2012

— C O N T E N T S —

ごあいさつ………………………………………………………………………………………………… １

光産業動向調査はじめに…………………………………………………………………………………………………… 2１ ．光産業の国内生産額及び全出荷額………………………………………………………………… 22 ．情報通信分野………………………………………………………………………………………… ８３ ．情報記録分野………………………………………………………………………………………… ８４ ．入出力分野…………………………………………………………………………………………… ９５ ．ディスプレイ・固体照明分野………………………………………………………………………１0６ ．太陽光発電分野………………………………………………………………………………………１１７ ．レーザ加工分野………………………………………………………………………………………１2８ ．センシング・計測分野………………………………………………………………………………１３９ ．光産業リソース………………………………………………………………………………………１３１0．IOA会議に見る国際動向………………………………………………………………………………１４

光技術動向調査１．はじめに………………………………………………………………………………………………１６2 ．光無機材料・デバイス………………………………………………………………………………１６３ ．光通信ネットワーク…………………………………………………………………………………１６４ ．情報処理フォトニクス………………………………………………………………………………１７５ ．ディスプレイ…………………………………………………………………………………………１８６ ．ヒューマンインタフェース…………………………………………………………………………１９７ ．加工・計測……………………………………………………………………………………………１９８ ．光エネルギー…………………………………………………………………………………………20９ ．光有機材料・デバイス………………………………………………………………………………2１１0．特許動向調査委員会…………………………………………………………………………………22１１．高効率スペクトル活用光通信技術に関する調査研究……………………………………………22

技術戦略策定１．はじめに………………………………………………………………………………………………2５2 ．光テクノロジーロードマップ………………………………………………………………………2５

新規事業の創造１．はじめに………………………………………………………………………………………………2７2 ．技術指導制度…………………………………………………………………………………………2７３ ．新規事業創造支援……………………………………………………………………………………2７

研究会・懇談会１．はじめに………………………………………………………………………………………………2８2 ．フォトニックデバイス・応用技術研究会…………………………………………………………2８３ ．光材料・応用技術研究会……………………………………………………………………………2８４ ．多元技術融合光プロセス研究会……………………………………………………………………2９５ ．光ネットワーク産業・技術研究会…………………………………………………………………３0

標準化１ ．はじめに……………………………………………………………………………………………… 3１２ ．ファイバオプティクス標準化委員会……………………………………………………………… 40

企画調整専門委員会ダイナミックモジュール専門委員会建物内光配線システム専門委員会

3 ．光ファイバ標準化委員会…………………………………………………………………………… 4２4 ．光コネクタ標準化委員会…………………………………………………………………………… 43５ ．光受動部品標準化委員会…………………………………………………………………………… 43６ ．光能動部品標準化委員会…………………………………………………………………………… 44７ ．光増幅器標準化委員会……………………………………………………………………………… 4５８ ．光サブシステム標準化委員会……………………………………………………………………… 4６９ ．光測定器標準化委員会……………………………………………………………………………… 4６１0．TC 76/レーザ安全性標準化委員会 ……………………………………………………………… 4７１１．ISO/TC 172/SC 9国内対策委員会 ……………………………………………………………… 4９１２．光ディスク標準化委員会…………………………………………………………………………… 4９

メディア専門委員会アプリケーション専門委員会フォーマット専門委員会メンテナンスエキスパートグループ

１3．高速車載LAN用光伝送サブシステムの試験方法に関する標準化（Ｖプロ） ………………… ５１１4．光通信システムのスマート化に適用した光部品の国際標準化に関する調査研究（Ｔプロ） … ５１１５．光ファイバセンサに関する国際標準化フィージビリティスタディ（Ｂプロ） ……………… ５3１６．レーザ機器の安全・安心に関する調査研究委員会……………………………………………… ５4

人材育成・普及啓発等１ ．はじめに……………………………………………………………………………………………… ５５２ ．レーザ安全スクール………………………………………………………………………………… ５５3 ．レーザ機器取扱技術者試験………………………………………………………………………… ５５4 ．シンポジウム………………………………………………………………………………………… ５５

平成24年度光産業技術シンポジウム第２回電子光技術シンポジウム

５ ．光産業技術マンスリーセミナー…………………………………………………………………… ５７６ ．インターオプト……………………………………………………………………………………… ５７７ ．第28回櫻井健二郎氏記念賞（櫻井賞） …………………………………………………………… ５８８ ．普及・啓発活動……………………………………………………………………………………… ５９

◆◆◆◆◆2012（平成24）年度の各種委員会等 ………………………………………………………………… ６１賛助会員名簿……………………………………………………………………………………………… ６２

一般財団法人光産業技術振興協会専務理事 　小谷 泰久

光産業技術振興協会が2012（平成24）年度に実施した調査・研究開発活動の概要をまとめ、ここに技術情報レポートとして皆様方にお届けいたします。

さて、2012年度は日本の光産業にとって非常に厳しい年となりました。短期的に見て一番大きな低迷の要因は１ドル80円を下回る超円高の進行でした。これに震災後のエネルギー供給不安、法人税や各種規制による投資環境の悪さが加わって生産拠点の海外移転が加速しました。この点については昨年末の政権交代後のアベノミクス、日銀の異次元緩和の影響により急速に好転しており、2013年度は復活を期待したいと思います。また、光産業固有の事情としては、過去の経緯に伴う国内需要の先食いによる需要不足、事業参入者過多による大幅な価格下落、資金難による過少投資、海外勢による新製品の開発、光と競合する異種技術の登場など数々のマイナス要因が重なりました。

この結果、当協会で毎年実施している光産業動向調査によれば、国内生産額は2011年度の▲10.3％に引き続き、2012年度は▲3.3％のマイナス成長で、７兆624億円となりました。また、全出荷額についても2011年度の▲2.7％に引き続き、2012年度は▲0.2％のマイナス成長で、15兆6798億円となりました。この現状を打破するため、光産業としては新たなビジネスモデル、新たな製品、新たなサービスなどを考え構築していかなければなりません。そのために必要不可欠なものとして技術開発の重要性はますます高まっていくものと思います。

当協会は、多くの有望な光技術の中から産業として発展していく可能性のあるものを選び出し、こうした可能性を着実に現実のものとするため、①光産業技術に係る現状及び将来動向の調査・研究 ②技術開発の推進 ③標準化の推進 ④新規事業創造・人材育成を重点課題に掲げ、これらの課題に対応して事業を展開しております。2012年度もこれらの事業に力を注ぐとともに、その成果をもとに光産業技術に係る普及・啓発、国際交流・協力及び情報・資料の提供活動を実施してまいりました。

個別事業の活動内容や成果については本レポートをご覧いただくとして、ここでは2012年度の特筆すべき事項についてご紹介したいと思います。まず、人々の安全・安心に資するセンシング技術、イメージング技術を中心とした「安全・安心フォトニクス」分野についてロードマップを作成しました。経済産業省の新規プロジェクトである社会課題対応型センサーシステムの開発などにつながっていくことが期待されます。また、次世代の光スイッチ技術の開発を目指した高効率スペクトル活用光通信について調査を実施しました。さらに、標準化分野では、IEC/TC 76（レーザ安全性）分野において初めての日本提案の規格案である「映像プロジェクター用光源の光生物学的安全性」を提出しました。国際分野では世界の光関連団体との会議であるInternational Optoelectronics Association（IOA）が、展示会InterOpt2012にあわせて横浜にて開催されました。

当協会といたしましては、光産業技術の発展のため、経済産業省をはじめとした政府関係諸機関のご指導の下、賛助会員を始めとする産業界、重要なパートナーである学界等多くの方々のご理解、ご協力を得て、ニーズに合致した事業活動のさらなる充実強化を図ってまいりたいと考えております。皆様方にはどうぞ一層のご指導、ご支援、ご協力を賜りますよう心からお願い申し上げます。

技術情報レポート2012年度OITDA

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はじめに我が国の産業経済は、欧州危機などによる世界的な経済の

低迷、超円高、長引くデフレーションという厳しい環境にさらされている。このような国内外に大きな課題が存在する経済状況の中で、先端技術を生み出し産業化して我が国の経済成長に大きく貢献してきた光産業分野には、更に飛躍して産業界の牽引役を担うことが求められている。

こうした中で、当協会では、1980年の設立以来毎年度、関係企業の多大なるご協力と関係委員の精力的な活動の基に「光産業動向に関する調査」を行い、30年以上に及ぶ継続的なデータの集積は光産業の動向を示す基礎資料として高い評価を受けてきた。

この光産業動向の調査は、光産業動向調査委員会を設置し、「１．光産業動向調査委員会（親委員会）の下に情報通信、情報記録、入出力、ディスプレイ・固体照明、太陽光発電、レーザ加工、センシング・計測専門委員会を設置して活動を行う」など８項目の基本方針を策定して活動を行っている。

尚、今年度は回答頂いた企業の回答時期が2012年12月～2013年２月に渡っており、2012年度末からのアベノミクスに伴う円安傾向などの経済状況の変化の反映はまだら模様であろうことに留意頂きたい。

1.　光産業の国内生産額及び全出荷額1.1　光産業国内生産額調査

光産業の国内生産額及び全出荷額調査は、次のようにして取り組んだ。

日本国内の光製品（光機器・装置、光部品）関連生産企業に対して、国内生産額と海外生産を含む全出荷額に関する2011年度実績額、2012年度見込額及び2013年度定性的予測のアンケート調査（アンケート調査発送時期：2012年10月、回収時期：2012年12月～2013年２月、対象企業335社）を行う。その結果を基に、光産業動向調査専門委員会の下に設置されている７つの製品分野別調査専門委員会において検討・審議を行い、さらに光産業動向調査委員会においてデータの妥当性について再度確認し、日本全体の光産業の国内生産額及び全出荷額としてとりまとめた。

光産業は光機器・装置と光部品を合わせて右下の光産業製品分野に示す７分野とその他に分類している。

1.2　2011、2012年度国内生産額の調査結果概要2011年度国内生産実績額、2012年度国内生産見込額、

2013年度国内生産額定性的予測の総括表を表１に示す。●2011年度（実績）は７兆2,999億円、成長率▲10.3％

太陽光発電分野とセンシング・計測分野の２分野と固体照明器具・装置分野が前年度比プラス成長で、他の５分野はマイナス成長となり、特に、ディスプレイ分野が大きなマイナス成長へ落ち込み、ディスプレイ・固体照明分野全体としては大きなマイナス成長に落ち込んだ。●2012年度（見込）は７兆624億円、成長率▲2.7％

太陽光発電分野が大幅に伸び、入出力分野が久し振りに前年度比プラス成長へと転化すると見込まれ且つ前年に続

き固体照明器具・装置分野のプラス成長が見込まれているが、他の５分野はマイナス成長となり、特に、ディスプレイ・固体照明分野全体は２年続けて大きなマイナス成長へ落ち込むと見込まれている。●2013年度（定性的予測）は横ばい

太陽光発電分野が牽引役を果たし、レーザ加工分野がプラス成長すると予測されているが、他の５分野は横ばいからやや減少が予測されている。

1.3　2011、2012年度全出荷額の調査結果概要2011年度全出荷額、2012年度全出荷見込額、2013年度全

出荷定性的予測の総括表を表２に示す。●2011年度（実績）は15兆7,162億円、成長率▲2.7％

情報記録分野及びセンシング・計測分野の２分野と固体照明器具・装置分野が前年度比プラス成長で、他の５分野はマイナス成長へ落ち込み、特に、ディスプレイ・固体照明分野は国内生産と同様な状況にある。●2012年度（見込）は15兆6,798億円、成長率▲0.2％

唯一太陽光発電分野のみが前年度比大幅なプラス成長が見込まれているが、他の６分野はマイナス成長が見込まれており、特に、情報記録分野が大きなマイナス成長へ落ち込むと見込まれている。●2013年度（定性的予測）はやや増加

太陽光発電分野が牽引役を果たし、レーザ加工分野がプラス成長すると予測されているが、他の５分野は横ばいからやや減少が予測されている。光産業製品分野１．情報通信 ：光伝送機器・装置、光ファイバ融着機、

発光素子、受光素子、光ファイバ、光コネクタ、光受動部品等

２．情報記録 ：光ディスク装置（再生専用装置、記録・再生装置）、光ディスク媒体、半導体レーザ等

３．入出力 ：光学式プリンタ、MFP（複合機）（（光学式MFP、インクジェット式MFP）、デジタルカメラ（レンズ交換式（一眼レフ、ミラーレスタイプ（両者ともレンズを除く本体のみ））、コンパクトタイプ）、デジタルビデオカメラ、携帯入出力端末等

４．ディスプレイ・固体照明 ：フラットパネルディスプレイ装置・素子、プロジェクションディスプレイ装置、固体照明器具・装置、発光ダイオード

（照明用、表示用）等５．太陽光発電 ：太陽光発電システム、太陽電池セル・

モジュール６．レーザ加工 ：レーザ応用生産装置、レーザ発振器　

［尚、医療用レーザ装置の調査を中止（2012年度から）］

７．センシング・計測 ：光センシング機器、光測定器８．その他 ：非通信用個別受光素子、複合光素子等

注） 点線下線： 2009（平成21）年度調査から、光製品に加えた項目。 一重下線： 2010（平成22）年度調査から、光製品に加えた項目

（データは2002年度から追加している）。 二重下線：2012（平成24）年度調査から、光製品に加えた項目。

技術情報レポート2012年度OITDA

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光産業動向調査

� （各分野の集計値は　 ：光機器・装置と　 ：光部品とを単純合計したもの。単位百万円，%）

項　目2010 年度実績 2011 年度実績 2012 年度見込

2013 年度予測生産額（百万円） 成長率（%） 生産額（百万円） 成長率（%） 生産額（百万円） 成長率（%）

情報通信分野 542,289 13.9 506,457 ▲ 6.6 494,766 ▲ 2.3 横ばい光伝送機器・装置 247,010 12.0 244,184 ▲ 1.1 230,889 ▲ 5.4 横ばい幹線系（MUXを含む） 60,337 14.1 57,815 ▲ 4.2 52,979 ▲ 8.4 やや増加メトロ系 47,398 ▲ 13.9 47,165 ▲ 0.5 52,877 12.1 横ばい加入者系 65,838 ▲ 13.7 73,518 11.7 53,378 ▲ 27.4 横ばい光インターフェイスが装着できるルータ /スイッチ 16,700 317.5 21,157 26.7 22,845 8.0 横ばい映像伝送（CATV等） 17,876 18.3 5,462 ▲ 69.4 5,163 ▲ 5.5 横ばい光ファイバ増幅器 13,489 74.7 11,673 ▲ 13.5 10,519 ▲ 9.9 横ばいその他 25,372 88.5 27,394 8.0 33,128 20.9 横ばい

光ファイバ融着機 15,874 12.4 16,806 5.9 16,933 0.8 やや増加発光素子 28,017 5.9 23,876 ▲ 14.8 28,314 18.6 やや増加受光素子 7,432 32.3 6,776 ▲ 8.8 8,369 23.5 横ばい光伝送リンク 62,125 39.6 47,531 ▲ 23.5 51,462 8.3 横ばい光ファイバケーブル 113,871 10.1 107,384 ▲ 5.7 104,528 ▲ 2.7 やや増加光コネクタ 24,081 2.8 21,897 ▲ 9.1 19,840 ▲ 9.4 やや減少複合光素子 1,141 7.1 1,132 ▲ 0.8 1,184 4.6 減少光受動部品 35,529 13.8 26,242 ▲ 26.1 22,032 ▲ 16.0 やや減少光回路部品 7,209 26.0 10,629 47.4 11,215 5.5 やや減少

情報記録分野 421,550 ▲ 4.6 394,354 ▲ 6.5 281,753 ▲ 28.6 やや減少光ディスク 387,202 ▲ 4.5 379,270 ▲ 2.0 271,046 ▲ 28.5 やや減少光ディスク装置 352,667 0.3 351,234 ▲ 0.4 244,915 ▲ 30.3 やや減少再生専用型（CD,�MD,�DVD,�BR） 208,248 15.0 262,146 25.9 228,746 ▲ 12.7 やや減少記録型（MD,�MO,�CD,�DVD,�BR） 144,419 ▲ 13.2 89,088 ▲ 38.3 16,169 ▲ 81.9 やや減少

光ディスク媒体 25,272 ▲ 30.1 20,976 ▲ 17.0 18,291 ▲ 12.8 やや減少その他（光ヘッド，製造・検査装置） 9,263 ▲ 41.8 7,060 ▲ 23.8 7,840 11.0 減少

半導体レーザ 34,348 ▲ 5.7 15,084 ▲ 56.1 10,707 ▲ 29.0 やや減少入出力分野 1,731,118 ▲ 17.9 1,646,616 ▲ 4.9 1,663,777 1.0 横ばい

入出力装置 1,464,121 ▲ 21.5 1,373,348 ▲ 6.2 1,383,820 0.8 横ばい光学式プリンタ 46,402 ▲ 32.9 47,268 1.9 45,362 ▲ 4.0 横ばいMFP（複合機） 125,603 ▲ 0.7 96,955 ▲ 22.8 92,203 ▲ 4.9 横ばいバーコードリーダ 15,194 8.1 15,887 4.6 18,175 14.4 やや増加デジタルカメラ 517,774 ▲ 19.6 499,748 ▲ 3.5 596,932 19.4 やや増加デジタルビデオカメラ 126,172 ▲ 10.7 72,927 ▲ 42.2 43,498 ▲ 40.4 やや減少携帯入出力端末 619,569 ▲ 27.0 622,407 0.5 567,635 ▲ 8.8 やや減少その他 13,407 ▲ 40.5 18,156 35.4 20,015 10.2 やや増加

受光素子 266,997 10.7 273,268 2.3 279,957 2.4 横ばいディスプレイ・固体照明分野 3,584,546 10.9 2,784,239 ▲ 22.3 2,170,222 ▲ 22.1 横ばい

ディスプレイ装置 1,249,916 1.1 695,719 ▲ 44.3 236,727 ▲ 66.0 やや増加フラットパネルディスプレイ装置 1,144,039 2.4 633,540 ▲ 44.6 153,141 ▲ 75.8 横ばいプロジェクションディスプレイ装置 92,730 ▲ 1.8 59,517 ▲ 35.8 78,428 31.8 やや増加大型ディスプレイ装置（60型以上） 13,147 ▲ 46.7 2,662 ▲ 79.8 5,158 93.8 やや増加

固体照明器具・装置 85,377 152.5 200,979 135.4 352,117 75.2 増加LED照明器具・装置 54,178 194.7 158,191 192.0 338,423 113.9 増加LEDランプ単体 31,198 102.2 42,788 37.1 13,694 ▲ 68.0 増加

フラットパネルディスプレイ素子 1,951,097 14.7 1,580,738 ▲ 19.0 1,229,958 ▲ 22.2 横ばい発光ダイオード 298,156 13.8 306,803 2.9 351,420 14.5 横ばい

太陽光発電分野 1,240,558 42.7 1,338,817 7.9 1,917,573 43.2 増加太陽光発電システム 619,118 60.2 759,691 22.7 1,328,836 74.9 増加太陽電池セル・モジュール 621,440 28.7 579,126 ▲ 6.8 588,737 1.7 増加

レーザ加工分野 331,765 57.1 325,837 ▲ 1.8 250,208 ▲ 23.2 やや増加レーザ応用生産装置 273,776 53.3 263,021 ▲ 3.9 201,196 ▲ 23.5 やや増加炭酸ガスレーザ 69,537 73.9 80,019 15.1 57,477 ▲ 28.2 やや増加固体レーザ 41,792 28.9 31,245 ▲ 25.2 32,418 3.8 横ばいエキシマレーザ 159,398 52.8 147,718 ▲ 7.3 106,011 ▲ 28.2 やや増加その他 3,049 67.6 4,039 32.5 5,290 31.0 やや増加

レーザ発振器 57,989 78.0 62,816 8.3 49,012 ▲ 22.0 横ばいセンシング・計測分野 171,679 2.2 189,001 10.1 179,577 ▲ 5.0 横ばい

光センシング機器 163,035 0.8 175,572 7.7 167,325 ▲ 4.7 横ばい光測定器 8,644 36.5 13,429 55.4 12,252 ▲ 8.8 やや減少

その他分野 116,012 3.8 114,628 ▲ 1.2 104,522 ▲ 8.8 横ばい医療用レーザ装置 9,981 27.1 9,939 ▲ 0.4複合光素子 29,011 9.7 26,511 ▲ 8.6 27,633 4.2 横ばい光ファイバ　イメージファイバ等 3,967 8.4 4,249 7.1 4,351 2.4 横ばい受光素子 17,298 4.4 20,331 17.5 18,460 ▲ 9.2 横ばいその他（光回路部品・微小光学部品） 55,755 ▲ 2.7 53,598 ▲ 3.9 54,078 0.9 横ばい

項　目2010 年度実績 2011 年度実績 2012 年度見込

2013 年度予測生産額（百万円） 成長率（%） 生産額（百万円） 成長率（%） 生産額（百万円） 成長率（%）

光機器及び装置　小計 4,524,054 0.2 4,131,958 ▲ 8.7 4,201,141 1.7 横ばい光部品　小計 3,615,463 16.6 3,167,991 ▲ 12.4 2,861,257 ▲ 9.7 横ばい

計 8,139,517 6.9 7,299,949 ▲ 10.3 7,062,398 ▲ 3.3 横ばい

太陽光発電分野において、システムに部品として含まれる太陽電池モジュールの生産額が重複しないよう合計した生産額は次の通りである

項　目2010 年度実績 2011 年度実績 2012 年度見込

2013 年度予測生産額（百万円） 成長率（%） 生産額（百万円） 成長率（%） 生産額（百万円） 成長率（%）

太陽光発電分野 914,298 41.1 964,718 5.5 1,398,538 45.0 増加

表1　光産業の国内生産額（総括表）

技術情報レポート2012年度OITDA

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� （各分野の集計値は　 ：光機器・装置と　 ：光部品とを単純合計したもの。単位百万円，%）

項　目2010 年度実績 2011 年度実績 2012 年度見込

2013 年度予測出荷額（百万円） 成長率（%） 出荷額（百万円） 成長率（%） 出荷額（百万円） 成長率（%）

情報通信分野 572,609 17.2 562,538 ▲ 1.8 547,682 ▲ 2.6 横ばい光伝送機器・装置 267,516 18.8 258,257 ▲ 3.5 239,198 ▲ 7.4 横ばい幹線系（MUXを含む） 68,137 23.4 60,189 ▲ 11.7 55,042 ▲ 8.6 やや増加メトロ系 47,385 ▲ 14.0 47,165 ▲ 0.5 52,877 12.1 横ばい加入者系 66,489 ▲ 15.0 73,486 10.5 53,846 ▲ 26.7 横ばい光インターフェイスが装着できるルータ /スイッチ 27,417 585.4 29,595 7.9 22,481 ▲ 24.0 横ばい映像伝送（CATV等） 17,768 17.6 5,462 ▲ 69.3 6,065 11.0 横ばい光ファイバ増幅器 14,963 80.9 13,650 ▲ 8.8 12,177 ▲ 10.8 横ばいその他 25,357 90.0 28,710 13.2 36,710 27.9 横ばい

光ファイバ融着機 15,874 12.4 16,828 6.0 16,976 0.9 やや増加発光素子 28,779 13.2 26,484 ▲ 8.0 32,499 22.7 やや増加受光素子 7,167 27.6 6,776 ▲ 5.5 8,369 23.5 横ばい光伝送リンク 64,535 14.0 59,735 ▲ 7.4 63,040 5.5 横ばい光ファイバケーブル 115,788 16.6 124,699 7.7 123,296 ▲ 1.1 やや増加光コネクタ 28,167 20.2 25,409 ▲ 9.8 23,721 ▲ 6.6 やや増加複合光素子 1,322 ▲ 10.5 1,625 22.9 1,471 ▲ 9.5 横ばい光受動部品 36,252 14.6 32,020 ▲ 11.7 27,285 ▲ 14.8 やや減少光回路部品 7,209 26.0 10,705 48.5 11,827 10.5 やや減少

情報記録分野 1,429,327 11.3 1,625,394 13.7 1,180,742 ▲ 27.4 やや減少光ディスク 1,387,336 14.0 1,579,263 13.8 1,142,032 ▲ 27.7 やや減少光ディスク装置 1,184,021 19.3 1,372,048 15.9 961,565 ▲ 29.9 横ばい再生専用型（CD,�MD,�DVD,�BR） 636,450 23.7 647,480 1.7 569,470 ▲ 12.0 やや減少記録型（MD,�MO,�CD,�DVD,�BR） 547,571 14.5 724,568 32.3 392,095 ▲ 45.9 やや増加

光ディスク媒体 71,616 ▲ 11.3 59,127 ▲ 17.4 52,555 ▲ 11.1 やや減少その他（光ヘッド，製造・検査装置） 131,699 ▲ 8.2 148,088 12.4 127,912 ▲ 13.6 減少

半導体レーザ 41,991 ▲ 37.3 46,131 9.9 38,710 ▲ 16.1 やや減少入出力分野 4,206,035 ▲ 10.8 4,184,713 ▲ 0.5 4,053,381 ▲ 3.1 やや増加

入出力装置 3,939,038 ▲ 11.9 3,911,905 ▲ 0.7 3,773,424 ▲ 3.5 やや増加光学式プリンタ 161,596 ▲ 34.8 143,210 ▲ 11.4 132,571 ▲ 7.4 やや増加MFP（複合機） 659,716 ▲ 14.1 592,818 ▲ 10.1 582,997 ▲ 1.7 横ばいバーコードリーダ 18,882 ▲ 5.7 18,366 ▲ 2.7 20,664 12.5 やや増加デジタルカメラ 1,497,781 ▲ 12.6 1,688,896 12.8 1,765,105 4.5 やや増加デジタルビデオカメラ 248,871 ▲ 27.0 170,541 ▲ 31.5 143,199 ▲ 16.0 やや減少携帯入出力端末 1,325,614 0.4 1,258,008 ▲ 5.1 1,095,725 ▲ 12.9 やや増加その他 26,578 ▲ 56.2 40,066 50.7 33,163 ▲ 17.2 やや増加

受光素子 266,997 10.7 272,808 2.2 279,957 2.6 横ばいディスプレイ・固体照明分野 7,779,497 6.8 7,253,080 ▲ 6.8 7,084,699 ▲ 2.3 やや増加

ディスプレイ装置 5,175,804 5.3 4,680,318 ▲ 9.6 4,259,794 ▲ 9.0 増加フラットパネルディスプレイ装置 4,976,370 5.5 4,439,206 ▲ 10.8 4,000,232 ▲ 9.9 増加プロジェクションディスプレイ装置 184,880 5.4 196,247 6.1 213,473 8.8 やや増加大型ディスプレイ装置（60型以上） 14,554 ▲ 44.8 44,865 208.3 46,089 2.7 やや増加

固体照明器具・装置 80,514 177.8 265,156 229.3 446,566 68.4 増加LED照明器具・装置 54,178 194.7 158,191 192.0 338,423 113.9 増加LEDランプ単体 26,336 148.5 106,965 306.2 108,143 1.1 やや増加

フラットパネルディスプレイ素子 2,225,023 7.1 2,002,592 ▲ 10.0 2,027,573 1.2 やや増加発光ダイオード 298,156 13.8 305,014 2.3 350,766 15.0 やや増加

太陽光発電分野 1,502,851 51.3 1,423,291 ▲ 5.3 2,235,462 57.1 増加太陽光発電システム 719,837 67.9 797,835 10.8 1,505,428 88.7 増加太陽電池セル・モジュール 783,014 38.7 625,456 ▲ 20.1 730,034 16.7 増加

レーザ加工分野 341,395 64.9 334,038 ▲ 2.2 258,242 ▲ 22.7 やや増加レーザ応用生産装置 283,406 62.5 271,222 ▲ 4.3 209,230 ▲ 22.9 やや増加炭酸ガスレーザ 67,832 61.4 83,115 22.5 63,718 ▲ 23.3 やや増加固体レーザ 45,441 26.7 31,968 ▲ 29.6 33,137 3.7 横ばいエキシマレーザ 166,248 76.2 149,218 ▲ 10.2 105,011 ▲ 29.6 やや増加その他 3,884 80.0 6,921 78.2 7,364 6.4 やや増加

レーザ発振器 57,989 78.0 62,816 8.3 49,012 ▲ 22.0 横ばいセンシング・計測分野 204,771 13.1 218,543 6.7 215,069 ▲ 1.6 横ばい

光センシング機器 196,576 12.1 204,925 4.2 202,832 ▲ 1.0 横ばい光測定器 8,195 43.9 13,618 66.2 12,237 ▲ 10.1 横ばい

その他分野 114,458 ▲ 3.2 114,628 0.1 104,522 ▲ 8.8 横ばい医療用レーザ装置 9,852 9.8 9,939 0.9複合光素子 29,011 9.7 26,511 ▲ 8.6 27,633 4.2 横ばい光ファイバ　イメージファイバ等 3,967 8.4 4,249 7.1 4,351 2.4 横ばい受光素子 19,316 ▲ 11.8 20,331 5.3 18,460 ▲ 9.2 横ばいその他（光回路部品・微小光学部品） 52,312 ▲ 8.7 53,598 2.5 54,078 0.9 横ばい

項　目2010 年度実績 2011 年度実績 2012 年度見込

2013 年度予測出荷額（百万円） 成長率（%） 出荷額（百万円） 成長率（%） 出荷額（百万円） 成長率（%）

光機器及び装置　小計 12,083,948 3.6 12,009,266 ▲ 0.6 11,807,717 ▲ 1.7 やや増加光部品　小計 4,066,995 12.9 3,706,960 ▲ 8.9 3,872,082 4.5 やや増加

計 16,150,943 5.8 15,716,226 ▲ 2.7 15,679,799 ▲ 0.2 やや増加

太陽光発電分野において、システムに部品として含まれる太陽電池モジュールの生産額が重複しないよう合計した生産額は次の通りである

項　目2010 年度実績 2011 年度実績 2012 年度見込

2013 年度予測出荷額（百万円） 成長率（%） 出荷額（百万円） 成長率（%） 出荷額（百万円） 成長率（%）

太陽光発電分野 1,014,754 39.1 1,011,048 ▲ 0.4 1,539,835 52.3 増加

表2　光産業の全出荷表（総括表）

技術情報レポート2012年度OITDA

4

光産業動向調査

1.4　光産業国内生産額の推移⑴　光産業国内生産額の推移

1980年度から2011年度までの33年間の国内生産額の推移を対前年度成長率（2001年度～）とともに図１に示す。光産業の国内生産規模の推移を日本経済、他業種の規模の推移と比較するために、名目GDPと電子工業国内生産額も参考のために載せてある。

光産業は、国内生産額の調査開始年度である1980年度には約800億円の規模で、1980年代は日本経済と共に成長した。1991年には国内生産額で電子工業全体の1/10となり、一貫してプラス成長を持続したまま、2000年度には７兆円の大台に乗った。IT不況の影響で2001年度は調査

開始以来、初めてのマイナス成長を記録したが、急回復して2003年度に10兆円の大台に近付くと、以降はマクロ経済の影響を大きく受け、GDPや電子産業と連動した動向を示すようになっている。2007年度までは緩やかに成長したが、2008～2009年度は世界金融不況の影響を受けて２年連続のマイナス成長となり、2010年度には一端回復傾向を示したものの勢いは弱く、2011年度以降再びマイナス成長へ入り込んでしまっている。

1991年度実績から2012年度見込みまでの22年間の分野別光製品国内生産額の推移（その他を除く７分野）を図２に示す。

1990年代は、ディスプレイ・固体照明分野、入出力分

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

生産金額（兆円）

12111009080706050403020100999897969594939291見込年度

情報通信分野情報記録分野入出力分野ディスプレイ・固体照明分野太陽光発電分野レーザ加工分野センシング・計測分野

*1　内閣府発表資料より（2012見込‥第3Q／2013予測‥年央試算より2012/8/24）*2　電子情報産業の世界生産見通し、JEITA、2012/12/15*3　�カメラ付き携帯電話の調査開始年度（02）、太陽光発電システムの調査開始年度（08）及び固体照明の調査開始年度（09）の対前年度成

長率には調査開始項目は含まれない

図1　光産業国内生産額、名目GDP、電子工業国内生産額の推移（1980～2013年度）

図2　分野別光製品国内生産額の推移

30

25

20

15

10

5

0

生産金額（兆円）

数字：対前年度成長率

1.0

9.6▲18.2

▲12.0

▲15.12.7*3

29.2 1.1 0.15.3 0.6

▲16.7*3

▲9.5*3

7.3▲10.3

▲3.3

7.0 2.3 ▲3.56.5 ▲0.8

▲7.9

▲26.7

▲14.5

▲8.3

0.7

13.1

▲1.8

▲0.7

0.8 0.2 0.5 0.7 0.8 ▲4.6 1.3 1.9▲3.2 ▲1.4

0.2

光産業国内生産額名目GDP（×1/20）*1電子工業国内生産額*2

13121110090807060504030201009998979695949392919089888786858483828180予測

見込年度

技術情報レポート2012年度OITDA

5

野、情報通信分野、情報記録分野は、順調に伸び、いずれも2000年には１兆円超の国内生産額に成長した。また、レーザ加工分野、センシング・計測分野、太陽光発電分野においても、生産金額は2000年において5,000億円以下と規模は小さかったが、1990年代は順調に推移した。しかし、2001年のITバブル崩壊以降の展開は、分野毎に大きく異なる様相になった。入出力分野は2001年度に余り落ち込まずに2002年度以降も順調に成長したが、2008年度以降はマイナス成長に転落し、2010年度になって漸く下げ止まりの様相が見え始め、2012年度は数年振りにプラス成長が見込まれている。ディスプレイ・固体照明分野は多少の凸凹はあるものの順調に成長し続けていたが、2010年度をピークに急降下し始めた。特に、フラットディスプレ

イ装置はこの２年間で凡そ85％も国内生産が減少してしまう見込みになっている。太陽光発電分野は昨今の光産業分野の成長頭になっており、2008年度以降急勾配で上昇が見られている。情報記録分野は長期低落傾向が継続しており、2012年度には3,000億円を割り込むことが見込まれている。他の分野は国内市場がメインになっているため比較的に国内景気の影響を受け易く、景気の動向に似た様相が見受けられている。

⑵　光産業国内生産額の分野別構成比率と寄与度の推移国内生産額の2010年度実績～2012年度見込みの３年

間の光製品分野別構成比率の推移を図３に、光製品国内生産増減額の分野別寄与度推移を図４に示す。

ディスプレイ・固体照明、入出力及び太陽光発電の３分

図3　光産業国内生産額の分野別構成比率推移

図4　国内生産増減額の分野別寄与度推移

100%

90%

80%

70%

60%

50%

40%

30%

20%

10%

0%

1.4%

2010年実績8兆1,395億円

2011年実績7兆2,997億円

2012年見込7兆624億円

1.6% 1.5%

その他分野センシング・計測分野情報記録分野レーザ加工分野情報通信分野太陽光発電分野入出力分野ディスプレイ・固体照明分野

44.%

21.3%

15.2%

6.7%

5.2%4.1%2.1%

38.1%

22.6%

18.3%

6.9%

5.4%4.5%2.6%

30.7%

23.6%

27.2%

7.0%4.0%3.5%2.5%

7,000

6,000

5,000

4,000

3,000

2,000

1,000

0

-1,000

-2,000

-3,000

-4,000

-5,000

-6,000

-7,000

-8,000

-9,000

金額（億円）

5,552億円

2010年度実績 2011年度実績 2012年度見込

▲2,376億円

▲8,396億円

ディスプレイ・固体照明分野入出力分野太陽光発電分野情報通信分野情報記録分野レーザ加工分野センシング・計測分野その他分野光製品　合計

技術情報レポート2012年度OITDA

6

光産業動向調査

野で全体の約80％を占めるが、2009年度の世界金融不況の影響を受けた大きさに対し、その後の回復の度合い（2010～2012年度）の違いにより構成比率は大きく変化している。ディスプレイ・固体照明分野は、フラットディスプレイ装置の国内生産が2011年の地上デジタル放送への完全移行終了後に前の旺盛な需要に対する反動並びに円高と継続的な価格低下による海外生産シフトにより、この２年間で85％近くも落ち込むことが見込まれ、一方、固体照明は省エネ意識の高まりにより大幅に続伸しているが、落ち込みをカバーするまでには至らず、結果この２年間で13ポイントも構成比率を下げることが見込まれている。一方、入出力分野はデジタル一眼レフカメラの高い人気により下げ止まりの様相が見受けられている。太陽光発電分野は補助金と余剰電力買取制度、さらに2012年７月からスタートした固定価格買取制度により飛躍的に続伸して、構成比率が上昇し、2012年度には第２位まで躍進することが見込まれている。

次に、分野別寄与度（図４）は、2010年度は唯一入出力分野のみがマイナスになっているが、2011年度になると、太陽光発電とセンシング・計測分野の２分野のみがプラスとなり、他の５分野はマイナスに落ち込んでいる。特に、ディスプレイ・固体照明分野が大幅に落ち込んでいる。2012年度も様相は大きくは変わっていないが、太陽光発電が飛躍的に伸びることと、数年振りに入出力分野がプラスに転じることが見込まれている。他の５分野はマイナスが見込まれており、特に、ディスプレイ・固体照明分野はフラットディスプレイ装置の大幅な需要の減少により２年連続落ち込みが見込まれている。

1.5　光産業全出荷額の推移⑴　光産業全出荷額と分野別全出荷額の推移

全出荷額及び分野別全出荷額の2009年度実績から2012年度見込みの４年間の推移を図５に示す。2010年度は若干持ち直して16兆円台になったが、2011年度は再び15兆円台に戻っている。2012年度も僅かではあるが、若干の減少が見込まれている。

2011年度は記録型BD装置が国内の旺盛な需要により大きく伸びた情報記録分野と家電機器などの省エネ制御用として活用されている人体センサが飛躍的に伸びたセンシング・計測分野がプラス成長をし、2012年度は固定価格買取制度が開始されてメガソーラーが伸びた太陽光発電分野のみが大きなプラス成長が見込まれている。他の情報通信、入出力、ディスプレイ・固体照明、レーザ加工分野は２年連続でマイナス成長が見込まれている。

⑵　光産業全出荷額の寄与度推移光製品全出荷増減額の分野別寄与度推移を図６に示す。全出荷も国内生産と似た様な寄与度推移になってお

り、2010年度の入出力分野の一人負けの様相から、2011年度に入って、情報記録分野が記録型BDの旺盛な国内需要に支えられてプラスとなり、エアコンなどの省エネ制御用の人体センサが飛躍的に伸びたセンシング・計測分野が僅かではあるがプラスとなった。他の５分野はマイナスに転落し、特に、ディスプレイ・固体照明分野は、地デジ化完全移行後の需要の反動によりフラットディスプレイ装置が大幅に落ち込んで、大きなマイナスになった。2012年度は唯一太陽光発電のみが大幅なプラスが見込まれ、他の６分野はマイナスが見込まれ、特に、情報記録分野が、記録型BDの前年の旺盛な需要の勢いの反動で大幅に落ち込み、大きなマイナスが見込まれている。　

各分野の詳細な分析については、以降の２章から８章で述べる。

図5　分野別光製品全出荷額の推移

8

7

6

5

4

3

2

1

0

出荷金額（兆円）

ディスプレイ・固体照明分野入出力分野情報記録分野太陽光発電分野情報通信分野レーザ加工分野センシング・計測分野

見込年度

09 10 11 12

技術情報レポート2012年度OITDA

7

2.　情報通信分野情報通信分野は、2010年のアナログテレビ放送のデジタル

化を契機としてユーザがCATVやFTTHへ流れることを期待した需要増が実際に見られ、2010年には5,400億円台を記録したが、東日本大震災、欧州での金融危機、またタイの洪水被害による光通信部品の生産低迷などを受けて、2011年度は軒並みマイナスを記録し、再び5,000億円に戻った。2012年度は一部反発する部分もみられるが、いまだにまだら模様であり、5,000億円の大台を若干切る見込みである。なお、本報告の調査結果は昨年11月までに得られたものであり、その後の円安傾向・株価上昇などの経済状況の変化は反映されていない時点の分析である。

日本のブロードバンドには異変が起こりつつある。それはいわゆる携帯電話の「3.9世代」の加入者数が昨年末に730万となり、光アクセス（FTTH）に次いで第２位に躍り出たことである。国内市場のFTTHは、ほぼ全国的に普及が行き渡り伸びが鈍化する一方、LTE（4G）サービスの開始によりモバイル系ネットワークの大容量高速化への対応が引き続き行われている。ネットワーク内を流れるコンテンツの大容量化、モバイル端末の高速化、クラウドコンピューティング及びビッグデータビジネス等によるにデータセンタへのアクセスの増大による光通信トラヒックの増加は今後も続くと予想されるものの、無線LANの普及など、テザリング機能を含めた「ひもつき」でない無線アクセスが圧倒的に使い勝手の面で優れているため有線系のアクセスサービスが高速無線アクセスの大きな挑戦を受けていることは明らかであり、次年度以降への影響が懸念される。

世界市場で見ると幹線系、メトロ系ネットワークへの40G、さらには100Gの導入が急速に拡大していて、特に中国では幹線系に40Gが2011年度も継続して導入されており、40G急拡大の一要因である。さらにデジタルコヒーレント技術を全面的に適用した100G伝送システムは、開発レベルからサービス開始レベルに移行し、海外を中心に導入が始まっている。100G伝送システムはDP-QPSK（Dual Polarization Quadrature Phase

Shift Keying）方式を使用しており、伝送装置を供給するベンダが限られていた。しかし昨年度より基幹部品を供給するベンダが現れたことから、各社で100G伝送装置の製品化が加速し、本年度以降通信事業者の100G伝送装置の採用検討及び導入が急速に進んでいる。また、今後は100G伝送装置の商用サービス領域も幹線系からメトロ系のネットワークへ拡大していくと思われる。

光ファイバケーブルに目を転じると、国内需要は、主に通信事業社による公共通信インフラ用途が大きな位置を占めており、その中でもFTTHサービスの需要に大きく影響を受けると考えられる。しかしながらここ数年におけるスマートフォンの爆発的な普及や、スマートフォンでのテザリング機能により、FTTH加入契約数の伸びが鈍化しているものと思われ、2011年度国内生産額は1,074億円（前年度比成長率－６％）、2012年度国内生産額見込額は1,045億円（同－３％）であり、２年連続で前年比マイナスとなった。これは前述の通り国内の需要停滞と競争激化による影響によるものと考えられる。さらに、2013年度においても大きな需要の変化はないとの予測となっている。

3.　情報記録分野本調査専門委員会は、光技術を用いた情報記録（光ディス

ク）の装置・媒体についての国内生産額、及び、海外生産を含む全出荷額の調査とその結果の分析、及び特徴的な市場トピックスの調査について活動した。なお、次年度の予測については、昨年度の調査から他の分野と同様に増加、横ばい、減少など定性的な表記を用いている。

再生専用装置（CD, MD, DVD, BD）の国内生産額は、2011年度2,621億円（前年度比26％増）と音楽用・映像用など車載向け高付加価値モデルの需要に支えられ増加した。2012年度は、車載向けの落ち込みは少ないものの価格下落や海外シフトがさらに進み、2,287億円（同13％減）と前年比で減少する。また2010年度増加したBDプレーヤやBDを再生できるゲーム

図6　全出荷増減額の分野別寄与度推移

8,789億円

▲4,347億円

▲364億円

2010年度実績 2011年度実績 2012年度見込

ディスプレイ・固体照明分野入出力分野太陽光発電分野情報通信分野情報記録分野レーザ加工分野センシング・計測分野その他分野光製品　合計

9,000

8,000

7,000

6,000

5,000

4,000

3,000

2,000

1,000

0

-1,000

-2,000

-3,000

-4,000

-5,000

-6,000

金額（億円）

技術情報レポート2012年度OITDA

8

光産業動向調査

機も2011年度は落ち込み、さらに2012年度以降も、大きな動きは期待できない。一方、海外生産分を含む全出荷額は、2011年実績6,475億円（同２％増）に対し、2012年度はBDプレーヤの市場拡大の鈍化と低価格化の進行により5,695億円（同12％減）と前年比で減少する見込みである。

海外生産分も含む光ディスク記録・再生装置カテゴリーの全出荷額は2011年度実績7,246億円に対し、2012年度見込みは3,921億円（同マイナス45.9％）となる。DVD関連機器出荷額の継続的な漸減に加え、BD機器（BDレコーダ及び、PC用途のBD記録・再生用ドライブ）の出荷額合計は2011年度比マイナス58.1％の大幅な減少となる2,279億円に止まる見込みである。BDレコーダなどの記録型BD機器は引き続き国内が主要マーケットであり、2011年のアナログTV放送停波に伴うTV・レコーダ買い替え特需の反動によるBDレコーダ市場の急激な冷え込みが影響していると思われる。また国内生産額は2011年度の891億円に対し2012年度は81.9％減の162億円となる見込みであり、記録型BD機器についても大半が海外生産に移行したとみられる。

今年度は急激なBDレコーダ需要減の直撃を受けた形であるが、今後は徐々に持ち直して行くものと思われ、2013年度の記録・再生装置カテゴリーの全出荷額はやや増加、しかしながら国内生産額は更に減少すると予測している。

光ディスク媒体の2011年度の国内生産額は、前年度比17.0％減の210億円と大きく減少した。これは、CD-Rや記録型DVDの需要減により国内生産が大きく減少したこと、及び需要が増加したBDの海外生産へのシフトが加速したことによる。2012年度以降もCD-Rや記録型DVDの需要減が引き続き見込まれ、またBDの国内生産額も減少するため、10％以上の国内生産額の減少が見込まれる。一方、海外生産を含めた2011年度の全出荷額は、前年度比17.4％減の591億円となった。2012年度以降は、BDの出荷額が減少、及び、その他の媒体の出荷額も減少が見込まれているため、やはり10％程度の減少の見込みである。

平成24年度報告書では、以上の調査結果を踏まえ、製品別の市場動向分析を、⑴再生専用装置、⑵記録・再生装置、そして、⑶媒体の順に述べ、最後に、本年度の注目すべき動向として、光ディスク保存規格のBD拡張と医療分野への展開、及び業務用大容量光ディスクについて報告されている。BDの国際規格審議が進み、その寿命試験規格の改訂が開始された。今後、古文書や文化遺産の継続的保存、医療画像・文書保存分野での市場拡大が期待される。また、いくつかのメーカ、研究機関から大容量光ディスクシステムの発表が相次ぎ、アーカイブ用途への光ディスク適用が注目された。従来の光ディスクの民生用途から業務用市場への拡大に向けて、メーカ各社の積極的な対応が期待される。

4.　入出力分野入出力調査専門委員会は、「入出力機器全体の市場動向、

生産動向の調査・分析」と「本分野における特徴的な市場・製品動向の調査・分析」の活動を行っている。主な対象製品分野は、光学式プリンタ・光学式MFP（複合機）・デジタルカメラ及

びデジタルビデオカメラ・携帯入出力端末である。今年度から、デジタルカメラのサブ項目にミラーレスタイプを追加するなど、調査対象製品と調査項目の見直しを行なったが、調査結果の連続性に対して大きな影響を及ぼす程の変更ではない。

4.1　光入出力機器の国内生産額光入出力装置全体の2011年度国内生産額は、１兆3,733億円

で、2010年度生産額１兆4,641億円と比較すると6.2％の減少となった。この生産額は、2006年度実績のほぼ４割以下の水準である。2012年度見込は、１兆3,838億円（0.8％）とわずかではあるが、ようやく増加に転換する見込みである。これには、レンズ交換式デジタル一眼レフカメラの国内生産が飛躍的に伸びることが寄与している。全般的には、他産業と同様に、長期的な国内市場の飽和や海外生産への移行に加えて、例えば円高の進行・ユーロ圏の景気後退・中国との関係悪化など取り巻く環境は、厳しい状況にあることに変わりはない。

4.2　入出力分野の動向分析⑴　光学式プリンタ

光学式プリンタの国内生産額は、2010年度以降は、下げ止まりの傾向が見られるが、2012年度は、ほぼ横ばいの453億円の見込みとなっている。円高などの影響により、産業としての空洞化が見られる。

⑵　光学式MFP（複合機）2011年度国内生産額の実績は、885億円となった。2010年

度の生産額1,155億円に比べ23.4％の大幅減となった。2011年度の全出荷額も、海外での需要減退が続き、11.2％減の4,544億円と見込まれる。これは、オフィスなどでのデジタル化に伴ったコピー需要の低下のためである。

⑶　デジタルカメラ2011年度のデジタルカメラ全体の実績では、前年度比

3.5％の減少を示し、2012年度見込み値についても5,969億円に達したが、依然、ピーク時の約55％である。これは、先進国市場では既にスマートフォンなどに浸食され、商品単価の低廉化、海外生産への移行などの要因が大きく影響しているためと思われる。ミラーレスを除く一眼レフタイプも３年連続減少になるが、高級機にシフトすることにより2012年度見込み値では大幅な増加傾向（66％）を見込んでいる。

⑷　デジタルビデオカメラ国内生産のほとんどがハイビジョンフォーマット（HD）の

記録解像度タイプであることを考慮して、今年度からスタンダードフォーマット（STD相当）の記録解像度とは分けずに調査を行った。2011年度の国内生産額は、2008年度以降の減少傾向に歯止めがかかっていない。2012年度見込み値（435億円）に関しては、前年度比40％の減少である。この金額は、2003年のピーク時（5,880億円）のわずか7.4％程度であり、デジタルビデオカメラの国内生産の厳しさが窺える。

⑸　携帯入出力端末2007年度以来、国内生産は大幅な減少が続いて来たが、

2011年度のカメラ付き携帯電話の国内生産額は6,224億円であり、前年度比で0.5％の微増となった。また2012年度は

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5,676億円、前年度比8.8％の減少の見込みで、下げ止まり傾向が見てとれる。スマートフォンの初期においては、海外ベンダに後れをとった感のある国内ベンダであったが、2011年度は、機種ラインナップも出そろい、ある程度後れを挽回できたために国内生産が下げ止まったものと考えられる。

4.3　海外生産動向調査入出力装置の海外生産比率は、2011年度58.5％、2012年度

見込50.6％でようやく上昇傾向は収まってきたようだ。2011年度の製品別では、MFP46.5％、デジタルカメラ46.1％、携帯入出力端末40.4％となり、海外生産比率は減少傾向にある。

海外出荷比率は、2011年度80.8％、2012年度見込82.0％と高止まりしている。製品別では、デジタルカメラが90％超え、光学式プリンタとMFPが60％超え、デジタルビデオカメラが50％超えと国内市場の成熟化が伺える。

4.4　本年度の注目すべき動向⑴　光学式プリンタ

リーマンショックにより2009年は大幅に市場が縮小したが、2010年には大きく回復した。しかしながら2011年に成長は鈍化し、2012年には再び縮小傾向となった。一方、インクジェット方式のビジネス用途プリンタの登場により、新たな競争軸が生まれようとしている。

⑵　デジタルカメラ像面位相差AFと米Lytro社が発表した、撮影した後に

フォーカス位置を任意に変更できる「light field camera（ライトフィールドカメラ）」が注目すべき動向として挙げられる。

⑶　デジタルビデオカメラ映像を共有化する機能の進化が注目すべき動向である。 （石森義雄）

5.　ディスプレイ・固体照明分野ディスプレイ・固体照明分野全体の国内生産額は、デフレ基

調の経済情勢、エコポイント終了による需要の反動、液晶パネルの単価下落によるディスプレイメーカ各社の事業体力低下、世界的視野ではタイの洪水によるサプライチェーンへの影響、欧州経済危機など負の要素が山積し、2011年度実績は２兆7,864億円（前年度比22.3％減）と想定以上の減少となった。2012年度もディスプレイ分野では、2012年度見込みは２兆1,711億円（同22.1％減）と2011年度（実績）に引き続いての大幅減少見込みとなっている。対して固体照明分野の市場は大幅に拡大し、ディスプレイ分野の大幅な落ち込みを若干カバーする結果となっている。

5.1　ディスプレイ分野の産業動向⑴　液晶ディスプレイ

液晶テレビは、地上デジタル放送への完全移行に伴う需要の反動、円高、単価ダウンの長期化等が重なり、生産金額は2011年度実績で6,117億円（同37.5％減）と大幅な減少となった。液晶ディスプレイ素子の国内生産額も2012年度見込が１兆2,134億円（同20.5％減）と、テレビほどではないが大

きくマイナスとなっている。中でもアクティブ液晶の大型パネルは、価格ダウンの影響を大きく受け、テレビ用に生産を集中する国内メーカ各社の収益を悪化させている。一方で中小型パネルについては、引き続きスマートフォンやタブレット型端末の市場は拡大傾向にあり、2012年度もプラス成長の継続が見込まれている。

⑵　プラズマディスプレイ2012年度は、世界的な景気後退によるテレビ市場の縮小

と行き過ぎた低価格化により、ディスプレイモジュール生産各社の減産と新規投資凍結により市場が縮小した。PDPモジュール生産会社では、韓国のサムソンとLGが新規投資と新規開発の凍結、パナソニックは減産と新規開発の中止という状況で、中国の長虹だけが、合肥の設備（日立の最新設備の売却先）の購入と新規開発の継続を進めている。

⑶　ELディスプレイSamsung Electronics社製の有機ELディスプレイ搭載ス

マートフォンの好調な販売状況とともに、韓国勢が相次いで55型の有機ELテレビを発表したことがトピックスである。対して国内の市場は、産業用途のモニタに限定されており、市場規模も2012年度国内生産額（見込み）で100億円以下（2011年度比11.5％増の99億円）と小さい。国内企業において、モバイル用途向けの中小型の有機ELディスプレイの量産技術は確立されており、コストや投資効果等の諸課題を乗り越えての早期参入が期待される。

⑷　大型表示装置公共投資やオリンピック等の大きなイベントの動向に左右

される大型表示装置は、経済不況の影響で2010年度以降の国内生産額は厳しい状況が続いており、2012年度の大型表示装置の国内生産額（見込み）は52億円（同93.8％増）と前年比は大きいが生産額はピーク時の2009年度の２割程度にとどまっている。来年度以降については、公共施設の新規施工や既存公共施設の旧式の大型表示装置の置き換えが加速するものと考えられ、急回復が見込まれている。

⑸　プロジェクションディスプレイプロジェクションディスプレイ市場については、文教用途

の拡大により増加傾向を維持している。2011年度の実績は、全出荷額が1962億円（同6.1％増）と増加したものの、国内生産額は595億円（同35.8％減）と、海外生産シフトの加速などから大幅に低下した。2012年度の全出荷額は2,135億円（同8.8％増）と引き続き増加が見込まれている。プロジェクタの新たな用途としては、最近話題のプロジェクションマッピングやデジタルサイネージなどが期待されており明るい要素も見られる。

5.2　固体照明分野の産業動向⑴　LEDランプ（単体）

2007年ごろから本格的に市場に登場した電球形LEDランプに数年遅れて東日本大震災を契機に直管LEDランプも普及が始まっている。2011年度LEDランプ単体の全出荷高は、全出荷額が約1,070億円（同306％増）であったが、2012年度は、全出荷額で前年並みの約1,081億円（同1.1％増）に

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光産業動向調査

なるものと予測されている。一方で国内生産は海外移転が急速に進み、当初国内生産のウエイト（国内生産額／総出荷額）が高かったものが、2012年度には13％程度に低下していると推測される。

⑵　一般照明用LED照明器具LED照明器具については、各企業のLEDの技術開発、製

品開発、品ぞろえが進み、昨年は各メーカが発表した照明器具は、新商品のほとんどがLEDを用いたものとなっており、2011年度は1,582億円（同192％増）、2012年度は3,385億円（同114.0％増）と大幅な増加を見込んでいる。今後も国内のLED照明器具の出荷は増加する見込であり、光産業分野での今後の牽引役として大いに期待される。

6.　太陽光発電分野6.1　2011年度出荷状況

2011年度におけるわが国の太陽電池総出荷量は表７に示すように、2,686MWとなり、これまでの記録を更新した。2006年度のマイナス成長後、毎年前年の成長率を上回り続けてきたが、2011年度の成長率は2010年度の52.2％から5.8％に萎んだ。国内住宅用太陽光発電システム市場を中心に国内市場が大きく伸びたものの、海外輸出市場がマイナス成長に転じたことが主な要因として挙げられる。政府による太陽光発電システムの普及支援事業は、経済産業省から環境省、文部科学省、農林水産省など他省庁や地方自治体にも広がり、さらに、余剰電力買取制度の後押しと太陽光発電システム価格の低下により、国内市場は2008年までの低迷期から完全に抜け出し、再び成長軌道に乗り始めた。

材料別にみると、表８に示すように、大きな変化が起きている。常に多結晶Si型が単結晶Si型を20％以上上回ってきたが、多結晶Si型がマイナス成長となり、単結晶Si型が生産能力の増強により大きく伸びたことで、単結晶Si型がわずかにリードし、

単結晶Si型と多結晶Si型が拮抗している。多結晶Si型は対前年比22.7％減の1,021MWとなり、１GWレベルをかろうじて保っている。多結晶Si型は、わが国の中心的太陽電池として、長年にわたって太陽電池の生産拡大をリードしてきたが、輸出の中心的材料を担っていたので、輸出減の影響を大きく受けることとなった。単結晶Si型は対前年比23.5％増の1,028MWとなり、初めて１GW規模を達成した。単結晶Si型は1999年度に登場したa-Si／単結晶Siという変換効率の高いヘテロ接合タイプの単結晶Si型太陽電池が中心となっており、このタイプの生産量は上昇基調を持続している。一方、a-Si型及びその他は、電力用分野での本格的採用も進んでおり、2009年度以来急拡大している。2011年度の出荷量は636MW、対前年比64.8％増となり、600MWレベルに成長した。その他にはCIS型／CIGS型の太陽電池が含まれており、新規の太陽電池として市場参入を果たすとともに、GWレベルの生産能力に達し、世界的な注目を受けている。

6.2　太陽光発電産業規模の実績、見込み及び予測太陽電池のこれまでの生産額は、政府による新エネルギー

に対する各種の導入支援事業や導入環境整備の実施により、2005年度まで毎年驚異的な伸びを持続していたが、2006年度は国内市場が振るわず1.48％の減少となり、これまでの成長に大きなブレーキがかかった。しかし2007年度及び2008年度になるとヨーロッパ市場を中心に輸出が大きく伸び始めた。2009年度には住宅用太陽光発電システムへの補助金が復活するとともに、優遇価格での余剰電力購入制度がスタートしたので、太陽光発電産業規模は拡大基調を取り戻した。2009年度は6,479億円、2010年度は9,143億円へと大幅に拡大した。2011年度は海外市場が低迷したものの、余剰電力買取制度と住宅用太陽光発電システムへの補助金に加えて、太陽光発電システム価格の低下も進んだので、国内市場は活況を呈し、5.5％増の

表７　2009～2011年度における用途別太陽電池出荷量

用途2009年度 2010年度 2011年度 対前年

増加量（MW）

対前年伸び率（％）

出荷量（MW）

シェア（％）

出荷量（MW）

シェア（％）

出荷量（MW）

シェア（％）

民生用 1.0 0.1 0.8 0.0 0.3 0.0 △0.6 △68.8電力用 1,665.9 99.8 2,533.8 99.8 2,684.7 100.0 150.9 6.0

その他（含 研究用） 1.6 0.1 4.2 0.2 0.6 0.0 △3.6 △85.6計 1,668.5 100.0 2,538.8 100.0 2,685.6 100.0 146.8 5.8

表８　2009～2011年度における材料別太陽電池出荷量

材料2009年度 2010年度 2011年度 対前年

増加量（MW）

対前年伸び率（％）

出荷量（MW）

シェア（％）

出荷量（MW）

シェア（％）

出荷量（MW）

シェア（％）

単結晶Si 626.6 37.6 832.3 32.8 1,028.0 38.3 195.8 23.5多結晶Si 833.6 50.0 1,320.5 52.0 1,021.1 38.0 △299.4 △22.7

a-Si・その他 208.4 12.5 386.1 15.2 636.4 23.7 250.4 64.8計 1,668.5 100.0 2,538.8 100.0 2,685.6 100.0 146.8 5.8

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9,647億円へと上昇した。2012年度は住宅用太陽光発電システムへの補助金の継続、固定価格買取制度の開始による非住宅市場の急拡大、これによる太陽光発電システム価格の更なる低下→更なる市場拡大という展開が進展しており、45％増の13,985億円が見込まれる。

7.　レーザ加工分野7.1　全般

レーザ加工分野の動向として、2000年のIT産業の落ち込みにより大きく後退した生産額は、2003年度からは明確な回復基調になり堅調に生産額は伸びてきた。しかし2008年度後半に米国に端を発した世界同時経済不況により、2008年度は大きな減少に転じ、さらに2009年度はその影響が拡大しさらに大幅な落ち込みを示した。一方2009年度後半から半導体業界、液晶業界では景気回復の兆しが見られ、2010年度は大幅に増加した。昨年度の調査において2011年度は微増が見込まれたが、実際はわずかな減少となった。これには円高に伴う輸出環境悪化、欧州経済低迷等が影響をしていると考えられる。さらに2012年度もこの傾向は続き、さらなる減少が予想されている。

2012年度見込み値によるレーザ加工装置の分野別シェアは、2011年度と比較すると、炭酸ガスレーザが減少した分エキシマレーザのシェアが拡大している。エキシマレーザ加工分野が全体の約62％を占めているが、これはエキシマリソグラフィ装置が１台当たりの設備費が桁違いに大きいためである。次に炭酸ガスレーザが約23％、固体レーザが約13％と続いている。その他のレーザは全体に占める割合は２％と少ないが、昨年の1.3％と比べると大きく増加しており、年々確実にシェアを拡大している。この増加はファイバレーザ、半導体レーザが牽引している。

7.2　市場動向分析及び本年度の注目すべき動向炭酸ガスレーザ応用生産装置の生産額は、2012年度は前年

度比－28.2％の大幅減へ転じている。急激な円高にともなう輸出環境悪化に加え、欧州債務危機の長期化や、中国をはじめとする新興国市場の成長鈍化等による世界的な景気減速感が、そのまま生産額へ投影される結果となった。特に、これまで成長の牽引役を果たしてきた中国向け輸出が、日中問題も逆風となり大幅に減速した影響は大きい。用途別では、従来スマートフォンやタブレット端末の爆発的なヒットにより好調だった切断・穴あけ用途が2012年度に－29.1％減少の見込みであり、これが炭酸ガスレーザ応用生産装置の生産額の大幅な減少の要因となっている。2013年度は、アベノミクス奏功による為替レートの適正化、国内製造業の再生と、潜在的な経済成長力に支えられた中国市況の回復に期待したい。

固体レーザ応用生産装置は、2011年度実績は、前年比 －25％の大幅ダウンとなり2009年度のレベルを下回る結果となった。特にトリミング・リペア用途と切断・穴あけ用途の減少が大きく、2012年度になってもトリミング・リペア用途の減少は継続する見込み（－21.2％）で、切断・穴あけ用途が回復する見込み（+59.8％）をほぼ相殺した形となっている。一方、これま

で比較的安定した生産額を維持してきた溶接・接合用途とマーキング用途であるが、2009年度に落ち込んだまま2010年以降も生産額は伸びず、減少もしくは横這いを続けている。2011年度は、テレビ需要の減少やPCの生産減少により液晶関連の設備投資は大幅に抑えられ、スマートフォンやタブレットの急速な普及拡大に伴う2010年度の設備投資が過剰気味となったことも影響し、2011年度のリペア装置など液晶関連装置の国内生産額は大きく落ち込んだ。

エキシマレーザ応用生産装置は、2008年度後半からのサブプライムローン問題に始まる世界同時不況の影響で、2008年度は対前年－26.1％、2009年度は対前年－39.7％の大幅減少となった。2010年度は欧州が依然厳しいものの、アジア経済の成長や日米の景気回復に伴って52.8％の増加とV字回復を果たしたのもつかの間、2011年度（－7.3％）、2012年度（－28.2％）と再び減少に転じている。この生産額の変動はエキシマレーザ応用生産装置の生産額の大部分を占めるリソグラフィ装置の変動によるもので、エキシマレーザアニール（ELA）装置やその他の生産額変動とは異なっている。2011年度は、大震災や原発事故、タイの洪水など日本経済は大打撃を受け、欧州はギリシャの過剰債務問題が尾を引いたものの、スマートフォン市場の急拡大に伴って半導体デバイスメーカ各社や高解像度の液晶パネル、大画面有機ELパネル向けの堅調な設備投資が韓国、台湾、日本、中国などで継続した。この結果、フォトリソ市場自体は拡大したが、国内主要メーカのシェアの低下により、生産額が減少に転じたものと思われる。2012年度については、ギリシャのデフォルト懸念は残るものの欧州の金融危機の影響も薄れ、米国においても金融緩和効果で景気は回復傾向にあるが、中国、インドを中心としたアジア市場の成長期待が薄れつつある。また、スマートフォン、タブレット端末市場は拡大を続け、中・小型液晶パネル用や大画面有機ELパネル向けの投資は継続しているものの、反動でPCの需要は低下傾向を示しており、メモリメーカ、ファウンドリの投資繰り延べの影響で、生産額は大幅に減少する見込みとなっている。2013年度は世界経済の回復期待に加え、リソグラフィ装置の分野で大面積のシリコンウエハ対応投資が始まり、中・小型液晶パネル用や大画面有機ELパネル向けの投資も堅調に推移し、生産額は若干の増加を予測している。

ファイバレーザ応用生産装置は、2011年度の国内生産額は2010年度比で37.5％のプラス成長を達成した。ファイバレーザは固体レーザに比較して、①小型・堅牢、②高輝度、③低環境負荷等の三大特長があるために、金属、半導体、樹脂表面等へのスクライブ、マーキング加工装置のレーザエンジンとしてファイバレーザの採用が益々盛んに行われている事による。2012年度の見込み国内生産額は、2011年度比34.3％のプラス成長が見込まれている。

半導体レーザ直接加工装置は、2011年度対前年度比で20.8％の大幅なプラス成長になり、生産額のピークであった2007年度並までに回復した。この背景には、半導体レーザの出力及びビーム品質が向上した事により、同装置がテーラードブランク溶接用途以外に、自動車構造部品であるルーフ、ドア、トランク等のレーザブレージング加工（ロウ付け）用途として半

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光産業動向調査

導体レーザ直接加工装置が製造組立てラインに導入され始めた事がある。2012年度の予測生産額は、2011年度比で22.1％のプラス成長率となり、生産額のピークであった2007年度を超過する過去最高の生産額になると予測されている。

8.　センシング・計測分野光計測機器は、光のエネルギー、周波数、波形、伝搬特性な

ど光の基本的な性質を計測する測定機器と、測定用光源に関連する製品群である。また光センシング機器は、強度、位相、波長、周波数などの光の何らかの性質を利用したセンサやセンシング機器全般を含んでいる。調査対象に含まれる製品群は非常に多岐にわたり、技術開発などの影響などを強くうけるため、用途、動作原理、製造技術などに基づき分類され継続的調査の安定性を確保している。そのために調査票の項目ごとの定義・範囲・注意事項については、前年度の改訂と調査結果を踏まえて、より具体的に、回答する側の立場で見直しを行った。該当製品の製造の有無を委員会で議論し、統計データから除外したり、新たに調査対象に加えたりした。また、調査票の送付先についてもいくつかの見直しを行い、回収率の向上を図った。

光測定器は、可視領域から近赤外領域の波長帯を利用する光デバイス・光モジュール・光通信システムなどの研究・開発・製造及び、光ファイバの敷設・保守に使用される光学特性の測定の際、使用される基本的な機器である。そのため、光測定器の生産額は、光通信ネットワークの拡充と強い相関をもつ。調査対象は、光スペクトラムアナライザ（波長計を含む）、測定器用光源、障害位置検出装置（OTDR）、パワー測定システム、その他（色測定器、医療用を含む）の測定器である。国内総生産については、2010年度は前年度からプラス36.5％と大幅な増加であった。2011年度もプラス55.4％と大幅なプラス成長となったが、これは、その他の光測定器に分類されている前年度まで回答がなかった機器が加わったためである。これを除いた実質的な成長率はおよそプラス８％と微増であった。2012年度は、前年度からマイナス8.8％と見込まれている。世界的にはモバイルネットワークを中心としたインフラ投資が続いていて、光通信関係の測定器の需要は増してきているが、海外メーカの低価格な小型ハンディ機器のシェアが増加しているため国内生産の増加は難しいと思われる。出荷率（全出荷額／国内生産額）は139％で国内生産の高機能な製品を低価格な海外生産製品が圧迫しつつある。

光センシング機器は、光の性質を何らかの形で利用したセンサやセンシング機器全般を指す。個々のセンサの生産規模は決して大きくはないものの、多種多様な製品が存在し、研究開発部門や生産部門の広範なニーズに答えている。したがって、光電スイッチ、人体センサ、温度センサ・放射温度計、ロータリエンコーダ・リニアスケール、長さセンサ、電流・電圧・磁界・電界センサ、振動・圧力・音響センサ、赤外線カメラ、レーザ顕微鏡、表面検査装置、画像センシング機器、速度センサ、カラーセンサなどの需要は生産設備投資に大きく左右される。国内生産額は、2010年度は前年度からプラス0.8％と小幅な増加であった。2011年度もプラス5.4％の微増、2012年度はマイナス4.5％と見込まれている。出荷率は106％でほぼ国内生産であり

高機能な製品を供給しているが、今後、低価格製品は海外生産が増えていくかもしれない。2011年度の内訳をみると、人体センサが対前年度比プラス66％となり、この増加分が光センシング機器全体を牽引している。人体センサは、エコ・省エネ機器に多く使われており、今後の需要増大が見込まれる。さらに、2010年４月に施行された改正省エネ法の後押しもあり、省エネ用センサとしての人体センサへの関心が高まっている。今後もさまざまな用途に低価格人体センサの新製品が数多く市場に出ると思われる。センサ分野でも安価で性能を限ったセンサは海外生産や国外メーカのシェアが増加していくと思われる。セキュリティ機器、環境計測、成分分析機器など、安全、安心にかかわる機器の伸びに期待したい。

計測・センシング機器は国内光産業の中で約２％程度を占めていて、その規模は国内生産額189,001百万円となっている。また、全出荷額は218,543百万円で、出荷率は116％となっていて、比較的国内生産の比率が高く維持されている。比較的単純な物が海外で生産されているようであるが、計測・センシング機器は、あらゆる産業機械の基盤であり、新しい生産設備の投資、産業機器の開発や光通信網などのインフラの整備のために必要不可欠のものである。また、いったん設備投資を行うと、不況の場合しばらく更新することなく使用する傾向があり、立ち上がりが遅れる傾向となっている。光計測器はこれまで情報インフラ分野を中心に調査を行ってきたが、今後、健康・医療関連、社会インフラ分野にも注目していきたい。今後の注目される動向としては「赤外線アレイセンサ」をとりあげた。環境セキュリティ機器などへの応用が広がっている。

9.　光産業リソース9.1　はじめに

光関連の企業に対し、常時雇用従業員数、研究開発者数、研究開発投資額についての調査を行った。

調査内容は昨年度と同様であり、2012年度見込みについての数字を求める定量的アンケート調査と、前年度より「増加」したのか、「減少」したのか、あるいは「同等」なのかという定性的アンケート調査を2012年度見込み、2013年度予測について実施した。尚、参考のために光産業国内生産額の総額も調査項目に加えている。今年度も前年度と同様に55社から回答頂き、そのまとめた結果を報告する。

9.2　2012年度の光産業リソース（見込み）⑴　常時雇用従業員数及び研究開発者数

人的リソースとして、55社の中央値は、常時雇用従業員数は100人～149人になっている。また、研究開発者数の中央値は、研究開発者数20人～39人になっている。同じ累積社数同士で比較すると常時雇用従業員のうち約1/5～1/3が研究開発者であると考えられる。

⑵　研究開発投資額及び国内生産額（参考）資金のリソースとして、55社の中央値は、研究開発投資額

は２億円以上５億円未満になっている。また、国内生産額は20億円以上50億円未満になっている。同じ累積社数同士で比較すると国内生産額に対して約1/25～1/10が研究開発投

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資額であると考えられる。

9.3　前年度からの増減 （2012年度見込み、2013年度予測）⑴　常時雇用従業員数

2012年度は、前（2011）年度より増加したという企業が７社、同等が31社、減少が17社であった。2013年度は、本（2012）年度より増加させるという企業が５社、同等が40社、減少が10社であった。

回答社数の多い上位３つの増減の傾向（2012年度→2013年度）は、⑴同等→同等（26社）、⑵同等→減少（10社）、⑶減少→減少（７社）であった。

⑵　研究開発者数2012年度は、前（2011）年度より増加したという企業が７

社、同等が36社、減少が12社であった。2013年度は、本（2012）年度より増加させるという企業が４社、同等が44社、減少が７社であった。

回答社数の多い上位３つの増減の傾向（2012年度→2013年度）は、⑴同等→同等（32社）、⑵同等→減少（７社）、⑶同等→増加及び減少→減少（各５社）であった。

⑶　研究開発投資額2012年度は、前（2011）年度より増加したという企業が12

社、同等が27社、減少が16社であった。2013年度は、本（2012）年度より増加させるという企業が６社、同等が39社、減少が10社であった。

回答社数の多い上位３つの増減の傾向（2012年度→2013年度）は、⑴同等→同等（24社）、⑵同等→減少（８社）、⑶同等→増加及び減少→減少（各７社）であった。

⑷　国内生産額（参考）2012年度は、前（2011）年度より増加したという企業が18

社、同等が12社、減少が25社であった。2013年度は、本（2012）年度より増加するとした企業が12社、同等が33社、減少が10社であった。

回答社数の多い上位３つの増減の傾向（2012年度→2013年度）は、⑴同等→減少（12社）、⑵同等→同等（11社）、⑶同等→増加（10社）であった。

10.　IOA会議に見る国際動向10.1　はじめに

光産業の動向について情報交換する場として、世界９団体からなる光関連団体国際会議（IOA：International Optoelectronics Association）が1996年に設立され、2012年度第17回会議が、光協会がホストとなり、９月にパシフィコ横浜で開催された（オブザーバとして欧州のPhotonics 21も参加）。ここでは、この会議での発表資料をベースに各国の光産業の動向について報告する。ただし、光産業のカテゴリの定義は各団体ともOITDAの分類を一応ベースにしているが、団体による独自性もあるため、我が国との厳密な意味での相互比較はできない。

10.2　世界の光産業の動向10.2.1　世界全体の光産業の動向

毎年定期的に世界及び台湾の光産業の動向をレポートしているPIDA（台湾）は、今回の報告では世界市場規模の1996～2011年までの実績と2012年の見込みを図７のように示した。また、世界の光産業市場の分野別割合の2010～2011年実績、2012年見込み、2013年～2014年予想も示した。2008年に４％減少、2009年に16％減少と２年連続で縮小した世界市場は2010年に一気に33％増加と回復し、2011年はその反動からか５％減少となり、2012年も１％減少と停滞気味の見込みになっている。構成比率が大きい産業分野は、太陽電池とFPD（フラットパネルディスプレイ）である。すなわち2011年度の生産額比率は、太陽電池34％、FPD36％、2012年度は、それぞれ30％と38％の見込み、2013年度は、31％と37％になると予測している。どちらの分野もほぼ、高止まりの状態であることが分かる。

10.2.2　各国の光産業の動向アジア地域において、毎年自国の光産業の動向を報告してい

るのは、OITDAの他ではPIDA（台湾）のみである。PIDAの報告によると、2012年の台湾の光産業の成長率は、ニュー台湾ドルベースでは６％減少と見込んでいるが、米ドルベースでも5.6％の減少となる。分野別ではLED固体照明分野の伸びが目覚ましく、2014年には依然としてFPD分野がトップの61％であるものの、LED固体照明分野は10％（2010年は６％）と予想している。

EPIC（欧州共同体の代表）及びOpTech-Net（ドイツ）からは、全体としての欧州の光産業動向データの発表はなかった。代わってSLN（スイス）から、2007～2011年のスイス国内の光産業生産額推移が報告された。スイスは伝統的にレーザ加工分野が強いと言われていたが、近年は太陽電池分野にトップの座をあけ渡している。すなわち、スイスのレーザ加工分野は、2007年に1,450CHF（分野別シェア46％、太陽電池は25％）あったが、2009年に440CHF（14％）まで落ち込んで（この時点で太陽電池は1200CHF、38％）、以降は生産規模、分野別シェアともに2007年規模に戻っていない。2011年現在で、レーザ加工分野のシェアは、21％であった（太陽電池は、33％）。為替変動によるスイスフラン高の影響が大きいとのことで、レーザ加工分野は利益率の低下に苦しみ、生産拠点の海外移転（米国へ）などの動きが出ている。

一方OIDA（米国）からは、米国における光産業の分野別市場シェア及び最近の市場動向のデータが発表され、産業応用分野の産業（Industrial）の市場規模が大きいことが示された。また近年、全体の市場規模としては大きな伸びはないものの、徐々に改善されて来ていることが明らかになった。

10.3　製品分野別の動向10.3.1　世界のディスプレイ産業の動向

PIDAは、FPDの世界市場の2009～2013年の推移を製品分野別に示したが、それによると、2009年にマイナス成長を経験したFPDは、2011年にも若干のマイナス成長になった。しか

技術情報レポート2012年度OITDA

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光産業動向調査

し、2012年には2010年と同等のレベルまで回復を見込み、その後は順調に成長すると予測している。

またPIDAは、OLED（有機発光ダイオード）及びタッチパネルの市場動向についても紹介した。OLEDについては、スマートフォンの大幅な増加に支えられ、かつタブレットや大型テレビへの適用拡大も進み、市場規模が急激に立ち上がると予想している。タッチパネルについては、抵抗式から静電容量式へと急激な変更を予想し、それとともに市場規模の急拡大が起きると予想している。PIDAによる台湾のFPDの生産額の2009～2013年の推移を見ると、前年比39％の増加と大きく回復した2010年の後、2011年は実績値として前年比５％の減少となり、2012年も９％減少と更に減少幅を拡大させると見込んでいる。しかし、それ以降はほぼ横ばいの予想となっている。

Optech-Netからは、ドイツにおけるFPDの生産動向が発表されたが、ここ数年は、台数ベースでは大きな変動がないことが明らかになった。

10.3.2　世界の高輝度LED産業の動向LED市場は2010年に62％増加と大きく回復を見せた後、

2011年も前年比２％増加と落ち着いた伸びを示した。2012年は前年比７％増加、2013年は前年比16％増加と、再び力強さを取り戻すと予想している。またLED照明市場は2010～2012年は毎年２倍近い伸びを見せ、2013年も前年比75％増加と著しく成長すると予想している。

EPICは、高輝度LED及びパッケージLEDの世界シェア（2011年）を示した。日亜やシャープも健闘しているが、サムスンやLGも肉薄していることが明らかになった。用途別に見ると、2018年までは、LEDの用途拡大・浸透により順調な成長が見込まれるものの、2018年以降は、長寿命なLEDの特性がデメリットとなり、置き換え用途のような需要が主体となるため、市場規模の縮小が予想されるとしている。また、LED製品の価格下落も市場規模拡大の足を引っ張る要因の一つと指摘した。

PIDAがまとめた台湾のLED関連分野の生産額動向によると、LED関連分野にはエピ基盤および素子、LEDパッケージング、LED照明を含み、各分野とも2010年に一気に回復を見せ、それ以降、大幅な伸びが継続すると予想している。

10.3.3　世界の太陽光発電産業の動向EPICは、2011年の太陽電池の世界市場を国別で示した。欧

州勢が60％を占め、圧倒的な強さを示していた。世界市場規模は、930億USDであった。2009年の導入電力量を金額でみると370億USDであったので、大幅に増加していることが分かる。また、2000年～2011年の太陽光発電の累積市場規模を見ると、各国とも急激に成長していることが分かる。特に、2008年以降の伸びが急峻である。

EPICによると、欧州における発電能力シェアをタイプ別に見ると、2010年の導入量の全体での首位はガスであったが、2011年には太陽電池が首位となった（41％）。これは、Feed-in tariffの政策が欧州では市場を牽引しているためであろうと推察した。

太陽電池の製造に関しては、EPICより各社の2011年のシェアが発表された。太陽電池の価格下落の影響を各社とも受け、利益確保に四苦八苦の状態であった。このような経済環境の下、Suntech社（中国）が最大のシェアを獲得した。中国と台湾を合わせると、世界市場の75％を製造していることが明らかになった。

PIDAからは、太陽光発電産業の2010～2014年の世界市場の推移が示された。PIDAの太陽電池産業統計はSiウエハ材料を含んでおり、また、太陽光発電システムの統計を取っていることが特徴である。全てのカテゴリでマイナス成長となった2009年に対し、2010年は大幅に伸長したが、2011年は前年比10％の減少となった。2012年も前年比13％の減少と更に市場が縮小すると見込んでいる。しかし、2013年には底を打って、その後徐々に改善していくと予想している。

図７　世界の光産業市場規模の推移（1996～2012年）（PIDA資料）

1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012E

WW Market 107 104 122 142 160 145 160 176 202 273 331 402 384 321 427 404 401Growth Rate 11% -3% 18% 16% 13% -9% 10% 10% 15% 35% 21% 22% -4% -16% 33% -5% -1%

-30%

-20%

-10%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

0

50

100

150

200

250

300

350

400

45010億米ドル

成長率

技術情報レポート2012年度OITDA

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1.　はじめに当協会では、光技術動向調査事業として、毎年、光技術動向

調査委員会を設置し、国内外の光関連技術について最新動向を調査・分析している。本年度は、下記の８つの調査項目に対応した分科会を構成し、調査を行った。調査結果は、2013年10月16日～18日に開催されるインターオプト2013の光技術動向セミナーで紹介される予定である。また、最新の技術動向として、Web機関紙オプトニュースのテクノロジートレンドでそれぞれの分野のトピックスを23件の記事として掲載した。

2.　光無機材料・デバイス（第１分科会）光無機材料・デバイスの分科会では波長域が100µm付近の

テラヘルツ域から200nm付近の紫外域における、デバイス、材料、アプリケーションを調査した。

2.1　テラヘルツ・中赤外域現在、テラヘルツ域の検査装置としては、非線形光学効果を

用いた波長変換技術により可搬型の装置が数社から製品化されている。今後のさらなる小型化に向けては半導体レーザや電子デバイスによる発生器が望まれており、単体の量子カスケードレーザでは室温での動作に向け活性層の構造を工夫することで、動作温度199.5K、発振波長3.22THzが報告された。また別の方法として室温での高出力化が可能な中赤外の量子カスケードレーザを２つ用い、差周波発生させることで1.0～4.6THzの発振が報告されている。一方、テラヘルツ波の適用拡大に向けては、光源の広帯域化や高出力化が望まれており、非線形光学効果を用いた波長変換技術ではサブTHzから数十THzまでをカバーする波長可変THz光源や、パルスでのピーク出力１kW以上の高出力化が実現されている。

中赤外域は防犯・セキュリテイの人体検出、非接触温度計、環境ガスセンシングなどが用途としてあり、センサーとしては熱型センサーと量子型センサーがある。量子型センサーは高速応答や静態検知に優れるが、冷却が必要であったため適用範囲が限られていた。しかしながら今年度はInSb系の量子型中赤外センサーにおいて、InSbのpin構造にAlInSbの電子障壁層を設けることで、２～７µmにおいて室温動作可能なセンサーが製品化された。

2.2　近赤外域（光通信用の波長域）光通信用の波長域では通信容量の増大に伴い、バックボー

ンからインターコネクションまで光素子及び光トランシーバの高速化、小型化、省電力化が進んでいる。バックボーンでは将来的なデジタルコヒーレント伝送に向け小型のIQ変調器と小型光受信器の開発が進んでおり、変調器材料としてはLNだけで無く、InP系、ポリマー系、Si系などが検討されている。光受信器としては偏波分離、分岐及び光ハイブリットからなるパッシブ部、光電変換部、TIA部などがあり、材料系の違いによりハイブリット集積、モノリシック集積が比較検討されている。一方、インターコネクションでは将来的な装置内での光通信に向け、活性層の体積を波長と同程度の大きさになるようにInPで埋め込み、高いQ値を実現するためフォトニック結晶構造で共振器

を作製したLEAP laserが報告されており、室温におけるしきい電流値は14µA、高温では95℃までの連続発振が確認され、４Gb/sの直接変調において１ビット当たりの消費エネルギーは28.5fJと既存の直接変調レーザに比べ約100分の１の低消費電力化が実現された。Siフォトニクスでは、Geの発光素子を採り上げた。GeはSiと同様に間接遷移であるが光通信用の波長域での発光・受光が可能であり、n型不純物ドープと伸張歪の導入によりΓ点とL点のエネルギー差を小さくすることができ、2010年に光励起での発振、2012年に電流注入での室温パルス発振が報告された。また実用的な観点から低コストで大規模、高密度の光集積回路を実現できる技術としてSiフォトニクスの微細加工技術とファウンドリに関する報告があった。トピックスとしては、表面プラズモンと導波路型アイソレータを採り上げており、表面プラズモンは光導波路、ビームスプリッター、集光レンズ、フォトダイオード、光スイッチ・変調器、センサなどへの応用が検討されており、光損失に課題はあるものの、今後のナノフォトニクスへの展開が期待される。光アイソレータでは従来のファラデー回転を用いたバルク型に加え、今後の光集積回路に適用できる導波路型が検討されており、伝搬方向によって異なる位相変化を利用した素子が化合物半導体及びシリコン系で作製されており、1,550nm帯において28dBのアイソレーションが得られている。

2.3　可視・紫外域可視・紫外域では光源の波長域拡大に加え、高出力化と高

効率化が進んでいる。特に半導体レーザにおいては光の３原色である赤・緑・青色において、緑色の光出力や効率が著しく低かったが、今年度は｛2021｝面上のGaN系半導体レーザにおいて、波長530nm以上で100mW以上の高出力化、525nmで8.9%の光電変換効率、5,000時間以上の長期信頼性などが報告された。一方、さらなる長波長化では、Ⅱ-Ⅵ族であるがBeを加えることにより共有結合性を高めたBeZnCdSe量子井戸型レーザが報告されており、波長536nmにおいて、しきい電流値60mA、光出力50mW、さらに最長発振波長570nm（黄色）が報告された。発光ダイオードでは、自立GaN基板の有効性が明らかになって来ており、転位密度が少ないことから信頼性に有利であるだけで無く、横方向に大電流を流してもn型GaN層の膜厚が厚いことから光出力の飽和や効率の低下が少ない。また通常のC面に比べ、m面GaN基板上の発光ダイオードではピエゾ分極が無いことから井戸層膜厚を厚くすることが可能であり、高電流注入時においてもキャリアのオーバーフローを抑制でき、ドループの改善や１Aで1.23Wの高出力化が報告されている。一方、半導体レーザ以外の光源としては、非線形光学結晶を用いた擬似位相整合による短波長光源が進展しており、連続光では第２高調波による緑色光源で20W以上が実現され、パルス光では第４高調波による266nmで23Wや第８高調波による193nmでの紫外レーザが報告されている。

3.　光通信ネットワーク（第２分科会）我が国の高度に発達した情報化社会は、光通信ネットワーク

の技術革新によって支えられてきた。今日での光通信ネット

技術情報レポート2012年度OITDA

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光技術動向調査

ワークでは、コア網には光増幅中継を繰り返して超長距離２点間を結ぶ高密度波長多重（DWDM）システム、メトロ網には光分 岐 挿入と増幅を行うOA DM（O pt i c a l Add / D rop Multiplexer）ノードで構成されるDWDMリング網システム、アクセス網には光分岐（下り）と光時分割多重（上り）を行うPON（Passive Optical Network）システムがそれぞれ導入されている。

昨年度（2011年度）を振り返ってみると、100Gb/s/ch伝送システムに向けたDSP-LSIが開発され、100Gb/s/chシステムの商用化が進展した一方で、極めて高い周波数利用効率による世界初の100Tb/s伝送実験が報告された。さらに、光ファイバの伝送容量の物理限界が見え始める中、その限界を打破する可能性を秘めたマルチコアファイバ（MCF: Mult i-Core Fiber）やフューモードファイバ（FMF: Few-Mode Fiber）を用いた空間多重伝送実験が爆発的に増加して新たなトレンドを作った。また、多種多様なサービスを大容量かつ高品質で高効率に収容可能な次世代パケット光トランスポートシステムの装置化が進展するとともに、WDM信号の柔軟な経路切り替えが可能なCDC-less（Colorless, Directionless, Contentionless）機能をもった光クロスコネクト装置が発表されるなど、フォトニックノード及び光ネットワーキング分野ではフレキシブル化の方向で着実な進展が見られた。以上のような背景の下、第２分科会（光通信ネットワーク）では、今年度（2012年度）の技術動向を以下ように６つの分野ごとにまとめた。

3.1　基幹光伝送システム空間多重伝送技術の進展により伝送容量のトップデータが

更新され、遂に１Pb/sの大台に乗った。各コアにおけるトップクラスの周波数利用効率に加え、マルチコア光ファイバのコア数増大も合わせて実現した。また、マルチモード光ファイバにおけるモード多重伝送でも、複数モードの一括増幅を可能とするマルチモード光増幅器を用いた73.7Tb/s伝送実験や12×12のMIMOの検討など精力的な研究開発が進められた。

3.2　フォトニックノードエラスティック光ネットワークの進展に関して、“Performance”、

“Cost”、“Efficiency“、そして“Control Plane Requirements”などの各分類において精力的な研究成果が数多く報告された。また、波長選択スイッチ（WSS: Wavelength Selective Switch）に代表される光スイッチの大規模化・小型化が進展しており、より高機能な光ノードをコンパクトに構成できることが期待される。

3.3　光ネットワーキングOpenFlow等を用いたエラスティック光ネットワーク制御技術

に関する実証実験、エラスティック化に伴うメリットやユースケース（光デフラグメンテーション技術など）の検討が着実に進展するとともに、Software Defined Networking（SDN）技術を光ネットワークに適用検討する研究開発が大きく発展した。

3.4　アクセスネットワーク40～100Gb/sの大容量化を目指した光アクセスシステムであ

るNG-PON２（Next Generation PON phase２）の標準化が開始された。モバイルトラフィックの急増を背景に、携帯電話基地局の収容回線として適用できる光ファイバ無線（RoF: Radio over Fiber）技術も議論の対象となっている。技術としては、基幹伝送系で開発が進んでいるデジタル信号処理を適用したシステムの検討が精力的に進められている。

3.5　光LAN／インターコネクトストレージ向け規格では引き続き大容量化が進む一方、サー

バ向けのインタフェース規格であるPCI-Expressで光インタフェースをもつ規格（PCIe OCuLink）の策定が発表された。また、データコム分野では、400Gb/s規格への技術流用を意識して光多値変調伝送方式や10 0Gb/sシリアル伝送、DMT（Discrete Multi-Tone）方式といった最新技術の利用も議論され始めた。

3.6　光ファイバ空間多重光伝送の急激な増加に呼応してMCFやFMFに関

する数多くの報告がなされた。さらにMCFやFMFによるファイバ増幅器を用いた長距離伝送実験も報告され、伝送容量、伝送距離ともに記録が更新された。また、MCFやFMFと通常のシングルモードファイバを接続するための光入出力技術に関しての報告もあり、伝送媒体だけでなく周辺の技術もマルチコア化／マルチモード化が進展した。

4.　情報処理フォトニクス（第３分科会）昨年までは「光メモリ・情報処理」として技術動向調査を

行ってきたが、2012年度からは最近活発に研究開発されている、LSI近傍やボード間における光インターコネクション技術を新しく調査対象に加え、「情報処理フォトニクス」と改名して技術動向調査を行うこととした。光インターコネクションに関しては、近年スーパーコンピュータやデータサーバー等におけるラック間やボード間の高速データ転送技術として実用化されている。これは、CPUにおいて消費電力を抑えつつ性能を向上させるために、マルチコア、メニーコアと呼ばれるように処理の並列化が進められており、LSIチップ内やチップ間、ボード間、筐体間の信号転送を高速に行う上で光インターコネクションの活用が積極的に進められている。また2012年３月に光協会でまとめられたテクノロジーロードマップでは、2030年の情報量は現在の情報量の1,000倍の２YB（ヨタバイト）に達すると予想されている。今後も爆発的に増加すると予想される情報を高速に処理し、有効活用するためには情報処理システムに求められる性能向上は必須である。光インターコネクション技術は、これらの技術ロードマップに対応するため、LSIチップ内、チップ間、ボード間、筐体間の各層において並列化が進む上で利用されることが期待される。その意味で、2012年度からLSI近傍から筐体間までを高速に接続する光インターコネクション技術の動向調査を扱うことにした。

一方、現行の光ディスクメモリに代表される光メモリでは、

技術情報レポート2012年度OITDA

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Blu-Rayディスク（BD）によって研究開発の進展や応用展開が一段落し、磁気ハードディスクや半導体メモリに対する差別化という点でブレークスルーが求められる状況にある。もちろん、BDにおいても多層化技術は進展しており、５インチディスクに１TBの記憶容量を目指した実用化技術・基礎技術は着実に進んでいる。現状光ディスクの方向性として長期データ保存用アーカイブメモリにフォーカスされている。これについては、DDS（デジタルデータストレージ）との競合技術としての進展が期待されている。この従来からの光ディスクメモリの技術動向調査も行いつつ、今後は光を情報媒体とした光インターコネクションがLSIチップ内やチップ間の超高速信号処理部分に入ってくるとこれらをサポートする高速光レジスタや光メモリ、光演算技術も必要な技術となることが予想される。また、システム指向である光情報処理の研究動向調査においても従来のマクロな光学素子や液晶空間光変調素子による情報センシングやデジタル機器と光学技術の融合した情報処理システム、計算機イメージングなどの実用化を目指した研究開発を中心として技術動向を調査しつつ、ナノ領域で発現する特異な光の性質（ナノフォトニクス）を用いた新規な光演算素子モジュールの研究や開発を調査して行くことが重要となってくる。

これらの状況をふまえ、2012年度は光メモリ、光インターコネクション、光演算（光情報処理）の３つを柱として技術動向調査を行った。将来的には３つの技術の融合による、光を情報媒体としたシームレスな革新的な情報処理技術、システムへの展開を期待したい。

5.　ディスプレイ（第４分科会）2012年のディスプレイ業界は、混沌とした年であった。再編

成されたディスプレイ業界が、赤字からの脱却を狙って様々な施策を取ったものの、まだ成果が見いだせない状況である。デバイスとしては、大型TVからモバイルへ完全に移行している。スマートフォンとタブレットがディスプレイの唯一の牽引力となっており、どのメーカも中小パネルに注力している。またe-ink方式の電子ペーパデバイスが各社から市場に投入され、本格的な電子書籍の時代に突入した。ディスプレイ開発の歴史を振り返ると、1990年代のフラットディスプレイの実用化から始まり、大型化、サイズ及び表示方式の多様化と進み、今後はフレキシブル化、タッチパネルやカメラなどのセンサ技術と合わせて、存在を意識せずに情報を入出力するデバイスへと進歩していくと思われる。

このような状況の中、技術開発はタッチパネル、４K２K、８K４Kなどの高精細化、酸化物半導体の特性改善、大型及び中小型高精細有機LEDパネルの実用化などに向けられた。今年の調査報告書では、従来のディスプレイデバイスに加えて、ディスプレイを駆動するバックプレーン、ディスプレイパネルに組み込まれたインセルタイプのタッチパネルの技術動向も調査した。

5.1　電子ディスプレイデバイス⑴　LCD

2012年の主な技術は、タッチパネルのLCDパネルへの組み込み、４K２K、８K４Kの高精細化、酸化物半導体IGZO

［In・Ga・Zn oxide］の製品化の三点であった。TV用大型パネルの価格下落は続いており、どの企業も利益を出していないため、各社ともタブレットPCやスマートフォン用の中小型パネルに注力している。しかし、この分野の製品サイクルは極めて短く、安定した売り上げを上げることはどの会社でも困難な状況である。このため大きな差別化を図ろうと、いくつかの会社は大型有機LEDの開発、販売を発表した。

⑵　PDP2011年の欧州通貨危機や、各国政府が行ってきた補助金

政策の終了が影響し、PDP市況も厳しい結果となった。競合のLCDに対するコスト面での優位性が殆どなくなり、それとの差別化が難しくなってきたことが影響し、販売シェアの高かったパナソニックとサムソンの２社が大幅な減産を進めた。中国など新たな生産拠点も現れ、コスト面での優位性が再び見直される動きもあるため、今後の新興国市場での巻き返しが期待される。そのような状況下で、技術開発の動向としては、エナジースタープログラムに代表されるような消費電力削減要求へ対応する、低消費電力化と高画質化に関するものが中心であった。また、新たな技術応用分野の探索も進められた。

⑶　OLED（有機EL）現在、普及が著しいSamsung電子のモバイル機器に搭載

されているパネルサイズは最大のもので７.７型に達し、パネルの画素数もWQVGA（Wide Quarter Video Graphics Array）までを包含するに至った。中小型分野では高精細化が求められる市場の要求にも対応する解像度も飛躍的に高まっている。長期にわたって培った中小型での製造技術は、いよいよ大型化へ向けて本格的な取り組みが加速している。

⑷　バックプレーン（BP）BPは低コストのa-Si（アモルファスシリコン）が主役で、

a-Siで作れない高精細は低温ポリシリコンが市民権を得た。今後はa-Siがどれだけ高精細領域に迫るか、酸化物半導体が両領域にどれだけ食い込めるかが注目である。フレキシブルは現在の延長線では市場拡大は厳しく、急速な市場立ち上がりを促すアプリ・材料、プロセス革新に期待したい。

⑸　立体ディスプレイ立体ディスプレイにおいても、ディスプレイ業界全般におけ

る高解像度化の流れが波及しており、４K２K解像度の裸眼式の大型テレビや、パッシブメガネ方式の３Dテレビ、複数の３Dパネルを用いた３D大画面ディスプレイなどが発表されている。

⑹　タッチパネル本年度に華 し々く登場したインセルタッチパネルであるが、

将来、この技術が100％の市場を得るとはまだ言えない。来年度、カバーガラス一体化技術を用いた製品が出始め、それとの性能／コストの比較が行われ、優劣がつくことになる。

5.2　トピックス今年度は、放送局用マスタモニタ、４K２Kディスプレイ、フレ

キシブルディスプレイ及び８K高精細スーパーハイビジョンの３項目を取り上げた。 （石森義雄）

技術情報レポート2012年度OITDA

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光技術動向調査

6.　ヒューマンインタフェース（第５分科会）本分科会では入力デバイスから応用技術まで、幅広くヒュー

マンインタフェースの最新技術動向を調査している。３年間調査を続けた「ブレインマシンインタフェース（Brain Machine Interface; BMI）」については、脳機能計測技術の進歩に伴って進む脳機能の解明による研究開発の進展について報告し、一定の成果が見られたため今年度は調査対象から外した。今年度は新たなテーマとして「拡張現実感を実現するトラッキング技術」について調査した。防災と光・情報技術分野では、前年度は2011年３月11日に発生した東日本大震災による情報通信システムへの影響をテーマとして「震災と情報通信システム」として調査をおこなったが、今年度は防災の視点をさらに進め、ヒューマンエラーに着目した「エラーとヒューマンインタフェース設計」について調査した。

6.1　イメージセンサデバイスCMOSイメージセンサの画素微細化は微細化競争は0.9µm

程度でほぼ終わりを告げ、高性能化のトレンドは、グローバルシャッタ搭載や科学技術用途の超高速撮像などの高速化、３次元距離計測用センサの開発等に移ってきた。

今後は微細化を活かし、バイオ医療をはじめとする様 な々分野への応用展開と共に、Light Field Cameraのような超多画素を活かしたソフトウェアとの協調アプリケーションが重要になってくると予想される。

6.2　エラーとヒューマンインタフェース設計東日本大震災による東京電力福島第一原子力発電所の被災

時対応においてヒューマンエラーの可能性が指摘されている。これまでヒューマンエラーに対しては、極力その発生を抑え込む方向で対策が講じられてきたが、実際にはヒューマンエラーが原因とされる事故は後を絶たないのが現実である。

ヒューマンエラー対策における新たなアプローチとして、レジリエンス・エンジニアリングという新たなシステム設計の考え方が提唱され、注目を集めている。これは従来のアプローチと比べて建設的かつ生産的であるとされ、今後ますますリスクが増大するであろう世界において、重要性が高まっていくと思われる。

6.3　ヘルスケアと光技術人口減少と高齢化が進行する日本では、健康で安全なライ

フスタイルへの志向が高まっており、ヘルスケアへの関心が高まってきている。

一方で日本では世界に先駆けて、ブロードバンドインターネット接続や、公衆無線LANやLTE等のモバイル利用環境が整備されており、スマートフォンやタブレット端末を利用したモバイル・ヘルスケアや生活情報サービスが広がる兆しをみせている。

今後さらに、人間の行動や生活環境の各種デジタル情報がリアルタイムで、安価で容易に共有できるようになることで、ヘルスケアサービスのネットワーク化が進展するとみられる。

6.4　画像入力デバイスと機器ここ数年来の画像入力技術の進化は、デジタルカメラの高画

素化に対応した高密度センサの開発に依存してきた面もあるが、デジタルカメラは画素サイズ向上の取り組みがほぼ飽和に近づき、何らかの新しい機能の追加が課題になってきている。

デジタルカメラ関連では、手振れ補正技術、超解像技術、データ転送技術、さらに最近の新しい入力デバイスであるペン型入力デバイスを用いた超音波+赤外線を用いた手書き文字認識、CMOSカメラ+印刷パターン認識によるアドレス検出技術、さらにそれをプレゼンテーションなどに応用したインタラクティブシステムといった周辺技術の開発が進展している。

6.5　カラーユニバーサルデザイン電子情報機器やインターネットの普及、カラー印刷技術の発

達により、電子ドキュメントやウェブサイト、印刷物など様々な媒体によって、色を用いた情報発信が誰でも容易にできるようになった。一方で、色の見え方が人によって異なる色覚特性や閲覧環境により変化することを考慮した上で情報を正しく伝える「カラーユニバーサルデザイン」という考え方が2000年ごろにNPO法人カラーユニバーサルデザイン機構によって提唱され、近年、様 な々分野で取り入れられてきている。

今後さらにユニバーサルデザインの普及を進めていくためには、コンテンツ制作者・利用者双方の支援ツールの研究開発に加えて、色彩心理やカラーコーディネートなどの感性面での研究や支援も必要となる。

6.6　拡張現実感を実現するトラッキング技術拡張現実感（Augmented Reality: AR）は、ユーザの現在

の位置や向いている方向に応じて刺激を生成し、現実世界からの刺激と同時に知覚させることにより、現実世界には存在しないものが、あたかも目の前に存在するかのように感じさせる技術である。この特徴を利用して、医療、観光、教育、保守、建築、芸術、エンターテインメント、軍事など、様々な分野への応用が試みられている

ARの実現には、⑴情報を提示するディスプレイ技術、⑵ユーザの位置と方向を計測するトラッキング技術、⑶仮想情報の位置合わせするレジストレーション技術、⑷レンズ歪等の調整するキャリブレーション技術で構成される。

7.　加工・計測（第６分科会）今年度の加工・計測分科の調査では、光源技術として「国内

のファイバレーザ動向」、「垂直共振器面発光半導体レーザ（VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser）」、「直接加工用半導体レーザ（DLD）」に加えて「インドの光技術動向」を、加工技術として「超高速ビームスキャン」、「レーザ加工プロセスの高時間分解能観察」、「CFRPのレーザ加工」を、計測技術としては「プラズモンセンサ」、「脳機能計測」を取り上げた。

7.1　加工用光源ここ数年、加工用光源として「ファイバレーザ」に注目してき

た。隔年で国内と海外の開発動向を調査している。最近の動向として、国内メーカからkWクラスのファイバレーザがリリース

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され加工機への搭載が進んでいるという調査結果が報告されている。また、日本独自の技術として、Pr（プラセオジウム）を添加したファイバで可視域のレーザ発振が実現し、昨年調査したパルス幅のバリエーションと共に波長域でもファイバレーザのバリエーションが広がってきている。

ファイバレーザ以上に電気－光変換効率が高い半導体レーザの最新技術を調査した。これまでの半導体レーザ（LD）はウェハ面に平行に共振器が形成され、劈開面から光を取りだしていた。縦方向と横方向の光の発散角が異なるため複数のレンズで平行光にコリメートし、高出力化のためには切り出されたエミッタやバーを二次元に並べる必要があり、歩留まりの低下や高コスト化といった課題を克服しなければならなかった。一方、垂直共振器面発光半導体レーザ（VCSEL）はウェハ面に垂直に共振器が形成され、ウェハ上で素子を二次元的に集積することにより高出力化が可能となり、取りだした光を単レンズアレイでコリメートできるというメリットがある。これまでは通信用に開発が行われてきたが、最近になって高出力化の開発が進んでいる。

一方、端面発光型半導体レーザにおいても技術開発が進んでいる。エミッタの高輝度化と共に集積化技術、ファイバ結合技術が発展し、金属の溶接・切断に直接利用できるレベルまで高出力化が実現している。異なる波長のLD光を１本のファイバに結合し、コア径50µm～２kWの光出力が得られるようになってきた。波長多重以外にも偏光合成や光学配置の工夫により１kW～10kWのファイバ出力が利用可能となってきている。

加工用光源開発といえば、これまで国内や欧米の動向に注目しがちであったが、インドにおける技術動向を調査する機会を得た。日本から数社が参加したLASER World of PHOTONICS INDIA 2012の様子を紹介した貴重なレポートを掲載する。

7.2　加工技術　最近は超短パルスレーザの高平均出力化のために、パルスの

繰り返し周波数が数100kHz～MHzといった高繰り返し化が顕著になってきている。高繰り返しで材料をパルス照射した際に熱的影響を最小限に抑制するためには、高速でレーザ光を掃引することが重要となる。欧米では掃引速度100m/sを目指した超高速スキャナの開発が盛んになってきている。

フェムト秒レーザを用いた加工技術として長岡技術科学大学では、パルスレーザをストロボとして使う加工現象の時間分解計測手法やフェムト秒レーザで開けられた穴の壁面に形成される微細周期構造形成の研究が行われている。また、CFRPのレーザ加工に関して、シングルモードCWファイバレーザとナノ秒グリーンレーザを用いた加工結果を紹介する。CWレーザでも高速ビームスキャナを利用することで熱影響が少ない加工が可能となり、短パルスレーザを用いることでさらに良好な切断面が得られることが報告されている。

7.3　計測技術プラズモンセンサの調査を行った。プラズモンセンサは伝搬

型と局在型に大別されるが、それぞれの方式での産業界の取り組みを紹介する。主に生化学・医学の分野で実用化へ向け

た研究が進められている。

7.4　メディカル応用メディカル分野での計測技術として脳機能計測に関する調

査を行った。近赤外光を頭皮に照射して生体内を伝搬して戻ってくる光強度の変化から脳機能を計測できる。新しい脳科学の研究ツールとして期待されている。

8.　光エネルギー（第７分科会）2012年度は、太陽電池の年間導入量が飽和傾向を示したこ

と、日本でもFIT（固定価格買取制度）が導入されたことの２つのトピックスがあった。世界の太陽光発電システムの累積導入量は2012年度に初めて100GWを超えた。しかしながら、年度導入量は30GWと予測され2011年度の31GWに対しては低下が見込まれている。一方、日本では2012年度10月時点で累積5.9GW（2011年度累積4.7GW）であった。７月に導入されたFITの影響は小さいと伺え今後に期待がされる。

8.1　結晶系シリコン太陽電池低コスト化へ向けて、原料ポリシリコンでは製造方法として

VLD（Vaporto Liquid Deposition）法や亜鉛還元法の開発が進められている。また、UMG（Upgraded Metal lurgical Grade）材料の高純度化、擬似単結晶（MONO-like）成長などの研究も進められている。セルプロセスでは基板の薄型化へ向け、スライス技術としてのダイヤモンド砥粒を表面に固着した固定砥粒ワイヤーの利用、エミッタの不純物プロファイルの見直しなどが進められている。

変換効率の観点では、裏面p及びn層の両方を形成する裏面接合型のセル開発が進められ、Sun Power社はセル効率24.2%、カネカも小面積ながら23%を超えを実現している。また、HIT構造（a-SiとSiのヘテロ接合）セルで、パナソニックが23.7%の変換効率を得ている。

8.2　シリコン薄膜系太陽電池変換効率面では僅かな向上が見られている。変換効率8.0%

から三接合セルでは15%を超える効率も見られる。また、5.7m2

サイズのa-Si太陽電池モジュールの大面積化技術の開発も進められている。

8.3　化合物薄膜太陽電池昭和シェル石油がSAS（セレン化後の硫化）法により小面積

単セルで19.７%、NREL（National Renewable Energy Laboratory）が同時蒸着法で20.４%の変換効率を達成した。特に、NRELは基板にポリイミド樹脂を使用している。CdTe太陽電池ではGE Research社が小面積セルで変換効率18.3%を達成した。Cu（Zn,Sn）Se2（CZTS）系は研究発表が年々増しているが、CIS系が1980年代に達成したレベルにあり、光吸収係数がCIS系に比べて一桁低いなどの課題もある。

8.4　色素増型太陽電池セルの変換効率はシャープが新規Ru錯体色素を用いて

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光技術動向調査

11.9%（1.005cm2）、ローゼンヌ工科大学ではZnポルフィリン色素と共増感剤を用いCoベースの電解質で１sunで12.9%、東大は赤色色素（N719）のセルと新規高効率広帯域増感色素のセルを組み合わせたタンデムで12.5%を得ており、着実な進展が見られている。モジュールの変換効率は2011年度以来更新は出ていない。また、耐久性に関しても検討が進展しつつある。尚、色素増感太陽電池を搭載したi-Pad用ワイヤレスキーボード（屋内用）が販売された。

8.5　有機薄膜太陽電池低発電コストが期待できるので材料から製造方法まで研究

開発が盛んに進められている。実用化に向けては変換効率向上に加えて耐久性の向上やモジュール開発が必要である。変換効率はUCLA&住友化学が高分子塗布型タンデムセルで10.6%、Heliatek社が低分子蒸着タンデムセルで10.7%、モジュールで9.0%を記録した。この変換効率向上に向けて無機バッファ層を用いた逆構成、発電層に添加物を添加、プラズモン共鳴などが研究されている。また、モジュール化技術としてフィルム基板へのロールtoロール、大面積均一蒸着、レーザによる精密スクライブなどがキーになっている。

8.6　超高効率太陽電池Ⅲ-Ⅴ系集光型太陽電池は、Solar Junction社が一部のエピ

タキシャル成長にMolecular Beam Epitaxyを用いて高品質な低バンドギャップ層を成膜する手法により変換効率44%を記録した。また、Azur社は43.3%と変換効率は若干劣るものの従来技術の延長で量産できると推定され、2013年度には上市が想定されている。尚、2012年初頭に、Amonix社による30MW集光型太陽光発電プラントが竣工した。

第３世代太陽電池は、タンデム型ではCyrium Technologies社はInGaP/GaAs（InAs量子ドット）/Geの３接合セルで500倍集光時に変換効率40%を達成している。材料としては安価なSiを使うアプローチもある。中間バンド型ではRochester Institute of TechnologyとNRELは400倍集光時に変換効率18%台を達成した。

8.7　評価技術性能評価関連で、IEC 61853シリーズの審議が進んでおり、

温度照度依存性測定IEC 61853-１が発行、分光感度・入射各依存度・動作温度測定法IEC 61853-２が承認された。他に、集光型太陽電池性能・発電量評価などの審議が進められている。太陽電池性能評価の測定・校正精度は結晶Si型が１～２%、薄膜や多接合型が３～５%の場合がある。これらの精度向上が課題になっている。

8.8　メガソーラー技術2012年７月に再生エネルギー導入促進を主目的に固定価格

買取制度（FIT）が施行され、本格的なメガソーラー構築の幕開けとなった。FIT認定は2012年11月時点で524件1.4GWで、2012年度内には1,200件2GWを超える状況が予想されている。システムは、太陽電池モジュール－接続箱－集電盤－Power

Conditioning System－交流出力盤－高圧変圧器盤－電力会社高圧系統へ連係となる。事業に当たっては20年という長期事業であるため、発電量の劣化・設備故障・災害などの事業リスクを考慮する必要がある。また、日常的には目視点検などのメンテナンスが重要になる。

8.9　アジア諸国の開発動向中国の生産能力は結晶Si系で24GW、薄膜系で3GWなどに

なっているが、国内導入量は5GW弱程度になっており、また、欧米のアンチダンピングの影響を受けて輸出量も大幅に減少しており、在庫が増加している。このため、国内市場の更なる拡大に向けて政策を打ち出している。

台湾の生産能力は9GWになっているが、中国の低価格戦略の影響で苦境に立たされている。生き残りを掛けて川上から川下の統合、また、横方向でも合併が始まっている。更に、メガソーラー建設にも触手を伸ばし、輸出先を確保するなどが進められている。

9.　光有機材料・デバイス（第８分科会）エレクトロニクス分野のみならず、自動車、航空機といった分

野においても、電子材料や機能性化学材料を中心とする高付加価値材料の開発で日本は存在感を示している。本分科会では、日本の強みを活かせる将来技術を広く調査することを目的として、光有機デバイスとその材料に関連する技術動向をまとめた。

光有機デバイスの将来は、その特徴を活かせるフレキシブルデバイスへ向かうと考えられ、日本は、基盤となる材料技術、機械・印刷・プロセス技術において、企業個別単位で非常に強い技術力を有している。当面は、立ち上がりの早い照明・エネルギーへの関心が高く、これらの分野の開発に注力されて行くと予想されるが、センサー・バイオといった分野への取り組みが広がることを期待している。一方、米国や欧州でも地域を越えた連携で研究が進められており、これらの取り組みに遅れを取らぬよう、産学官の連携、企業間・国際間の連携、国際標準化なども含めた活動を推し進めて行く必要がある。

9.1　有機発光材料低分子系、及び、高分子系有機EL発光材料について調査し

た。低分子系材料では、高色純度化が進展し、TVの色規格に近づく実用的な性能を示しつつあり、高分子系材料でも課題の効率、寿命特性が大幅に改善されてきている。一方、熱活性化遅延蛍光を利用した新規発光材料の研究が進められ、100%に迫る内部量子効率が得られている。

また、力学的な刺激により繰り返し発光する応力発光材料が見出され、構造物の劣化検査や、光治療・光診断などへの応用が検討されている。

9.2　有機半導体材料低分子塗布型、及び、高分子系有機半導体材料ついて調査

した。新規な塗布法、プロセスによって配向を制御し、材料本来の特性を発現させる技術などの進展があった。今後、高性能

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なデバイスにつながると期待される。また、自己組織化能を活かして膜の高次構造が制御できる液晶性有機半導体材料が注目されてきており、発光デバイスや光電変換デバイスへの応用研究が進んでいる。

9.3　透明導電性材料 －ITO代替材料－レアメタルの供給問題やフレキシブルデバイスへの要求など

から、ITOの代替となる透明導電性材料技術の動向が注目されている。

PEDOT/PSS［Poly（３,４-ethylenedioxythiophene）/poly（４-styrenesulfonate）］系導電性高分子材料の高導電化、金属ナノワイヤーなどの様々なメタル系導電性材料の開発、及び、エレクトロマイグレーション耐性に優れる新炭素材料（CNT、グラフェン）の透明導電膜への応用研究などが進んでいる。

9.4　光伝送用透明材料プラスチック光ファイバでは、より低損失化を目指し、重原子

置換したグレーディッドインデックス型光ファイバや、全フッ素アモルファス樹脂を用いた光ファイバなどの開発が進んでいる。ポリマー光導波路についても、低コスト化を含めた技術課題の解決に向けた動向が見受けられ、各コンポーネント間の接続損失低減や位置ずれに対するトレランスを確保できる自己形成光導波路などが検討されている。

9.5　クロミック材料エレクトロクロミック材料では、太陽エネルギーの透過量を

制御し、部屋の冷暖房効率を向上させる調光ガラスへの展開が注目を集めている。ボーイング787の窓へ標準搭載されるなど、環境負荷低減の方向性とも併せて飛躍的に発展が期待されている。また、フォトクロミック材料の新しい機能が発見・開発され、フォトメカニカル機能を用いた光駆動アクチュエーター、金属原子に対する蒸着選択性を利用した電極パターニング、高機能回折格子などへの応用展開が試みられている。

9.6　光有機デバイス加工関連技術プリンテッドエレクトロニクス向けの加工技術として、ロール

状モールドやロール式ナノインプリント装置など、特にロールツロール製造を目指したプロセス技術や装置技術が進展している。また、透明性、表面平滑性に優れたプラスチック基材やロールツロール製造に対応する超薄板ガラス、高解像フォトレジスト及び多重パターニングなどの微細化技術、光照射によって自在に脱着・接着が行える新しい接着剤などの関連材料・プロセス技術の開発も進んでいる。

9.7　光有機デバイスの共通課題光有機デバイスの性能、信頼性・安定性の向上のためには、

その評価技術の開発も重要である。有機半導体の評価では、これまで困難であった空準位を精密に測定できる近紫外逆光電子分光法が開発され、新規な高性能材料開発への活用が期待されている。また、光有機デバイスが必要とする高度なレベ

ルのガスバリア性の評価では、様 な々方式の装置開発、性能向上が図られているが、測定精度や測定時間などの面での課題も残っており、装置内部の吸脱着ガスの影響の検証、各測定手法間の相関関係の明確化などが待たれる。

10.　特許動向調査委員会10.1　光技術に関する特許動向調査

昨年度と同様、ワーキング・グループ別に調査・分析を実施した。光通信ネットワーク、光メモリ、ディスプレイ、太陽光エネルギーの各産業分野の特許出願動向の定点観測に加え、光技術のトピックスとして、本年度はマルチコアファイバ、非線形補償技術、MZ型光変調器の制御、太陽電池本体材料（化合物半導体）を取り上げ、その詳細な特許動向分析を実施した。

10.2　特許庁との懇談会（2012年12月21日）特許庁からは特許審査第一部　中田 誠　光デバイス　審

査監理官はじめ５名の方々にご出席いただき、特許動向調査委員会からは、児玉委員長はじめ11名の委員が出席した。本年度は、当協会より、「光技術産業の特許出願動向と特許庁への要望」と題して児玉委員長が講演を行なった。

また特許庁より、“今後の特許審査の重点施策”と題して、中田審査監理官に講演いただいた。その後、これら講演内容をふまえて、出席者間で熱心な意見交換が行なわれた。

10.3　特許フォーラム（2013年3月1日）本年度の特許動向調査結果の報告と特別講演からなる光協

会特許フォーラムを2013年３月１日に学士会館（東京都千代田区）で開催した。賛助会員、一般参加、合わせて約80名の方々に出席いただいた。

本年度は特別講演として、元キヤノン㈱　専務取締役で金沢工業大学客員教授の丸島儀一弁理士に、「企業における特許戦略のあり方（技術で企業を強くするために）」のご講演をいただいた。

11.　 高効率スペクトル活用光通信技術に関する調査研究

11.1　背景平成24年度の光産業技術調査研究事業の一環として「高効

率スペクトル活用光通信技術に関する調査研究」をテーマに、光技術の応用可能性、プロジェクト化可能性について調査・研究を実施した。

インターネットの発展と共に急増するデータトラフィックは、近年のスマートフォン、クラウドコンピューティング等の普及により益々激化する傾向にある。現在、デジタル・コヒーレント100Gb/sが実用化され、次世代の超大容量トラフィックに対応する通信ネットワーク（データセンタ含む）を実現していくためには、100Gb/s超の光信号を高効率で経済的に収容する革新的な技術が必要となる。このような状況に対し、2008年頃から日本が世界に先駆けてコンセプトを提唱している「エラスティック光パスネットワーク」があり、このコンセプトへの動きは北米や中国などでも近年活発になっている。当協会では、光技術動

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光技術動向調査

向調査委員会第２分科会（光通信ネットワーク）の平成23年度活動において、次のブレークスルー的テーマとして、この「エラスティック光パスネットワーク」「フレキシブル光ノード」「大規模光スイッチ」等を抽出した。しかしながら、それらのキーとなる光スイッチ技術については、この数年海外の後塵を拝している現実がある。

このような状況に鑑み、今年度は新コンセプトのネットワークを実現するための適応型光ノード及び大規模光スイッチに着目し、将来技術を掘り下げて調査するために、「高効率スペクトラム活用光通信技術」に関する調査研究を実施した。本調査研究では、次世代の大容量光ネットワークの将来像を描くとともに、それを経済的に実用導入していくために開発すべき技術を抽出することを目的とする。

本調査委員会では、名古屋大学大学院の佐藤健一教授を委員長に迎え、光ネットワークに関わる大学、通信キャリア、システムベンダ、光部品ベンダの研究者・技術者、及び光協会事務局を加え、総勢17名からなる組織で調査研究を実施した。通算で４回の調査委員会を開催し、第１回委員会では、より専門的な技術内容について、香川大学の神野正彦教授を招き討論会を実施、第２回以降は、各委員で分担した下記調査内容について活発な議論を行った。

11.2　調査研究結果⑴　次世代ネットワークにおける光ノード技術

高機能化光ノード（ROADM）構成技術、大規模光スイッチ構成技術及びデータセンタ光化技術に代表される次世代光ノードの実用化に向けた技術調査を行った。

キャリアネットワークにおいては、フレキシブル・グリッドのROADMを用いたエラスティック光ネットワークの研究開発が、世界的に大きな潮流となっている。ハードウェアのテーマとしては、マルチレート／マルチリーチ／マルチフローのトランスポンダ、帯域可変パスクロスコネクトスイッチが重要である。また、収容効率を向上するためのネットワーク・デフラグメンテーションやフレキシブル・グリッド・ネットワークの制御が重要なテーマである。光ノードアーキテクチャとしても、シリコンフォトニクスを用いたトランスポンダ・アグリゲータを適用したCDC-ROADM、OTN/WDMネットワークの共有メッシュ・レストレーション、大規模光クロスコネクトのノード構成など、新しいアーキテクチャやハードウェアが提案されている。

データセンタ・ネットワークにおいては、近年のデータセンタ光化技術の調査結果を述べ、要求される性能、トラフィック予測、消費電力予測、Proteusなど光を導入したネットワークのアーキテクチャについて述べた。また、このような新しいアーキテクチャを導入した場合の、消費電力及びコスト削減の効果について見積もった。

⑵　実用化に向けた必要用件及び開発すべき技術項目１項で述べた次世代光ノード技術の実用化に向け、以下

の技術項目を洗い出し、それぞれについて最新の研究開発動向を調査した。さらに、これらの調査結果を基に、今後開発すべきテーマを絞り込んで行くこととした。

◦高機能光ノードアーキテクチャ

◦フレキシブル光スイッチ・デバイス技術◦大規模光スイッチ・デバイス技術◦ODUクロスコネクト技術◦小型実装技術◦ネットワーク制御／管理関連技術高機能光ノードのアーキテクチャは、CDC（Color-less,

Direction-less, Contention-less）-ROADMからさらに、Grid-lessで固定波長gridからの開放されることにより、今後、エラスティックネットワークに向かって進展していくと考えられる。今後の主な訴求ポイントは、⑴大規模化、⑵収容効率の向上、⑶省電力化である。これに対応して、フレキシブル光スイッチ・デバイス技術、大規模光スイッチ・デバイス技術、ODUクロスコネクト技術、及びそれらの小型実装技術の研究開発が、国内外で著しい発展を遂げている。但し、CDCやGrid-less ROADMに対応するWSSや大規模光スイッチなど、日本は北米などの海外勢に先行されているのが現実となっている。2005年頃までは、PLCのROADM、AWG或いは半導体光デバイスなどで世界の光通信ネットワークを先導して来た日本の技術力を今一度復活させ、次世代のエラスティック光ネットワーク、そしてデータセンタ光化ネットワークにおいて、デバイスからシステム、ネットワーク制御に至る事業化を産学官連携にて進めていくべきであろう。

11.3　まとめと今後の展開本調査研究では、高効率スペクトラム活用による大容量光

ネットワークの将来像を描くとともに、新しい光技術領域「エラスティック光パスネットワーク」と融合した光のルーティング機能に着目し、次世代のフレキシブルで超大容量な光ノード技術・光スイッチ技術並びに関連する各種要素技術群に関する調査研究結果をまとめた。また、これらを経済的に実用導入していくために開発すべき課題の抽出を行なった。

今後の課題として、超大容量の伝送を担うコアネットワーク、変動性の高い大量のトラヒックを扱うモバイルバックホール・ネットワーク、データセンタ・ネットワーク構成技術並びにそれらを相互に接続する仕組みとして、柔軟で高効率な光ネットワーキングが重要になる。特に、データセンタのサーバ間接続ノードには、多ポート性（1000ポート規模）、データ粒度に対する可変性（フレキシブル光パス粒度）等を満足する新規光スイッチノード技術が必要になると考えられる。

これまで、日本はコアネットワーク向けのAWG、メトロ・リングネットワーク向けのPLC-ROADMなどで世界の光ネットワーク技術をリードしてきたが、最近では空間光学系用いて波長をハンドリングするWSS技術において、海外に後れをとっているのが現実である。今後は、メトロ・アクセス向けのエラスティックネットワーク、及びデータセンタ・ネットワークに適用できる大規模光スイッチ技術・ネットワーク技術が狙うべきターゲット領域となる。前述のWSSは高機能なデバイスではあるが、空間光学系に依存しているためにその大規模化は極めて困難と考えられ、今後の新たな技術開発が必要である。

ノードのスループットの拡大とともに消費電力の削減が将来の通信ネットワークにとって重要な課題である。米国のデータ

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センタの消費電力を例にとると現在米国内の総発電電力の２%強を消費しており、10年後にはその割合は４%を超えると予測され、大きな課題となっている。データセンタ内のトラフィック流通量はグローバルなIPネットワークのトラフィック総量の約４倍に達しており、データセンタ内光スイッチ技術が極めて重要な研究課題と言える。L２/L３のトラフィックを光でオフロードし、スイッチング電力を大幅に低減できる技術が、これから開発すべき重要なテーマの一つである。

また、プロジェクト化の観点から、データセンタ向けノードにおける光レイヤでの高効率ネットワーキング技術とその実現デバイス並びにスマートワイアリングを含む各種要素技術に関するプロジェクトは未着手である。デバイス・装置・NW方式技術を一気通貫した産学官連携の研究開発体制を構築し、出口戦略を見据えた技術開発を早急に開始する必要がある。

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光技術動向調査

１.　はじめに当協会では、今後の光産業の発展を見定め、光技術の研究

開発を方向づけることを目的に、1996年度より光テクノロジーロードマップ策定活動を実施している。この活動は、情報通信、情報記録、ディスプレイ、光エネルギー、光加工の分野において、多くの国家プロジェクトの発足の基盤の一つとして、光産業技術の発展に幅広く貢献してきた。2011年度からは、新たに“2030年代に向けた光技術のロードマップ”の策定を開始した。光技術分野として、今後の発展が期待される、情報処理フォトニクス、安全・安心フォトニクス、光ユーザインタフェース、光情報通信、光加工の５分野を選定し、５ヶ年計画で、年度ごとに各分野のロードマップを策定している。単に技術を羅列するのではなく、社会像をまず描くことで課題を想定し、解決に必要となる技術に展開していく手法を採用しており、社会ニーズを出発点としていることが特長としてあげられる。

２年目にあたる今年度の安全・安心フォトニクス・テクノロジーロードマップ策定にあたり、産学８名のこの技術領域の専門家からなる委員会を組織して作業を進めた。将来社会の安全・安心に関する問題は、環境、食・水の安全、交通事故・渋滞、犯罪、テロと多岐にわたるが、“命にかかわる”災害・危機を今回の検討対象とした。また、今年度のロードマップ策定では、安全・安心であるという価値と光技術を関係づけること及びその関係性をロードマップ上でどのように描くかが課題であった。そこで、あるべき将来社会像を描き、そこから課題を想定し、課題解決のために利用者に提供すべき価値と価値提供に必要となる技術にブレークダウンすることとした。特に、非接触性や広域性などの光の特長を活かした技術が創出する価値に着目して、安全・安心フォトニクス・テクノロジーロードマップを策定し、報告書として取りまとめた。

２.　光テクノロジーロードマップ我々の周りを見渡すと、日常の生活の中にも、人々の生命を

脅かす様 な々脅威が常に潜んでいる。地震や豪雨に代表される自然災害、有毒ガスや菌・病原体の自然発生及びテロによるこれらの人為的散布、犯罪行為による殺傷などはそれらのほんの一例である。誰もが安心して安全に暮らせる生活を望んでいるが、一方で、厳重すぎる警備や警戒、セキュリティチェックは利便性を損なうことから、特別な何かを要することなく当たり前のように安全・安心が組み込まれている社会が望ましい。そこで、2030年代に実現したい“夢”として、“個 人々の日常生活になんらの負荷なく、しかし、しっかりとした安全・安心が埋め込まれている社会”を設定し、図１に示すように、実現に向けた安全・安心に関する課題を想定し、課題解決のために光技術だからこそ提供できる価値について検討を進めた。

光による計測は一般に、光源からの光照射と、検出器による光信号検出とで構成される。この手法の最大のメリットは、長距離、広域の計測に適用可能な点で、波長を選択すれば、障害物を透過することも可能である。装置化した際に小型・軽量化が容易な点や、空間的高分解能、リアルタイム性、非接触性といった利点も備えている。さらに、光は、大容量、広帯域、長距離通信を容易に実現できることから、計測したデータを転送

するネットワークとしての役割も担う。これらの特長を最大限に活かして、フォトニクスが未来の安全・安心に技術的に貢献できる価値は、“見えないモノの可視化”と“見えるモノの情報化”であるとし、技術領域として、“空気の状態の可視化”、“隠されたモノの可視化”、“菌・ウイルスの可視化”、“危険の事前察知・安全制御”、“構造物ヘルスモニタリング／自然災害モニタ”、及び“途切れない光ネットワーク”の６つの個別領域で、求められる価値と必要となる要素技術、特に、光源、検出器、メディア（光ファイバ、メタマテリアルなど）の機能・性能についてのロードマップを描いた。また、2030年代にターゲットを設定するものの、途中段階の成果によるビジネス展開が可能な技術についてもロードマップに含めた。

“空気の状態の可視化”では、空気の状態、つまりガス、におい、温度、湿度などの分布をあたかも目視するかのように３次元的に計測可能とする技術に関してのロードマップを策定した。たとえば、空港や駅など不特定多数の人が集まる場所において、テロや事故で散布・放出される爆発性ガスや毒性ガスの空間分布が計測可能になれば、災害や危険の早期発見、発生源の特定、排気などの効果的な対処、避難経路の確保などが素早く実現できる。

“隠されたモノの可視化”では、空港やコンサート会場などの大規模施設での手荷物検査やセキュリティチェックに関し、利用者の利便性を確保しつつ、より正確に検査を行う技術の開発に向けたロードマップを策定した。これらは、災害時に瓦礫の下に埋もれてしまった人の検知ができる広範囲での生体検知技術や、構造物の壁内検査技術などへの応用が期待できる。

“菌・ウイルスの可視化”では、より簡易かつ高精度な菌やウイルスの検出技術開発についてのロードマップを策定した。最終的な目標を、気中に浮遊するウイルス１個レベル及び飲料水中に混入する有害菌１個レベルでの検出に設定し、実現に向けた技術開発に関してのロードマップを策定した。これらの超高感度な検出技術は、検疫での水際対策、食・水の安全確保に役立つほか、呼気からの菌・ウイルス検出が可能となり健康管理や高度な医療への転用も期待できる。

“危険の事前察知・安全制御”では、交通安全に着目し、危険察知に関する技術の開発について、特にイメージセンサにおける技術開発を中心にロードマップを策定した。最終目標を、自動運転実現のための高速移動体の運動予測と衝突回避として、運転時の情報取り込み高速化のための高フレームレート化、実環境を正確に認識するためのセンサの広ダイナミックレンジ化やフォトン単位でのセンシング、これらのデータを解析するための高速画像処理技術など検討した。

“構造物ヘルスモニタリング／自然災害モニタ”では、橋梁、トンネル、ビルなどの人工構造物や、山、崖、河川などの自然構造物の劣化、損傷、破損、崩落などのセンシングに、構造物の歪み、振動、変位を遠隔から正確に検出可能な光ファイバセンサを適用するためのロードマップを策定した。センサ自身の高精度化、長距離化に加え、センサ情報と構造物劣化状態との関係付けや光ファイバセンサの敷設に関しても検討した。

“途切れない光ネットワーク”では、激甚災害時でも安定した

技術情報レポート2012年度OITDA

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技術戦略策定

サービス提供が可能な通信網の確保に関する技術開発のロードマップを策定した。迅速な一次復旧技術、コア系ネットワークの高速大容量化技術や高信頼化技術のアクセス系ネットワークへの適用などを検討した。

さらに、これらの技術が与える社会インパクトとして、ハイエンドなセキュリティ技術が適用される空港と特別な何かを要することなく安全・安心である街の将来像を描き、その中でロードマップで示した技術がどのように利用されるかを提示し、ビジネスとして発展する可能性を示した。

今回のロードマップで示した技術の実現に向けた課題としては、①市場性が低い真空紫外、中間赤外からテラヘルツ領域の光源や検出部の開発、②構造物への光ファイバセンサ適用に代表される異業種連携の必要性、③公共の場での危険物の監視におけるプライバシー問題などに関係する新たな規制・制度の導入、④コスト低減のための光源波長などの標準化・規格化があげられる。これらの課題に対応するために、産官学によるプロジェクト化、プロジェクトを通した異業種連携体制の構築、プロジェクト初期段階からの標準化に向けた取り組みなどが期待される。

安全・安心という言葉から連想する内容は人により異なるため、社会としての安全・安心とそれへの対策とは必ずしも一致しないだろう。しかし、安全・安心は2030年社会には必須項目であることは、誰も否定しないであろう。安全・安心フォトニクスを新たな価値を生み出す技術として発展させていくことは、光産業の発展に寄与するものであり、今回、安全・安心フォトニクス・テクノロジーロードマップとして提示できたことは、大きな意義を持つものである。

図１　2030年代の社会的課題と対応策

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技術戦略策定

１.　はじめに当協会では光産業分野に係る新規事業の積極的な創業・育

成支援のため、2012年度は以下の二つの活動を実施した。◦技術指導制度

光分野のベンチャー・中小企業等からの相談・質問に応じて技術指導を行う技術指導制度において、16件のアドバイス活動を行った。

◦新規事業創造支援本年度は「インターオプト2012」への出展支援を10社、「注

目される光技術セミナー」への講演支援を７社に実施した。

２.　技術指導制度本制度は、光技術に関わる新規事業創造を支援するための

技術指導を行う目的で運営されており、光関連ベンチャー・中小企業等からの相談・質問に応じて技術指導員を紹介し、回答を行うものである。相談分野は新規事業創造に関するものだけでなく、新商品開発や販売などで必要となる技術相談も行っている。

相談・質問を受託する場合は、内容が本制度の趣旨に合致するかどうかを判断し、本制度を適用する場合は最適と思われる技術指導員を選定し、対応している。

なお技術相談例については、件名について協会のホームページに公開している。

2012年度の相談総数は16件で、技術指導員を選定して指導を実施した。内容としては、レーザ安全にかかわる相談が例年

通り多かった。レーザ安全の国際規格であるIEC 60825-１は2007年改正でLEDが除外されたが、60825規格群のその他の規格についてはLEDがまだ対象に含まれている。また、国内規格であるJIS C 6802は2011年３月にIEC規格の2007年改正に準拠したものである。さらに、IEC規格において60825規格群に変わりLED安全を受け持つことになった62471規格群は対応JISが整備途中である。

このような状況が、ますます本制度のニーズを高めており、当協会としては、レーザ安全の標準化の国際対応に真正面から取り組んでいきながら、技術相談の窓口としてもそれを補完していきたい。

３.　新規事業創造支援光技術を応用した光機器、光装置あるいはシステムの研究、

開発、製造、販売にかかわる中小企業、ベンチャー企業（大学発ベンチャー等を含む）に対し、「インターオプト2012」への出展支援および、「注目される光技術セミナー」への講演支援を実施した。実施概要を表１、２に示す。

表１　インターオプト2012への支援社一覧出 展 社 展 示 内 容

エルシード株式会社 低コスト高効率LED 用モスアイ加工サファイア基板

株式会社オプトデバイス研究所 医療用照明、可視光通信用光源及び長距離赤外線監視用光源

フラクシ株式会社 テラヘルツ ― 発生から受光、評価まで

株式会社アルネアラボラトリ 光変調アナライザ

パルステック工業株式会社 低コヒーレンス動的光散乱法による高濃度ナノ粒子計測

ブレインビジョン株式会社 TOF（Time of Flight）方式距離画像カメラ

株式会社テクニカル 平面研磨技術及びクロビット技術

株式会社光響 モード同期Yb ファイバーレーザー発信器実験キット

スペクトロニクス株式会社 ピコ秒パルスレーザ技術

協和ファインテック株式会社 フェムト秒レーザーとテラヘルツ技術

表２　注目される光技術セミナーへの支援社一覧出 展 社 セミナー テーマ

エルシード株式会社 モスアイ加工サファイア基板による青色LEDの高効率化および低コスト化

株式会社アルネアラボラトリ 超短パルスレーザーの計測応用に関して

パルステック工業株式会社 低コヒーレンス動的光散乱法による高濃度ナノ粒子計測

株式会社テクニカル クロビット技術

株式会社光響 パルスファイバーレーザー

協和ファインテック株式会社 協和ファインテックが展開するテラヘルツ波技術の紹介

日本電信電話株式会社 世界をリードするマルチコア光ファイバ技術の研究

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新規事業の創造

１.　はじめに学会・産業界に貢献するために当協会では「研究会・懇談

会」を設け、最新情報の収集及び意見交換を行っている。2012年度は「フォトニックデバイス・応用技術研究会」、「光材料・応用技術研究会」、「多元技術融合光プロセス研究会」、「光ネットワーク産業・技術研究会」の４つの研究会を設置し、産学官の各界の会員により各々の技術分野に応じた活動を展開した。

２.　フォトニックデバイス・応用技術研究会当研究会は1986年に設立され、その名称を「OEIC技術懇

談会」（1986～1992年）、「OEIC・光インターコネクション技術懇談会」（1993～2004年）、「フォトニックデバイス・応用技術研究会」（2005年～）と改称しながら活動しており、その設立から25年以上を経た伝統ある研究会である。当初のOEIC技術に加えて光インターコネクション技術、光デバイス全般及びその関連技術、応用技術分野について、現状及び動向・展望を話し合い、産学官会員相互の情報交換と討論を通じて光産業における本技術分野の育成と振興をはかるべく、産業技術総合研究所 電子光技術研究部門 小森和弘副研究部門長を代表とする13名の幹事により運営されている。また本年度の本研究会の会員数は49名（幹事含む）であった。

本年度の活動内容を表に示す。例年と同様、会員以外も参加できる一般公開方式のワークショップ１回を含む計６回の研究会を開催し、毎回活発な討議・情報交換を行った。本年度は、ワークショップ以外は毎回、講演会後にポスターセッション＆懇親会を行った。講師の方と会員間でのより深い議論ができる貴重かつ有用な場として会員の方には大変好評であった。来年度もワークショップ１回を含む計６回の研究会を計画している。

講演テーマ 講師（敬称略）第１回（2012/5/31）

光インターコネクション

光インターコネクションの開発現況 三川　 孝（先端フォトニクス㈱）

データセンタ向けおよび画像伝送用光アクティブケーブル

石神 良明（日立電線㈱）

情報処理フォトニクス技術：その必要性とロードマップ

岩本 　敏（東京大学）

光インターコネクションの開発動向 蔵田 和彦（日本電気㈱）

第２回（2012/7/25）光導波路

導波路形光アイソレータの展開 水本 哲弥（東京工業大学）

石英導波路を用いた平面光波回路の最新状況 高橋　 浩（日本電信電話㈱）

OIC2012 学会報告 横内 則之（古河電気工業㈱）

OECC2012 学会報告 中津原 克己（神奈川工科大学）

第３回（2012/10/3）シリコンフォトニクス

CMOSプロセスによるナノ構造シリコンフォトニクスデバイス

馬場 俊彦（横浜国立大学）

シリコンフォトニクス集積化技術構築に向けて 堀川　 剛（産業技術総合研究所）

講演テーマ 講師（敬称略）

Si上Ge層を用いたアクティブ光デバイスの動向 石川 靖彦（東京大学）

ECOC2012 学会報告 内田 憲治（日本オクラロ㈱）

Group IV 2012 学会報告 岡山 秀彰（沖電気工業㈱）

ワークショップ（2012/12/19）光が切り拓く未来

光産業の現状と将来戦略 小林 直人（早稲田大学）

TSUBAME2.0における光ネットワークと、エクサに向けた今後の展開

松岡　 聡（東京工業大学）

大容量光通信ネットワーク技術の最新動向 高良 秀彦（日本電信電話㈱）

有機薄膜太陽電池の最新動向 大西 敏博（大阪大学）

革新的太陽光発電技術 中野 義昭（東京大学）

フォトニクスポリマーが築くFace-to-Faceコミュニケーション産業の創出

小池 康博（慶応大学）

ディスプレイを構築する最新技術の動向と展望 長谷川 雅樹（メルク㈱）

第４回（2013/1/23）光インターコネクション

スーパーコンピュータとその応用における現状と課題、光への期待

姫野 龍太郎（理化学研究所）

60GHz CMOSトランシーバーの開発 松澤　 昭（東京工業大学）

光インターコネクトに用いる並列光モジュール技術 那須 秀行（古河電気工業㈱）

学会報告（ISLC） 天野　 建（産業技術総合研究所）

第５回（2013/3/6）グリーンフォトニクス

窒化物半導体を用いた人工光合成 四橋 聡史（パナソニック㈱）

有機EL照明の開発動向と将来展望　～生産技術から今後の販売戦略まで～

鈴木 譲治（ルミオテック㈱）

フレキシブル有機太陽電池の開発と今後の展開 山岡 弘明（三菱化学㈱）

３.　光材料・応用技術研究会この研究会は1989年度に発足した「OEIC用LN結晶評価委

員会」に起源をもち、1990年度以降「LN結晶研究会」「光学結晶研究会」「光学材料・デバイス研究会」と改称して、その時々の主要テーマに活動・運営を適合させ活動してきた。1998年度から現在の「光材料・応用技術研究会」となり、2012年度はその第５次３ヶ年事業の３年目として活動した。

本研究会は、光材料の産業応用への積極的な展開を図るため、光学結晶・光材料から関連デバイス、応用技術までの幅広い分野について産学官の会員相互の交流・情報交換の場を提供することを目的としている。

今年度の研究会の講演題目を表に示す。研究会では先端技術・研究について紹介し、これを元に毎回活発な討議が行われた。第１回研究会では「光情報・通信技術の最前線」をテーマに講演４件、国際会議報告２件を行った。第２回研究会では「材料、薄膜技術」をテーマに講演５件を行った。第３回研究会では「新領域技術／グリーンフォトニクス」をメインテーマに講演６件と「グリーンフォトニクスに貢献する光材料・デバイス

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研究会・懇談会

の本命は？」をテーマにした総合討論を実施した。宿泊開催の利点を活かして夜遅くまで活発な討議・交流が行われ、貴重な情報交換の場となった。第４回研究会では「日本が誇る最先端レーザとその加工・計測応用」をテーマに講演４件、国際会議報告１件を行なった。

本年度の会員は幹事・顧問を合わせて42名で、皆方代表幹事初め10名の幹事により運営した。

講演テーマ 講師（敬称略）第１回（2012/6/8）

光情報・通信技術の最前線

いまさら聞けない光通信の基礎 皆方 　誠（静岡大学）

FTTHの将来動向 寺田 　純（NTT AS研）

次世代アクセスシステム向け集積光モジュール 白井 　聡（三菱電機㈱）

ボード間・内向け高速・高密度光配線技術 松岡 康信（㈱日立製作所）

OFC2012 報告 高坂 繁弘（古河電気工業㈱）

CLEO2012 報告 近藤 高志、松下 智紀（東京大学）

第２回（2012/8/24）材料、薄膜技術

いまさら聞けない光通信の基礎⑵ 皆方 　誠（静岡大学）

ワイドギャップ半導体結晶の現状と展開　窒化ガリウム新展開GaN単結晶高品質大口径化技術の現状と今後の展望

森　 勇介（大阪大学）

注目のワイドギャップ半導体　酸化ガリウムの結晶の大型化と今後の展望

島村 清史（物質材料研究所）

最新薄膜プロセスの仕組みと可能性安全かつ低コストミストを用いる成膜方法

増田 喜男（㈱陶喜）

さまざまな材料に対応レーザー直接描画法による機能性薄膜の微細パターン形成

渡辺 　明（東北大学）

第３回（2012/11/16）新領域技術／グリーンフォトニクス

いまさら聞けない光通信の基礎⑶ 皆方 　誠（静岡大学）

量子通信から見たグリーンフォトニクスへの挑戦 藤原 幹生（NICT）

グリーンフォトニクス用LiTaO3分極反転デバイス―レーザーディスプレイスペックル除去から高効率光変調器まで―

村田 博司（大阪大学）

LED／レーザー植物工場 前田 重雄（IDEC）

太陽光励起固体レーザーと太陽光ファイバ伝送による藻類成長プラント

和田 智之（理化学研究所）

太陽光発電技術の現状 松原 浩司（産業技術総合研究所）

第４回（2013/3/1）日本が誇る最先端レーザとその加工・計測応用

新しい渦状偏光をもつレーザーとナノニードル加工への応用

尾松 孝茂（千葉大学）

脳をみる ～新規レーザー光技術を用いた２光子顕微鏡システム～

根本 知己（北海道大学）

レーザーによる表面改質、レーザーピニング 佐野 雄二（㈱東芝）

レーザー点火プラグ ―ジャイアントマイクロフォトニクスへの誘い―

平等 拓範（自然科学研究機構）

Photonics West 2013 報告 江上 浩二（JPC）

４.　多元技術融合光プロセス研究会近年進展著しいファイバレーザや超短パルスレーザなどの新

しい光プロセス技術を産業に導入するためには、光源や光学系技術ばかりでなく、加工する材料や構造、製品の種類や用途に応じて、物理化学現象、前後工程、制御系や計測・分析技術など、多元的な技術を効果的に融合する必要がある。こうした多様な技術の産官学の持ち主が一堂に会し、議論するための場を提供することが、本研究会の目的である。本研究会の参加形態としては、会員以外でも参加できることで好評である参加票システムを今年度も継続し、下表のように時代の先端を行くテーマで計５回の研究交流会を開催し、例年と同程度の参加者数を得た。また第３回研究交流会では、九州大学の「最先端有機光エレクトロニクス研究センター」と「ギガフォトン―九州大学共同研究部門施設」の見学会を併催し好評であった。

講演テーマ 講師（敬称略）第１回（2012/7/18）

微細加工用レーザ及びデリバリ光学系の最新技術動向各種国際会議からみた微細加工用レーザの技術開発動向

鷲尾 邦彦（パラダイムレーザーリサーチ）

フラックスレスBBOを用いた高尖頭出力マイクロチップレーザーからの＞３MW266nm発生

ラケシ・バンダリ、平等 拓範

（分子科学研究所）波長405nm高出力半導体レーザの開発及びレーザプロセッシング応用への展望

山中 一彦（パナソニック㈱）

微細加工の高スループット化を可能にするフルデジタルガルバノシステム

山下 　仁（ジーエスアイ・グループ・ジャパン）

レーザ加工におけるビーム位置・角度の安定化技術とその応用

山口 由起雄（㈱ルクスレイ）

コートレス反射防止機能付きデバイス（i-ARD）の応用展開

成田 博和（リコー光学㈱）

第２回（2012/8/28）光プロセス基礎から最新動向まで

レーザー溶接・接合の基礎と実際 片山 聖二（大阪大学）

積層造形（RP：ラピッドプロトタイピング）技術の動向

宇野 　博、木下 勝也（㈱3D・システムズ・ジャパン）

レーザーによるシリコンインゴットのスライシング 池野 順一（埼玉大学）

水ジェット誘導レーザー加工 神月 　靖（SYNOVA JAPAN ㈱）

レーザー加工の産業動向 杉岡 幸次（理化学研究所）

第３回（2012/10/5）エレクトロニクス製品を進化させる光プロセス最新動向

パワーデバイスおよびプロセスの現状と課題 大森 達夫（三菱電機㈱）

光リソグラフィ用光源と現状と将来展望 松永 　隆（ギガフォトン㈱）

Industrial Applications of Material Processing with Femtosecond Laser Pulses

鄭 　中緯（台湾工業技術院レーザ応用センタ）

ガスレーザが拓くプリンテッドエレクトロニクスプロセスによるトランジスタ製造技術開発

池上 　浩（九州大学）

ギガフォトン―九州大学　共同研究部門施設、最先端有機光エレクトロニクス研究センター見学 九州大学

第４回（2012/12/7）ライフイノベーションを支えるレーザ技術

レーザ医療の基礎と最新動向 石井 克典（大阪大学）

光学技術を用いた眼科用機器の開発 伊藤 晃一（㈱ニデック）

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講演テーマ 講師（敬称略）

プラズモン共鳴を利用した有機分子センサ 柳沢 雅広（早稲田大学）

レーザー励起テラヘルツ光源の進展と応用可能性 川瀬 晃道（名古屋大学）

生体二光子分子イメージングで明らかになる生活習慣病における免疫・炎症性細胞のクロストーク

西村 　智（東京大学）

第５回（2013/2/21）パワーレーザ応用の現状と将来展望

パワーレーザーの応用と将来展望　 井澤 靖和（レーザー技術総合研究所）

レーザーの原子力応用 大道 博行（日本原子力研究開発機構）

建築・土木産業におけるパワーレーザの応用 藤岡 知夫（㈶応用光学研究所）

パワーレーザの取組事例 山岡 弘人（㈱IHI）

金属切断用レーザ加工機の最新動向 藤川 周一（三菱電機㈱）

５.　光ネットワーク産業・技術研究会「光ネットワーク産業・技術研究会」は、「フォトニックネット

ワーク新時代における産業・技術懇談会」を引き継ぐ形で2011年４月に発足した。本研究会では、幹線系～FTTHの光ネットワークと光ルータ、光ファイバ、光インタコネクション等の光デバイスに関する市場動向や技術動向の情報収集と意見交換を行っている。また、それらの将来展望等について産業界の関係者を中心に学官を交えて討論することで、光ネットワーク分野の産業の育成と振興を図っている。本研究会は、16人の幹事で運営され、会員数は60名（幹事を含む）であった。

2012年度は、山林代表幹事（千歳科学技術大学）の下、光ネットワーク業界の最新テーマを選定し、第１回から第５回の討論会を開催した。第１回は、「次世代光ネットワーク用デバイス技術」で３講演とパネル討論を、第２回は「海外における光ネットワーク最新動向」で４講演とパネル討論を実施した。第３回は公開ワークショップとし「光ネットワークに押し寄せる新しいトラフィックの潮流」と題して開催した。当研究会の元代表幹事で現顧問の青山友紀教授からは、ビッグデータ時代の新世代ネットワークとインタークラウドについて講演頂き、午前はM2M関係の２講演、午後はスーパーハイビジョン関係の３講演とパネルディスカッションを実施した。第４回では「光ネットワークの研究最前線」をテーマに、３講演に引続きNTT未来ねっと研究所の研究室見学会を実施した。第５回は、「夢膨らむ光技術」をテーマに４講演について多いに討論頂いた。

世の中は、ビッグデータ、クラウドコンピューティング、スマートフォン、高精細映像によるトラフィック量の激増と質の多様化により、光ネットワーク基盤は大きな社会変動の渦中にある。2013年度以降も、光ネットワーク産業・技術について多いに討論を進めていく予定である。

講演テーマ 講師（敬称略）第１回（2012/5/21）

公開討論会「次世代光ネットワーク用デバイス技術」

省電力ネットワークのための光スイッチ技術 津田 裕之（慶應義塾大学）

コヒーレント光通信用DSP技術 富澤 将人（日本電信電話）

LCOSを用いたフレキシブル・グリッド型波長選択光スイッチ

上原 　昇（santec）

パネル討論：次世代光ネットワークに必要な光・電子デバイス 講師全員

第２回（2012/7/27）公開討論会「海外における光ネットワーク最新動向」

世界で拡大するFTTH市場の動向 佐藤 公紀（フジクラ）

FTTH Council Asia-Pacificの活動とアジア太平洋地域のFTTH普及動向

石橋 芳弘（FTTH Council Asia-Pacific）

中国FTTx市場と光トランスポート技術の動向 滝広 眞利（ファーウェイ・ジャパン）

光部品のグローバル標準化動向 磯野 秀樹（富士通オプティカルコンポーネンツ）

パネル討論：海外における光ネットワークを取り巻く現状と今後の展望 講師全員

第３回（2012/11/12）公開ワークショップ「光ネットワークに押し寄せる新しいトラフィックの潮流」基調講演：ビッグデータ時代の新世代ネットワークとインタークラウド

青山 友紀（慶應義塾大学）

M2Mにおける新たなICT社会での価値創造 奥屋 　滋（NEC）

M2Mクラウドとスマートセンサネットの動向 木下 泰三（日立製作所）

ロンドン五輪におけるスーパーハイビジョンパブリックビューイング

藤沢 秀一（NHK放送技術研究所）

SHV（スーパーハイビジョン）機材の開発状況 鈴木 茂昭（アストロデザイン）

ロンドンオリンピックのスーパーハイビジョン中継伝送の概要と今後のメディアネットワーキングの展望

高原 　厚（日本電信電話）

パネル討論：光ネットワークに押し寄せる新しいトラフィックの潮流

藤沢 秀一、鈴木 茂昭、高原　 厚

第４回（2013/1/18）公開討論会「光ネットワークの研究最前線」

フォトニックネットワーキング技術の進展 佐藤 健一（名古屋大学）

新世代ネットワークにおける光パケット・光パス統合ネットワーク

原井 洋明（情報通信研究機構）

光トランスポートにおけるSDN適用神谷 聡史

［代理：長谷川 洋平］（NEC）

見学会 NTT未来ねっと研究所施設

第５回（2013/3/11）公開討論会「夢膨らむ光技術」

光周波数標準―超高安定化レーザーとその応用 武者 　満（電気通信大学）

宇宙光通信の研究状況と展望 高山 佳久（情報通信研究機構）

シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間光配線技術

賣野　 豊（PETRA）

シリコン発光・ゲルマニウム発光の第一原理シミュレーション

諏訪 雄二（PETRA/PECST/日立製作所）

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研究会・懇談会

1.　はじめに当協会設立以来、標準化事業は協会の活動の重要な一翼を

担っており、広くオプトエレクトロニクスの標準化を推進して来た。その範疇は光伝送分野を中心に、数々のファイバオプティクス応用分野、レーザ分野での国内のみならずIEC、ISO等の国際標準化活動も対象として、変革する産業構造にも迅速に対応すべく、政策的な標準化を各分野別委員会で検討を重ねている。図1に本年度の標準化委員会組織図を示す。

2011年度、新規事業として、経済産業省（METI）から受託した、国際標準共同研究開発事業「高速車載LAN用光伝送サブシステムの試験方法に関する標準化」および三菱総合研究所（MRI）から受託した国際標準開発事業「光通信システムのスマート化に適用した光部品の国際標準化」についは、２か年目を迎え、IECへの国際提案も順調に進展した。

また、本年度は、国際標準共同研究開発事業「光ファイバセンサに関する国際標準化フィージビリティスタディ」をMETIから、「レーザ機器の安全・安心に関する調査研究」を補助事業としてJKAからそれぞれ受託した他、例年通り、多数のJIS案件を日本規格協会（JSA）公募により作成した。

当協会が作成したJIS原案は、委員会委員は元より関係諸機関の多大な御尽力により、本年度も29件の制定・改正がなされるに至った。本年度までに当協会各分野別標準化委員会で素案作成を行い制定されたJISを表１に、またOITDA規格及び技術資料（TP）を表２に示し、以下各委員会の活動について報告する。

光産業技術標準化総合委員会（標準化総会）

光産業技術標準化技術委員会（技術委員会） 光ファイバ標準化委員会

光コネクタ標準化委員会

光増幅器標準化委員会

光測定器標準化委員会

光受動部品標準化委員会

光能動部品標準化委員会

ファイバオプティクス標準化委員会

建物内光配線システム専門委員会

光サブシステム標準化委員会

ISO/TC 172/SC 9国内対策委員会

光ディスク標準化委員会

メディア専門委員会

アプリケーション専門委員会

フォーマット専門委員会

TC 76/レーザ安全性標準化委員会

企画調整専門委員会

ダイナミックモジュール専門委員会

図１　標準化委員会組織図（2012年度）

技術情報レポート2012年度OITDA

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標　準　化

表１　オプトエレクトロニクス日本工業規格（JIS）リスト（2013年03月29日現在）

委 員 会 規　　格　　名　　称 番 号 制定改正日

光ファイバ 1 光ファイバ通則 JIS C 6820 改 2009/12/21

2 光ファイバ機械特性試験方法 JIS C 6821 改 1999/07/20

3 光ファイバ構造パラメータ試験方法－寸法特性 JIS C 6822 改 2009/12/21

4 光ファイバ損失試験方法 JIS C 6823 改 2010/03/23

5 マルチモード光ファイバ帯域試験方法 JIS C 6824 改 2009/12/21

6 光ファイバ構造パラメータ試験方法－光学的特性 JIS C 6825 改 2009/12/21

7 光ファイバ波長分散試験方法 JIS C 6827 改 2005/01/20

8 光ファイバコード JIS C 6830 改 1998/02/20

9 光ファイバ心線 JIS C 6831 改 2001/08/20

10 石英系マルチモード光ファイバ素線 JIS C 6832 改 2009/03/20

11 多成分系マルチモード光ファイバ素線 JIS C 6833 改 1999/02/20

12 プラスチッククラッドマルチモード光ファイバ素線 JIS C 6834 改 1999/02/20

13 石英系シングルモード光ファイバ素線 JIS C 6835 改 2012/01/20

14 全プラスチックマルチモード光ファイバコード JIS C 6836 改 1999/04/20

15 全プラスチックマルチモード光ファイバ素線 JIS C 6837 改 2008/10/20

16 テープ形光ファイバ心線 JIS C 6838 改 2001/03/20

17 屋内用テープ形光ファイバコード JIS C 6839 改 2008/01/20

18 光ファイバ偏波クロストーク試験方法 JIS C 6840 制 2006/03/25

19 光ファイバ心線融着接続方法 JIS C 6841 改 1999/07/20

20 光ファイバ偏波モード分散試験方法 JIS C 6842 制 2012/05/21

21 光ファイバケーブル通則 JIS C 6850 改 2006/01/20

22 光ファイバケーブル特性試験方法 JIS C 6851 改 2006/01/20

23 全プラスチックマルチモード光ファイバ機械特性試験方法 JIS C 6861 改 1999/04/20

24 マルチモード光ファイバモード遅延時間差試験方法 JIS C 6864 制 2008/01/20

25 光ファイバケーブル－第2部：屋内ケーブル－品種別通則 JIS C 6870‒2 制 2006/11/20

26 光ファイバケーブル－第2‒10部：屋内ケーブル－1心及び2心光ファイバケーブル品種別通則

JIS C 6870‒2‒10 制 2008/01/20

27 光ファイバケーブル－第2‒11部：屋内ケーブル－構内配線用1心及び2心光ファイバケーブル細則

JIS C 6870‒2‒11 制 2009/12/21

28 光ファイバケーブル－第2‒20部：屋内ケーブル－屋内配線用多心光ファイバケーブル品種別通則

JIS C 6870‒2‒20 制 2008/01/20

29 光ファイバケーブル－第2‒21部：屋内ケーブル－構内配線用多心光ファイバケーブル細則

JIS C 6870‒2‒21 制 2009/12/21

30 光ファイバケーブル－第2‒31部：屋内ケーブル－構内配線用テープ形光ファイバコード細則

JIS C 6870‒2‒31 制 2009/12/21

31 光ファイバケーブル－第3部：屋外ケーブル－品種別通則 JIS C 6870‒3 制 2006/11/20

32 光ファイバケーブル－第3‒10部：屋外ケーブル－ダクト・直埋用及びラッシング形架空用光ファイバケーブル品種別通則

JIS C 6870‒3‒10 制 2011/01/20

33 光ファイバケーブル－第3‒20部：屋外ケーブル－自己支持形架空用光ファイバケーブル品種別通則

JIS C 6870‒3‒20 制 2011/01/20

34 偏波面保存光ファイバ構造パラメータ試験方法 JIS C 6871 制 2008/10/20

35 偏波面保存光ファイバビート長試験方法 JIS C 6872 制 2008/10/20

36 偏波面保存光ファイバ素線 JIS C 6873 制 2009/12/21

光コネクタ 1 光ファイバコネクタ通則 JIS C 5962 改 2001/03/20

2 光ファイバコネクタ試験方法 JIS C 5961 改 2005/02/20

光ファイバコネクタ試験方法（追補1） JIS C 5961 改 2009/07/20

技術情報レポート2012年度OITDA

32

標　準　化

委 員 会 規　　格　　名　　称 番 号 制定改正日

光コネクタ 3 光ファイバコード付き光コネクタ通則 JIS C 5963 制 2001/03/20

4 光ファイバコネクタかん合標準－第5部：MTコネクタ類（F12形） JIS C 5964‒5 制 2012/05/21

5 光ファイバコネクタかん合標準－第7部：MPOコネクタ類（F13） JIS C 5964‒7 制 2010/03/23

6 光ファイバコネクタかん合標準－第20部：LC形光コネクタ類 JIS C 5964‒20 制 2009/07/20

7 光ファイバコネクタ光学互換－第1部：シングルモード（1310nmゼロ分散形）光ファイバ用光学互換標準の通則

JIS C 5965‒1 制 2009/07/20

8 光ファイバコネクタ光学互換－第2‒1部：シングルモード直角PC端面光ファイバ光学互換標準の指針

JIS C 5965‒2‒1 制 2011/10/20

9 光ファイバコネクタ光学互換－第2‒2部：シングルモード斜めPC端面光ファイバ光学互換標準の指針

JIS C 5965‒2‒2 制 2011/10/20

10 光ファイバコネクタ光学互換－第3‒1部：シングルモード光ファイバ用直径2.5mm及び1.25mm円筒形全ジルコニア直角PC端面フェルール光学互換標準

JIS C 5965‒3‒1 制 2011/10/20

11 光ファイバコネクタ光学互換－第 3‒2部：シングルモード光ファイバ用直径2.5mm及び1.25mm円筒形全ジルコニア8度斜めPC端面フェルール光学互換標準

JIS C 5965‒3‒2 制 2011/10/20

12 F01形単心光ファイバコネクタ JIS C 5970 改 2005/12/20

13 F02形単心光ファイバコネクタ JIS C 5971 改 1998/05/20

14 F03形単心光ファイバコネクタ JIS C 5972 改 1998/05/20

15 F04形光ファイバコネクタ JIS C 5973 改 2005/12/20

16 F05形単心光ファイバコネクタ JIS C 5974 改 1998/05/20

17 F06形単心光ファイバコネクタ JIS C 5975 改 1998/05/20

18 F07形2心光ファイバコネクタ JIS C 5976 改 2001/03/20

19 F08形2心光ファイバコネクタ JIS C 5977 改 1998/05/20

20 F09形単心光ファイバコネクタ JIS C 5978 改 1998/05/20

21 F10形単心光ファイバコネクタ JIS C 5979 改 1998/05/20

22 F11形光ファイバコネクタ JIS C 5980 改 1998/05/20

23 F12形多心光ファイバコネクタ（MTコネクタ） JIS C 5981 改 2012/05/21

24 F13形多心光ファイバコネクタ（MPOコネクタ） JIS C 5982 改 2010/03/23

25 F14形光ファイバコネクタ JIS C 5983 改 2006/01/20

26 F15形光ファイバコネクタ JIS C 5984 制 2001/03/20

27 F16形光ファイバコネクタ JIS C 5985 制 2001/03/20

28 F17形光ファイバコネクタ JIS C 5986 制 2006/11/20

29 F18形光ファイバコネクタ JIS C 5987 制 2005/12/20

30 F19形光ファイバコネクタ JIS C 5988 制 2005/12/20

31 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒2部：繰返しかん合試験

JIS C 61300‒2‒2 制 2011/03/22

32 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒5部：光ファイバクランプ強度試験（ねじり）［IEC 61300‒2‒5: 2009］

JIS C 61300‒2‒5 制 2013/03/21

33 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒15部：結合部ねじり試験

JIS C 61300‒2‒15 制 2012/05/21

34 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒4部：損失測定 JIS C 61300‒3‒4 制 2011/03/22

35 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒11部：結合力及び離脱力測定　［IEC 61300‒3‒11: 1995］

JIS C 61300‒3‒11 制 2013/03/21

36 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒15部：球面研磨光ファイバコネクタのフェルール端面の頂点偏心量測定

JIS C 61300‒3‒15 制 2012/05/21

37 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒16部：球面研磨光ファイバコネクタのフェルール端面の曲率半径測定

JIS C 61300‒3‒16 制 2012/05/21

38 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒24部：偏波面保存光ファイバ付き光ファイバコネクタのキー位置精度測定

JIS C 61300‒3‒24 制 2012/11/20

39 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒26部：光ファイバとフェルール軸との角度ずれの測定

JIS C 61300‒3‒26 制 2011/03/22

40 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒27部：多心光ファイバコネクタプラグの穴位置測定

JIS C 61300‒3‒27 制 2012/05/21

技術情報レポート2012年度OITDA

33

委 員 会 規　　格　　名　　称 番 号 制定改正日

光コネクタ 41 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒30部：多心光ファイバコネクタ用フェルールの研磨角度及び光ファイバ位置測定

JIS C 61300‒3‒30 制 2010/05/20

42 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒34部：ランダム接続時の挿入損失

JIS C 61300‒3‒34 制 2012/11/20

43 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒36部：光ファイバコネクタフェルールの内径及び外径の測定

JIS C 61300‒3‒36 制 2012/05/21

光受動部品 1 空間ビーム光用受動部品通則 JIS C 5860 改 2012/11/20

2 干渉フィルタ通則 JIS C 5870 改 2009/03/20

3 干渉フィルタ試験方法 JIS C 5871 改 2011/01/20

4 位相子通則 JIS C 5876‒1 制 2009/03/20

5 偏光子通則 JIS C 5877‒1 制 2009/03/20

6 偏光子試験方法 JIS C 5877‒2 制 2012/01/20

7 光伝送用受動部品通則 JIS C 5900 改 2013/03/21

8 光伝送用受動部品試験方法 JIS C 5901 改 2001/03/20

光伝送用受動部品試験方法（追補1） JIS C 5901 改 2009/07/20

9 光ブランチングデバイス通則（波長選択性のないもの） JIS C 5910 改 2006/11/20

10 波長スイッチ通則 JIS C 5912 制 2006/03/25

11 光サーキュレータ通則 JIS C 5914 改 2013/03/21

12 シングルモード光ファイバピッグテール型光サーキュレータ JIS C 5915 制 2009/12/21

13 光伝送用分散補償器通則 JIS C 5916 改 2012/05/21

14 光減衰器通則 JIS C 5920 改 2005/12/20

15 シングルモード光ファイバピッグテール型固定光減衰器 JIS C 5921 制 2009/12/21

16 WDMデバイス通則 JIS C 5925‒1 制 2011/10/20

17 シングルモード光ファイバピッグテール形C/LバンドWDMデバイス JIS C 5925‒3 制 2011/01/20

18 シングルモード光ファイバピッグテール形980/1550nm WWDMデバイス JIS C 5925‒4 制 2011/01/20

19 光スイッチ通則 JIS C 5930 改 2005/12/20

20 光スイッチ試験方法 JIS C 5931 制 1988/11/01

21 光アイソレータ通則 JIS C 5932 改 2012/05/21

22 光アイソレータ試験方法 JIS C 5933 改 2012/11/20

23 光伝送用レンズ通則 JIS C 5934 制 1999/07/20

24 光伝送用レンズ試験方法 JIS C 5935 制 2005/01/20

25 シングルモード光ファイバピッグテール形光アイソレータ JIS C 5936‒3 制 2011/01/20

26 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第1部：通則 JIS C 61300‒1 制 2009/07/20

27 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒1部：正弦波振動試験

JIS C 61300‒2‒1 制 2012/11/20

28 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒9部：衝撃試験 JIS C 61300‒2‒9 制 2012/11/20

29 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒12部：落下衝撃試験

JIS C 61300‒2‒12 制 2011/01/20

30 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒14部：光パワー損傷のしきい値試験

JIS C 61300‒2‒14 制 2011/01/20

31 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒17部：低温試験

JIS C 61300‒2‒17 制 2009/07/20

32 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒18部：高温試験

JIS C 61300‒2‒18 制 2009/07/20

33 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒19部：高温高湿試験（定常状態）

JIS C 61300‒2‒19 制 2009/07/20

34 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒21部：混合温湿度サイクル試験

JIS C 61300‒2‒21 制 2012/11/20

35 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒22部：温度サイクル試験

JIS C 61300‒2‒22 制 2012/01/20

技術情報レポート2012年度OITDA

34

標　準　化

委 員 会 規　　格　　名　　称 番 号 制定改正日

光受動部品 36 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒26部：塩水噴霧試験

JIS C 61300‒2‒26 制 2013/03/21

37 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒45部：浸水試験

JIS C 61300‒2‒45 制 2009/07/20

38 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒46部：湿熱サイクル試験

JIS C 61300‒2‒46 制 2011/03/22

39 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒47部：熱衝撃試験

JIS C 61300‒2‒47 制 2012/01/20

40 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第2‒48部：温湿度サイクル試験

JIS C 61300‒2‒48 制 2010/03/23

41 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒2部：シングルモード光デバイスの光損失及の偏光依存性

JIS C 61300‒3‒2 制 2012/01/20

42 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒3部：挿入損失及び反射減衰量変化のモニタ方法

JIS C 61300‒3‒3 制 2009/07/20

43 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒6部：反射減衰量測定

JIS C 61300‒3‒6 制 2011/01/20

44 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒7部：シングルモード光部品の光損失及び反射減衰量の波長依存性測定

JIS C 61300‒3‒7 制 2012/11/20

45 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒20部：波長選択性のない光ブランチングデバイスのディレクティビティ測定

JIS C 61300‒3‒20 制 2009/07/20

46 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒28部：過渡損失測定

JIS C 61300‒3‒28 制 2009/07/20

47 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒31部：光ファイバ光源の結合パワー比測定

JIS C 61300‒3‒31 制 2009/07/20

48 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒32部：光受動部品の偏波モード分散測定

JIS C 61300‒3‒32 制 2013/03/21

49 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品－基本試験及び測定手順－第3‒43部：光ファイバ光源のモードトランスファファンクション測定

JIS C 61300‒3‒43 制 2012/11/20

光能動部品 1 光伝送用半導体レーザ通則 JIS C 5940 改 1997/08/20

2 光伝送用半導体レーザ測定方法 JIS C 5941 改 1997/08/20

3 再生及び記録用半導体レーザ通則 JIS C 5942 改 2010/05/20

4 再生及び記録用半導体レーザ測定方法 JIS C 5943 改 2010/05/20

5 光伝送用半導体レーザモジュール通則 JIS C 5944 改 2005/04/20

6 光伝送用半導体レーザモジュール測定方法 JIS C 5945 改 2005/04/20

7 光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュール通則 JIS C 5946 制 2005/01/20

8 光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュール測定方法 JIS C 5947 制 2005/01/20

9 光伝送用半導体レーザモジュールの信頼性評価方法 JIS C 5948 制 2007/03/20

10 光伝送用発光ダイオード通則 JIS C 5950 改 1997/08/20

11 光伝送用発光ダイオード測定方法 JIS C 5951 改 1997/08/20

12 光伝送用能動部品－パッケージ及びインタフェース標準－第1部：総則 JIS C 5952‒1 制 2008/09/20

13 光伝送用能動部品－パッケージ及びインタフェース標準－第2部：MT‒RJ（F19形）コネクタ付10ピンSFF形光トランシーバ

JIS C 5952‒2 制 2008/09/20

14 光伝送用能動部品－パッケージ及びインタフェース標準－第3部：MT‒RJ（F19形）コネクタ付20ピンSFF形光トランシーバ

JIS C 5952‒3 制 2008/09/20

15 光伝送用能動部品－パッケージ及びインタフェース標準－第4部：PNコネクタ付1×9ピンプラスチック光ファイバ光トランシーバ

JIS C 5952‒4 制 2008/09/20

16 光伝送用能動部品－パッケージ及びインタフェース標準－第5部：SC（F04形）コネクタ付1×9ピン光送信・受信モジュール及び光トランシーバ

JIS C 5952‒4 制 2008/09/20

17 光伝送用能動部品－パッケージ及びインタフェース標準－第6部：ATM‒PON用光トランシーバ

JIS C 5952‒6 制 2008/09/20

18 光伝送用能動部品－パッケージ及びインタフェース標準－第7部：LCコネクタ付10ピンSFF形光トランシーバ

JIS C 5952‒7 制 2008/09/20

19 光伝送用能動部品－パッケージ及びインタフェース標準－第8部：LCコネクタ付20ピンSFF形光トランシーバ

JIS C 5952‒8 制 2008/09/20

20 光伝送用能動部品－パッケージ及びインタフェース標準－第9部：MU（F14形）コネクタ付10ピンSFF形光トランシーバ

JIS C 5952‒9 制 2008/09/20

技術情報レポート2012年度OITDA

35

委 員 会 規　　格　　名　　称 番 号 制定改正日

光能動部品 21 光伝送用能動部品－パッケージ及びインタフェース標準－第10部：MU（F14形）コネクタ付20ピンSFF形光トランシーバ

JIS C 5952‒10 制 2008/09/20

22 光伝送用能動部品－パッケージ及びインタフェース標準－第11部：14ピン変調器集積形半導体レーザ送信モジュール

JIS C 5952‒11 制 2008/09/20

23 光伝送用能動部品－パッケージ及びインタフェース標準－第12部：同軸形高周波コネクタ付半導体レーザ送信モジュール

JIS C 5952‒12 制 2008/09/20

24 光伝送用能動部品－性能標準－第1部：総則 JIS C 5953‒1 制 2007/03/20

25 光伝送用能動部品－性能標準－第3部：2.5Gbit/s変調器集積形半導体レーザモジュール

JIS C 5953‒3 制 2007/03/20

26 光伝送用能動部品－性能標準－第4部：1 300nmギガビットイーサネット用光トランシーバ

JIS C 5953‒4 制 2008/09/20

27 光伝送用能動部品－性能標準－第5部：半導体レーザ駆動回路及びクロックデータ再生回路内蔵ATM‒PON用光トランシーバ

JIS C 5953‒5 制 2008/10/20

28 光伝送用能動部品－性能標準－第6部：650nm，250 Mbit/s プラスチック光ファイバ伝送用光トランシーバ

JIS C 5953‒6 制 2009/03/20

29 光伝送用能動部品－試験及び測定方法－第1部：総則 JIS C 5954‒1 制 2008/10/20

30 光伝送用能動部品－試験及び測定方法－第2部：ATM‒PON用光トランシーバ JIS C 5954‒2 制 2008/10/20

31 光伝送用能動部品－試験及び測定方法－第3部：単心直列伝送リンク用光送・受信モジュール

JIS C 5954‒3 制 2013/03/21

32 光伝送用フォトダイオード通則 JIS C 5990 改 1997/08/20

33 光伝送用フォトダイオード測定方法 JIS C 5991 改 1997/08/20

34 低速光伝送リンク用送・受信モジュール通則 JIS C 6110 改 1997/11/20

35 低速光伝送リンク用送・受信モジュール測定方法 JIS C 6111 改 1997/11/20

36 光変調器モジュール通則 JIS C 6114‒1 制 2006/01/20

37 光変調器モジュール測定方法 JIS C 6114‒2 制 2006/01/20

38 pin‒FETモジュール通則 JIS C 6115‒1 制 2006/01/20

39 pin‒FETモジュール測定方法 JIS C 6115‒2 制 2006/01/20

光増幅器 1 光増幅器－通則 JIS C 6121 改 2010/03/23

2 光増幅器－第5‒2部：品質評価規格－光ファイバ増幅器の信頼性評価 JIS C 6121‒5‒2 制 2007/03/20

3 光増幅器－測定方法－第1‒1部：パワーパラメータ及び利得パラメータ光スペクトラムアナライザ法 ［IEC 61290‒1‒1: 2006］

JIS C 6122‒1‒1 制 2011/03/22

4 光増幅器－測定方法－第1‒2部：パワーパラメータ及び利得パラメータ電気スペクトラムアナライザ法 ［IEC 61290‒1‒2: 2005］

JIS C 6122‒1‒2 制 2011/03/22

5 光増幅器－測定方法－第1‒3部：パワーパラメータ及び利得パラメータ光パワーメータ法 JIS C 6122‒1‒3 制 2011/03/22

6 光増幅器－測定方法－第3部：雑音指数パラメータ ［IEC 61290‒3: 2008］ JIS C 6122‒3 改 2011/03/22

7 光増幅器－測定方法－第3‒1部：雑音指数パラメータ－光スペクトラムアナライザ法 ［IEC 61290‒3‒1: 2003］

JIS C 6122‒3‒1 制 2011/10/20

8 光増幅器－測定方法－第3‒2部：雑音指数パラメータ－電気スペクトラムアナライザ試験方法

JIS C 6122‒3‒2 制 2006/01/20

9 光ファイバ増幅器－測定方法－第5‒1部：反射率パラメータ測定方法－光スペクトラムアナライザを用いた測定方法

JIS C 6122‒5‒1 制 2001/08/20

10 光ファイバ増幅器－測定方法－第6部：漏れ励起光パラメータ測定方法 JIS C 6122‒6 制 1998/02/20

11 光ファイバ増幅器－測定方法－第7部：増幅波長帯域外挿入損失測定方法 JIS C 6122‒7 制 1998/02/20

12 光増幅器－測定方法－第10‒1部：マルチチャネルパラメータ－光スイッチ及び光スペクトラムアナライザを用いたパルス法

JIS C 6122‒10‒1 制 2007/03/20

13 光増幅器－測定方法－第10‒2部：マルチチャネルパラメータ－ゲート付き光スペクトラムアナライザを用いたパルス法

JIS C 6122‒10‒2 制 2010/03/23

14 光増幅器－測定方法－第10‒3部：マルチチャネルパラメータ－プローブ法 ［IEC 61290‒10‒3: 2002］

JIS C 6122‒10‒3 制 2012/01/20

15 光増幅器－測定方法－第10‒4部：マルチチャネルパラメータ－光スペクトラムアナライザを用いた補間法 ［IEC 61290‒10‒4:2007］

JIS C 6122‒10‒4 制 2012/11/20

16 光増幅器－測定方法－第11‒1部：偏波モード分散パラメータ－ジョーンズマトリクス固有値解析（JME）法

JIS C 6122‒11‒1 制 2010/05/20

技術情報レポート2012年度OITDA

36

標　準　化

委 員 会 規　　格　　名　　称 番 号 制定改正日

光増幅器 17 光増幅器－性能仕様テンプレート－第1部：デジタル用光ファイバ増幅器 JIS C 6123‒1 制 2005/01/20

18 光増幅器－性能仕様テンプレート－第4部：マルチチャネル用光増幅器 JIS C 6123‒4 制 2008/01/20

19 光増幅器－光増幅器における光損傷及び安全に関する光パワーの許容限界 TR C 0047 公 2007/10/01

20 光増幅器－一般情報－偏波モード分散パラメータ TR C 0048 公（限

2010/07/012015/06/30）

光サブシステム

1 光ファイバ通信サブシステム試験方法－中心波長及びスペクトル幅測定 JIS C 61280‒1‒3 制 2010/05/20

2 光ファイバ通信サブシステム試験方法－受信感度及びオーバロード測定 JIS C 61280‒2‒1 制 2010/05/20

3 光ファイバ通信サブシステム試験方法－光アイパターン，光波形及び消光比測定 JIS C 61280‒2‒2 制 2010/05/20

4 光ファイバ通信サブシステム試験方法－Q値測定を用いた低ビット誤り率の決定法 JIS C 61280‒2‒8 制 2010/05/20

5 光ファイバ通信サブシステム試験方法－高密度波長分割多重システムの光信号対雑音比測定

JIS C 61280‒2‒9 制 2010/05/20

6 光ファイバ通信サブシステム試験方法－第2‒10部：レーザ送信器の時間分解チャープ及びアルファファクタ測定

JIS C 61280‒2‒10 制 2012/01/20

7 光ファイバ通信サブシステム試験方法－光信号品質評価のための強度ヒストグラム評価を用いた平均化Q値測定

JIS C 61280‒2‒11 制 2010/05/20

8 光ファイバ通信サブシステム通則 JIS C 61281‒1 制 2010/05/20

9 光ファイバ通信システム設計ガイド－時間分解チャープ測定による分散ペナルティの計算法

TR C 0046‒2 公（限

2012/01/012016/12/31）

光測定器 1 レーザ出力測定方法 JIS C 6180 制 1991/08/01

2 レーザ放射パワー及びエネルギー測定用検出器，測定器及び測定装置 JIS C 6181 制 1995/01/01

3 レーザビーム用光パワーメータ試験方法 JIS C 6182 制 1991/08/01

4 光スペクトラムアナライザ試験方法 JIS C 6183 制 1992/09/01

5 光ファイバ用光パワーメータ試験方法 JIS C 6184 制 1993/10/01

6 オプティカルタイムドメインリフレクトメータ（OTDR）試験方法 JIS C 6185 改 2008/01/20

7 オプティカルタイムドメインリフレクトメータ（OTDR）校正方法 JIS C 6185‒2 制 2007/08/20

8 光ファイバ用光パワーメータ校正方法 JIS C 6186 改 2008/01/20

9 光波長計試験方法 JIS C 6187 制 1999/07/20

10 測定用光減衰器試験方法 JIS C 6188 制 1999/07/20

11 光反射減衰量測定器試験方法 JIS C 6189 制 2004/03/20

12 光ファイバ用光源試験方法 JIS C 6190 制 1993/10/01

13 波長可変光源試験方法 JIS C 6191 制 2005/04/20

14 光スペクトラムアナライザ校正方法 JIS C 6192 制 2008/01/20

15 光ファイバ構造パラメータ測定器校正方法 JIS C 6828 制 2004/03/20

16 光ファイバ波長分散測定器校正方法 JIS C 6829 制 2005/01/20

レーザ安全性

1 レーザ製品の安全基準 ［IEC 60825‒1: 2007］ JIS C 6802 改 2011/03/22

2 レーザ製品の安全－光ファイバ通信システムの安全 JIS C 6803 制 2006/01/20

3 レーザ製品の安全－情報伝送のための光無線通信システムの安全 JIS C 6804 制 2008/10/20

光ディスク 1 情報交換用CD‒ROMのボリューム及びファイル構造 JIS X 0606 改 1998/10/20

2 非逐次記録を用いる追記形及び書換形の情報交換用媒体のボリューム及びファイルの構造［要約］　

JIS X 0607 制 1996/03/01

非逐次記録を用いる追記形及び書換形の情報交換用媒体のボリューム及びファイルの構造［要約］（追補1）

JIS X 0607 改 2001/03/20

3 再生専用形及び追記形の情報交換用コンパクトディスク媒体のボリューム及びファイルの構造［要約］

JIS X 0608 制 1997/10/20

4 情報交換用非逐次記録高密度光ディスクのボリューム構造及びファイル構造 JIS X 0609 制 1998/02/20

情報交換用非逐次記録高密度光ディスクのボリューム構造及びファイル構造（追補1） JIS X 0609 改 2012/11/20

5 DVD ‒ 再生専用ディスクのボリューム構造及びファイル構造 JIS X 0610 制 2006/03/25

6 ユニバーサルディスクフォーマット（UDF）2.01 JIS X 0611 制 2012/02/20

7 DVD ‒ レコーダブルディスク（DVD‒R）のボリューム構造及びファイル構造 JIS X 6235 制 2009/10/20

技術情報レポート2012年度OITDA

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委 員 会 規　　格　　名　　称 番 号 制定改正日

光ディスク 8 DVD ‒ 書換形ディスク（DVD‒RAM）のボリューム構造及びファイル構造 JIS X 6236 制 2009/10/20

9 DVD ‒ リレコーダブルディスク（DVD‒RW）のボリューム構造及びファイル構造 JIS X 6237 制 2009/10/20

10 120mm DVD ‒ 再生専用ディスク JIS X 6241 改 2004/12/20

11 80mm DVD ‒ 再生専用ディスク JIS X 6242 改 2004/12/20

12 120mm DVD ‒ 書換形ディスク（DVD‒RAM） JIS X 6243 制 1998/01/20

13 120mm DVD ‒ RAMディスク用ケース JIS X 6244 制 1998/01/20

14 80mm（1.23GB/面）及び120mm（3.95GB/面）DVD ‒ レコーダブルディスク（DVD‒R） JIS X 6245 制 1999/03/20

15 120mm（4.7GB/面）及び80mm（1.46GB/面）DVD‒書換形ディスク（DVD‒RAM） JIS X 6246 制 2005/08/20

16 120mm及び80mm DVD‒RAMディスク用ケース JIS X 6247 制 2005/08/20

17 80mm（1.46GB/面）及び120mm（4.70GB/面）DVDリレコーダブルディスク（DVD‒RW） JIS X 6248 制 2007/01/20

18 80mm（1.46GB/面）及び120mm（4.70GB/面）DVDリレコーダブルディスク（DVD‒R） JIS X 6249 制 2009/04/20

19 120mm（4.7GB/面）及び80mm（1.46GB/面）+RWフォーマット光ディスク（4倍速まで） JIS X 6250 制 2009/04/20

20 120mm（4.7GB/面）及び80mm（1.46GB/面）+Rフォーマット光ディスク（16倍速まで） JIS X 6251 制 2009/04/20

21 120mm（8.54Gbytes/面）及び80mm（2.66Gbytes/面）2層DVDレコーダブルディスク（DVD‒R for DL）

JIS X 6252 制 2011/09/20

22 DVD‒R，DVD‒RW，DVD‒RAM，+R及び+RWディスクのためのデータ移行方法 JIS X 6255 制 2011/05/20

23 130mm追記形光ディスクカートリッジ JIS X 6261 制 1991/01/01

24 情報交換用90mm/2.3GB光ディスクカートリッジ JIS X 6270 制 2011/01/20

情報交換用90mm/2.3GB光ディスクカートリッジ（追補1） JIS X 6270 改 2012/11/20

25 130mm書換形光ディスクカートリッジ JIS X 6271 制 1991/08/01

26 90mm書換形及び再生専用形 光ディスクカートリッジ JIS X 6272 制 1992/09/01

90mm書換形及び再生専用形 光ディスクカートリッジ（追補1） JIS X 6272 改 2012/11/20

27 90mm / 230MB光ディスクカートリッジ［要約］ JIS X 6275 改 2012/09/20

28 90mm / 640 MB光ディスクカートリッジ［要約］ JIS X 6277 改 2012/09/20

29 情報交換用90mm/1.3GB光ディスクカートリッジ JIS X 6279 制 2011/01/20

情報交換用90mm/1.3GB光ディスクカートリッジ（追補1） JIS X 6279 改 2012/11/20

30 情報交換用130mm/9.1GB光ディスクカートリッジ JIS X 6280 制 2011/01/20

31 120mm再生専用形光ディスク（CD‒ROM） JIS X 6281 改 2006/01/20

120mm再生専用形光ディスク（CD‒ROM）（追補1） JIS X 6281 改 2012/03/21

32 情報交換用120mm追記形光ディスク（CD‒R） JIS X 6282 制 2009/10/20

情報交換用120mm追記形光ディスク（CD‒R）（追補1） JIS X 6282 改 2012/03/21

33 情報交換用120mmリライタブル光ディスク（CD‒RW） JIS X 6283 制 2009/10/20

情報交換用120mmリライタブル光ディスク（CD‒RW）（追補1） JIS X 6283 改 2012/03/21

34 90mm / 1.3GB光ディスクカートリッジ（相変化光記録）［要約］ JIS X 6291 制 1998/07/20

35 120mm/650 MB光ディスクカートリッジ（相変化光記録，PDフォーマット）［要約］ JIS X 6292 制 1998/07/20

（注） 制：制定年月日、改：改正年月日を示す。 TR については、公：公表年月日、限：有効期限年月日を示す。

技術情報レポート2012年度OITDA

38

標　準　化

表２　光産業技術振興協会規格（OITDA規格）及びOITDA技術資料（TP）リスト（2013年03月29日現在）

委 員 会 　 規　　格　　名　　称 番 号 制定改正年月日

光受動部品標準化 1 Polarization mode dispersion measurement using polarization phase shift method for passive optical components

（日本語訳題名：偏波位相シフト法による光受動部品の偏波モード分散測定方法）

OITDA-PD012004（Ed.1）

制 2004/08/27

光ディスク標準化（フォーマット）

2 光ディスクエミュレーションシステム（Emulation System for Optical Disk） OITDA-DC012005（Ed.1）

制 2005/07/25

光受動部品標準化 3 Chromatic dispersion measurement using polarization phase shift（PPS）method for passive optical components（日本語訳題名：偏波位相シフト法による光受動部品の波長分散測定方法）

OITDA-PD022006（Ed.1）

制 2006/08/29

新型太陽電池標準化 4 色素増感太陽電池の性能評価方法（Evaluation method of performance for dye－sensitized solar devices）

OITDA-PV012009（Ed.1）

制 2009/03/30

光ディスク標準化（フォーマット）

5 再配置を少なくするファイル配置方策（File allocation system with minimized reallocation）

OITDA DC 022013（Ed.1）

制 2013/03/07

ファイバオプティクス標準化（建物内光配線システム）

6 FTTH対応 戸建住宅用光配線システム（Optical fiber distribution system for detached houses in FTTH）

TP01/BW（=TP-BW01）2011（Ed.3）

改 2011/08/03

ファイバオプティクス標準化（建物内光配線システム）

7 FTTH対応 集合住宅用光配線システム（Optical fiber distribution system for apartment houses in FTTH）

TP02/BW（=TP-BW02）2011（Ed.3）

改 2011/08/03

ファイバオプティクス標準化（建物内光配線システム）

8 プラスチック光ファイバ（POF）建物内光配線システム（Plastic optical fiber distribution system for customer premises）

OITDA/TP 03/BW（=TP-BW03）2012（Ed.3）

改 2012/06/28

光部品・モジュール安全信頼性国際標準提案及び光受動部品標準化

9 通信用光受動部品のハイパワー信頼性に関する調査（Technical paper of investigation of high－power reliability for passive optical components for optical communication application）

TP04/SP・PD2008（Ed.1）

公 2008/08/28

光部品・モジュール安全信頼性国際標準提案及びファイバオプティクス標準化

（ダイナミックモジュール）

10 通信用光部品・モジュールの動作中の振動衝撃試験法に関する調査（Investigation on operational vibration and mechanical impact test conditions for optical modules for telecom use）

TP05/SP・DM2008（Ed.1）

公 2008/08/28

光部品・モジュール安全信頼性国際標準提案及びファイバオプティクス標準化

（ダイナミックモジュール）

11 可変波長分散補償器のGDR測定法に関する検討（Group delay ripple measurement method for tunable dispersion compensators－Technical paper）

TP06/SP・DM2008（Ed.1）

公 2008/10/09

光増幅器標準化 12 光増幅器－光増幅器における四光波混合効果のための応用ガイド（Application guide for four－wave mixing effect in optical amplifiers）

TP07/AM2009（Ed.1）

公 2009/05/21

光増幅器標準化 13 光増幅器－光ファイバヒューズに関する一般情報（General information for optical fiber fuse）

TP08/AM2010（Ed.1）

公 2010/03/01

Sプロジェクト重点フォローアップ及び光受動部品標準化

14 プラグ形固定光減衰器のハイパワー信頼性に関する調査（Technical paper of investigation of high－power reliability for plug － style fixed optical attenuators）

TP09/SP・PD2010（Ed.1）

公 2010/03/25

光能動部品標準化 15 光増幅器励起用及びファイバレーザ励起用半導体レーザモジュールの信頼性評価方法に関するガイド

（Laser modules used for optical amplifiers and fiber lasers － Reliability assessment guide）

OITDA/TP 10/AD2012（Ed.1）

公 2012/07/10

ファイバオプティクス標準化（建物内光配線システム）

16 ビルディング内光配線システム（Optical fiber distribution system for customer premises）

OITDA/TP 11/BW2012（Ed.1）

公 2012/08/22

光通信システムのスマート化に適用した光部品の国際標準化提案

17 レセプタクル形光トランシーバの光コネクタ端面清掃に関するガイドライン（Guideline of optical connector endface cleaning method for receptacle style optical transceivers）

OITDA/TP 12/TP2012（Ed.1）

公 2012/11/01

光能動部品標準化 18 光伝送用能動部品 － 性能標準 － GEPON用光トランシーバ（Fiber optic active components and devices － Performance standards － GEPON transceivers）

OITDA/TP 13/AD2013（Ed.1）

公 2013/03/22

光能動部品標準化 19 光伝送用能動部品 － 試験及び測定方法 － GEPON用光トランシーバ（Fiber optic active components and devices － Test and measurement procedures － GEPON transceivers）

OITDA/TP 14/AD2013（Ed.1）

公 2013/03/22

技術情報レポート2012年度OITDA

39

2.　ファイバオプティクス標準化委員会ファイバオプティクス標準化活動を常に先行けん引すること

を目的に発足した本委員会は、ファイバオプティクス標準化活動全体の整合性と方向性とを合わせ、企画推進的な役割を担っている。また標準化の問題点について調整的役割を果たすとともに、国内の要望を国際に反映できるよう活動を行う。各標準化委員会ではJIS原案を作成して答申しているが、JISと国際標準との整合性が強くいわれ、新規開発する日本の優れた技術を国際標準（IEC規格等）に反映することが、重要な課題となっている。本委員会は、今年度このような問題意識に立脚し、JIS化と国際標準化における問題点の改善・戦略提案について重点的に取り組んだ。またJIS及び国際標準を補完するために本委員会で検討・導入した団体規格（OITDA規格）及びOITDA技術資料（TP）については、標準化の推進のためにそれらの制定・公表等の運用を発展させていく。

今年度は翼下に、企画調整専門委員会、ダイナミックモジュール専門委員会及び建物内光配線システム専門委員会の三つの専門委員会をもち活動を実施した。 （村田健治）

2.1　企画調整専門委員会⑴　目的・活動内容

効率的なJIS化・標準化活動に向けて、国際標準化をバックアップする視点からのJIS標準化戦略への対応、効率的なJIS原案作成のための問題点抽出と改善案の検討、すでに運用が始まっているOITDA規格及びTP（技術資料）の推進を継続して進める。

⑵　今年度の活動　⒜　標準化活動の基本スタンス

標準化戦略基本方針は、引き続き継続する。なお、国の標準化戦略・社会的要求も変化してきており、関係する事項に関しては必要に応じ見直し・補足を行う。

　⒝　IEC状況（ACTEL状況）紹介昨年度に引き続き、IEC/ACTEL［IECの標準管理評

議会（SMB）傘下にあるアクテル（ACTEL）：通信関係のアドバイザリコミッティ］の活動内容に関する紹介があり、情報を共有した。

　⒞　申請JISのJISC・JSA処理状況確認METI、JSA関係者の尽力もあり、申請しているJIS原案

の多くのJIS化が進み、今年度も多くのJISが制定された。また最近はJSAにJIS原案を提出してから発行までに要する日数も短縮される状況にあり、従来、1.5年～２年かかっていたのが、１年～1.5年に短縮化している。申請中のJIS提案数もまだ多いので、引き続き状況をフォローしていく。

　⒟　JIS原案作成の問題点　　◦JIS原案の公募区分の変更

H25年度からJIS公募が、４月開始（区分Ａ）、８月開始（区分Ｂ）及び12月開始（区分Ｃ）の年間３回となる。Ｈ22年度～Ｈ24年度は、４月開始（区分前期）及び12月開始（区分後期）の年間２回の公募であったので、年間にわたり、より平準化されることになる。

　　◦用語（IEC訳語）最近の通信やコンピュータ分野では、新しい技術用

語が多く、英語発音に対応したカタカナ表記も多い。委員会ごとに市場や応用、派生技術が異なる場合など、分野（委員会）により用いる用語が異なる場合がどうしても出てくるが、それぞれの委員会の事情を優先し、合わせるのは最低限とする考え方とした。例えば、「スペクトラム」と「スペクトル」の混用の件は、光サブシステム以外では「スペクトラムアナライザ」のみスペクトラムを用い、光サブシステムでは後ろに名詞が付くか付かないかで使い分けることとした。

　⒠　OITDA規格及びOITDA技術資料（TP）推進OITDA規格及びOITDA技術資料（TP）を光協会の英

語ページに掲載するニーズがあるとの指摘が委員からあり、どのように掲載するか事務局で検討することにした。

（村田健治）

2.2　ダイナミックモジュール専門委員会近年、長距離コア系ネットワークでは伝送速度100Gb/sのデ

ジタルコヒーレントシステムが商用導入されつつある。また、メトロ系ではROADM（Reconfigurable Optical Add/Drop Multiplexing）システムに代表されるフレキシブルなネットワーク構築が着 と々進んでいる。一方で、東日本大震災の経験から柔軟なルート設定を可能とする災害に強いネットワークの必要性が再認識されている。このような状況のもとで、光パス接続状態を動的に制御可能とするダイナミックモジュールの重要性は高まっており、IECにおいてもTC 86/SC 86C/WG 5 Dynamic Moduleグループにおいて標準化活動が行われている。

本専門委員会はIECダイナミックモジュール標準化に対応するJIS標準化組織として活動を行っている。ダイナミックモジュールに関するIEC規格審議文書検討および新規規格提案等のIEC国内委員会へのサポートを行い、日本技術がIEC規格に十分反映されるよう活動を進める。⑴　文書検討状況

総則、信頼性、性能 標準、O CM /OPM、ROA DM（WSS）、分散補償、制御インタフェース技術、ダイナミック特性等に関する以下のIEC規格審議文書を検討した。

◦ダイナミックモジュール総則（IEC 62343）◦ ダイナミック利得傾斜等化器性能標準

（IEC 62343-1-3）◦動作環境条件に関する性能標準（IEC 62343-1-4）◦ ダイナミックモジュール信頼性品質標準

（IEC 62343-2）◦OCM性能標準テンプレート（IEC 62343-3-2）◦FMEA技術レポート（IEC 62343-6-6）◦OCM技術レポート（IEC 62343-6-7）◦DVT及び信頼性試験に関するガイドライン文書

（IEC 62343-2、IEC 62343-1-4のAnnex（informative））

◦ ダイナミック波長分散補償器性能標準 （IEC 62343-1-2）

技術情報レポート2012年度OITDA

40

標　準　化

◦ROADM（WSS）テンプレート（IEC 62343-3-3）◦GDR技術レポート（IEC 62343-6-3）◦RODM技術レポート（IEC 62343-6-4）◦Transientクロストーク標準化検討

（IEC 62343-6-4 ROADM TR）◦ マルチキャストスイッチの調査

（IEC会合にて報告予定）◦WSS制御インタフェース標準（IEC 62343-4-1）◦ TDC制御インタフェース技術レポート

（IEC 62343-4-2）◦ 制御インタフェース調査結果技術レポート（OCM含む）

（IEC 62343-6-2）◦Transient特性技術レポート（IEC 62343-6-8）

⑵　国際標準化動向　⒜　サン・ルイス・オビスポ会合概要（2012年３月２日）

性能標準５件、性能テンプレート２件（OCM, WSS）、テクニカルレポート４件の審議が行われた。日本から、設計保証と信頼性ガイドラインに関する提案、過渡クロストークの検討状況報告、JIS活動のリエゾン報告を行った。ITU-Tから問い合わせがあったEOLスペックに関する質問に関して議論を行った。

　⒝　ケレタロ会合概要（2012年11月10日）総則１件、品質標準１件、性能標準２件、インタフェース

標準１件、性能テンプレート１件、テクニカルレポート７件について、審議が行われた。日本としては、プレゼンテーションを行いDM専門委員会の活動成果をアピールするとともに国内委員会で決定した方針に従い議論を行った。コンベナーより最新のCDC-ROADM関連新技術に関する提案があり、今後重要な技術であるという認識で一致しWG 5で取り扱うことを合意した。その中で日本としては、マルチキャストスイッチを担当することになった。

2.3　建物内光配線システム専門委員会総務省の発表によると、2012年９月時点でブロードバンド契

約者数が4,653.9万加入になっている。この内、光ファイバのFTTH契約者数は2,320.0万加入で、前年度比8.3%の増加になったが、ブロードバンド契約者数の占有率は49.9%とLTEなどモバイルブロードバンドの増加により後退した。各種FTTHサービスを受けるための住宅内の情報配線は、居住者または住宅・建物提供者（住宅メーカ、設計者等）自らがサービスを受けられる環境を整える必要がある。この対応として、当専門委員会では高速広帯域なデータ・映像サービスを利用するための光配線システムに関する標準化に取り組んでいる。

⑴　 OITDA技術資料TP 01/BW&TP 02/BW&TP 03/BW （第３版）の英訳海外での認知度を高めるために、OITDA技術資料TP 01

～03/BW（第３版）を英語に翻訳して、光協会ホームページに掲載することを進めている。全て英語翻訳は完了し、TP 01&02は掲載申請済みとなっている。一方、TP 03は掲載申請手続きを進める段階にある。

⑵　建物内光配線に関する技術情報収集　⒜　光ケーブル技術

ファイバでは、光配線の省スペース化および作業性の向上に向け許容曲げ半径がR=15～５mmの低曲げ損失SM型光ファイバが開発され、規格はITU-T G.657が制定されている。また、大容量伝送用としてマルチコアファイバなどの研究が進められている。光ケーブルでは、光ドロップケーブルでクマゼミ対策製品、インドアケーブルでは、低摩擦・低摩耗製品、ドアや窓サッシに２mmの隙間があれば配線できる製品並びに既設集合住宅用として外壁配線用などが開発されている。また、ビル・集合住宅用として中間後分岐作業が容易なＣスロット型、外皮を縦裂き出来る製品、予め分岐線が分岐加工された製品などがある。

　⒝　接続技術融着接続器はドロップケーブルの接続機能も加えた小

型製品が各社よりリリースされている。融着コネクタはコード内の抗張力繊維の固定に簡易なネジ方式を採用した製品や多心に対応した12MPOがラインナップされている。メカニカルスプライスは最近小型で簡易な製品が各社よりリリースされている。現場組立コネクタは細径インドアケーブル対応製品がリリースされている。

　⒞　施工技術施工中に工事車両によりファイバが引っかけられた際に

第３者への加害事故を防ぐためにドロップ光ファイバ切断用クリートが導入されている。また、既設戸建・集合住宅用として隙間配線、階段配線工法が開発されている。

　⒟　光システム光線路ネットワークの管理システムとして、光配線管理

システムでは、地図情報システム上に光線路のネットワークのデータベースを構築して一元管理を行うもので、建物内の管理機能を盛り込んだシステムも登場している。光線路システムは、光ケーブル内の心線を光パルス試験装置などにより定期的に監視するシステムである。代表的なシステムとしてNTTのAURORAがある。両者を連携することも進められている。

CATV事業者のFTTH構築技術として、RFoG（RF over Glass）システムが導入され、局側に光送信機・光受信機、加入者側にR-ONUの光端末機を追加するだけで、従来のHFC仕様設備がそのまま使用できる。但し、伝送速度は上り100Mbps、下り300Mbps程度が限界になる。尚、RFoGの使用波長や伝送距離などの標準化はSCTE（The Society of Cable Telecommunicat ions Engineers：米）で仕様が定められ、JCTEA（日本CATV技術協会）が国内の標準化を進めている。

　⒠　POF技術各家庭の隅 ま々で超高速の光ファイバを張り巡らせてそ

の先にいろいろな通信がつながる「光の毛細血管構想プロジェクト」が開始されている。この開発には大口径で簡単に接続できるファイバ技術が必要で、POFはモードノイズが少なくRadio over Fiberに適している。

技術情報レポート2012年度OITDA

41

　⒡　市場・業界関連新築住戸の場合光配線システムを装備させたいが、コス

ト面の問題で標準装備化までには至っていない。この対策として、映像、電話、インターネットを光配線により統合化してコストの低減を図ることが必要になる。一方、戸建住宅ではホームネットワークによるCat5eを中心としたLAN配線が主流であるが、光対応ネットワークシステムへの移行が進んでいる。大手住宅メーカの殆どが、光引込用の配管の準備および集中Boxなどのプラン設定を行っている。

⑶　 他関連団体に関する情報収集および建物内光配線に関する技術情報収集

　⒜　 一般社団法人 情報通信エンジニアリング協会（ITEA）第７回光通信工事技能競技会が開催された。光サービス

開通競技では女性が優勝し戦力になることが実証された。　⒝　一般社団法人 日本電設工業協会（JECA）

公共建設工事標準仕様書（電気設備工事編）および電気設備工事監理指針の改訂作業に関与している。現在、H25年度版作成に向けて改訂作業が進められている。

　⒞　一般社団法人 電子情報技術産業協会（JEITA）光情報配線標準化グループでは、前年度に引き続き光

ファイバ情報配線の設計、施工、試験に分けてトラブルシュートティングガイドの作成を進めてきたが、当面保留となった。また、マルチモード光ファイバ伝送の励振条件としてEF（Encircled Flux）の使用がJISで規定されており、光源・励起方法・測定線路をパラメータとして測定を行い、従来の励起器やマンドレルと比較すると、損失は前者が大きく測定されている。

　⒟　NPO高度情報通信推進協議会情報配線施工技術の発展・振興および人材育成などの

活動を行っており、技能五輪の競技にも深く関与している。本年度は次年度にドイツで開催予定の技能国際大会の選考も兼ねて、第50回技能五輪全国大会が長野県諏訪で開催された。

3.　光ファイバ標準化委員会光ファイバ標準化委員会では、光ファイバ及び関連する部

品・装置等の互換性、経済性、信頼性の確保をねらいとして光ファイバの国内標準を作成するための調査研究を続けている。また、国際標準との関係では、新規の国際標準に対応するためのJIS制定のほか、文書体系のIEC整合化を進めるとともに、国内外の光産業をめぐる動きなどにも注意を払い、タイムリーな標準化を行えるように活動を行っている。

3.1　偏波面保存光ファイバに関する検討今年度の偏波面保存光ファイバに関する標準化活動として、

制定済みJIS規格のIEC標準化への取り組み、既制定JISの見直しを行った。IEC/TR 62349は「Guidance of measurement methods and test procedures－Basic tests for polarization-maintaining optical fibres」と名称が改められ、今年度、CD文

書（86A/1453/CD）が回覧され、CDVに対するコメントへの対応を行った。来年度、TRとして文書化される見込みである。

一方、JIS C 6873 「偏波面保存光ファイバ素線」のIEC提案用素案の作成を行い、見直した製品規格案とともに、作成したIEC素案は今後IEC会合に提案する予定である。また、2008年に制定されたJIS C 6871「偏波面保存光ファイバ構造パラメータ試験方法」は、改定素案の審議を開始した。

3.2　光ファイバの標準化に関する検討今年度の光ファイバに関する標準化活動として、既制定JIS

の見直しについて検討を行った。光ファイバ素線及び試験方法に関する規格として、JIS C 6837「全プラスチックマルチモード光ファイバ素線」及びJIS C 6827「光ファイバ波長分散試験方法」について、対応する国際規格と整合を取る為、改正素案についての審議を開始した。

JIS C 6837の改正においては、全プラスチックステップインデックス形マルチモード光ファイバ素線PSI-980/1 000-A（対応国際規格のA4a）を２つに分割し、より低損失で広帯域な種類（対応国際規格のA4a.2）を追加する方針である。

JIS C 6827の改正案においては、全プラスチックグレーデッドインデックス形マルチモード光ファイバ（PGI-200/490, PGI-120/490, PGI-62.5/245）、石英系シングルモード1,550nmカットオフシフト形光ファイバ（SSMA・T）、石英系シングルモード1,310nmゼロ分散・低OH形光ファイバ（SSMA・U）、石英系シングルモード広波長域ノンゼロ分 散シフト形光ファイバ（SSME）を試験対象に追加し、各ファイバに適用する試験方法を規定している。また、石英系シングルモード分散フラット形光ファイバ（SSMC）を試験対象から削除している。

3.3　光ファイバケーブルの標準化に関する検討現在、JIS C 6851に対応するIEC 60794-1-2「Optical fibre

cables－Part1-2：Generic specification－Basic optical cable test procedures」は、IEC/SC 86A/WG 3にてEd.3.0の発行に向けた改訂作業がすすめられていることを受け、昨年度に引き続き、IECで改訂作業がすすめられている光ファイバケーブル試験方法に関して、その改訂を反映して既存のJISを改訂することを目的として活動を行った。

具体的には、60794-1-2の改訂途中のドラフトをもとに、個別の試験項目の内容の審議に先立って、新規の試験項目について国内で使用しうるものであるかという観点からのJIS規格化の要否の検討及びJIS化要と判断された試験項目についての和訳を行っている。

3.4.　国際標準化動向光ファイバに関連する国際標準化機関であるIECおよび

ITU-Tでは、技術の進展に伴い標準化作業も着 と々進められており、各会合に参加した当委員会委員よりそれぞれの審議状況について適宜報告を行いながら委員会活動を進めている。⑴　光ファイバに関する標準化動向

石英系GI型マルチモードファイバ（A1カテゴリ）規格（60793-2-10）において、主にデータセンタなどのビル内で

技術情報レポート2012年度OITDA

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標　準　化

の短距離リンクに使用されることを目的とした低曲げロス規格ファイバを追加する提案がなされている。BI-MMFのカテゴリコードの記載方法や、テーブル内の特性の記載方法等の審議がされた。BI-MMF関連文書は改訂が遅れているため、審議を促進させ、今後CDドラフトを用意する予定である。

全プラスチックマルチモードファイバ（A4カテゴリ）規格（60793-2-40）では、測定法規格の審議結論に基づいた修正を施すこととなった。

⑵　光ファイバケーブルに関する標準化動向IEC IEC/SC 86A/WG 3では、光ファイバケーブル試験

方法（IEC 60794-1-2）の分冊/再構成について、60794-1-20 Ed.1を60794-1-2 Ed.3に取り込む件は、両文書共に完成させた後、文書を改訂して結合することで合意しており、CDの投票が締め切られている。他の文書への影響を懸念し、現時点で統合すべきとの意見も出たが、文書発行を優先しそのまま進めることとした。早期の統合を進めるために60794-1-2 Ed.4の案はDCとして回覧される予定である。

4.　光コネクタ標準化委員会国内の通信トラフィックは引き続き年率40%の増加を続けて

いる。LTEを始めとする公衆無線通信技術の普及がトラフィックの伸びを牽引していると思われるが、無線基地局間のトラフィックを支えているのは光通信網であり、光通信網のより一層の大容量化が引き続き重要な課題となっている。本委員会で扱っている各種光コネクタは、光通信ネットワークの拡大のために不可欠のインタフェース部品であるとともに、一般家庭内にまで普及が始まっており、標準化が極めて重要な部品である。

WTO TBT協定に基づき、JISを、対応するIEC規格に整合させる必要がある。光コネクタは諸外国に比べ我が国において開発が先行し、JISからIEC提案されたものも数多く存在する。しかし、両者間では規格の体系が異なっているため、これまで制定してきたJIS規格体系を見直した上で、IEC規格との整合化作業を進めてきた。今後も個別規格の整合化とともに、次世代における各種光コネクタの技術動向に対し、JIS化もしくは技術的検証を積極的に進める必要がある。

4.1　委員会調査方針光コネクタに関わる経済・社会活動の利便性、効率、公正、

進歩及び製造・使用に対して安全や健康の保持、環境の保護のために、光コネクタの規格制定を通じて人為的に少数化、単純化、秩序化を行う。また、光コネクタ（技術）は汎用的な分野の製品（技術）と位置づけ、互換性の確保に努める。

利便性：互換性の確保効率：品種削減を通じての量産化等公正：消費者の利益の確保進歩：新しい知識の創造や新技術の開発・普及の支援等JIS化の判断基準としては、次の点を考慮する。◦ 複数社が製造・販売しているシステムや装置等の製品の

中で汎用的な製品（技術）として実績のある光コネクタ（技術）である。

◦ JISを策定する上で十分な技術的バックアップが得られる光コネクタ（技術）である。

◦ 関連特許に関する通常実施の支障が無いこと。なお、日本で開発された光コネクタ（技術）で世界的にも普

及し、IEC規格等の国際標準化の動きが見えるものに関しては、先行もしくは並行して規格化を進める。

4.2　委員会活動概要光コネクタ標準化委員会のWGについて、2004年度よりIEC

完全整合のための体系作りを主な目標とし、IEC文書の体系（通則・総則、かん合標準、性能標準、光学互換標準、試験・測定法等）毎にWGを組織し、議論を行った。この体制による4年間の活動により、新JIS体系および今後の進め方が概ね固まったので、2008年度より2003年度以前と同じく技術分野毎のWGを組織し、引き続き個別の規格についての内容の詳細な議論を中心とする活動を行っている。本年度は以下の項目について調査、試案化検討およびリエゾン活動を行った。

◦光コネクタ標準化の検討　光コネクタ個別規格の標準化検討　かん合標準の標準化検討　試験・測定方法の標準化検討◦リエゾン活動　IECにおけるリエゾン活動　JIS光受動部品標準化委員会におけるリエゾン活動　Ｔプロジェクト、Ｖプロジェクトにおけるリエゾン活動

5.　光受動部品標準化委員会光受動部品標準化委員会では、新規光受動部品の標準化

原案及び既制定JIS改正案の作成、光受動部品の試験法・測定法及びJIS性能標準に関する調査・検討、国際的な標準化の動向調査などを行っている。委員会の中に３つのワーキンググループ（WG）を編成し、委員会を９回開催して標準化活動を推進した。

5.1　 通則・総則、光学素子、信頼性及びハイパワー 評価に関する標準化（WG 1）

JIS C 5860（空間ビーム光用受動部品通則）、JIS C 5933（光アイソレータ試験方法）、JIS C 5900（光伝送用受動部品通則）及びJIS C 5914（光サーキュレータ通則）の改正は、JIS原案申出をして電子技術専門委員会の審議後、発行された。JIS C 5910（波長選択性のない光ブランチングデバイス通則）の改正は、JIS原案申出を完了した。光フィルタ通則の委員会案をJSAに提出し、偏光子通則の改正がH25区分Aに採択された。IEC総則審議文書対応として、分散補償器総則のIEC改正案作成とIEC会合での説明、WDMデバイス総則のCD回覧へのコメント対応、光スイッチ総則の改版案作成を行った。

5.2　試験・測定方法に関する標準化（WG 2）JIS C 61300-2-1（正弦波振動試験）、JIS C 61300-2-9

（衝撃試験）、JIS C 61300-2-21（混合温湿度サイクル試験）、JIS C 61300-3-7（シングルモード光部品の光損失及び

技術情報レポート2012年度OITDA

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反射減衰量の波長依存性測定）、JIS C 61300-3-43（光ファイバ光源のモードトランスファファンクション測定）、JIS C 61300-2-26（塩水噴霧試験）及びJIS C 61300-3-32（光受動部品の偏波モード分散測定）について、JIS原案申出をして電子技術専門委員会の審議後、発行された。JIS C 61300-1（基本試験及び測定手順の通則）改正がH25区分Aに採択され、JIS C 61300-3-38（群遅延、波長分散及び位相リップルの測定）制定に着手した。

5.3　 JIS個別規格・IEC性能標準に関する標準化 （WG 3）

JIS個別規格として、シングルモード光ファイバピッグテール形中規模1×N DWDMフィルタ及び光ファイバ形分散補償器のJIS原案申出を完了し、シングルモード光ファイバピッグテール形１×Ｎ及び２×Ｎ光ブランチングデバイスの制定がH25区分Ａに採択された。また、個別規格で規定する環境試験中の光学特性試験のモニタ項目に関するガイドラインを策定した。IECで審議中の性能標準文書に対してコメントを取りまとめ、国内委員会をサポートした。

5.4　 海外における標準化動向 （IECにおける審議動向）

IEC/TC 86/SC 86Bは、光ファイバ接続デバイス（光コネクタ、ファイバマネジメントシステム、クロージャ、スプライスなど）及び光受動部品に関する標準化を進めており、WG 4（試験・測定法）、WG 6（光接続部品）、WG 7（光受動部品）の３つのWGで作業を進めている。2012年４月にワルシャワ（ポーランド）、11月にケレタロ（メキシコ）で会合が開催された。⑴　光受動部品（WG 7）

総則、性能標準、信頼性文書及び技術レポートを審議している。総則は、機能、用語の定義、分類などを、性能標準は、光学特性及び環境試験を規定する。信頼性文書は、規格としての信頼性評価基準を規定し、技術レポートは技術情報を提供し規格ではない。今年度、総則は、光パワー制御部品総則及び光スイッチ総則が発行され、性能標準は、ピッグテール形光ヒューズ（カテゴリＣ）、プラグ形光ヒューズ（カテゴリＣ）、ピッグテール形光アイソレータ（カテゴリＣ）、1310/1490WWDM（カテゴリＯ）、ピッグテール形光サーキュレータ（カテゴリＣ）及び分散補償器（VIPA、カテゴリＣ）の６件が発行された。

2013年２月現在、メンテナンス文書を含め、22件の回覧文書（総則３件、性能標準15件、信頼性２件、技術レポート２件）があり、提案段階で審議待ちの性能標準文書（Working Draft）が３件ある。

⑵　試験・測定方法（WG 4）試験・測定方法は、61300シリーズで規格化され、光受動

部品測定法関連では、2013年２月現在、１件の新規文書（光スイッチのクロストーク測定）及び３件の改版文書（可変減衰器の減衰量の設定精度及び再現性測定、切換時間及びバウンス時間測定、DWDMデバイスの振幅透過特性測定）が審議されている。なお、61300-3-9（遠端クロストーク測定）

は、廃版されることが決定した。

5.5　今後の課題JIS通則は、IECで改版済み又は審議中の総則に対応して遅

滞なくJIS通則の改訂を進め、光コネクタ標準化委員会と共同で進めているIEC 61300シリーズの試験・測定法のJIS化を継続する。JIS C 5901（光伝送用受動部品試験方法）及びJIS C　 5961（光ファイバコネクタ試験方法）で規定する試験・測定方法の多くがJIS C 61300シリーズに置き換わっている。JIS C　 5901の規定項目でJIS C 61300シリーズで未制定の項目の取り扱いをJIS C 5901の廃止を含めて検討する。JIS個別規格も、日本で必要性の高い光受動部品について、IECと整合をとりながらJIS化を進める。また、JIS化作業の際に見出されたIEC文書の問題点への修正提案、新規提案などで本委員会の活動の成果を国際標準化に反映させていく。

6.　光能動部品標準化委員会現在、種々の光能動部品が、映像やオーディオ等の民生機

器、情報処理・光伝送システム等の産業用機器の基幹部品として幅広く使用されている。このような状況において、光能動部品に関する標準化の推進は、機器の低コスト化と共に、世界的技術競争に勝ち残りつつ産業の一層の発展を図り、技術の効率的利用の拡大を図るために必要不可欠である。

光能動部品関連のJIS規格は、1981年度からOITDAにおいて進められてきた一連の調査研究の成果を基に制定された。その後、随時見直し等が行われ、現在では40種類のJIS規格が制定・改正されている。当委員会では、2007年度から新たな標準化ニーズに沿ったJIS素案の検討に着手し、アンケート調査等によって明らかとなった市場の要求に適応した標準案の作成を目指して活動を行っている。今年度は、これまでの検討結果を踏まえ、国際標準化の動向も勘案しつつ規格素案の作成に注力した。

6.1　審議経過概要⑴　JIS規格等の素案作成　⒜　DWDM用波長可変レーザ

2011年度から継続検討しているDWDM伝送用波長可変レーザモジュールの性能仕様テンプレート及び測定方法ついて、他規定との整合及び市場の最新状況から加味すべき内容の充実を図り、また業界へのアンケートを実施して最終素案を完成させた。今後、JIS又はOITDA規格として提案すると共に、IECへの提案も検討する。

　⒝　半導体光増幅器光増幅器標準化委員会、IEC/SC 86C/WG 4及びWG

3国内委員会と連携して、半導体光増幅器と光ファイバ増幅器の相違点を明らかにした技術文書を作成した。この文書は、IECの正式提案文書として採択され、現在、Committee Draft［86C/1109/CD：IEC 61292-9/TR/Ed1: Optical amplifiers ― Part 9: Semiconductor optical amplifiers（SOAs）］として回覧中である。関連委員会と協力して国際標準化を進めると共に、今後、測定方

技術情報レポート2012年度OITDA

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標　準　化

法についての新規提案を検討する。　⒞　光インタコネクション用E/O・O/Eデバイス

2011年度にJIS素案として完成させた光ファイバ単心形単一波長伝送用光送・受信モジュールの測定方法に続き、2012年度は、単心直列伝送リンク用光送・受信モジュールの性能仕様テンプレートについて、メーカ各社のデータシートの性能項目を調査し素案を作成した。また、各関連規格間の用語の統一を図り、光送・受信モジュールに関する用語表を作成した。今後、測定方法の規格体系として、単心直列伝送リンク用光送・受信モジュール、単心波長多重伝送（WDM）リンク用光送・受信モジュール、複心並列伝送リンク用光送・受信モジュール等の規格を検討する。なお、2011年度に素案を作成し、JISに上程した「光伝送用能動部品－試験及び測定方法－第３部：単心直列伝送リンク用光送・受信モジュール」が、2013年３月に公示された。

　⒟　GPON/GEPON-OLT/ONU用光トランシーバ2011年度に作成したGEPOM用OLT/ONU光トランシー

バの性能標準及び試験・測定方法の素案を基に、OITDA規格・技術資料として完成させ、2013年３月に公開した。また、GPON用光トランシーバに関して規格素案の一次案を作成し、伝送速度及びパワーバジェットクラスについての2010年度アンケート結果を反映させた。これらは、対応する国際規格がまだ無いため、まず国内において広く流通を図る目的から、今後もOITDA規格として提案して行く。

　⒠　 光伝送用半導体レーザモジュール信頼性評価方法 （JIS C 5948）の改正に向けた検討対応するIEC規格（IEC 62572-3）の改定作業が終了

し、2011年11月に発行されたことから、JIS改正に向けて従来文書からの変更点を点検し、修正点をまとめた。今後、速やかにJIS改正ができるよう作業を進める。

⑵　国際標準化動向の調査IEC/SC 86C/WG 1及びWG 4、並びにIEC/SC 47Eの動

向調査を実施した。新たに40Gbit/s超高速光伝送用小型光トランシーバ用パッケージや面発光レーザ等の規格案が提案・審議され、また半導体光増幅器や波長可変レーザモジュール、高出力LED等の規格化の必要性が議論されている。これらの新しい動き対応し、適切な時期にJIS化が図れるよう活動を進めて行く。

6.2　今後の課題と活動計画当委員会では、2002年度から2008度までの７年間で、ほぼ

現行の光伝送用能動部品関係IEC規格と整合したJIS素案を完成し上程したが、IECでは新たな部品に関する規格が審議・制定されつつある。今後、国際的な規格策定作業とJIS素案作成の歩調を合わせ、国際規格と整合したJIS規格の制定を速やかに進める必要がある。また、現行のJIS規格の中には、10年以上前に制定されたものも含まれており、その後の技術進展に伴い見直しが必要なものも出てきつつある。今年度の成果を基に、更に検討を深め、引き続き、市場ニーズに適応した標準化活動を進めて行く。

７.　光増幅器標準化委員会1990年代前半から、エルビウム添加光ファイバ増幅技術の

研究開発が急速に進められ、IECとCCITT（現在ITU-T）における国際標準化活動が、それぞれ、1991年９月及び1992年２月から開始された。国内では、1994年度に、光ファイバ増幅器標準化委員会が発足し、2001年度には、IECにおける審議対象が、ラマンファイバ増幅器、半導体光増幅器などへ拡張されていることを受け、名称を光増幅器標準化委員会に改め今日に至っている。

当委員会は、⑴ECの規格化審議状況と国情を考慮しながらJIS案を翻訳作成する、⑵国際標準化動向を把握し国内委員会経由で適宜提案する、の二つの活動を柱としている。

7.1　JIS規格等の原案作成活動⑴　JIS化検討

当委員会で原案を作成したJIS規格１件が、日本工業標準調査会の審議を経て公示された。

◦ JIS C 6122-10-4：光増幅器－測定方法－第10-４部：マルチチャネルパラメータ－光スペクトラムアナライザを用いた補間法［制定］（2012年11月20日公示）

次のJIS原案３件（平成23年度・区分後期）を完成させ、2013年３月に申出を行った。

◦ JIS C 6121-6-1：光増幅器－第６-１部：インタフェース－コマンドセット［制定］

◦ JIS C 6122-4-1：光増幅器－測定方法－第４-１部：過渡パラメータ－二波長法［制定］

◦ JIS C 6122-4-2：光増幅器－測定方法－第４-２部：過渡パラメータ－広帯域光源法［制定］

また、JSAのJIS原案作成公募制度（平成24年度・区分後期）を活用して、次のJIS原案２件の作成を進めた。2013年度に申出の予定である。更に、IEC 61290-3-3 Ed.1.0、IEC/TR 61292-6に対応した原案2件の検討に着手した。

◦ JIS C 6123-1：光増幅器－性能仕様テンプレート－デジタル用光ファイバ増幅器［改正］

◦ JIS C 6123-4：光増幅器－性能仕様テンプレート－マルチチャネル用光増幅器［改正］

⑵　IEC技術標準報告書（TR）及びOITDA規格の原案検討①光ファイバヒューズに関するIEC/TR原案（IEC/TR

61292-4）、②ハイパワー光増幅器に関するIEC/TR原案（IEC/TR 61292-8）及びOITDA規格、③半導体光増幅器に関するIEC/TR原案（IEC/TR 61292-9）及び性能テンプレート原案、④利得パラメータ測定方法・IECアンブレラ文書原案（IEC 61290-1）及び光スペクトラムアナライザを用いた利得パラメータ測定方法に関するIEC文書改正原案（IEC 61290-3-1）、⑤マルチコア光ファイバ伝送用光増幅器に関するIEC/TR原案及びOITDA規格について検討を実施した。

⑶　その他の活動JIS C 6122-6:1998、JIS C 6122-7:1998の見直し調査を

実施した。また、昨年度作成した訳語表に、訳語の追加と、日本工業標準調査会の電子技術専門委員会、日本規格協会

技術情報レポート2012年度OITDA

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の規格調整分科会などからの指示に従った修正と新規訳語の追加を行った。

7.2　 IEC動向調査とIEC活動への協力IEC/SC 86C/WG 3を中心に、光増幅器関連の国際標準化

状況の調査を行うと共に、IEC/TC 86国内委員会と協力を行った。⒜　既存文書の動向

数多くのIEC規格が見直し等の時期をむかえており、９件の改定文書案等の審議を行った。

利得パラメータ測定方法に関するIEC 61290-1シリーズ（対応JIS C 6122-1-1～-3）では、測定方法の異なる３文書が存在し、規定されている多くの共通項目を分割したアンブレラ文書の作成が進められている。既存３文書についてはReconfirmとし、アンブレラ文書の発行後に改定する方針とした。

また、マルチチャネルパラメータ（IEC 612 9 0 -10 -1 Ed.2.0）、光ファイバ増幅器の信頼性評価（IEC 60291-5-2 Ed . 2 .0）、光増幅器用部品のパラメータ（IEC 61292-1 Ed.2.0）、光増幅器の分類と特性及び応用（IEC 61292-3 Ed.2.0）、最大入力パワー規格に関する技術レポート（IEC/TR 61292-4 Ed.3.0）、分布ラマン増幅に関する技術レポート（IEC/TR 61292-6 Ed.1.0）の改定案等について審議した。

⒝　新規文書化の動向制定が進められているIEC新規文書６件について、IEC/

TC 86国内委員会と協力して対応を行った［IEC 61290-1（アンブレラ文書）、IEC 61290-3-3、IEC 61290-4-3、IEC 61290-10-5、IEC 61292-8、IEC 61292-9］。

また、多光路干渉測定法、半導体光増幅器に関する性能テンプレート、マルチコア光ファイバ伝送用光増幅器について新規文書化の検討が行われており、IEC会合において当委員会での議論結果を報告すると共に、主導的立場に立ち積極的に議論を行った。

8.　光サブシステム標準化委員会国際標準化機関のワーキンググループであるIEC/TC 86/

SC 86C/WG 1は、光通信システム及びサブシステムの物理層に関する標準化を扱っており、光システムの設計ガイドラインの制定及び光システム（システム一般、デジタルシステム、光ケーブル設備や光リンク）の試験法の規格化を進めている。1990年の発足以来、日本からもアナログ系・デジタル系の各種試験方法を中心に多くの貢献を果たしてきた。しかしこれまで、このワーキンググループの標準化スコープに対応するJIS化対応組織が存在しないこともあって、この分野のJIS化が遅れていた。そこで、2002年度に当協会内の「ファイバオプティックス標準化委員会」の下に「光サブシステム分科会」を設立し、SC 86C/WG 1での標準化を支援すると共に、発行済みのIEC規格の中で国内ニーズの高いものから順次JIS化を進めてきた。また、日本が進んでいる技術のより積極的なIECへの提案を促進するため、新技術の調査と貢献文書作成の支援を行ってきた。2005年度末に、JIS原案作成も順調に進展してきたことから、

「ファイバオプティックス標準化委員会」においてこの分科会を発展的に解消し、2006年度に「光サブシステム標準化委員会」を設立し光サブシステム分科会のメンバを引継ぐと共にその活動を継承した。「光サブシステム標準化委員会」の活動を開始して７年目である2012年度は、光サブシステムのJIS化及び国際標準化への提案・支援において活発に活動を行った。

8.1　JIS原案作成活動光サブシステムに関するIEC規格を翻訳したJIS原案の作成

を進めた。⑴　IEC 61280-2-3　ジッタ・ワンダ測定試験法

上記について2010年度からJIS原案作成を進め、2012年10月に工業標準化法12条に基づいてJSAに提出し、2012年12月に規格調整分科会にて審議を行った。

⑵　IEC 61280-4-4　既設リンクの偏波モード分散測定法2011年度に翻訳を開始したIEC文書についてJIS原案作成

を進めた。また用語統一のためにこれまでに作成した専門用語の訳

語対照リストの更新も継続して進めた。その結果、本年度翻訳した規格に現われた新たな用語９件の追加及び２件の修正を行い、計295語の日本語訳を確定させた。

8.2　 国際標準化への対応 （IEC/TC 86/SC 86C/WG 1）

IEC/TC 86/SC 86C/WG 1での標準化審議にメンバを派遣し、国際標準作成に協力している。本年度はサンルイスオビスポとメルボルンで開催された２回の会合に参加した。日本が貢献した主な成果は以下の通りである。⑴　 ソフトウエアトリガリング法を用いたＱ値ならびにアイパ

ターン測定法日本方式を含めた位相変調波形測定法の原理の分類と技

術概要についての提案を行っていたガイドラインにおいて、DTR回覧の結果了承されてTRが発行されることとなった。

⑵　光伝送信号品質の評価法日本より提案している、ソフトウェアトリガリングを利用し

た非同期サンプリングによる光伝送信号品質の評価法の新規提案の回覧の結果了承され、CDへ進むこととなった。

⑶　 シングルモード光ファイバ既設伝送路の損失・反射減衰量測定法の改定日本よりコメントしていた「コネクタ端面品質の要求条件は

システムに依存する」との文言は追記された。また、光コネクタ端面観測の要求条件については、光サブシステム文書への引用は過剰であるため反対した結果、テストコードについては引用するが、被測定ファイバに関しては引用しないこととなった。

⑷　非線形光学効果に関するガイドライン日本より改定案を提出し審議を行い、CD回覧へ進めるこ

とになった。

9.　光測定器標準化委員会国際規格に整合するJIS規格を制定すべく、昨年に引き続

技術情報レポート2012年度OITDA

46

標　準　化

き、国際規格の内容の検討と共にJIS原案の作成等を行った。まず、「光波長計の校正方法」の翻訳JIS化については、昨年度にJIS制定を日本規格協会（JSA）に申請し、今年度は、昨年度までに作成したJIS原案の精査及び解説文の作成を行い、JSAへの提出を完了した。また、昨年度に検討を開始した「光スペクトラムアナライザ校正方法」（JIS C 6192）の改正については、昨年12月に発行されたIEC規格の改訂版のCD文書に基づき、JIS改正の素案を作成した。一方、日本独自提案規格に関しては、2005年にIECに提案した「波長可変光源校正方法」が、昨年度発行されたCD文書第２版の修正作業の結果、来年度早々にCDV文書としてIECより発行される予定となり、規格化の実現に近づいた。また、現行JISの見直しとして検討を継続していた「光波長計の試験方法」（JIS C 6187）及び「OTDR試験方法」（JIS C 6185）の改正作業を継続し、改正版の素案と解説文の文案を作成した。その他、光周波数コムを適用した光周波数計校正法の技術仕様書（TS）化を始めとしたIEC/TC 86/WG 4の委員会活動への協力を行った。

9.1 国際標準化（IEC/TC 86/WG 4）動向IEC/TC 86/WG 4は光測定器の校正方法・手順の標準化

について検討するために、1985年にTC 86（ファイバオプティクス）に設置された部会（WG）である。対象となる光測定器毎にサブ作業部会（SWG）を設けて活動を進めている。

2012年11月に開催されたケレタロ会合においては、日本がプロジェクトリーダ（PL）を担当している３件の文書について審議を行った。各文書については、光測定器標準化委員会にて対処方針の審議を行い、IEC/ TC 86国内委員会にて了承された後、会合に提出された。まず、波長可変光源校正方法（IEC 62522 Ed.1.0）に関しては、2011年12月に発行されたCD文書へのコメントについて審議を行い、CDV文書を発行することを合意した。次に、光スペクトラムアナライザ校正方法（IEC 62129 Ed.1.0）に関しては、2011年12月に発行されたCD文書へのコメントについて審議を行い、技術的コメントが多いことから、再度CD文書を発行することを合意した。また、光周波数計校正方法に関しては、2012年１月に発行したTS用NP文書へのコメントについて審議を行い、DTS文書を発行することを合意した。

9.2　「OTDR試験方法」のJIS改正の検討昨年度作成した一次改正案を修正し、現行のJIS C 6185

「オプティカルタイムドメインリフレクトメータ（OTDR）試験方法」における、IEC 61746との整合性の不備を修正した改正素案を作成した。また、改正の主旨をまとめた解説の文案を作成した。次年度以降、不確かさ表記の導入の方法についてさらに議論を深め、改正案の完成度を高めることとしたい。なお、本改正案は、JIS C 6185-2およびJIS C 6185-3とJIS番号および題名を整合させるため、JIS C 6185-1「オプティカルタイムドメインリフレクトメータ（OTDR）－第１部：試験方法」としてJIS申請を行う予定である。

9.3　「光波長計試験方法」のJIS改正の検討JIS C 6187 「光波長計試験方法」の改正に関し、昨年度ま

で進められてきた検討結果に基づいて改正作業を進め、改正素案を作成した。次年度以降、不確かさ表記の導入の方法についてさらに議論を深め、より完成度の高い改正案の作成を目指す。なお、本改正案は、制定手続中のJIS C 6187-2「光波長計－第２部：校正方法」とJIS番号および題名を整合させるため、JIS C 6187-1「光波長計－第1部：試験方法」としてJIS申請を行う予定である。

9.4　 「光スペクトラムアナライザ校正方法」の改正の 検討

JIS C 6192 「光スペクトラムアナライザ校正方法」の翻訳元の規格の改訂版となるIEC 62129-1 Ed. 1.0のCD文書の発行を受けて、当該JIS規格の改正作業を進め、上記CD文書に基づく改 正素案を作成した。今後、より完成度の高いI EC 62129-1の改訂版がリリースされると予想されることから、次年度以降も、IECの最新の改訂版を反映したJIS C 6192の改正JIS素案の作成を継続していく予定である。

9.5　 「光波長計－第２部：校正方法」の翻訳JIS化の 検討

本年度は2011年５月に発行された、IEC 62129-2 Ed.1.0: Calibration of wavelength/optical frequency measurement instruments – Part 2: Michelson interferometer single wavelength metersを元に、翻訳JIS原案の修正作業を完了し、原案の納品が完了した。

9.6 「波長可変光源校正方法」の国際規格化の検討本年度は国際規格原案IEC 62522 Ed. 1.0: Calibration of

tunable laser sourcesの2011年11月発行のCD文書第２版に寄せられたコメントを元に修正案を作成し、CDV文書案を作成した。同文書案について、IEC/TC 86/WG 4ケレタロ会合にて内容の議論を行った。同文書案をCDV文書として2013年４月より回覧し投票にかけることとなった。今後、同CDV文書に対する投票結果・コメント集の到着を待って内容を確認の後、2013年度中のIS化を目指す。

10.　TC 76/レーザ安全性標準化委員会10.1　IEC 60825-2のJIS化審議

2006年に発行されたJIS C 6803「レーザ製品の安全－光ファイバ通信システムの安全」は、対応国際規格であるIEC 60825-2（光ファイバ通信システムの安全）のEd.3.0に準拠しており、その後の追補１及び２（合わせてEd.3.2）の内容が含まれていない。2011年度から開始した、このEd.3.2に対応するための改正作業は、JIS公募H23年度後期区分のスケジュールに則って進め、2012年度はMETIへの申出まで進めた。

10.2　IEC/TC 76への対応レーザ製品の安全性に関する国際標準は、IEC/TC 76

（レーザ放射安全とレーザ機器）において審議されている。

技術情報レポート2012年度OITDA

47

2012年度の会議は10月に英国ディドコットで行われた。以下にディドコット会合を中心に各WGの状況を述べる。WG 1（光放射の安全性）

WG 1ではWG 8も巻き込み、前年度に引き続いてIEC 60825－1「レーザ装置のクラス分けと要求事項」改訂の議論に集中した。2012年１月に回覧されたIEC 60825－1のEd.3 CDが、５月の電話会議を経て７月に再度2ndCDとして回覧され、ディドコット会合で議論された。

トピックスとしては、一般光源プロジェクタの安全に関する議論がなされ、映像用プロジェクタでは映像ビーム以外をIEC 60825-1で評価し、映像ビームをIEC 62471規格群で評価することとした。その際、基準値を10倍（最大パワーの際の上限）とし、視角測定の基準距離を200mmとする。これらを規定するため、WG 9担当のIEC 62471規格群に一般光源プロジェクタの安全に関する垂直規格が必要である。

前年度議論された、医用／美容用途の脱毛、しわ取り、しみ・ほくろ取りレーザ装置を適用範囲としたクラス１Ｃの導入については、WG 4で垂直規格の議論が進んでおり、WG 1ではIEC 60825－1における定義及び一般的な要求事項が確認された。

ディドコット会合の議論を受け、IEC 60825－1のCDVが2013年１月に回覧された。３月に米国オーランドで開催されたWG 1及びWG 8合同会合においてCDVコメントが議論されている。

WG 3（レーザ放射の測定方法）IEC/TR 60825-13 Ed.2「レーザ製品のクラス分け測定」

が前年度に発行されており、ディドコット会合では次回改訂（Ed.3）に向けて、Kファクタ、高輝度の位置の測定方法、NOHD、条件２などについての議論があり、アクションアイテムとしてまとめられた。

WG 4（医用レーザ装置の安全性）ディドコット会合において、前年度に策定したクラス1C

レーザに関するWG4からの勧告書について一部修正した。また、クラス1Cレーザ装置の垂直規格としてTC 61/WG 30が作成中のIEC 60335-2-10xを家庭用レーザの規格として位置付け、医用レーザの規格としてはIEC 60335-2-10yをTC 76/WG 4が作成して、2013年１月のIEC/TC 61/WG 30会合に間に合わせることにした。

IEC 60601-2-22「医用レーザの安全基準」の追補が2012年10月に発行されEd.3.1となった。この規格及びIEC/TR 60825－8「医用レーザのユーザーズガイド」を、クラス1Cを含めて改訂することが今後の課題である。

WG 5（光通信システムの安全性）ディドコット会合において、2012年５月に回覧されたIEC/

TR 60825-17「高パワー通信システムにおける光ケーブル、受動部品使用に関するガイドライン文書」のEd.2 CD及びIEC 60825-12「情報伝送のための光無線通信システムの安全」のEd.2 CDの回覧コメントが議論された。IEC/TR 60825-17はDTRに進めることになった。IEC 60825-12は条件２に関するコメントが多く寄せられており時間が足らないため、引き続きメール審議により2ndCDを作成中である。

WG 7（高出力レーザ）ディドコット会合において、IEC 60825-4の付属書Ｄ

「レーザガードの試験方法」に基づいてドイツでなされた試験結果が紹介され、統計的な問題により異常な解析結果が出ることがあるとの説明があった。これについて、サンプル数の見直し（規格の改訂）及びレーザガードの試験方法の開発（新規規格提案）が必要とされ、改訂案をドイツが作成し次年度会合で議論できるよう2013年６月までにWG内で回覧することになった。

WG 8（基本規格の制定と改正）ディドコット会合においては、WG 1とジョイントでIEC

60825-1改訂の議論を行ったほか、次のことを決定した。IEC/TR 60825-5「IEC 60825-1に基づく製造者のチェックリスト」はIEC 60825-1のEd.2に基づく改訂を準備済みだがIEC 60825-1のEd.3が出るまで作業を進めないことにした。IEC 60825-3「レーザディスプレイ及びショーのための安全ガイド」の改訂を検討する時期に来ているが、ANSIドラフトが進行しているのでその出来上がりを待つこととした。ANSIには非エンターテインメント（トレードショー）用も含まれている。

WG 9（非コヒーレント光源）CIE S009/IEC 62471「光源と光源システムの光生物的安

全性」の改訂作業はCIEが中心となって行われており、ICNIRPの新しいガイドラインを反映した改訂ドラフトが既に回覧されているが、2013年４月からIEC/TC 34及びTC 76とのジョイントが組まれることになった。ICNIRPのガイドラインが改訂されたためIEC/TR 62471-2「非レーザ光源からの光放射安全に関する製造者への要求事項のガイドライン」の表３も一部改訂して放射輝度の境界値を修正することが必要である。コンビーナが担当する。

ディドコット会合において、前年度NP回覧されたIEC/TR 62471-4「光生物的安全性評価のためのLEDの測定方法」のCDのドラフトが提案された。スコープでは光源種類を限定していないが内容はLEDに限定されている。

JWG 10（レーザ加工用のレーザ及びレーザ装置の安全性）本WGはISO/TC 172/SC 9とのジョイントWGである。ディドコット会合において、2012年１月にCDV回覧された

ISO/IEC 11553-3「レーザ加工機の安全－ノイズ低減の要求事項」のコメント審議がなされ、FDIS段階を省いて規格として発行するよう提案された。ISO/IEC 11553-1「レーザ加工機の安全－一般要求事項」及び-２「レーザ加工機の安全性－ハンドヘルド加工機の要求事項」の改訂に関して、通常の要求事項及び引用規格の見直しに加え、ISO/ I EC 11553-1へのファイバビームデリバリの要求事項の追加が日本から、ISO/IEC 11553-2の見直し提案がドイツからなされた。日本提案は次年度会合で審議できるようWG内で前もって回覧する。ドイツ提案は英語が準備されていなかったので次年度会合で審議する。

WG 1+8+9合同会合ディドコット会合では、一般光源プロジェクタの安全に関

する垂直規格の新規提案のドラフトが説明されたが、照射

技術情報レポート2012年度OITDA

48

標　準　化

型の映像プロジェクタだけではなく投射プロジェクション装置をあまねくスコープに盛り込んでいたので、他の業界への影響が大きいのではないかとの指摘があった。スコープを映像用プロジェクタに絞り込んで、日本提案で2013年２月にIEC 62471-5「映像プロジェクタ用光源の光生物学的安全性」としてNP回覧した。NPが承認されればWG 9の中でプロジェクトを進めていくことになっている。

TC 76+TC 86合同会合2012年度はTCの開催場所が異なったため、実施されず。

10.3　今後の課題IEC 60825－1の改訂（Ed.3）、IEC 62471-5プロジェクト、

ISO/IEC 11553-1の改訂（Ed.2）が優先課題である。

11.　ISO/TC 172/SC 9国内対策委員会当委員会ではレーザの国際標準を作成しているISO/TC

172/SC 9（WG 1：レーザの試験方法、試験装置、用語、WG

2：レーザのインタフェース、システム、WG 3：安全性、WG 4：医用応用レーザシステム、WG 5：一般応用のレーザシステム、WG 6：光学部品とその試験方法、WG 7：レーザ以外のレーザオプチカルシステム、JWG 1：レーザ特性に関するIEC標準化活動の整合から構成される）における国際規格案に対し、国内意見を取り纏め審議等の諸活動を行っている。

本年度は、委員会開催は１回であったが、文書審議はe-mailベースで行った。我が国から提案されプロジェクトリーダとして文書取纏めにあたっている案件（DTS 17915、CD 17901-1、CD 17901-2）は、いずれも順調に推移している。以下、本年度の審議結果を表３に示す。

12.　光ディスク標準化委員会光ディスク標準化委員会は、光ディスク関連技術の標準化を

専門とする標準化グループであり、国内規格の原案作成、関連技術動向の調査研究等を主な担務とする。

委員会は、光ディスク標準化委員会を親委員会とし、その下

表３　2012年度ISO/TC 172/SC 9審議文書と我が国の投票状況

№ 投票年月日［態度］ 件　　　　　　　　名

01 2012/10/30［反対］

ISO/WD 13142（SC 9 N 454）: Electro‒optical systems － Cavity ring‒down technique for high reflectance measurement

02 2012/12/17［賛成］

ISO/SR 11145: 2006（Ed 3, ver 2）Optics and photonics － Laser and laser‒related equipment － Vocabulary and symbols

03 2012/12/17［賛成］

ISO/SR 11810‒1:2005（ver 2）Laser and laser‒related equipment － Test method and classification for the laser resistance of surgical drapes and/or patient protective covers － Part 1: Primary ignition and penetration

04 2012/12/17［賛成］

ISO/SR 11810‒2:2007（ver 2）Laser and laser‒related equipment － Test method and classification for the laser resistance of surgical drapes and/or patient protective covers － Part 2: Secondary ignition

05 2013/01/19［賛成］

ISO/CD 11151‒1（SC 9 N 455）: Laser and laser related equipment － Standard optical components － Part 1: Components for the UV, visible and near‒infrared spectral range

06 2013/01/19［賛成］

ISO/CD 11151‒2（SC 9 N 456）: Laser and laser related equipment － Standard optical components － Part 2: Components for the infrared spectral range

07 2013/01/19［賛成］

ISO/CD 17901‒1（SC 9 N 457）: Optics and photonics － Holography － Part 1: Methods of measuring diffraction efficiency and associated optical characteristics of holograms

08 2013/01/19［賛成］

ISO/CD 17901‒2（SC 9 N 458）: Optics and photonics － Holography － Part 2: Methods for measurement of hologram recording characteristic

09 2013/01/19［賛成］

ISO/DTS 17915（SC 9 N 459）: Electro‒optical systems － Cavity ring‒down technique for high reflectance measurement

10 2013/01/29［賛成］

ISO/FDIS 11553‒3: Safety of machinery － Laser processing machines － Part 3: Noise reduction and noise measurement methods for laser processing machines and hand‒held processing devices and associated auxiliary equipment（accuracy grade 2）

11 2013/02/06［賛成］

ISO/FDIS 11252: Lasers and laser‒related equipment － Laser device － Minimum requirements for documentation

12 2013/03/18［賛成］

ISO/SR 11146‒1: Laser and laser‒related equipment － Test methods for laser beam widths, divergence angle and beam propagation factor － Part 1: Stigmatic and simple astigmatic beams

13 2013/03/18［賛成］

ISO/SR 11146‒2: Laser and laser‒related equipment － Test methods for laser beam widths, divergence angle and beam propagation factor － Part 2: General astigmatic beams

14 2013/03/18［賛成］

ISO/SR 12005: Laser and laser‒related equipment － Test methods for laser beam parameters － Polarization

15 2013/03/18［賛成］

ISO/SR 13695: Laser and laser‒related equipment － Test methods for the spectral characteristics of lasers

16 2013/03/18［賛成］

ISO/SR 13696: Optics and optical instruments － Test method for radiation scattered by optical components

17 2013/03/18［賛成］

ISO/SR 15902: Optics and optical instruments － Diffractive optics － Vocabulary

18 2013/03/18［賛成］

ISO/TR/SR 11552: Laser and laser‒related equipment － Laser materials‒processing machines － Performance specifications and benchmarks for cutting of materials

技術情報レポート2012年度OITDA

49

に機能別の３専門委員会、１エキスパートグループを置いている。親委員会は、各専門委員会の活動方針の決定、活動の統括、作成したJIS素案の審議・承認を行い、具体的な作業は、専門委員会が行うことで推進している。

専門委員会は、光磁気形/相変化形／追記形/再生専用形の各媒体に関するメディア専門委員会、光ディスク応用、信頼性評価等に関するアプリケーション専門委員会、論理フォ－マットに関するフォーマット専門委員会及び規格のメンテナンスを推進するメンテナンスエキスパートグループからなっている。

JIS化案件では、昨年度METIへの申出を行った、メディア専門委員会担当分５件およびフォーマット専門委員会担当分１件が新たに制定されたのに加え、今年度はアプリケーション専門委員会担当のISO/IEC 16963のJIS化素案を親委員会として承認した。

調査研究では、メディア専門委員会とアプリケーション専門委員会で将来技術動向調査を実施したのに加え、専門委員会とは独立で国際標準化動向調査を実施し、光ディスクユーザに対する最新情報の提供を行うことができた。

12.1　メディア専門委員会　メディア専門委員会では、光ディスク全般（光磁気形光ディ

スク、相変化形光ディスク、追記（レコーダブル）形光ディスク、及び再生専用（ROM）形光ディスク）の物理規格標準化動向、技術動向及び産業動向について調査を行った。

JIS化作業では、昨年度METIへの申出を行った下記5件が制定された。

◦ JIS X 6275:2012“90 mm/230 MB光ディスクカートリッジ”◦ JIS X 6277:2012“90 mm/640 MB光ディスクカートリッジ”◦ JIS X 6270:2011/AMENDMENT 1:2012 “情報交換用

90 mm/2.3 GB光ディスクカートリッジ（追補１）”◦ JIS X 6272:1992/AMENDMENT 1:2012 “90 mm書換

形及び再生専用形光ディスクカートリッジ（追補１）”◦ JIS X 6279:2011/AMENDMENT 1:2012 “情報交換用

90 mm/1.3 GB光ディスクカートリッジ（追補１）”また調査研究では、ISOM’12 等、光ディスク関連の学会情

報を基に、光ディスクにおける高速記録、多層記録等の高機能化に関する技術動向調査、次世代光ディスクの研究開発動向調査を実施した。

12.2　アプリケーション専門委員会昨年度に設置されたアプリケーション専門委員会では、メ

ディア専門委員会及びフォーマット専門委員会では扱わない規格、例えば、光ディスクの寿命推定のための試験方法などの標準化を扱っている。

本年度は、上記活動を行うために、４回の委員会を開催した。具体的な活動として、一昨年度まで第２メディア分科会で扱ってきた光ディスクの寿命推定のための試験規格：ISO/IEC 16963のJIS化素案の作成を行った。この規格のエディタであったパナソニックの赤平氏を委員に迎え、JIS化素案作成を主導していただいた。２月の第３回光ディスク標準化委員会で素案が承認され、解説などとともに日本規格協会へ提出した。また、

DVD-R、DVD-RW、DVD-RAM、+R 及び+RWディスクのためのデータ移行方法（JIS X 6255）の改訂原案作成のため、平成25年度JIS原案作成概要調査書案を作成し、委員による修正が施された後、11月末に日本規格協会への公募申請を終えた。２月にMETI担当者によるヒアリングを受け、委員会構成に関する指導を受けた。なお関連する将来技術動向としては、ISOM 2012、展示会や報道発表などを利用し、データの長期保存性能や災害耐性に優る光ディスクをアーカイブ市場に普及させるための取組と将来のアーカイブ用途を目指した技術開発について調査した。 （石森義雄）

12.3　フォーマット専門委員会フォーマット専門委員会では、光ディスクのボリューム及び

ファイルフォーマットに関する調査研究として昨年度からの継続課題をも含め、以下の項目について活動を行った。

⑴　UDF 2.60のJIS化BDが既に広く使われ始めていることを考慮し、UDF2.60

（BD対応）のJIS化作業に着手することとし、H24後期のJIS公募に応募し、受理された。

⑵　 JIS X 0609:2012 “情報交換用非逐次記録高密度光ディスクのボリューム構造及びファイル構造（追補１）”JIS X 0609追補原案は７月20日の情報技術専門委員会で

承認され、11月20日付で制定された。⑶　ISO 9660のAmd.1

2012年５月を期限とするPDAM投票が開始され、コメントなし賛成の投票案をSC 23専門委員会に提出した。2012年12月を期限とするDAM投票に際しては、“Joliet Specificationそのものの内容が、もしその版権所有者によって許可されるなら、追加のInformative annexとしてこのAmd.1に含まれることが望ましい。”とのコメントを付けて賛成することをSC 23専門委員会に提出した。この投票案は、12月の情報規格調査会技術委員会でそのまま承認され、JTC 1に提出された。

⑷　 OITDA規格 OITDA DC02：2013 “再配置を少なくするファイル配置方策”2012年６月25日に概要を公開後、改めて2012年12月６日

に全文が公告となり、2013年３月７日付で制定された。

12.4　メンテナンスエキスパートグループ規格メンテナンスについては、エキスパートの日常活動として

の運営が主体である。今年度は、JIS X 6275、6277が新たに改正JIS規格となり、エキスパートを選定して、メンテナンス表を作成した。また、JIS X 6270、6272、6279、0609については、追補が作成され、メンテナンス表の更新を行った。なお、JIS原案を作成して以降、規格メンテナンス分科会がJISとして出版されるまでの状況をモニタし、当協会のホームページ（http://www.oitda.or.jp/）で掲載・公開している。進捗は図２に示す各段階でチェックし、各段階の進展を事務局がチェックした後、規格メンテナンス分科会統括確認の元に進捗状況表を更新している。 （石森義雄）

技術情報レポート2012年度OITDA

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標　準　化

13.　 高速車載LAN用光伝送サブシステムの 試験方法に関する標準化（Ｖプロ）

経済産業省・平成23年度工業標準化推進事業委託費の戦略的国際標準化推進事業の一つとして、平成23年３月30日に表題の標準化事業が採択された。今年度は３年契約の２年目となる。契約開始日は、平成24年４月５日である。

車載用の通信規格として、欧州のMOST規格や米国のIDB394規格等が策定されているが、これらはいずれもアプリケーション規格であり、物理層におけるデバイス単体の評価方法は定義されていない。本事業では、超短距離通信で主流となる低コストなステップインデックス（SI）型マルチモード（MM）光ファイバで構成される光トランシーバ（FOT）、受動部品、光コネクタ等の評価方法について、特にモード分布を考慮した新しい試験方法を確立する。車載のアプリケーション規格であるMOSTやIDB等の上位規格団体となるIECを標準化の場として選定し、必要な評価項目の洗い出しと、評価方法の提案を３年間掛けて行う。

具体的には、車載用途でユーザが精度よく、且つ、横並び評価が可能なネットワーク設計を行うために、SI-MM光ファイバを用いた場合の能動部品から出射されるモード分布や受動部品を評価するため、IEC/SC 86CにおいてFOTの出力モード分布を、EAF（Encircled Angular Flux）を用いて規定、また、IEC/SC 86Bにおいて、光コネクタの挿入損失を、規定したEAFを用いて測定するよう評価基準を設けて行く。

これら二つの規格提案のため、マルチモードの励振条件・光ファイバへの入射条件に関するバックデータを蓄積し、諸外国の企業・大学訪問を通して、製造業者、使用業者、技術者等との交流から、国際標準化制定に向けた議論を進めている。今年度は、CD文書提出を目標とする。

本事業では、FOTの送信側モード分布のAFを用いた測定方法による規定方法（制定）及び受動光部品のFOT送信側モード分布（EAFにて規定）を用いた挿入損失測定方法（制定）の二つの国際規格を提案することを目的とする。

本事業は、本分野を包含するオプトエレクトロニクス分野での国 際 標 準 作成に経 験の 豊富且つ実 績のある当協 会（OITDA）及び光コネクタの研究に実績のある千葉工業大学が実施することになった。OITDA内では、豊田中研・タイコエレクトロニクス・矢崎総業及び茨城大学の研究者が所属し、

OITDA開発部と一体となって開発を進めている。また、長瀬　亮・千葉工業大学工学部教授を委員長とする国際標準化提案委員会による、計３回の委員会を開催し、国際標準作成などの準備を行った。今年度の実施計画を図３に示す。

今年度の進捗状況は以下の通りである。＊既に３回の委員会を開催し、進捗や今後の課題などについ

て議論すると共に、回覧用のCD文書案を作成した。なお、英国との修正版CD文書作成の段階で、今まで使用してきたAF（Angular Flux）に替えて、分かり易い表現としてEAF（Encircled Angular Flux）と表記するのが適当とコメントされ、今後はEAFと表記することとなった。

＊11月にメキシコで開催されたIEC国際会議（TC 86/SC 86B/WG 4）の直前にCD文書案に対するコメントが集約され、個別の対応に関する説明資料を作成した。当国際会議で審議され、CDVへ進展することが了承された。その後、協力国となった英国の担当者と緊密な打ち合わせを行い、修正したCD文書を作成し、１月末にIEC事務局へ提出した。

＊プロジェクトを成立させるためには、最低５か国のエキスパート参加表明が必要であるが、会議前には２か国のみの参加であったため、会議の席上で参加を働き掛け、最終的には英国を含む６か国の賛同をえることに成功した。

＊実験データ蓄積の段階で、長尺光ファイバにおける入射方向で得られるデータに差異があることが判明した。今回の提案規格に影響を及ぼすか否か検討したが、影響は少ないと判断した。 （石森義雄）

14.　 光通信システムのスマート化に適用した光部品の国際標準化に関する調査研究 （Ｔプロ）

14.1　背景光通信システムは、伝送情報の高速大容量化、光加入者シス

テムのインフラ構築など、高性能・大規模システムを志向した開発が現在まで進められ、それらに対応した国際標準化が推進されてきた。しかしながら近年になり地球環境への影響を考慮した鉛フリー部品の採用や低消費電力を指向した伝送装置・光部品の開発、またユーザの使いやすさ・安全性、さらには伝送システムに必要不可欠な高信頼性を備えた伝送装置・光部品の開発など、新しい視点からのより人と環境に優しい製品開

光産業技術振興協会

規格協会（文章精査）

（出版）

分科会（原案作成）標準課

JISC情報技術専門委員会（承認）

経済産業省 付議④

⑤

③

⑥

⑦

②①

光ディスク標準化委員会（承認）

図２　JIS原案策定から出版までの流れ

技術情報レポート2012年度OITDA

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発が進められている。即ち、光通信システムにおいても「安全」「安心」「高性能」「グリーン」「インテリジェンス」の視点からの事業検討が最重点項目となると共に、これらに対応した国際標準化の整備は不可欠なものとなってきている。本事業ではこれら新しい切り口での製品全般を「スマート光部品」と命名し、その製品に関連する光部品の標準化の推進を提案する。具体的には以下の３項目をテーマとして掲げた。

◦ 超高速・低消費電力モジュール（CDVを１件登録する）◦ ファイバPCコネクタの光学互換（NPを１件提案する）◦ レセプタクル形光トランシーバの光コネクタ端面清掃の標

準化（TRを１件修正する）本年度は３年計画の２年目にあたるため、動向調査、技術的

検討を主とした活動を行った。

14.2　調査結果⑴　超高速・低消費電力モジュール

近年のデータネット社会においてハンドリングされる情報量は爆発的勢いで増加しており、データセンタ需要の急激な立ち上がり等により必要とされる伝送スピードも急激に増加している。現状ではすでに10Gbit/sが市場の主流になっており、40Gbit/s、100Gbit/s製品が実用化・開発途上にある。本項目では光システムのキーとなる40Gbit/sトランシーバおよび100Gbit/sトランシーバの標準化推進について検討する。IECでこれらの標準化を我が国の主導で推進し、我が国の産業界に有利な仕様を標準とすることを目的とする。

本年度は特に、前年度まで調査を行ったIEEE802.3、OIF標準化審議状況について、その調査概要をSPIE Photonics Westで発表（招待講演）するとともに、40Gbit/s、100Gbit/s製品を支える部品基盤技術として40GLD/PDについてIEC SC86C WG 4へ標準化提案を行い現在NP回覧中である。40GLD/PDは日本メーカを中心に技術的にリードしているXLMD2-MSAグループと連携を取って、その審議内容をベースにIECへ新規文書の提案を行った。XLMD2-MSAの加入会社は、三菱電機、住友電工、ラピスセミコンダクタ（旧沖電気）、日本オクラロ（旧オプネクスト）、ルネサスの５社で

ある。来年度はIEC/SC 86C/WG 4へ提案を行ったNP文書の

標準化推進を行う予定である。⑵　ファイバPCコネクタの光学互換　

ファイバPCコネクタはフェルールを使用せず、光ファイバの外径を基準として直接ファイバ同士を整列するとともに、光ファイバの弾性を利用して安定なPC（Physical Contact）接続を実現する新しいかん合構造であり、SFコネクタとして実現している。この整列方法は最も小型な多心PC光コネクタを実現可能であり、低消費電力な高速信号処理回路を実現するボード上高密度光インタコネクション用光コネクタとしての用途が期待されている。SFコネクタの接続方式は、現在かん合標準の策定が進んでいるが、この場合のPC接続条件はこれまで規定されたフェルール端面の変形に基づく光学互換標準とはまったく異なる。そのため、新たな光学互換標準を策定する必要があるが、光学互換標準としてはまだ確立していない。このような整列方法を最初に提案した日本において光学互換標準を策定することにより、ファイバ同士の直接整列構造の普及を図り、SFコネクタにより先行している国内製造メーカに有利な状況を作ることを目的とする。併せて、早急にSFコネクタの光学互換標準を制定することで、高密度光インタコネクション用光コネクタの製品開発が進んでいる欧米メーカに先んじて、国内メーカのシェア確保を図る。

昨年度は、ファイバPCコネクタの光学互換標準を提案するための初期検討として、技術動向を調査し、ファイバPCコネクタにおける光ファイバ端面加工方法及び光ファイバ端面形状パラメータを整理した。光学互換標準を提案するためには、ファイバPCコネクタ用光ファイバ端面形状パラメータの寸法を明確にする必要がある。そこで、今年度は、昨年度整理したファイバPCコネクタ用光ファイバ端面形状パラメータについて、PC接続を実現する光ファイバ端面形状パラメータおよび寸法を調査した。最終年度である来年度は、今年度の調査結果をもとに、ファイバPCコネクタの光学互換標準化文書の原案を作成し、IEC会合にてNP提出を実施する予定である。

開発項目等月

＊励振条件と伝送特性に関する実験と理論解析

△　　NP文書のコメント対応

△CD文書回覧

4 5 6 7 8 9 10 11 12 1 2 3

①FOTの送信側　モード分布の　規定

②光受動部品／　光コネクタ・　挿入損失の規定

③国際標準化提案

＊励振条件、ファイバ軸ずれと接続損失に関する実験と理論解析

△　　WD文書提案

△　　SC86B メキシコ会合

△　　SC86B ポーランド会合

図３　2012年度Ｖプロ開発計画

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標　準　化

⑶　 レセプタクル形光トランシーバの光コネクタ端面清掃の標準化データ通信の容量拡大に伴い、高速イーサネット通信およ

び光加入者システムの普及が急速に進んでいる。それらを実現するため、SFP、XFPなど装置動作時に挿抜可能なプラガブルと呼ばれるレセプタクル構造を有する光トランシーバが広く使われている。これらのプラガブル光トランシーバは、小形化、低価格化の要求から構造が簡易化されるため、内部構造、特にレセプタクル構造部分は各メーカで構造が異なっており、信頼性の高い光コネクタの接続のためには光コネクタプラグ端面の清掃が必須条件である。本調査では光トランシーバのレセプタクル構造部分の端面清掃方法のガイドラインを標準化し、ユーザに優しい光トランシーバの使用方法を提供することを目的とする。

初年度である昨年度は、光コネクタ端面外観検査及び清掃に関する状況を調査し、整理した。光コネクタプラグ端面外観検査及び端面清掃に関する市場状況、標準化の状況、レセプタクル形光トランシーバの端面清掃の必要性の整理、レセプタクルに適用できる清掃具の市場調査を行った。さらに、レセプタクル形光トランシーバの清掃時の注意点を議論し、整理した。また、光コネクタの端面清掃方法のガイドライン文書（IEC/TR）を参考に、レセプタクル形光トランシーバのコネクタ端面清掃方法のガイドライン文書の骨子を検討した。

２年目となる今年度は、昨年度整理した情報を元に、レセプタクル形光トランシーバの清掃方法ガイドライン文書を、光産業技術振興協会技術資料（OITDA-TP）として作成し、公表した。さらに英訳版をIEC会合にて説明し、IEC/TRとすることを提案した。その結果、DC文書として回覧された。

最終年度であるH25年度は、必要に応じて、技術調査及び市場調査を継続し、IEC/TR発行まで、文書審議の対応を行う予定である　

15.　 光ファイバセンサに関する国際標準化フィージビリティスタディ（Ｂプロ）

15.1　背景「安全、安心」な世界を作るため、リアルタイムかつ遠距離

伝送による監視が可能な光ファイバセンシング技術は、地震、豪雨、火山活動、雪崩等により引き起こされる津波、洪水、土石流、気象観測等の自然災害、中でも東日本大震災以降、将来への大規模災害への予知・対策のための防災センサとして、広範な活用が期待されている。

光ファイバセンサの国際標準化は、IEC/TC 86/SC 86C/WG 2（ファイバオプティクス／光ファイバセンサ）で審議が進められ、1998年にIEC 61757-1として光ファイバセンサの「総則」がまとめられた。このWGは規格の発行をみて活動を停止したが、その後の光ファイバセンシング技術の発展は著しいものがあり、その応用範囲も多方面での活用が進みつつある。

このため、IEC/TC 86では同規格のメンテナンスに際し改正作業に着手したが、2010年10月、WG 2を復活させ「総則」の傘下に位置する実用規格群の作成を企画する事が決定された。

本調査研究では、光ファイバセンサの国際標準化について、諸外国の動向に遅延する事なく、わが国での国際規格の審議を可能とし、わが国の意見が十分反映された国際規格作成を可能とする環境整備のための調査活動を行った。

15.2　活動内容以下の活動を実施することを目標とし、北海道工業大学と共

同で事業を遂行した。① IEC/TC 86/SC 86C/WG 2に適任となるわが国の専門家を

集め、代表をスペシャリストとして参画させる。② 日本国内の現状を調査し、インタフェースから部品レベルま

で具体的な標準化すべき課題を検討する。③ 欧州調査を実施し、TC・SC議長並びにPLらと協議して、わ

が国の意見を反映させた不利益とならぬ標準化のロードマップを作成する。

④ 以上の結果を受け、わが国の適切な審議母体を選定し、次年度以降のIECでの活動の国内基盤を整備し、国際規格作成審議にあたる。

15.3　まとめ15.2に示した活動目標を以下に遂行した。

① IEC/TC 86/SC 86C/WG 2に我が国から3人のスペシャリストを登録し、2012年11月メキシコで開催された初会合に出席、ドイツから提案された二つのプロジェクトに対し、プロジェクトメンバとして任命された。

② 国土交通省の敷設した宮崎県内の崩落危険道路壁面の調査を実施し、標準化すべき項目について検討した。

③ WG 2のコンビーナが所属し、欧州で光ファイバセンサ研究の最前線にあるドイツ連邦国立研究所（BAM）を訪問し二日間に渡り技術討論及びベルリン中央駅での光ファイバセンサ敷設状況視察調査を実施した。その結果、例えば、土壌に加わっている応力、歪み量を、長期間に渡ってモニタリングすることで、土砂崩壊やがけ崩れ等の兆候をデータとして定量化、可視化することが可能となるが、従来のエレクトロニクス技術による構成、即ち、銅線、電子部品、電子回路を利用しての構成では、腐食や絶縁不良、雷撃やノイズ、熱による電子部品の破損等、被モニタリング対象に対して寿命が短いため、モニタリングシステムのメンテナンスが多くなってしまうが、光ファイバセンサでは、土壌内部に敷設されるのは光ファイバやガラスで構成された光学受動部品のみとなるため、モニタリングシステムの寿命が長く、長期のモニタリングには有効であること等を確認した。また、医療機器のセンサとして光ファイバを利用するメリットは、光ファイバによるモニタリングでは、周囲の電波（携帯電話や電子機器から発生する電気的ノイズ）に影響を受けない点であることが紹介された。

④ TC 86国内審議母体である電子情報通信学会の了承を得て、次年度IEC/TC 86/SC 86C/WG 2の国内審議に当たる委員会を、協会ファイバオプティクス標準化委員会傘下に設置する事とした。

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16.　 レーザ機器の安全・安心に関する 調査研究委員会

16.1　背景及び目的レーザ技術及びその技術を活用した機器は、例えば、光通

信・光ディスク・レーザプリンタ・レーザ加工機・バーコード読み取り機・レーザポインタ・レーシックなど、社会生活に欠くことのできないものとなってきている。このように、本来、安全・安心な社会環境を保持するための技術であり、家庭生活にも広範に普及しつつあるレーザは、一方で、その不適切な取扱いによって、病院での手術中の事故、製造現場又は遊戯中の目への誤照射による失明事故、実験中の不適格な遮蔽板・暗幕等への照射による火災事故などが起きており、レーザ安全性の問題に対する多面的な対応が求められている。

レーザ安全の国際標準化は、IEC/TC 76で審議・作成されており、我が国の国内規格であるJISは、IEC規格に沿って制定されている。当協会は1980（昭和55）年の設立以来、1980年に制定されたJIS C 6801（レーザ安全用語）をはじめとして、JIS C 6802（レーザ製品の安全基準）を中心に、JIS C 6803（レーザ製品の安全－光ファイバ通信の安全）、JIS C 6804（レーザ製品の安全－情報伝達のための光無線システムのための安全）などを制定・改正してきた、しかし、現状ではIECで発行された全てのレーザ安全の規格がJIS化されてはおらず、国内規格が完全に整備されている状況ではないので、JIS整備をよりすすめることが望まれる。

また、このような事故を未然に防ぎ、家庭から製造現場に渡る広範な社会の「安全・安心」に資するために、光協会は、レーザ安全スクールを毎年開催し、レーザ取扱技術者試験を毎年実施している。しかし、スクールは試験に合格するための勉強の色彩が濃く、安全性の啓蒙を図るためにより適切なシンポジウムの開催が望まれている。

16.2　調査研究の概要上記の目的のため、国内の専門家、使用者からなる調査研究

委員会を構築し、具体的に、次のような調査研究活動を行った。－ IEC/TC 76ディドコット会合及び第７回FiSC2012（ファイバ

レーザ及びディスクレーザに関する国際シンポジウム）に専門家を派遣し、標準化のための意見交換・情報収集を行った。

－ ISO 11553-1（レーザ加工機の安全性－一般要求事項）並びにIEC 60825-1（レーザ製品の安全性－クラス分け及び要求事項）の解釈票１及び２の翻訳を行い、国際規格に対応したJIS制定の準備を行った。

－ レーザ安全性に関する標準化国際シンポジウムを開催し、安全性に対する注意を喚起するとともに安全な使用法の啓蒙を図った。この中で、標準化国際シンポジウムの詳細について次に紹介

する。

16.3　標準化国際シンポジウム「レーザ機器の安全・安心」をテーマにした標準化国際シン

ポジウムは、米国及び欧州のレーザ安全の権威を迎え、80名を超える参加者の下、開催した。講演者及び講演題名は次の表４のとおりである。

聴講者からは、全体を通し、米国・欧州のレーザ安全性に対する考え方を知る良い機会が提供されたと好評であった。それに対し、我が国の安全性への取り組みは後手に廻っており、一層のスピードアップが必要と感じるという意見が出た。安全・安心に対する取り組みを強化するために、同様のテーマのシンポジウムを継続的に開催してほしいという意見も多く出た。当協会としては、これらの声に応えるべく、次年度の標準化シンポジウムの計画を検討していく。

表４　標準化国際シンポジウムプログラム講演者 題　　名

1. 橋新裕一教授　近畿大学　 日本のレーザ機器の安全・安心－現状と課題－2. J. Dennis氏　元米国保健衛生省　 レーザ機器の米国への輸出時の留意点3. J. O'Hagan博士　英国健康保護局　 レーザ安全に関する欧州の法律と規格4. 三橋正示氏　ソニー 照射型プロジェクタ光源のレーザ化と安全規格

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標　準　化

競輪補助事業

1.　はじめに当協会は、光技術を支える人材の育成、光技術関連情報の

普及・啓発・広報、さらには国際交流等多くの事業を実施し、光産業技術の発展に寄与してきている。

本年度も、人材育成では、技術開発・製造・販売等の現場で必要なレーザ技術の研修事業及び試験事業として、レーザ安全スクール及びレーザ機器取扱技術者試験をそれぞれ実施した。

普及・啓発・広報では、光産業技術に関する各種シンポジウム、定期的なセミナーやインターオプト2012の開催、櫻井健二郎氏記念賞の授与等の多彩な活動を展開し、さらに、ホームページやオプトニューズ、国際会議速報等を通じ、光産業技術の普及・啓発活動を継続的に実施した。

2.　レーザ安全スクール当協会は、レーザ機器の普及に伴う機器取扱者の傷害事故

の発生を未然に防止するため、レーザ機器の設計開発、製造、加工、販売、運用、メンテナンス等に携わる方 を々対象に「レーザ安全スクール」を実施している。光技術、レーザ光の人体への影響、レーザ安全等の各テーマについて現在ご活躍中の専門家を講師に招き、講義内容は実務に即役立つものとなっている。プログラムは、入門コースの光・レーザ入門（Iコース）から始まり、基礎知識のSコース［レーザ工学の基礎（S1コース）、レーザ安全の基礎（S2コース）、レーザ応用機器の安全（S3コース）、大出力レーザ機器の安全（S4コース）］、専門知識のMコース［レーザ安全管理者向けコース（M1コース）、レーザ安全技術者向けコース（M2コース）］と進み、体系的なレーザ安全教育が可能。また各コース講義終了後には理解度を確認するための、演習問題を解く時間も設けられている。内容は日本工業規格であるJIS C 6802「レーザ製品の安全基準」、関連規格および、厚生労働省基発第0325002号「レーザー光線による障害の防止対策について」等を網羅し、光加工、光通信、レーザ医療等の各分野に従事するレーザ機器取扱者等、社会の要請に応えたものとした。第27回レーザ安全スクールは、2012年10月22～26日及び11月12～16日の２期に分けて東京・新橋の航空会館で実施した。実施概要を表１に示す。

受講者数は527名（前回732名）、参加企業・団体数は118社（前回139社）であった。円高、及び景気低迷の中での開催となり、参加人数、参加企業数も現象となったが、今後レーザ製品がより広範囲な分野で導入されて行くものと予測され、長期的にはレーザ製品の取扱いに従事する方も増加して行くものと考えられる。

なお、2013年度の第28回レーザ安全スクールは、第１期が10月28日～11月１日、第２期が11月18～22日、いずれも東京・芝公園の機械振興会館で実施を予定している。

表1　第27回レーザ安全スクールコース別受講者数（単位：名）コ　ー　ス　名 第１期 第２期 合　計

I コース：光・レーザ入門 28 － 28

S1コース：レーザ工学の基礎 30 48 78

S2コース：レーザ安全の基礎 77 86 163

S3コース：レーザ応用機器の安全 38 49 87

S4コース：大出力レーザ機器の安全 38 47 85

M1コース：レーザ安全管理者 56 － 56

M2コース：レーザ安全技術者 － 30 30

合 計 267 260 527

※ Iコースは二日間コース、その他は一日コース

3.　レーザ機器取扱技術者試験この試験の趣旨は、レーザ機器の取扱いに起因する危険及

び障害を防止するため、レーザ機器の取扱者や安全管理者及び安全技術者に必要とされる知識水準を審査し、試験合格者を当協会に登録することにより、レーザ機器の取扱いの安全化を促進するとともに、レーザをはじめとする光産業の健全な発展を支援する事にある。

第23回レーザ機器取扱技術者試験を2012年12月７日に、東京・芝公園の機械振興会館で実施した。同日は全国からの受験者126名を集めて３会場に分かれ、午前10時～正午まで、また午後１時～３時までそれぞれ２時間ずつの試験が行われた。受験者の内訳はレーザに関する総合的な知識、レーザ光の危険性と安全法規の知識をもっているかどうかをテストするレーザ安全管理専門の第１種選択１が８名、同じく第１種で安全技術専門の選択２が12名、またレーザの基礎的な安全規格及び知識をもっているかどうかをテストする第２種が106名であった。実施概要を表２に示す。

レーザ機器取扱技術者試験委員会の厳正な採点の結果、合格と判定されたのは第１種選択１が４名、同選択２が８名、第２種が51名であった。今回の合格者を含めた既合格登録有効者数は、「第１種選択１」が83名、「第１種選択２」が223名、「第２種」が1,696名、合計2,002名となる。

なお、第24回レーザ機器取扱技術者試験は2013年12月６日に東京・芝公園の機械振興会館で実施を予定している。

表２　第23回レーザ機器取扱技術者試験結果

種 別 受験者数 合格者数 合 格 率

第１種選択１ 8名 4名 50.0％

第１種選択２ 12名 8名 66.7％

第２種 106名 51名 48.1％

合　　　計 126名 63名 50.0％

4.　シンポジウム4.1　平成24年度光産業技術シンポジウム

平成24年度の光産業技術シンポジウムは、当協会及び技術

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人材育成・普及啓発等

研究組合光電子融合基盤技術研究所が共催し、「次世代社会システムに向けた日本発の光イノベーション」をテーマに、経済産業省の後援を受けて2013年２月６日（水）、リーガロイヤルホテル東京にて、200名を超える参加者の下、開催された。当協会専務理事小谷泰久の開会挨拶に始まり、経済産業省商務情報政策局　情報通信機器課　荒井勝喜課長より来賓のご挨拶を頂いた。荒井氏は、本シンポジウムは今年で32回目であり、長い間継続されている重要な場であることに対し敬意を表され、光産業技術振興協会が平成24年度工業標準化事業表彰・経済産業大臣表彰を受賞したこと、光電子融合基盤技術研究所が2009年の設立以来４年目を迎え益々活躍の場を広げていることを祝された。シンポジウムは、光技術による次世代の時間標準や光テクノロジーロードマップなどの講演が並んでいる。産業界、学術界の英知を結集する貴重な機会として頂きたいと挨拶とされた。

続いて、午前に３件、午後に３件、合計６件の講演がなされた。第１番目は、東京大学大学院工学系研究科教授の香取秀俊氏より、『100億年の時を刻んでも１秒も狂わない光格子時計の開発』と題して講演された。

時計は、皆で共有できる普遍な周期現象を使って時間を共有するための道具であった。20世紀の半ばまで、時間は地球の自転をもとに定義されており、このような天文学的な秒に代わり、物理学者が時間を決めるようになったのは、1967年のことである。セシウム原子時計は、地球の自転や公転よりも遥かに規則的にマイクロ波の振動を刻み、１秒の精度を10桁から15桁超にまで向上させた。今世紀に入って、光の発振器・レーザを使う光原子時計の研究が飛躍的に進展した。マイクロ波に比べて５桁近くも振動数が高い光の振動を使えば、時計精度も５桁近く向上する可能性がある。10年前、香取氏らは、光格子時計と名付けた新型の光原子時計のアイデアを提案した。レーザの干渉縞で作る微小空間－光格子－に閉じ込めた約100万個もの原子が吸収・放出する光の振動数をS/Nよく測定し、数十秒の観測時間で18桁の時間を読み出す企てが始まった。18桁の精度で時間が読み出せるようになると、日常的な運動スケールでの時間合わせにも、相対論的な「時空」の歪みが顔を覗かせる。時計をわずか１cm地面に近付けるだけで、重力が強くなった分ゆっくり進む時間が表示される。工学的応用面では、光ファイバリンクの活用が紹介され、聴衆の興味を引いた。

２番目は、スマートソーラーインターナショナル株式会社社長の富田孝司氏により、『太陽光を機軸とした持続可能なグローバルエネルギーシステム』と題して講演された。新しい熱交換システムを搭載した集光型太陽光発電システム（CPV）の開発が紹介された。当該システムは太陽電池からの電力だけでなく、熱も同時に回収することができる。従来のシステムでは、シリコン太陽電池を用いた固定パネルが主流であり、変換効率は20%程度まで向上しているが、残りのエネルギーは熱として使われずに放散されている。希薄なエネルギーをレンズやミラーなどの光学部品で集め、効率の高い太陽電池で電力に変換する集光型システムの研究・開発がなされている。高密度の太陽光エネルギーを太陽電池セルに照射するとセル温度が上昇し変換効率が低下するだけでなく信頼性を損なうため、冷却技術

は重要課題であった。光エネルギーを集め、高温蒸気を作り出し、タービンを動かして発電する太陽熱発電（CSP）技術は商用レベルに達している。しかし集熱システムは極めて大掛かりであり、回収する熱の温度も異なるため、CSPとCPVはお互いに異なる技術として関連を持たなかった。富田氏は2009年に新しい太陽光発電システムのコンセプトを提案された。講演では、集光型シリコン太陽電池、化合物半導体多接合太陽電池及びシステムから回収可能な熱エネルギーの利用などの可能性が報告された。

３番目は、独立行政法人 産業技術総合研究所　情報通信・エレクトロニクス分野研究企画室企画主幹の藤巻真氏より、『平成24年度　光テクノロジーロードマップ－安全・安心フォトニクス－』と題して講演され、当協会が2011年度から５ヶ年計画で進めている「2030年代に向けた光テクノロジーロードマップ策定事業」の第２弾として、特別な何かを要することなく当たり前のように安全・安心が組み込まれている社会の実現に向けて策定した安全・安心フォトニクスロードマップの概要が紹介された。日常生活には、人々の生命を脅かす様々な脅威が常に潜んでいる。地震や豪雨に代表される自然災害、有毒ガスや菌・病原体の自然発生及びテロによるこれらの人為的散布、犯罪行為による殺傷などはそれらのほんの一例である。誰もが安心して安全に暮らせる生活を望む一方で、厳重すぎる警備や警戒、セキュリティチェックには不便が伴うことから、特別な何かを要することなく当たり前のように安全・安心が組み込まれている社会が望ましい。光の特徴を最大限に活かし、未来の安全・安心に与えうる技術的貢献は「見えないものの可視化」と「見えるものの情報化」である。講演では、これらをさらに「空気の状態の可視化」、「隠されたモノの可視化」、「菌、ウイルスの可視化」、「危険の事前察知、安全制御」、「構造物ヘルスケア、自然災害モニター」にブレークダウンし、さらに「途切れない光ネットワーク」を加え、それぞれに要求される要素技術に対してロードマップが示された。

午後の最初の講演は、経済産業省産業技術環境局　研究開発課　研究開発企画官の吉田健一郎氏により、『未来開拓研究について』と題して講演された。プロジェクトを立ち上げるに至った背景を紹介された。企業側の状況を、研究開発予算の縮小、研究開発期間の短期化、研究開発内容の重複、開発拠点の海外シフト等の観点で説明された。一方で、過去のサンシャイン計画、ムーンライト計画等の成果、課題を紹介されるとともに、平成24年度に立ち上げた「未来開拓研究」の狙いと内容を説明された。リスクが高い研究開発を国が主導で進め、省庁の縦割り打破を目的に「ガバニングボード」を設置し、国が選定する「ドリームチーム」による研究開発を推進するところに意味があるとのことであった。10年から20年後を見据えて、企業が戦略的に取り組むべき「革新的技術開発」を支援し、成果の事業化を重視したプロジェクト運営を行うために、情報管理の徹底、知財ルールの策定、柔軟な計画の見直しを行うとともに、大学等の実施する基礎研究との密接な連携の下、進めて行くというものである。

午後の２番目は、技術研究組合光電子融合基盤技術研究所　『超低消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発』

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人材育成・普及啓発等

プロジェクトのサブプロジェクトリーダー、光エレ実装基盤技術統括である蔵田和彦氏により、講演がなされた。「未来開拓研究」となった背景をインターコネクト技術のボトルネック、IT機器の省電力化、配線の小型・高速化の要求から説明された。また、省庁の枠を超えた「ガバニングボード」の対象で、内閣府の最先端プロジェクトである「フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発」のこれまでの成果を概観し、これらの成果と有機的に結びついた研究開発を進めるとのことである。一方で、光エレ実装プロジェクトは、大学との共同研究で進める「革新的デバイス技術開発」を含む、「実装基盤技術開発」とそれらを商品展開に結び付ける「システム化技術」で構成されていること、事業化へ向けて、事業戦略、研究開発戦略、知的資産戦略の三つ巴で事業推進することが示され、その中で国際標準化とコンソーシアム活動について詳細な計画が示された。

最後は、日本電信電話株式会社　未来ねっと研究所　主幹研究員グループリーダの平野章氏により、『近未来の超情報化社会を支えるエラスティック光ネットワーク』と題する講演がなされた。光ネットワーク技術を３つのベクトル（長距離大容量化、光領域の拡大、及びフレキシビリティの向上）から捉えなおし、これまでの進展を振り返りつつ、最近注目を集めているエラスティック光ネットワーク技術について述べられた。光レイヤのフレキシビリティを最大限に引き揚げ、増大するトラフィックをより経済的、よりグリーンに収容することで、サステーナブルな社会の実現に寄与することが期待されている。その実用化へ向けたステップについても述べられ、ネットワークの設計、制御、管理が今後解決すべき課題であると提言された。

4.2　第２回電子光技術シンポジウム第２回電子光技術シンポジウムを2013年３月５日に（独）産

業技術研究所（以下、産総研と略）臨海副都心センター別館において産総研電子光技術研究部門と当協会の共催により開催した。今回は、「電子と光の新しい潮流　－情報通信社会の持続的発展を担う新材料・新技術－」と題し、午前は「半導体技術ロードマップにおける新探求デバイス（Emerg i ng Resaarch Device）とシリコンのナノサイエンス」と「酸化物半導体の新展開」と題した特別講演及び「磁気トンネル接合素子の基礎と応用」と題した招待講演が行われた。午後は「新原理エレクトロニクス」と「光新技術」というテーマで、「原子移動を利用した新機能素子」と「テラヘルツ科学が拓く新産業展望」と題した招待講演及び、最先端の研究開発を行っている研究機関からの最新動向と産総研電子光技術研究部門の研究開発の成果も交えながら幅広く講演が行われた。当該分野に関心を寄せられる多くの参加者との有意義な議論も展開され大盛況のうちに閉幕した。

当日は産業界、関係研究機関等から、150名を越える方々の参加があり、この分野に対する関心の高さを感じさせた。今回は２件の特別講演及び３件の招待講演を含む、全11件の口頭発表があった。

午前中のセッションでは、慶応義塾大学　内田建教授から「半導体技術ロードマップにおける新探求デバイス（Emerging

Resaarch Device）とシリコンのナノサイエンス」と題し、ナノエレクトロニクスを活用した新探究デバイスおよびシリコン・ナノエレクトロニクスの現状と課題についての特別講演があった。続いて産総研のナノスピントロニクス研究センター　湯浅新治　研究センター長から「磁気トンネル接合素子の基礎と応用」と題して、TMR（Tunnel magnetoresistance）及びSTT（Spin-transfer torque）の基礎と応用についての招待講演があった。続いて東京工業大学の細野秀雄教授からは「酸化物半導体の新展開」と題し、透明酸化物の展望についての特別講演があった。

午後の第一部は「新原理エレクトロニクス」と題して４件の講演があった。物質・材料研究機構の原子エレクトロニクスユニット　長谷川剛ユニット長からは「原子移動を利用した新機能素子」と題して、原子の移動とその酸化・還元反応を利用した原子スイッチについての招待講演があった。その他、産総研　電子光技術研究部門の各グループより最新の研究動向の報告があった。

午後の第二部は「光新技術」と題して、大阪大学　斗内政吉教授からは「テラヘルツ科学が拓く新産業展望」と題して、テラヘルツ電磁波の基礎とテラヘルツテクノロジーが目指す未来についての招待講演があった。その他、産総研　ナノスピントロニクス研究センター及び電子光技術研究部門の各グループより最新の研究動向の報告があった。講演終了後、意見交換会が行われ講演者も含めて参加者同士が活発に意見交換を行った。

5.　光産業技術マンスリーセミナー当協会では光産業・技術の普及事業の一環としてマンスリー

セミナーを毎月１回開催している。このセミナーは光産業技術に関連する幅広い専門家を講師に迎えて、内外のトピックスや最新の情報をわかりやすく解説していただくものである。表３に2012年度の開催概要を示す。

6.　インターオプトインターオプト2012（Internat ional Optoelectronics

Exhibition2012）は「オールアバウトフォトニクス　光業界のあらゆる可能性のために。」をテーマとして2012年９月25～27日、までの３日間にわたり、横浜市みなとみらい地区のパシフィコ横浜展示ホールにおいて開催した。

同時開催のBioOpto JAPAN 2012（主催、㈱ICSコンベンションデザイン）、LED JAPAN Strategies in Light 2012（主催、㈱ICSコンベンションデザイン、PennWell Corporation）、LaserTech2012（主催、㈱ICSコンベンションデザイン）の３展示会と共に４展示会が同時開催をした。インターオプトは当協会が主催、㈱ICSコンベンションデザインが企画・推進し、経済産業省、日本貿易振興機構、日本科学技術振興財団、対日貿易投資交流促進協会が後援、応用物理学会、計測自動制御学会、精密工学会、電気学会、電子情報通信学会、情報通信ネットワーク産業協会、日本電機工業会、電子情報技術産業協会、電線工業会、レーザ加工学会、レーザ協会、レーザー輸入振興協会が協賛している。

出展分野はレーザ／光源、光素子／部品、材料、光機器／装

技術情報レポート2012年度OITDA

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表3　2012年度 光産業技術マンスリーセミナー　開催概要一覧表回 開催日 講演テーマ 講師（敬称略）

347 4/17 光MEMS技術の最近の研究開発動向 東京大学　教授　年吉 洋348 5/15 メタマテリアルの基礎と応用 理化学研究所　准主任研究員　田中 拓男349 6/19 光インターコネクト技術の最新動向 ㈱日立製作所　主任研究員　菅原 俊樹350 7/17 高効率太陽電池の研究開発動向 東京大学　教授　中野 義昭351 8/21 痛みの分かる材料・構造を実現する光ファイバ神経網技術 東京大学　教授　保立 和夫352 9/18 フォトニック結晶による発光制御とその応用 東京大学　准教授　岩本 敏353 10/23 ナノ材料による新しい光機能の開拓 東京大学　教授　立間 徹354 11/20 マルチコアファイバ伝送技術の最新動向と今後の展開 情報通信研究機構　研究マネージャー　淡路 祥成

355 12/18 産業用レーザとその応用技術の現状と将来展望 ㈲パラダイムレーザーリサーチ　取締役社長　鷲尾 邦彦

356 1/22 有機薄膜トランジスタの研究開発動向とフレキシブルディスプレイ駆動への応用 NHK放送技術研究所　専任研究員　藤崎 好英

357 2/19 次世代イーサネットの標準化動向 ㈱日立製作所　研究員　光野 正志358 3/19 有機EL、LEDを中心とした新世代照明の最新技術動向 パナソニック㈱　技監　菰田 卓哉

置、光産業関連、サービス／ソフトウエアと広範囲にわたり、出展品目も光関連材料から光応用システムまで幅広い技術が展示された。

開催規模としては、国内外の光関連メーカ、商社など97社（前回86社）、129小間（前回133小間）の出展があった。また、会期３日間の来場登録者（同時開催展示会含む）は11,012名（前回12,231名）であった。国内の企業・団体等はもとより、国外からも商社による出展を含めると、北米、欧州、アジア等の企業等の出展があり、光の広い範囲にわたる技術・情報の交流とともに、光の最先端の製品・開発状況を総合的に眺めることができた。

パシフィコ横浜展示ホールでは、恒例の「注目される光技術・特別展示ゾーン」を設置し、光技術動向委員会各分科会が推薦した企業６社が推薦された技術を、光協会が光産業関連の新規事業に対して実施している展示会小間料金出展料支援を受けた中小・中堅企業５社が出展支援対象の技術の展示・紹介を行った。一方、光協会ブースでは、光産業・技術の概要を写真パネルにて展示、特に光産業の調査研究に関しては、各種調査報告書を展示紹介した。また、技術情報レポート（和文・英文）等を無料配布し、当協会の紹介、光産業及び光技術の最新情報の紹介を行うなど広報活動を行った。

急激な円高等、景気の先行きが不透明な中で開催の展示会ではあるが、現状注目されている太陽電池、（太陽光発電）、LED関係（低電力LED照明）の出展ブースはもとより、注目度が増えつつあるバイオオプト・メディカルフォトニクス、LaserTechを含めたレーザ加工技術、その他光関係の新しい技術の出展ブースも見受けられた。また、展示会場内では、９月25、26日の２日間「注目される光技術セミナー」が、９月25～27日は「出展社プレゼンテーション」が開催された。新たな技術・注目される分野を目指して来場した参観者が熱心に質問をしているブースや、デモンストレーションごとに人だかりができるブースがあり、新たな情報を求めて来場した参観者の、情報収集、出展社との商談、及び技術交流の場としての役割を十分に果たせた。

一方、パシフィコ横浜アネックスホールでは９月25日に、東京大学 吉川良三氏による特別講演として勝つための経営「グローバル時代の日本企業生き残る道」および光産業動向全体プラス７分野の光産業動向セミナーが、９月26日には、九州大学 安達千波矢氏による特別講演「革新的材料による次世代有機ELデバイスへの挑戦」および光技術８分野の光技術動向セミナーを開催した。また、光団体国際会議（IOA: International Optoelectronics Association）が、2012年インターオプトの開催時期にあわせて開催されたため、一般向け（一般公開）として、９月27日に光産業技術国際フォーラム2012（IOA Forum 2012）を開催した。各会場では、参加者の真剣な眼差しでの聴講が目立っていた。

なお、来年のインターオプト2013は10月16～18日の３日間、会場は同じくパシフィコ横浜にて前述の３展示会と共に、４展示会同時開催の予定である。

7.　第28回櫻井健二郎氏記念賞（櫻井賞）

（左から）福知氏、尾中氏、山崎氏、水落氏

今年度の櫻井賞は、2002年以降の光産業及び光技術の分野において先駆的役割を果たした業績を対象に、応募12件の中から１件が選考された。受賞題目「高速切り替え可能な100Gデジタルコヒーレント光ネットワーク技術の研究開発」に対し、日本電信電話株式会社の山崎悦史氏、富士通株式会社の尾中寛氏、三菱電機株式会社の水落隆司氏、日本電気株式会社の

技術情報レポート2012年度OITDA

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人材育成・普及啓発等

福知清氏に授与された。櫻井賞は、当協会の理事であった故櫻井健二郎氏が光産業

の振興に果たした功績を讃えると共に、光産業及び技術の振興と啓発を図ることを目的として創設したもので、過去27回で21名の個人、31グループ、延べ124名が受賞している。

受賞の栄に輝いた日本電信電話株式会社の山崎悦史氏らの受賞理由は、「受賞者は、光ネットワークの伝送能力を飛躍的に向上させるデジタルコヒーレント方式について一波長当たり100Gb/sの光伝送システムを世界に先駆けて開発した。特に、伝送路故障や保守運用など実フィールドへの適用に対応できるシステムの実現をめざし、要素技術として光リングプロテクションのための高速信号復旧技術、高速偏波トラッキング技術、軟判定誤り訂正技術および波長分散補償技術を確立し、これらを統合した高速デジタル信号処理回路を世界に先駆けて実用化した。開発成果は、長期間の現場試験により実運用性の問題がないことを立証している。本技術は、日本の優れた光技術開発力の結集による大きな成果として、ブロードバンドネットワーク時代の世界を先導し、今後の光産業の発展に貢献するところが大きい。」ことによる。

以上の４氏に対する表彰は、2013年２月６日に開催された平成24年度光産業技術シンポジウムの終了後に行われた。櫻井健二郎氏記念賞委員会委員長、神谷武志氏（東京大学名誉教授・独立行政法人 情報通信研究機構R&Dアドヴァイザー）による選考経過報告の後、賞状、メダル、副賞が各受賞者に手渡され、引き続き受賞者を代表して山崎氏より謝辞が述べられ、表彰式を終了した。

8.　普及・啓発活動オプトニューズ、技術情報レポート2011年度、Annua l

Technical Report 2011（英文誌）を発行した。また、1996年から開設しているホームページや、メールによる情報提供を行っている。

8.1　オプトニューズ（賛助会員向け）協会事業、テクノロジートレンド、リサーチ&アナリシスといっ

た当協会の事業活動報告、光技術・産業動向調査委員会の調査による最新動向・トピックスを紹介。

①　Vol.7, No.1（2012）（2012年5月21日Web掲載）　　：テクノロジートレンド、リサーチ&アナリシス 他②　Vol.7, No.2（2012）（2012年7月20日Web掲載）　　： テクノロジートレンド、リサーチ&アナリシス、

インターオプト予告 他③　Vol.7, No.3（2012）（2012年9月5日Web掲載）　　：インターオプト2012 特集 他④　Vol.7, No.4（2012）（2012年11月27日Web掲載）　　： インターオプト2012報告、光関連団体国際会議（IOA）

報告 他⑤　Vol.7, No.5（2012）（2013年1月24日Web掲載）　　：年頭所感、レーザ安全スクール・試験実施報告 他⑥　Vol.7, No.6（2012）（2013年3月26日Web掲載）　　： 光産業国内生産額・全出荷額調査結果、光産業技術

シンポジウム報告、櫻井健二郎氏記念賞表彰 他

8.2　技術情報レポート 2011年度（冊子／年１回刊）2011年度の調査・研究開発活動の概要

8.3　 Annual Technical Report 2011 （海外向け英文誌／年１回刊）

技術情報レポート 2011年度の英語版

8.5　 ホームページ・メールによる情報配信 （http://www.oitda.or.jp）

事業報告を始め、マンスリーセミナー、光産業技術・標準化国際シンポジウム、レーザ安全スクール、各種研究会やフォーラムの開催案内等の各種情報をホームページに掲載し、またメールによる情報配信を行うことにより、光技術関係者に情報を提供している。

主要なホームページ掲載情報： ◦光産業国内生産額、全出荷額調査結果◦ 技術情報レポート2011年度、Annual Technical Report

2011◦ 標準化活動（OITDA規格制定、JISリスト、JIS化原案作

成とTP（技術資料）リスト）◦ 賛助会員用のページ更新（オプトニューズ、報告書、国際

会議速報、プレスリリースの先行掲載）

8.6　国際会議速報（賛助会員向）国際会議速報は、主要国際会議での光技術研究開発の先

端動向を、執筆者の主観的な意見を交え、会議終了後にEメール配信する情報提供サービスである。本年度は49件の速報を発行した。速報対象会議、速報テーマ、会議期間、技術分野を次頁の表４に示す。

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表４　2012（平成24）年度国際会議速報発行リスト

No. 速報対象会議 速報テーマ 会議開始日 技術分野1 CPV8 2012 集光型太陽光発電 2012/4/16 光エネルギー2 CLEO 2012 量子情報通信 2012/5/6 光無機材料・デバイス3 BIOMED 2012 光診断：拡散光イメージング 2012/4/28 加工・計測4 ICNP ナノフォトニクス 2012/5/27 情報処理フォトニクス5 IEEE-PVSC 集光型・超高効率太陽電池 2012/6/3 光エネルギー6 IEEE-PVSC 太陽光発電：評価 2012/6/3 光エネルギー7 SLT ʼ12 レーザ加工 2012/6/13 加工・計測8 LPM 2012 レーザ精密微細加工 2012/6/12 加工・計測9 SID 2012 PDP 2012/6/3 ディスプレイ10 SID 2012 LCD 2012/6/3 ディスプレイ11 SID 2012 3Dディスプレイ 2012/6/3 ディスプレイ12 LOPE-C 2012 プリンテッドエレクトロニクス 2012/6/19 ディスプレイ13 E/PCOS 2012 相変化材料 2012/7/8 情報処理フォトニクス14 ODF ʼ12 光設計 2012/7/2 情報処理フォトニクス15 ISSLED 2012 半導体発光デバイス 2012/7/22 光無機材料・デバイス16 IPRM 2012 通信用光材料・デバイス 2012/8/27 光無機材料・デバイス17 STSS 2012 共生システム 2012/8/29 ヒューマンインタフェース18 GFP2012 IV族系情報処理フォトニクス 2012/8/29 情報処理フォトニクス19 GFP2012 シリコンフォトニクス 2012/8/29 光無機材料・デバイス20 ICFPE 2012 プリンテッドエレクトロニクス 2012/9/5 光有機材料・デバイス21 The Eye & The Chip 人工視覚 2012/9/9 ヒューマンインタフェース22 ECOC 2012 シリコンフォトニクス 2012/9/16 情報処理フォトニクス23 ECOC 2012 基幹伝送 2012/9/16 光通信・ネットワーク24 ECOC 2012 光アクセス 2012/9/16 光通信・ネットワーク25 ECOC 2012 光基幹ネットワーク 2012/9/16 光通信・ネットワーク26 ECOC 2012 光ファイバ 2012/9/16 光通信・ネットワーク27 ECOC 2012 化合物半導体デバイス 2012/9/16 光無機材料・デバイス28 ICALEO 2012 レーザ加工 2012/9/23 加工・計測29 27th EU PVSEC 結晶シリコン太陽電池 2012/9/24 光エネルギー30 APCHI 2012 ヒューマンコンピュータインタラクション 2012/8/28 ヒューマンインタフェース31 IEEE SMC 2012 画像処理・生理生体計測 2012/10/14 ヒューマンインタフェース32 IWN 2012 窒化物半導体 2012/10/14 光無機材料・デバイス33 PE2012 光有機エレクトロニクス 2012/10/9 光エネルギー34 ISLC 2012 半導体レーザ 2012/10/7 光無機材料・デバイス35 ISOM ʼ12 光メモリ・情報処理 2012/9/30 情報処理フォトニクス36 DSC OPV7 色素増感太陽電池及び有機薄膜太陽電池 2012/10/26 光エネルギー37 NNT2012 ナノインプリント技術 2012/10/24 光有機材料・デバイス38 Photonics Asia 2012 フォトニクス全般 2012/11/4 光無機材料・デバイス39 PVSEC-22 化合物薄膜太陽電池 2012/11/5 光エネルギー40 PCOS 2012 相変化材料・デバイス 2012/11/29 情報処理フォトニクス41 Gi4DM 2012 防災情報システム 2012/12/13 ヒューマンインタフェース42 IDW ʼ12 3D 2012/12/4 ディスプレイ43 IDW ʼ12 LCDおよびフレキシブルディスプレイ 2012/12/4 ディスプレイ44 2012 MRS Fall 有機半導体材料 2012/11/26 光有機材料・デバイス45 BiOS バイオメディカル 2013/2/1 加工・計測46 OFC/NFOEC 2013 光ファイバ 2013/3/17 光通信・ネットワーク47 OFC/NFOEC 2013 光ネットワーク 2013/3/17 光通信・ネットワーク48 OFC/NFOEC 2013 基幹伝送 2013/3/17 光通信・ネットワーク49 OFC/NFOEC 2013 光アクセス 2013/3/17 光通信・ネットワーク

技術情報レポート2012年度OITDA

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人材育成・普及啓発等

（データは年度末時点・敬称略）

開催回数 委員数 委員長等（所属） 事務局（○印は主担当）

2623324433353233334341133655896555413349

3

3

4312

13863879768981012106667147794117715131620131316121527171910129

17

8

111399

荒川 泰彦（東京大学）藤巻　 真（産業技術総合研究所）中野 義昭（東京大学）土屋 朋信（日立製作所）米永 一茂（NTT）的場 　修（神戸大学）長谷川 雅樹（メルク）下田 　宏（京都大学）藤田 雅之（レーザー技術総合研究所）山田 　明（東京工業大学）山本 典孝（産業技術総合研究所）児玉 泰治（産業技術総合研究所）佐藤 健一（名古屋大学）小林 直人（早稲田大学）山林 由明（千歳科学技術大学）中川 活二（日本大学）川本 広行（早稲田大学）面谷 　信（東海大学）黒川 浩助（東京工業大学）杉岡 幸次（理化学研究所）伊藤 雅英（筑波大学）神谷 武志（情報通信研究機構）江村 克己（日本電気）川瀬 正明（千歳科学技術大学）川瀬 正明（千歳科学技術大学）井藤 幹隆（NTT）関口 俊彦（NTT）泉田 　史（NTT）長瀬 　亮（千葉工業大学）水本 哲弥（東京工業大学）吉田 淳一（千歳科学技術大学）山田 　誠（大阪府立大学）高良 秀彦（NTT）野口 一博（東北工業大学）橋新 裕一（近畿大学）波多腰 玄一（東芝）入江 　満（大阪産業大学）谷口 昭史（パイオニア）大澤 英昭（東芝）小町 祐史（大阪工業大学）

長瀬 　亮（千葉工業大学）

長瀬 　亮（千葉工業大学）

佐々木 一正（北海道工業大学）鷲尾 邦彦（パラダイムレーザリサーチ）新井 武二（中央大学）入江 宏定（日本溶接技術センター）

○井口、中野○井口、中野○臼井、鈴木○山田○中野○足立○石森○高橋○三浦○宮本○綿貫、石森○高橋○中野、井口、三浦○宮本、村田、鈴木○三浦、鈴木○中野、鈴木○石森、鈴木○高橋、鈴木○足立、鈴木○臼井、鈴木○山田、鈴木○臼井、三枝○増田、小林○村田○村田○中野○宮本○臼井、石森○三浦、村田○井口、村田○綿貫、三浦○綿貫、三浦○足立、高橋○山田、石森○村田、小林○増田、小林○高橋、石森○高橋、石森○石森、高橋○高橋

○石森、綿貫

○三浦、増田

○三浦○村田○川久保、大熊○川久保、大熊

名　　　称技術戦略策定事業 技術戦略策定委員会 安全・安心フォトニクス・ロードマップ策定専門委員会光技術動向調査委員会 光無機材料・デバイス（第１分科会） 光通信ネットワーク（第２分科会） 情報処理フォトニクス（第３分科会） ディスプレイ（第４分科会） ヒューマンインタフェース（第５分科会） 加工・計測（第６分科会） 光エネルギー（第７分科会） 光有機材料・デバイス（第8分科会）特許動向調査委員会高効率スペクトル活用光通信技術調査委員会光産業動向調査委員会 情報通信調査専門委員会 情報記録調査専門委員会 入出力調査専門委員会 ディスプレイ・固体照明調査専門委員会 太陽光発電調査専門委員会 レーザ加工調査専門委員会 センシング・計測調査専門委員会櫻井健二郎氏記念賞委員会光産業技術標準化総合委員会 ファイバオプティクス標準化委員会 企画調整専門委員会 ダイナミックモジュール分科会 建物内光配線システム専門委員会 光ファイバ標準化委員会 光コネクタ標準化委員会 光受動部品標準化委員会 光能動部品標準化委員会 光増幅器標準化委員会 光サブシステム標準化委員会 光測定器標準化委員会 TC76レーザ安全性標準化委員会 ISO/TC172/SC9国内対策委員会 光ディスク標準化委員会 メディア専門委員会 アプリケーション専門委員会 フォーマット専門委員会

高速車載LAN用光伝送サブシステムの 　　試験方法に関する標準化提案委員会（Vプロ）

光通信システムのスマート化に適用した 　　光部品の国際標準化提案委員会（Tプロ）

IEC/TC 86/SC 86C/WG 2 設立準備委員会（Bプロ） レーザ機器の安全・安心に関する調査研究委員会レーザ安全スクール実行委員会レーザ機器取扱技術者試験委員会

開催回数 会員数 代表幹事（所属） 事務局6455

49426052

小森 和弘（産業技術総合研究所）皆方 　誠（静岡大学）山林 由明（千歳科学技術大学）小原 　實（慶應義塾大学）

○三浦、綿貫○山田、宮本○中野、山田○足立、石森

研究会名称フォトニックデバイス・応用技術研究会光材料・応用技術研究会光ネットワーク産業・技術研究会多元技術融合光プロセス研究会

2012（平成24）年度の各種委員会等

技術情報レポート2012年度OITDA

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賛助会員名簿 ［2013（平成25）年３月31日現在］

［建　設］ ［電線・ケーブル］ 株式会社白山製作所 ［商業・広告］

株式会社きんでん 岡野電線株式会社 パナソニック株式会社 株式会社ICSコンベンション

昭和電線ホールディングス 浜松ホトニクス株式会社 デザイン

株式会社 株式会社日立製作所 アドコム・メディア株式会社

［繊維・紙パルプ］ 住友電気工業株式会社 ヒロセ電機株式会社 株式会社オプトロニクス社

東レ株式会社 株式会社フジクラ ファイベスト株式会社 伯東株式会社

三菱レイヨン株式会社 古河電気工業株式会社 華為技術日本株式会社 丸文株式会社

三菱電線工業株式会社 富士通株式会社 矢崎総業株式会社

本多通信工業株式会社

［化　学］ 三菱電機株式会社

安達新産業株式会社 ［機　械］ 株式会社村田製作所 ［電　力］

信越化学工業株式会社 ブラザー工業株式会社 山一電機株式会社 一般財団法人電力中央研究所

住友ベークライト株式会社 山村フォトニクス株式会社

ダイキン工業株式会社 横河電機株式会社

東京応化工業株式会社 ［電子・電気機器］ ローム株式会社 ［その他製造］

日産化学工業株式会社 株式会社アドバンテスト 岩崎電気株式会社

富士フイルム株式会社 アンリツ株式会社 大日本印刷株式会社

三菱エンジニアリング ウシオ電機株式会社 ［精密機器］

プラスチックス株式会社 NTTエレクトロニクス株式会社 オリンパス株式会社

山本光学株式会社 沖電気工業株式会社 キヤノン株式会社 ［その他］

京セラ株式会社 コニカミノルタテクノロジー NTTアドバンステクノロジ

santec株式会社 センター株式会社 株式会社

［ガラス・窯業］ 三和電気工業株式会社 シグマ光機株式会社 財団法人光電科技工業協進会

旭硝子株式会社 シャープ株式会社 駿河精機株式会社 株式会社グラノプト

コーニングインターナショナル ソニー株式会社 セイコーインスツル株式会社 株式会社KDDI研究所

株式会社 タイコ エレクトロニクス 株式会社精工技研 株式会社工業通信

住友大阪セメント株式会社 ジャパン合同会社 株式会社トプコン 一般社団法人

株式会社テクニカル 太陽誘電株式会社 株式会社ニコン 日本オプトメカトロニクス協会

東洋ガラス株式会社 TDK株式会社 株式会社ニデック 日本電信電話株式会社

日本板硝子株式会社 株式会社 東芝 富士ゼロックス株式会社 技術研究組合

日本オクラロ株式会社 株式会社リコー 光電子融合基盤技術研究所

日本航空電子工業株式会社 公益財団法人

［鉄鋼・非鉄金属］ 日本電気株式会社 レーザー技術総合研究所

日鐵住金溶接工業株式会社 パイオニア株式会社

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― 禁 無 断 転 載 ―

技術情報レポート

発　　　行　2013（平成25）年５月編集・発行　一般財団法人光産業技術振興協会

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