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6/20 期末考方式 題目 : ( 四擇一 )

1. Wet clean process - DIW tank clean efficiency improve

- 如何以流場或機械力方式提升洗淨能力2. Dry etch process - 如何避免 wafer or parts arcing - 如何降低天線效應或減少 parts 曝露在 plasma 中

3. 提出能夠 real time 監控 chamber 內 微粒 (particle) 的方式 - 要有原理 / 量測方法4. Lithography process - 如何減少地震對 scanner 的 impact - 如何以機構設計來減少共振

1. 分組方式 : 以 PPT 格式撰寫 , , 頁數至少 10 頁 , 首頁要有分工說明 6/18 前 mail 給助教 , 當日需展示投影片 當日以抽籤方式安排 6 組上台報告 , 每組 15min ( 自願者全組加 5 分 ) 課後依紙本報告評分

提示 : 請以量化或建立 Model 型式 ( 以何理論依據 ) 探討 , 不要只以定性描述

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Wet Clean DIW tank clean efficiency

improve

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Dry etcher Wafer / parts arcing

prevention

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SampleReal time particle monitor

method