 には、モールドフラッシュまたは突出部は含みません。モールドフラッシュまたは突出部は各側で 0.010" 以下と

します。

4. 寸法および公差は ASME Y14.5M に準拠しています。

BSC: 基本寸法。公差を含まずに表示される理論的に正確な値

注 : 最新のパッケージ図面については、次のウェブサイトにある「Microchip Packaging Specification( マイクロチップ社パッケージ仕様 )」を参照してください。http://www.microchip.com/packaging

N

E1

NOTE 1

D

1 2 3

A

A1

A2

L

b1b

e

E

eB

c

Units INCHESDimension Limits MIN NOM MAX

Number of Pins N 8Pitch e .100 BSCTop to Seating Plane A – – .210Molded Package Thickness A2 .115 .130 .195Base to Seating Plane A1 .015 – –Shoulder to Shoulder Width E .290 .310 .325Molded Package Width E1 .240 .250 .280Overall Length D .348 .365 .400Tip to Seating Plane L .115 .130 .150Lead Thickness c .008 .010 .015Upper Lead Width b1 .040 .060 .070Lower Lead Width b .014 .018 .022Overall Row Spacing § eB – – .430

Microchip Technology Drawing C04-018B


11AAXXX/11LCXXX

8 ピンプラスチックスモールアウトライン (SN) – 薄型、3.90 mm ボディ [SOIC]


2. § 重要な特徴

3. 寸法 D と E1 には、モールドフラッシュまたは突出部は含みません。モールドフラッシュまたは突出部は各側で 0.15 mm 以下

とします。


BSC: 基準寸法。公差を含まずに表示される理論的に正確な値

REF: 参考寸法。通常は公差を含まない、情報としてのみ使用される値


D

Ne

E

E1

NOTE 1

1 2 3

b

A

A1

A2

L

L1

c

h

h

φ

β

α

Units MILLIMETERSDimension Limits MIN NOM MAX

Number of Pins N 8Pitch e 1.27 BSCOverall Height A – – 1.75Molded Package Thickness A2 1.25 – –Standoff § A1 0.10 – 0.25Overall Width E 6.00 BSCMolded Package Width E1 3.90 BSCOverall Length D 4.90 BSCChamfer (optional) h 0.25 – 0.50Foot Length L 0.40 – 1.27Footprint L1 1.04 REFFoot Angle φ 0° – 8°Lead Thickness c 0.17 – 0.25Lead Width b 0.31 – 0.51Mold Draft Angle Top α 5° – 15°Mold Draft Angle Bottom β 5° – 15°



11AAXXX/11LCXXX

8 ピンプラスチックスモールアウトライン (SN) – 薄型、3.90 mm ボディ [SOIC]

注 :1. 寸法および公差は ASME Y14.5M に準拠しています。



Microchip Technology Drawing C04-2057A


11AAXXX/11LCXXX

8 ピンプラスチックマイクロスモールアウトラインパッケージ (MS) [MSOP]


2. 寸法 D と E1 には、モールドフラッシュまたは突出部は含みません。モールドフラッシュまたは突出部は各側で 0.15 mm 以下

とします。





D

N

E

E1

NOTE 1

1 2e

b

A

A1

A2c

L1 L

φ


Number of Pins N 8Pitch e 0.65 BSCOverall Height A – – 1.10Molded Package Thickness A2 0.75 0.85 0.95Standoff A1 0.00 – 0.15Overall Width E 4.90 BSCMolded Package Width E1 3.00 BSCOverall Length D 3.00 BSCFoot Length L 0.40 0.60 0.80Footprint L1 0.95 REFFoot Angle φ 0° – 8°Lead Thickness c 0.08 – 0.23Lead Width b 0.22 – 0.40



11AAXXX/11LCXXX

8 ピンプラスチックデュアルフラット、リード線のないパッケージ (MN) – 2x3x0.75 mm ボディ[TDFN]


2. パッケージの端に 1 つ以上の露出タイバーがあります。

3. パッケージは切削切り出しされています。







11AAXXX/11LCXXX

8 ピンプラスチックデュアルフラット、リード線のないパッケージ (MN) – 2x3x0.75 mm ボディ[TDFN]

注 :1. 寸法および公差は ASME Y14.5M に準拠しています。



Microchip Technology Drawing C04-2129A


11AAXXX/11LCXXX

3 ピンプラスチックスモールアウトライントランジスタ (TT) [SOT-23]

注 :1. 寸法 D と E1 には、モールドフラッシュまたは突出部は含みません。モールドフラッシュまたは突出部は各側で 0.25 mm 以下と

します。




b

N

EE1

21

e

e1

D

A

A1

A2c

L

φ


Number of Pins N 3Lead Pitch e 0.95 BSCOutside Lead Pitch e1 1.90 BSCOverall Height A 0.89 – 1.12Molded Package Thickness A2 0.79 0.95 1.02Standoff A1 0.01 – 0.10Overall Width E 2.10 – 2.64Molded Package Width E1 1.16 1.30 1.40Overall Length D 2.67 2.90 3.05Foot Length L 0.13 0.50 0.60Foot Angle φ 0° – 10°Lead Thickness c 0.08 – 0.20Lead Width b 0.30 – 0.54



11AAXXX/11LCXXX

付録 A: 改版履歴

リビジョン A (2007 年 10 月 )本文書の初版リリース

リビジョン B (2008 年 1 月 )SOT-23 パッケージタイプを改訂、DFN パッケージを TDFN に変更、3.3 項に箇条書き項目を追加、4.5項の注釈、表 7-1 を変更

リビジョン C (2008 年 3 月 )特許出願中の記載を削除、表 1-1 と 1-2 を改訂、3.3項 (箇条書き項目 3)および 3.7項 (箇条書き項目 2)、製品 ID システムを変更

リビジョン D (2008 年 4 月 )文書のステータスを Preliminary に変更、全般的な更新


11AAXXX/11LCXXX
ノート :

11AAXXX/11LCXXX

マイクロチップ社のウェブサイト

マイクロチップ社は、ウェブサイト(www.microchip.com) でオンラインサポートを提供しています。このウェブサイトを活用することで、ファイルや情報を簡単に入手できます。ウェブサイトには、ご使用中のインターネットブラウザでアクセスでき、以下の情報が掲載されています。

• 製品サポート – データシートと正誤表、アプリケーションノートとサンプルプログラム、設計リソース、ユーザーズガイドとハードウェアサポート文書、最新のソフトウェアと過去のソフトウェア

• テクニカルサポート – よくある質問 (FAQ)、テクニカルサポートリクエスト、オンラインディスカッショングループ、マイクロチップ社コンサルタントプログラムメンバの一覧

• マイクロチップ社の事業 – 製品選択および注文ガイド、マイクロチップ社の最新プレスリリース、セミナーおよびイベントの一覧、マイクロチップ各営業所、販売代理店、担当工場の一覧

お客様への変更通知サービス

マイクロチップ社のお客様通知サービスにて、常にお客様にマイクロチップ社製品の最新情報を提供させていただきます。この通知サービスを申し込まれたお客様には、指定された製品ファミリまたは開発ツールに関する変更、更新、改訂、あるいは正誤表情報があるときに、常に電子メールにてお知らせいたします。

登録するには、マイクロチップ社のウェブサイトwww.microchip.com にアクセスし、[Customer ChangeNotification] をクリックして登録手順に従ってください。

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• 販売代理店

• 該当地域の営業所

• フィールドアプリケーションエンジニア (FAE)• テクニカルサポート

• 開発システム情報ライン

サポートが必要な場合、お客様は製品を購入した販売代理店またはフィールドアプリケーションエンジニア (FAE) にご連絡ください。該当地域の営業所でもお客様へのサポートを提供しています。各営業所と所在地の一覧は、本書の最終ページに記載されています。

テクニカルサポートはウェブサイト (http://support.microchip.com) より提供されています。


11AAXXX/11LCXXX

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件名 : 読者アンケート

送信枚数 ________

発信元 :お名前

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電話 : (_______) _________ - _________

用途 ( 任意の項目 ):

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DS22067D_JP11AAXXX/11LCXXX

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お書きください。

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11AAXXX/11LCXXX

製品識別システム

注文や資料請求、または価格や納期などの情報は、弊社工場または一覧に記載されている営業所にお問い合わせください。

PART NO. X X /XXX

PackageTemperatureTape & ReelDevice

Device: 11AA010 1 Kbit, 1.8V UNI/O Serial EEPROM

11LC010 1 Kbit, 2.5V UNI/O Serial EEPROM11AA020 2 Kbit, 1.8V UNI/O Serial EEPROM11LC020 2 Kbit, 2.5V UNI/O Serial EEPROM11AA040 4 Kbit, 1.8V UNI/O Serial EEPROM11LC040 4 Kbit, 2.5V UNI/O Serial EEPROM11AA080 8 Kbit, 1.8V UNI/O Serial EEPROM11LC080 8 Kbit, 2.5V UNI/O Serial EEPROM11AA160 16 Kbit, 1.8V UNI/O Serial EEPROM11LC160 16 Kbit, 2.5V UNI/O Serial EEPROM

Tape & Reel: T = Tape and ReelBlank = Tube

Temperature Range:

I = -40°C to +85°C (Industrial)E = -40°C to +125°C (Extended)

Package: P = 8-lead Plastic DIP (300 mil body)SN = 8-lead Plastic SOIC (3.90 mm body)MS = 8-lead Plastic Micro Small Outline (MSOP)MNY(1) = 8-lead 2x3 mm TDFNTT = 3-lead SOT 23 (Tape and Reel only)

例 :a) 11AA010-I/P = 1K ビット、1.8V シリアル

EEPROM、工業用温度、PDIP パッケージ

b) 11LC160T-E/TT = 16K ビット、2.5V シリアルEEPROM、拡張温度、テープ & リール、SOT-23パッケージ

c) 11AA080-I/MS = 8K ビット、1.8V シリアルEEPROM、工業用温度、MSOP パッケージ

d) 11LC020T-I/SN = 2K ビット、2.5V シリアルEEPROM、工業用温度、テープ & リール、SOICパッケージ

e) 11AA040T-I/MNY = 4K ビット、1.8V シリアルEEPROM、工業用温度、テープ & リール、2x3 mm TDFN パッケージ、ニッケルパラジウム金メッキ

Range

注 1: “Y” はニッケルパラジウム金 (NiPdAu) メッキを示します。


11AAXXX/11LCXXX
ノート :

マイクロチップ社デバイスのコード保護機能に関する以下の点にご留意ください。

• マイクロチップ社製品は、その該当するマイクロチップ社データシートに記載の仕様を満たしています。

• マイクロチップ社では、通常の条件ならびに仕様どおりの方法で使用した場合、マイクロチップ社製品は現在市場に流通している同種製品としては最もセキュリティの高い部類に入る製品であると考えております。

• コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在します。マイクロチップ社の確認している範囲では、このような方法のいずれにおいても、マイクロチップ社製品をマイクロチップ社データシートの動作仕様外の方法で使用する必要があります。このような行為は、知的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます。

• マイクロチップ社は、コードの保全について懸念を抱いているお客様と連携し、対応策に取り組んでいきます。

• マイクロチップ社を含むすべての半導体メーカーの中で、自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません。コード保護機能とは、マイクロチップ社が製品を「解読不能」として保証しているものではありません。

コード保護機能は常に進歩しています。マイクロチップ社では、製品のコード保護機能の改善に継続的に取り組んでいます。マイクロチップ社のコード保護機能を解除しようとする行為は、デジタルミレニアム著作権法に抵触する可能性があります。そのような行為によってソフトウェアまたはその他の著作物に不正なアクセスを受けた場合は、デジタルミレニアム著作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利があります。

本書に記載されているデバイスアプリケーションなどに関する情報は、ユーザーの便宜のためにのみ提供されているものであり、更新によって無効とされることがあります。アプリケーションと仕様の整合性を保証することは、お客様の責任において行ってください。マイクロチップ社は、明示的、暗黙的、書面、口頭、法定のいずれであるかを問わず、本書に記載されている情報に関して、状態、品質、性能、商品性、特定目的への適合性をはじめとする、いかなる類の表明も保証も行いません。マイクロチップ社は、本書の情報およびその使用に起因する一切の責任を否認します。マイクロチップ社デバイスを生命維持および /または保安のアプリケーションに使用することはデバイス購入者の全責任において行うものとし、デバイス購入者は、デバイスの使用に起因するすべての損害、請求、訴訟、および出費に関してマイクロチップ社を弁護、免責し、同社に不利益が及ばないようにすることに同意するものとします。暗黙的あるいは明示的を問わず、マイクロチップ社が知的財産権を保有しているライセンスは一切譲渡されません。

© 2008 Microchip Technology Inc. Prelimin

商標

Microchip の社名とロゴ、Microchip ロゴ、Accuron、dsPIC、KEELOQ、KEELOQ ロゴ、MPLAB、PIC、PICmicro、PICSTART、rfPIC、SmartShunt は、米国およびその他の国における Microchip Technology Incorporatedの登録商標です。

FilterLab、Linear Active Thermistor、MXDEV、MXLAB、SEEVAL、SmartSensor、The Embedded Control Solutions Company は、米国における Microchip Technology Incorporated の登録商標です。

Analog-for-the-Digital Age、Application Maestro、CodeGuard、dsPICDEM、dsPICDEM.net、dsPICworks、dsSPEAK、ECAN、ECONOMONITOR、FanSense、In-Circuit Serial Programming、ICSP、ICEPIC、Mindi、MiWi、MPASM、MPLAB Certified ロゴ、MPLIB、MPLINK、mTouch、PICkit、PICDEM、PICDEM.net、PICtail、PIC32 logo、PowerCal、PowerInfo、PowerMate、PowerTool、Real ICE、rfLAB、Select Mode、Total Endurance、UNI/O、WiperLock、ZENA、は米国およびその他の国における Microchip Technology Incorporated の商標です。

SQTP は米国における Microchip Technology Incorporatedのサービスマークです。

その他、本書に記載されている商標は、各社に帰属します。

© 2008, Microchip Technology Incorporated, Printed in the U.S.A., All Rights Reserved.

再生紙を使用しています。

ary DS22067D_JP - ページ 37

マイクロチップ社では、Chandler および Tempe ( アリゾナ州 )、Gresham ( オレゴン州 ) の本部、設計部およびウエハ製造工場そしてカリフォルニア州とインドのデザインセンターが ISO/TS-16949:2002認証を取得しています。マイクロチップ社の品質システムプロセスおよび手順は、PIC® MCU および dsPIC® DSC、KEELOQ® コードホッピングデバイス、シリアル EEPROM、マイクロペリフェラル、不揮発性メモリ、アナログ製品に採用されています。また、マイクロチップ社の開発システムの設計および製造に関する品質システムは、ISO 9001:2000 の認証を受けています。


北米本社2355 West Chandler Blvd.Chandler, AZ 85224-6199Tel: 480-792-7200 Fax: 480-792-7277テクニカルサポート : http://support.microchip.comウェブアドレス : www.microchip.comアトランタDuluth, GA Tel: 678-957-9614 Fax: 678-957-1455ボストンWestborough, MATel: 774-760-0087 Fax: 774-760-0088シカゴItasca, ILTel: 630-285-0071 Fax: 630-285-0075ダラスAddison, TXTel: 972-818-7423 Fax: 972-818-2924デトロイトFarmington Hills, MITel: 248-538-2250Fax: 248-538-2260ココモKokomo, INTel: 765-864-8360Fax: 765-864-8387ロサンゼルスMission Viejo, CATel: 949-462-9523 Fax: 949-462-9608サンタクララSanta Clara, CATel: 408-961-6444Fax: 408-961-6445トロントMississauga, Ontario,CanadaTel: 905-673-0699 Fax: 905-673-6509

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01/02/08

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