BJT

Rohmat Khoirul sidiq

111910201039

• Bipolar Junction Transistor adalah perangkat semikonduktor pertama yang memungkinkan kontrol penuh atas menyalakan dan mematikan operasi. Dan merupakan perangkat semikonduktor pertama yang sangat mendekati sebuah kontrol penuh ideal pada saklar power. Dari sudut pandang konstruksi dan pengoperasian BJT adalah bipolar (yaitu minoritas carrier) perangkat yang mengendalikan arus

Prinsip Dasar kerja sebuah BJTNPN

Karakteristik output i-v dari Transistor Daya ( IC-VCE )

• Di daerah cut off ( iB ≤ 0 ) arus kolektor hampir nol . Tegangan maksimum antara kolektor dan emitor dalam kondisi ini disebut “ tegangan forward block maksimum dengan terminal basis terbuka ( iB = 0 )“.

• Dalam daerah aktif, vCB ≥ –0,4 V, kurva iC – vCBberbeda dengan yang diharapkan karena:– Kurva tidak tidak datar tapi

menunjukkan koefisien arah yang positif. Hal ini disebabkan adanyaketergantungan iC terhadap vCB

– Pada harga vCB yang relatif besar, iCmeningkat dengan cepat, karenaterjadinya ‘breakdown’

• Di daerah saturasi adalah titik pertemuan basis-kolektor forward bias. Resistivitas daerah ini tergantung sampai batas tertentu pada arus basis. Oleh karena itu, di daerah saturasi, arus basis masih kmengontrol arus kolektor meskipun nilai β berkurang secara signifikan.

Karakteristik Switching Pada Transistor Daya

1. Karakteristik operasi dari transistor daya secarasignifikan berbeda dari saklar ideal secara umum.

2. Hanya dapat dilewati oleh satu arah ketika kondisi ON

3. Hanya terbatas memblokir tegangan dalam satu arah

4. Memiliki Kondisi drop tegangan selama "ON"

5. membawa arus bocor yang kecil selama kondisi OFF

6. Operasi Switching tidak instan

7. membutuhkan daya non zero kontrol untuk prosesswitching

Karakteristik Transistor Daya pada kondisi On

• Untuk mengaktifkan transistor ON pada t = 0 , tegangan bias basis VBB berubah kearah nilai yang lebih positif. Proses ini dimulai pada redistribusi pada sambungan basis-emitor . Proses ini sama dengan pengisian kapasitor . reverse bias basis emitor diasumsikan sebagai tegangan kapasitor , nilai yang diberikan sumber disebut tegangan bias balik basis-emitor

Karakteristik Transistor Daya pada kondisi Off

• Proses "Turn OFF" dimulai dengan tegangan basis drive yang akan negatif ke nilai-VBB. Namun tegangan basis-emitor tidak berubah dari nilai bias maju nya VBE, karena kelebihan pembawa minoritas yang tersimpan di daerah basis. Sebuah arus basis negatif mulai mengurangi pembawa kelebihan ini pada tingkat yang ditentukan oleh tegangan basis drive yang negatif dan perlawanan basis drive. Setelah waktu "ts" disebut waktu penyimpanan transistor, muatan yang tersimpan dalam basis yang tersisa menjadi tidak cukup untuk mendukung transistor di daerah saturasi. Pada titik ini transistor memasuki daerah saturasi dan tegangan kolektor mulai naik dengan sedikit miring.