3.1.1 bjt 的结构简介
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3.1 半导体三极管( BJT ). 3.1.1 BJT 的结构简介. 3.1.2 BJT 的电流分配与放大原理. 3.1.3 BJT 的特性曲线. 3.1.4 BJT 的主要参数. 半导体三极管的结构示意图如图 03.1.01 所示。它有两种类型 : NPN 型和 PNP 型。 两种类型的三极管. 3.1.1 BJT 的结构简介. 集电极 , 用 C 或 c 表示( Collector )。. 发射极 , 用 E 或 e 表示( Emitter );. 集电区. 发射区. 基区. 发射结 (Je). 集电结 (Jc). - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
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3.1.1 BJT3.1 BJT3.1.2 BJT3.1.3 BJT3.1.4 BJT
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3.1.1 BJT(Je) (Jc) BbBase EeEmitterCcCollector
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end
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3.1.2 BJT1. NPN
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()BJT (Bipolar Junction Transistor) 3.1.2 BJT
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2. IC= InC+ ICBOIB= IB - ICBO IC >> ICBOIE=IB+ IC
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IE=IB+ IC2.
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3. CE
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3. CB
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3. CC;IE=IB1
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3. CC;CBCE
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4. vI = 20mVVEEVCCVEBIBIEICvI+vEB+iC+iE+iBiE = -1 mAiC = iE = -0.98 mAvO = -iC RL = 0.98 V = 0.98
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VBBVCCVBEIBIEICvI+vBE+iC+iE+iBvI = 20mV iB = 20 uAvO = -iC RL = -0.98 V = 0.984.
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123.1.2 BJT# PNPNPN
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3.1.2 BJTNPNPNPend
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iB=f(vBE) vCE=const(2) vCE1V vCB= vCE - vBE>0 vBE IB(1) vCE=0V1. 3.1.3 BJT
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(3) 1. 3.1.3 BJT
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iC=f(vCE) iB=const2. :3.1.3 BJTend
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3.1.4 BJT1.
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(2) =IC/IBvCE=const3.1.4 BJT1.
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(4) =IC/IE VCB=const3.1.4 BJT1.
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3.1.4 BJT1.
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2. ICEO (1) ICBO 3.1.4 BJT
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(1) ICM(2) PCM PCM= ICVCE 3. 3.1.4 BJT
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(3) V(BR)CBO V(BR) EBO V(BR)CEO V(BR)CBOV(BR)CEOV(BR) EBO 3. 3.1.4 BJT
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end