2回路入り出力フルスイング高音質オペアンプ - njrmuses8832 ver.9 - 1 -...
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-
MUSES8832
- 1 -Ver.9
2 回路入り出力フルスイング高音質オペアンプ
■概要 ■外形
MUSES8832 は回路の低電圧化を図りながら、音質向上を図った2回路入り出力フルスイング高音質オペアンプです。 低雑音(2.1nV/Hz)、高利得帯域(10MHz)、低歪(0.0009%)、600Ω
負荷も駆動できる高出力電流、-40~+125°Cの動作温度範囲など使い勝手が向上しています。
MUSES8832 は、プリアンプ、アクティブフィルタ、ラインアンプなどに最適であり、高音質を求めるオーディオ用オペアンプとし
て幅広くお使いいただけます。 ※MUSESシリーズは、「音の質感を高める」・「空間の再現性を高める」など音質にこだわり、材料/回路技術/チップレイアウトなど、新日本無線のオーディオIC技術を結集した高音質オーディオ製品のシリーズです。
■特徴 ■端子配列 ●動作電圧 +2.7V to +14V ±1.35V to ±7V ●入力換算ノイズ 2.1nV/√ Hz typ. (1kHz)
0.3μVrms typ. (20Hz to 20kHz) ●出力電流能力 32mA typ. (600Ω負荷対応) ●利得帯域幅積 10MHz typ. ●低歪率 0.0009 typ. at V+=+5V, Vo=1.3Vrms ●スルーレート 1V/μs typ. ●バイポーラ構造 ●外形 EMP8, SSOP8-A3 ESON8-W1 ●広動作温度範囲 -40°C to +125°C
■アプリケーション ●ポータブルオーディオ機器 ●ホームオーディオ機器 ●PCオーディオ機器 ●カーオーディオ機器
MUSES8832E (EMP8)
1
2
3
4
8
7
6
5
B
A
EMP8,SSOP8-A3 ピン配置 1.A OUTPUT 2.A -INPUT 3.A +INPUT 4.V- 5.B +INPUT 6.B -INPUT 7.B OUTPUT 8.V+
MUSES8832VA3(SSOP8-A3)
は、新日本無線株式会社の商標または登録商標です。
MUSES8832KW1 (ESON8-W1)
表面
1
2
3
4
8
7
6
5
B
A
1
2
3
4
8
7
6
5
ExposedPad
裏面中央部の電極は、GNDに接続して下さい
裏面 ESON8-W1
DAC Output I/V converter + LPF circuit
LPF
DAConverter
I/V
I/V Buff
DigitalInput
AnalogOutput
-
MUSES8832
- 2 - Ver.9
■絶対最大定格 (Ta=25°C) 項目 記号 定格 単位
電源電圧 V+(V+/V-) +15 (±7.5) V
入力電圧 VIN +15(注1) V 差動入力電圧 VID ±15 V
消費電力 PD
EMP8: 900 SSOP8-A3:650 (注2)
ESON8-W1:650 (注3)
:2100 (注4)
mW
動作温度範囲 Topr -40 ~ +125 °C
保存温度範囲 Tstg -65 ~ +150 °C (注1) 電源電圧が+15Vより低い場合には、電源電圧が定格値となります。 (注2) EIA/JEDEC仕様基板(76.2×114.3×1.6mm, 2層, FR-4)実装時 (注3) EIA/JEDEC仕様基板(76.2×114.3×1.6mm, 2層, FR-4)実装、裏面中央部の電極をGNDに接続時。 (注4) EIA/JEDEC仕様基板(76.2×114.3×1.6mm, 4層, FR-4, JEDEC規格JESD51-5に基づき基板にサーマルビアホールを適用)実装、
裏面中央部の電極をGNDに接続時。 ■推奨動作条件 (Ta=25°C)
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
電源電圧 V+ +2.7 - +14.0 V
V+/V- ±1.35 - ±7.0 V
■電気的特性(指定無き場合は, V+=+5V, V-=0V, Ta=25˚C, RL to V+/2 )
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
消費電流 Icc 無信号時, RL=∞ - 7.5 10 mA
消費電力 PD 無信号時 - 42.5 60 mW
入力オフセット電圧 VIO RS = 50Ω - 0.1 0.5 mV
入力バイアス電流 IB - 4 6.5 μA
入力オフセット電流 IIO - 100 500 nA
オープンループ電圧利得 AV RL=10kΩ to V+/2, VO=0.5 to 4.5V 90 115 - dB
同相入力電圧範囲 VICM CMR>90dB 0.5 - 3.7 V
同相信号除去比 CMR RS = 50Ω 90 110 - dB
電源電圧除去比 SVR RS = 50Ω 90 105 - dB
最大出力電圧1 VOH1 RL = 10kΩ to 0V 4.9 4.95 - V
VOL1 RL = 10kΩ to 0V - 0.05 0.1 V
最大出力電圧2 VOH2 RL = 600Ω to V+/2 4.8 4.9 - V
VOL2 RL = 600Ω to V+/2 - 0.1 0.2 V
出力流出電流 ISOURCE VO=V+-0.5V 10 32 - mA
出力流入電流 ISINK VO=0.5V 10 20 - mA
利得帯域幅積 GBW f=10kHz - 10 - MHz
スルーレート SR RL = 2kΩ - 1 - V/μs
全高調波歪率 + ノイズ THD+N Gain=10, VO=1.3Vrms, RL=2kΩ, f=1kHz - 0.0009 - %
チャンネルセパレーション CS Gain=100, RS=1kΩ, RL=10kΩ, f=1kHz - 140 - dB
入力換算雑音電圧1 en f=1kHz - 2.1 - nV/√Hz
入力換算雑音電圧2 Vn f=20Hz to 20kHz - 0.30 - μVrms
-
MUSES8832
- 3 -Ver.9
■使用上の注意 ・発振防止の為、利得は6dB以上を推奨いたします。ボルテージホロワでは発振防止に十分な配慮をしてください。 ・負荷容量CL が大きいと周波数特性が悪化し、発振やリンギングが生じますので、負荷容量CL をできるだけ小さくするようにして下さい。
・高抵抗で回路を組む場合には入力バイアス電流の影響による入力電流ノイズや出力オフセット電圧にご注意下さい。 ■消費電力-周囲温度特性例 パッケージパワーと消費電力、出力電力
IC はIC 自身の消費電力(内部損失)によって発熱し、ジャンクション温度Tj が許容値を超えると破壊される可能性があります。この許容値は許容損失PD(=消費電力の最大定格)と呼ばれています。図にMUSES8832のPDの周囲温度依存性を示します。 この図の特性は、次の2点から得ることができます。1点目は25ºCにおけるPDで、絶対最大定格の消費電力に相当
します。もう1点はこれ以上の発熱を許容できない、つまり許容損失0W の点です。この点は、IC の保存温度範囲Tstg の上限を最大のジャンクション温度Tjmax とすることで求めることができます。これら2点を結び、25ºC以下を25ºCと同じPDとすることで図の特性を得ることができます。なお、これらの2点間のPDは次式で表されます。
許容損失 ja
TaTjPD
max
[W] (Ta=25ºC~Ta=Tjmax)
ここでθja は熱抵抗であり、パッケージ材料(樹脂、フレーム等)に依存します。次にIC自身の消費電力を導きます。IC の消費電力は、次式で表されます。
消費電力=(消費電流Icc) ×(電源電圧V+-V-)-(出力電力Po) この消費電力がPDをこえない条件でMUSES8832を使用してください。安定した動作を維持するためにも、許容
損失PDに注意し、余裕のある熱設計することを推奨します。
0
500
1000
1500
2000
2500
0 50 100 150
Pow
er D
issi
patio
n P
d [m
W]
Ambient Temperature Ta [˚C]
ESON8-W1 4層
EMP8
SSOP8-A3ESON8-W1 2層
-
MUSES8832
- 4 - Ver.9
■外形図 (ESON8-W1)
-
MUSES8832
- 5 -Ver.9
■特性例 (指定無き場合は, V-=0V, VCM=V+/2)
1
10
100
1 10 100 1k 10k 100k
入力
換算
雑音
電圧
[nV/√H
z]入
力換
算雑
音電
流[p
A/√H
z]
周波数 [Hz]
入力換算雑音電圧 / 入力換算雑音電流対 周波数 特性例
V+=5V, RL=1kΩ, Ta=25ºC
雑音電圧
雑音電流
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01 0.1 1 10TH
D +
N [%
]出力電圧 [Vrms]
全高調波歪率 対 出力電圧 特性例V+=14V, RL=2kΩ, Gain=10, Ta=25ºC
f=1kHzf=100Hzf=20Hz
f=20kHz
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01 0.1 1 10
THD
+ N
[%]
出力電圧 [Vrms]
全高調波歪率 対 出力電圧 特性例V+=5V, RL=2kΩ, Gain=10, Ta=25ºC
f=1kHzf=100Hzf=20Hz
f=20kHz
-180
-120
-60
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
1k 10k 100k 1M 10M 100M
位相
[deg
]
電圧
利得
[dB
]
周波数 [Hz]
40dB 電圧利得/位相 対 周波数 特性例V+=14V, GV=40dB, RL=2kΩ, CL=10pF
Ta=-40ºCTa=25ºC
位相
利得
Ta=125ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
Ta=-40ºC
-180
-120
-60
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
1k 10k 100k 1M 10M 100M
位相
[deg
]
電圧
利得
[dB
]
周波数 [Hz]
40dB 電圧利得/位相 対 周波数 特性例V+=14V, GV=40dB, RL=2kΩ, Ta=25ºC
位相
利得
CL=10pF
CL=220pF
CL=470pF
CL=220pF
CL=470pF
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01 0.1 1 10
THD
+ N
[%]
出力電圧 [Vrms]
全高調波歪率 対 出力電圧 特性例V+=2.7V, RL=2kΩ, Gain=10, Ta=25ºC
f=20kHzf=1kHz
f=100Hzf=20Hz
-
MUSES8832
- 6 - Ver.9
■特性例 (指定無き場合は, V-=0V, VCM=V+/2)
-180
-120
-60
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
1k 10k 100k 1M 10M 100M位
相[d
eg]
電圧
利得
[dB
]
周波数 [Hz]
40dB 電圧利得/位相 対 周波数 特性例V+=5V, GV=40dB, RL=2kΩ, CL=10pF
Ta=-40ºCTa=25ºC
位相
利得
Ta=125ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
Ta=-40ºC
-180
-120
-60
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
1k 10k 100k 1M 10M 100M
位相
[deg
]
電圧
利得
[dB
]周波数 [Hz]
40dB 電圧利得/位相 対 周波数 特性例V+=5V, GV=40dB, RL=2kΩ, Ta=25ºC
位相
利得
CL=10pF
CL=220pF
CL=470pF
CL=220pF
CL=470pF
-180
-120
-60
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
1k 10k 100k 1M 10M 100M
位相
[deg
]
電圧
利得
[dB
]
周波数 [Hz]
40dB 電圧利得/位相 対 周波数 特性例V+=2.7V, GV=40dB, RL=2kΩ, CL=10pF
Ta=-40ºCTa=25ºC
位相
利得
Ta=125ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
Ta=-40ºC
-180
-120
-60
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
1k 10k 100k 1M 10M 100M
位相
[deg
]
電圧
利得
[dB
]
周波数 [Hz]
40dB 電圧利得/位相 対 周波数 特性例V+=2.7V, GV=40dB, RL=2kΩ, Ta=25ºC
位相
利得
CL=10pF
CL=220pF
CL=470pF
CL=220pF
CL=470pF
-12
-9
-6
-3
0
3
6
9
12
15
18
10k 100k 1M 10M
電圧
利得
[dB
]
周波数 [Hz]
6dB 電圧利得 対 周波数GV=6dB, RL=2kΩ, Ta=25ºC, CL=10pF
V+=5V
V+=2.7V
V+=14V
-12
-9
-6
-3
0
3
6
9
12
15
18
10k 100k 1M 10M
電圧
利得
[dB
]
周波数 [Hz]
6dB 電圧利得 対 周波数GV=6dB, RL=2kΩ, Ta=25ºC, CL=470pF
V+=5V
V+=2.7V
V+=14V
-
MUSES8832
- 7 -Ver.9
■特性例 (指定無き場合は, V-=0V, VCM=V+/2)
電圧
[0.5
V/di
v]
時間 [2μs/div]
過渡応答 特性例V+=5V, Gain=+1, RL=2kΩ, CL=10pF
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
電圧
[0.5
V/di
v]
時間 [2μs/div]
過渡応答 特性例V+=5V, Gain=+1, RL=2kΩ, Ta=25ºC
CL=470pF
CL=10pF
0
2
4
6
8
10
12
14
0 +3 +6 +9 +12 +15
消費
電流
[mA]
電源電圧 V+ [V]
消費電流 対 電源電圧 特性例VCM=V+/2
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºC
20
40
60
80
100
120
140
100 1k 10k 100k 1M 10M
同相
信号
除去
比[d
B]
周波数 [Hz]
同相信号除去比 対 周波数 特性例Ta=25ºC
V+=5V
V+=2.7V
V+=14V
0
20
40
60
80
100
120
100 1k 10k 100k 1M 10M
電源
電圧
除去
比[d
B]
周波数 [Hz]
電源電圧除去比 対 周波数 特性例Ta=25ºC
SVR+
SVR-
20
40
60
80
100
120
140
160
100 1k 10k 100k 1M 10M
チャネル
セパ
レーション
[dB
]
周波数 [Hz]
チャネルセパレーション 対 周波数 特性例Ta=25ºC
V+=14V
V+=5V
-
MUSES8832
- 8 - Ver.9
■特性例 (指定無き場合は, V-=0V, VCM=V+/2)
0
2
4
6
8
10
12
14
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
消費
電流
[mA]
周囲温度 [ºC]
消費電流 対 周囲温度 特性例VCM=V+/2
V+=5V
V+=2.7V
V+=14V
-0.3
-0.2
-0.1
0
0.1
0.2
0.3
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
入力
オフ
セッ
ト電
圧[m
V]
周囲温度 [ºC]
入力オフセット電圧 対 周囲温度 特性例VCM=V+/2
V+=5VV+=2.7V
V+=14V
-0.3
-0.2
-0.1
0
0.1
0.2
0 +3 +6 +9 +12 +15
入力
オフ
セッ
ト電
圧[m
V]電源電圧 V+ [V]
入力オフセット電圧 対 電源電圧 特性例VCM=V+/2
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
-0.3
-0.2
-0.1
0
0.1
0.2
0 2 4 6 8 10 12 14
入力
オフ
セッ
ト電
圧[m
V]
同相入力電圧 [V]
入力オフセット電圧 対 同相入力電圧 特性例V+=14V
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
-0.3
-0.2
-0.1
0
0.1
0.2
-0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
入力
オフ
セッ
ト電
圧[m
V]
同相入力電圧 [V]
入力オフセット電圧 対 同相入力電圧 特性例V+=5V
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
-0.3
-0.2
-0.1
0
0.1
0.2
-0.3 0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 2.1 2.4
入力
オフ
セッ
ト電
圧[m
V]
同相入力電圧 [V]
入力オフセット電圧 対 同相入力電圧 特性例V+=2.7V
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
-
MUSES8832
- 9 -Ver.9
■特性例 (指定無き場合は, V-=0V, VCM=V+/2)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
入力
バイ
アス
電流
[μA
]
周囲温度 [ºC]
入力バイアス電流 対 周囲温度 特性例VCM=V+/2
V+=2.7V
V+=5V
V+=14V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
入力
オフ
セッ
ト電
流[n
A]
周囲温度 [ºC]
入力オフセット電流 対 周囲温度 特性例VCM=V+/2
V+=2.7V
V+=5VV+=14V
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 2 4 6 8 10 12 14
入力
バイ
アス
電流
[μA
]
同相入力電圧 [V]
入力バイアス電流 対 同相入力電圧 特性例V+=14V, VCM=V+/2
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
入力
バイ
アス
電流
[μA
]
同相入力電圧 [V]
入力バイアス電流 対 同相入力電圧 特性例V+=5V, VCM=V+/2
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-0.3 0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 2.1 2.4
入力
バイ
アス
電流
[μA
]
同相入力電圧 [V]
入力バイアス電流 対 同相入力電圧 特性例V+=2.7V, VCM=V+/2
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
同相
信号
/ 電源
電圧
除去
比[d
B]
周囲温度 [ºC]
同相信号 / 電源電圧除去比 対 周囲温度 特性例
SVR
CMR (V+=5V)
-
MUSES8832
- 10 - Ver.9
■特性例 (指定無き場合は, V-=0V, VCM=V+/2)
60
70
80
90
100
110
120
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
オー
プン
ルー
プ電
圧利
得[d
B]
周囲温度 [ºC]
オープンループ電圧利得 対 周囲温度 特性例V+=5V, RL=10kΩ
0
2
4
6
8
10
12
14
1 10 100
出力
電圧
[V]
出力電流 [mA]
出力電流 対 出力電圧 特性例V+=14V
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
VOH
VOL
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
1 10 100
出力
電圧
[V]
出力電流 [mA]
出力電流 対 出力電圧 特性例V+=5V
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
VOH
VOL0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
1 10 100
出力
電圧
[V]
出力電流 [mA]
出力電流 対 出力電圧 特性例V+=2.7V
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
VOH
VOL
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
出力
流出
電流
I SO
UR
CE
[mA]
周囲温度 [度]
出力流出電流 対 周囲温度 特性例VO=V+-0.5V
V+=5V
V+=2.7V
V+=14V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
出力
流入
電流
I SIN
K[m
A]
周囲温度 [度]
出力流入電流 対 周囲温度 特性例VO=V-+0.5V
V+=5V
V+=2.7V
V+=14V
-
MUSES8832
- 11 -Ver.9
■特性例 (指定無き場合は, V-=0V, VCM=V+/2)
0102030405060
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
10 100 1k 10k
出力
電圧
V OL
[mV]
出力
電圧
V OH
[V]
負荷抵抗 [Ω]
出力電圧 対 負荷抵抗 特性例V+=5V, RL connected to 0V
Ta=-40ºC Ta=25ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºCTa=-40ºC
VOH
VOL
Ta=125ºC
0102030405060
00.30.60.91.21.51.82.12.42.7
10 100 1k 10k
出力
電圧
V OL
[mV]
出力
電圧
V OH
[V]
負荷抵抗 [Ω]
出力電圧 対 負荷抵抗 特性例V+=+2.7V, RL connected to 0V
VOH
VOLTa=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºCTa=-40ºC
Ta=125ºC
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10 100 1k 10k
出力
電圧
[V]
負荷抵抗 [Ω]
出力電圧 対 負荷抵抗 特性例V+/V-=±7V, RL connected to 0V
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºCTa=-40ºC
VOH
VOL
Ta=125ºC
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
10 100 1k 10k
出力
電圧
[V]
負荷抵抗 [Ω]
出力電圧 対 負荷抵抗 特性例V+/V-=±1.35V, RL connected to 0V
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºCTa=-40ºC
VOH
VOL
Ta=125ºC
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
10 100 1k 10k
出力
電圧
[V]
負荷抵抗 [Ω]
出力電圧 対 負荷抵抗 特性例V+/V-=±2.5V, RL connected to 0V
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºCTa=-40ºC
VOH
VOL
Ta=125ºC
0
30
60
90
120
150
0
2
4
6
8
10
12
14
10 100 1k 10k出
力電
圧V O
L[m
V]
出力
電圧
V OH
[V]
負荷抵抗 [Ω]
出力電圧 対 負荷抵抗 特性例V+=+14V, RL connected to 0V
VOH
VOL
Ta=25ºCTa=-40ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºCTa=-40ºC
Ta=125ºC
-
MUSES8832
- 12 - Ver.9
■応用回路例 ■模倣半導体製品にご注意ください 最近、MUSESと偽った模倣半導体製品が、世界各地で流通しているとの報告が増えております。 模倣半導体製品は、外見上、当社半導体製品と見分けがつかない場合が多いですが、性能、品質は劣悪な製品です。 お客様の機器、装置にご使用された場合、当社正規MUSES製品と同等の音質を得られないだけでなく、事故や故障につながる可能性があります。 MUSESのご購入は、必ず当社の営業、正規販売代理店・特約店より、お買い求めいただきますようお願い申し上げます。 なお、弊社ではこれら模倣品を使用したことにより生じた、機器の故障、事故および損害などについて一切責任を負いかねま
す。お客様にはご理解いただけますようお願い申し上げます。
<注意事項> このデータブックの掲載内容の正確さには万全を期してお
りますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うもの
ではありません。とくに応用回路については、製品の代表的
な応用例を説明するためのものです。また、工業所有権その
他の権利の実施権の許諾を伴うものではなく、第三者の権利
を侵害しないことを保証するものでもありません。
Buff
AttGain Stage
ADConverter
AnalogInput
DigitalOutput
(Fig.1: ADC Input)
LPF
DAConverter
I/V
I/V Buff
DigitalInput
AnalogOutput
(Fig.2:DAC Output)
(Fig.3:DAC LPF Circuit )
DAC
HPF
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