high power led용epi-wafer growth & chip process...

Lee, Suk-Hun, Ph.D(shleet@lginnotek.com)

2008. 02. 27

Chief Research Engineer, LED R&D Dept.

LG Innotek / LED Business Team

High Power LED Epi-Wafer Growth & Chip Process 최신 술

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1. 시 동향과 분야

■반 체 원산업 발전형태

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“Violet Luminescence of Mg-doped GaN”( Maruska, Stevenson, Pankove, APL.22(1973) è Mg-doping of GaN continues to be basis for all nitride LEDs and Laser diodes.

■ GaN-based LED Growth History

1. 시 동향과 분야

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■ LED 발전 Trend ■조명용 Lamp 시장규모 (억$)

■년 별 LED Lighting 능및시 규

1. 시 동향과 분야

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■ LED 료별 계시■ LED 분야별 계시

■ LED Biz. 사업방향

1. 시 동향과 분야

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1. 시 동향과 분야

■White LED 현방식

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1. 시 동향과 분야

LED packaging cost structure breakdown

√√

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1. 시 동향과 분야

■ Product Chains

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■ Product Chains

1. 시 동향과 분야

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■ GaN-based LED epi-wafer growth by MOCVD

2. LED Epi-Wafer Growth

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※ ESD (Electro Static Discharge, Human Body Mode(HBD) : -20kV) 1) Nichia / TG / Cree : -2kV↑, 만/ 내 : -1kV↓

-. Mobile 제품(side-view SMD) : 제너다 드실 , 제품다양화 한계

-. High quality growth 술 & 최적 LED 계 술확 필

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p-GaN

n-GaN

p-GaN

n-GaN

P-padTM

N-pad

2. LED Epi-Wafer Growth

※ p-GaN

-. excess Mg 농 최 화

( 저항 분:열발생 )

→ 1019~1021/㎤

→ carrier 농 : 1017/㎤

n-GaN

n-GaN

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■ Extraction Efficiency Improvement : p-roughness growth & PSS(patterned Sapphire Substrate)

2. LED Epi-Wafer Growth

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■ Extraction Efficiency Improvement : n-roughness chip process – ex)) Nichia

2. LED Epi-Wafer Growth

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■ Extraction Efficiency Improvement : LED chip design & Electrode

3. LED Chip Process

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High Power LED Chip Size : 0.5x0.5㎟ ~ 1x1㎟, 2x2㎟ at 150~350㎃

3. LED Chip Process

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Taiwan 중심 로 p-Roughing 술적 한High Power LED Biz. 가 화

■ High Power LED : Back vs Top Emitting

3. LED Chip Process