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○製品構造:半導体集積回路 ○耐放射線設計はしておりません
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TSZ22111・14・001
電気自動車・ハイブリッド自動車向け
絶縁耐圧 2500Vrms
絶縁素子内蔵 高電圧モニタ BM67290FV-C
概要
本 ICは、DC-DCコンバータ内の電圧を検出する ICです。
電圧を Dutyに変換して出力する他、低電圧、過電圧、ア
クティブ過電圧保護も内蔵しています。
特長
入力電圧 PWM変調回路内蔵
低電圧誤動作防止回路内蔵
入力低電圧保護機能内蔵
入力過電圧保護機能内蔵
絶縁素子(磁気アイソレータ)内蔵
アクティブ過電圧保護機能内蔵
基準電圧出力内蔵
用途
DC-DCコンバータ
重要特性
絶縁電圧 : 2500Vrms(Max)
電源電圧範囲(高電圧側) : 8.0V to 24V
電源電圧範囲(低電圧側) : 3.0V to 5.5V
基準電圧 : 5V±1.5%
発振周波数可変 : 10kHz to 250kHz (Typ)
パッケージ (Typ) (Typ) (Max) 6.50mm x 8.10mm x 2.01mm
基本アプリケーション回路
Figure 1. DC-DCコンバータでの基本アプリケーション回路例
回路例 1
Controller
VDD1 VDD2
REF NC
VH OUT
RFOV NC
RFLV SD1
VDTY SD2
VACT NC
RT NC
GND1 GND2
GND1 GND2
Vbias1 Vbias2
SSOP-B20W
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BM67290FV-C
端子配置図
Figure 2. BM67290FV-Cパッケージ(SSOP-B20W)
端子説明
端子番号 記 号 I/O 機 能
1 REF O 基準電圧端子
2 GND1 - 接地端子 1(高電圧側)
3 RFOV I 入力過電圧保護値設定端子
4 RFLV I 入力低電圧保護値設定端子
5 VH I 入力電圧信号端子
6 VDTY I Duty用入力電圧信号端子
7 VDD1 - 電源端子 1(高電圧側)
8 VACT I アクティブ電圧信号端子入力
9 GND1 - 接地端子 1(高電圧側)
10 RT I 周波数設定端子
11 GND2 - 接地端子 2(低電圧側)
12 NC - 未接続端子
13 SD2 O 保護遮断端子 2
14 NC - 未接続端子
15 SD1 O 保護遮断端子 1
16 OUT O 入力電圧監視状態出力信号端子
17 NC - 未接続端子
18 VDD2 - 電源端子 2(低電圧側)
19 NC - 未接続端子
20 GND2 - 接地端子 2(低電圧側)
REF
RT
VDTY
VH
VDD1
RFLV
RFOV
GND1
GND1
VACT
GND2
GND2
SD2
SD1
OUT
VDD2
NC
NC
NC
NC
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ブロック図
REF
PWM
回路
・
出力
モード
切替
VDD1
REF
VH
GND2
SD2
VDD2 IC内各負荷
VDD1 UVLO COMP
IC内各負荷
VDD1 7.7V/7.4V
4.2V/4.0V REF UVLO COMP
VACT COMP
(PRT1)
(PRT2)
REF/ 4.0V
VHOV COMP
RFOV/ 0.985 x RFOV
VHLV COMP
0.8 x RFLV/ RFLV
(UVLO)
Transformer 1
Transformer 2
(SD)
(PWM)
GND2
GND2
GND1
OUT
DRV
GND2
トランス
受信回路
Reset
トランス
受信回路
SD1
DRV
GND2
VDD2
VDD2
VACT
RFOV
RFLV
VDTY
RT
GND1
REG12V REGlogic
トランス
駆動回路
トランス
駆動回路
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各ブロック動作説明
VDD2起動⇒VDD1起動
VDD2 起動時の出力論理は、OUT=L、SD1=H、SD2=L となります。VDD1 が起動し、VthVDD1H 以上になると REF が
起動します。REFが起動し、VthREFH以上になると CTが動作し、2CLK後に DUTY出力となります。
Figure 3. VDD2起動⇒VDD1起動タイミングチャート
( CT )
VDTY
Hi-Z
0V
VthHPWL
OUT
( PRT1 )
( PRT2 )
SD1
SD2
VDD2
0V
H
L
H
L
VthLPWL
VthOV, VthVACT VthOV×VOVZ
H
L
VthLV
VthLV×VLVH
0V
VH
VDD2
0V
( CLK )
VDD2
VDD1
REF
VthVDD1H
VthVDD1L
VthREFH
VthREFL
0V
0V
0V
VthHVDD2
VHVACT
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VDD1起動⇒VDD2起動
VDD1が起動し、VthVDD1H以上になると REFが起動します。REFが起動し、VthREFH以上になると CTが動作します。
VDD2 が起動し、VthVDD2 以上になると、次の CLK から OUT へ Duty が出力され、SD1,SD2 の論理は、2CLK 後に
SD1=L,SD2=Hizとなります。
Figure 4. VDD1起動⇒VDD2起動タイミングチャート
( CT )
VDTY
Hi-Z
0V
VthHPWL
OUT
( PRT1 )
( PRT2 )
SD1
SD2
VDD2
0V
H
L
H
L
VthLPWL
VthOV,VthVACT
VHVACT
H
L
VthLV
VthLV×VLVH
0V
VH
VDD2
0V
( CLK )
VDD2
VDD1
REF
VthVDD1H
VthLVDD1L
VthREFH
VthREFH
0V
0V
0V
VthVDD2
VthOV×VOVZ
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VDD1停止⇒VDD2停止
VDD1が低下し、VthVDD1L以下になると REFと CTが停止し、出力は SD1=H,SD2=L,OUT=L となります。
Figure 5. VDD1停止⇒VDD2停止タイミングチャート
( CT )
OUT
( PRT1 )
( PRT2 )
SD1
SD2
VthOV, VACT
VHVACT
VthVDD1H
VthVDD1L
VthREFH
VthREFL
VDTY
Hi-Z
0V
VthHPWL
VDD2
0V
H
L
H
L
VthLPWL
H
L
VthLV
VthLV×VLVH
0V
VH
VDD2
0V
( CLK )
VDD2
VDD1
REF
0V
0V
0V
VthOV×VOVZ
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VDD2停止⇒VDD1停止
VDD2 が低下し、VthVDD2以下になると、出力は SD1=H,SD2=L,OUT=L となります。
Figure 6. VDD2停止⇒VDD1停止タイミングチャート
( CT )
OUT
( PRT1 )
( PRT2 )
SD1
SD2
VthOV, VACT VthOV×VOVZ
VthVDD1H
VthVDD1L
VthREFH
VthREFL
VDTY
Hi-Z
0V
VthHPWML
VDD2
0V
H
L
H
L
VthLPWL
H
L
VthLV
VthLV×VLVH
0V
VH
VDD2
0V
( CLK )
VDD2
VDD1
REF
0V
0V
0V
VthVDD2
VHVACT
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通常動作
通常動作時は、内部発振器(CT)が動作し、内部 CLK(CLK)が動作状態です。(CT)が VDTY入力を上回るタイミングで OUT
が”L” となります。(CLK)の立ち上がりで OUTが”H”
となります。保護解除状態なので、SD1は”L”、SD2は”Hi-Z”となり
ます。
Figure 7. 通常動作タイミングチャート
VDTY
VthLPWL
VthHPWL
(CT)
(PWM)
(CLK)
td1 td2
OUT
伝達遅延時間差=|td1-td2|
Minimum Duty 10% Maximum Duty 100%
Figure 8. 伝達遅延時間, Minimum Duty,Maximum Duty
( CT )
OUT
( PRT1 )
( PRT2 )
SD1
SD2
VthOV,VACT VthOV×VOVZ
VDTY
Hi-Z
0V
VthHPWL
VDD2
0V
H
L
H
L
VthLPWL
H
L
VthLV
VthLV×VLVH
0V
VH
VDD2
0V
( CLK )
VHVACT
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OUT 端子からの出力は、VDTY 電圧に応じて Duty が変化し、電圧が高くなるほど Duty は高くなります。VDTY 電圧と
出力Dutyの関係は以下のグラフのようになります。VDTY電圧が4.275V以上で出力Dutyは100%に、VDTY電圧が0.225V
以下になると出力 Dutyは Minimum duty固定となります。Dutyは下記の計算式で決定されます。
Duty= Min duty + (VDTY-0.225V)/A
周波数 10kHzの時 :Min duty=10.0%, A=0.04500
周波数 100kHzの時:Min duty=10.9%, A=0.04545
周波数 250kHzの時:Min duty=12.1%, A=0.04607
Figure 9. VDTY電圧-出力 Duty特性
VDTY voltage[ V ]
100
0
4.275 (VthHPWL)
Duty [ % ]
0.225
(VthLPWL)
10
1.0 2.0 3.0 4.0
50
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保護検出(アクティブ過電圧保護、入力過電圧保護)時
アクティブ過電圧保護が動作(VACT> VthVACT)もしくは入力過電圧保護が動作(VH > VthOV)した場合、(PRT1)は
ただちに”H”となり、保護検出状態となります。この時、OUTは”H”、SD1は”H”、SD2は”L”となります。
アクティブ過電圧保護が解除(VACT< VHVACT)もしくは入力過電圧保護が解除(VH < VthOV×VOVZ)した場合、
(CLK)立ち上がり 2回入力後に、OUTは通常論理、SD1は”L”、SD2は”Hi-Z”となります。
Figure 10. 保護検出(アクティブ過電圧保護、入力過電圧保護)タイミングチャート
2CLK
( CT )
OUT
( PRT1 )
( PRT2 )
SD1
SD2
VthOV
(VthVACT)
VDTY
Hi-Z
0V
VthHPWL
VDD2
0V
H
L
H
L
VthLPWL
H
L
VthLV
VthLV×VLVH
0V
VH
VDD2
0
( CLK )
VthOV×VOVZ
(VHVACT)
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保護検出(入力低電圧保護)時
入力低電圧保護が動作(VH <VthLV×VLVH)した場合、(PRT2)はただちに”H”となり、保護動作状態となります。この
時、OUTは”L”、SD1は”H”、SD2は”L”となります。
入力低電圧保護が解除(VH > VthLV)した場合、(CLK)立ち上がり 2回入力後に OUTは通常論理、SD1は”L”、SD2は”Hi-Z”
となります。
UVLO検出時
本 ICは、VDD1電圧,REF電圧,VDD2電圧の UVLO保護検出を搭載しています。いずれかの UVLO保護を検出した場合、
OUTは”L”、SD1は”H”、SD2は”L”となります。
UVLO検出時にトランスを駆動し、OUT,SD1,SD2をリセットしますが、VDD1電圧が急峻に低下した場合、トランス伝
達できない可能性があり、OUT,SD1,SD2 の論理がリセットされない可能性があります。正常にリセットする為に、VDD1
を 0.04V/us以下の速度で立ち下げてください。
No VDD1 UVLO
VDD2 UVLO
REF UVLO
OUT SD1 SD2
1 L L L L H L
2 L L H L H L
3 L H L L H L
4 L H H L H L
5 H L L L H L
6 H L H L H L
7 H H L L H L
8 H H H DUTY出力 保護出力 保護出力
( CT )
VDTY
Hi-Z
0V
VthHPWL
OUT
( PRT1 )
( PRT2 )
SD1
SD2
VDD2
0V
H
L
H
L
VthLPWL
VthOV,VthVACT
VHVACT
H
L
VthLV
VthLV×VLVH
0V
VH
VDD2
0
( CLK )
VthOV×VOVZ
Figure 11. 保護検出(入力低電圧保護)タイミングチャート
H:解除 L:検出
Figure 12. UVLO時の出力論理
2CLK
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絶対最大定格
項 目 記号 定 格 単位
電源電圧 (VDD1) VDD1 -0.3 ~ +30(Note 1)
V
電源電圧 (VDD2) VDD2 -0.3 ~ +7(Note 2)
V
入力電圧 (VH) VH -0.3 ~ VDD1+0.3 or +30(Note 1)
V
入力電圧 (VDTY) VDTY -0.3 ~ VDD1+0.3 or +30(Note 1)
V
入力電圧 (VACT) VACT -0.3 ~ VDD1+0.3 or +30(Note 1)
V
入力電圧 (RFOV) VRFOV -0.3 ~ VDD1+0.3 or +30(Note 1)
V
入力電圧 (RFLV) VRFLV -0.3 ~ VDD1+0.3 or +30(Note 1)
V
出力電圧 (VOUT) VOUT -0.3 ~ VDD2+0.3 or +7(Note 2)
V
出力電圧 (SD1) VSD1 -0.3 ~ VDD2+0.3 or +7(Note 2)
V
出力電圧 (SD2) VSD2 -0.3 ~ +20(Note 2)
V
動作温度範囲 Topr -40 ~ +125 °C
保存温度範囲 Tstg -55 ~+150 °C
ジャンクション温度 Tjmax 150 °C
(Note 1) GND1 基準
(Note 2) GND2 基準
注意:印加電圧及び動作温度範囲などの絶対最大定格を超えた場合は、劣化または破壊に至る可能性があります。また、ショートモードもしくはオープンモ
ードなど、破壊状態を想定できません。絶対最大定格を超えるような特殊モードが想定される場合、ヒューズなど物理的な安全対策を施して頂けるようご検
討お願いします。
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熱抵抗(Noe3)
項目 記号 熱抵抗(Typ)
単位 1層基板
(Note5) 4層基板
(Note6)
SSOP-B20W
ジャンクションー周囲温度間熱抵抗 θJA 151.5 80.6 °C/W
ジャンクションーパッケージ上面中心間熱特性パラメータ(Note4)
ΨJT 47 40 °C/W
(Note 3)JESD51-2A(Still-Air) に準拠。
(Note 4)ジャンクションからパッケージ(モールド部分)上面中心までの熱特性パラメータ。
(Note 5)JESD51-3 に準拠した基板を使用。
測定基板 基板材 基板寸法
1層 FR-4 114.3mm x 76.2mm x 1.57mmt
1層目(表面)銅箔
銅箔パターン 銅箔厚
実装ランドパターン
+電極引出し用配線 70μm
(Note 6)JESD51-7 に準拠した基板を使用。
測定基板 基板材 基板寸法
4層 FR-4 114.3mm x 76.2mm x 1.6mmt
1層目(表面)銅箔 2層目、3層目(内層)銅箔 4層目(裏面)銅箔
銅箔パターン 銅箔厚 銅箔パターン 銅箔厚 銅箔パターン 銅箔厚
実装ランドパターン
+電極引出し用配線 70μm 74.2mm□(正方形) 35μ m 74.2mm□(正方形) 70μm
推奨動作条件
項 目 記号 最小 標準 最大 単位
電源電圧 VDD1 VDD1 8.0 10 24 V
電源電圧 VDD2 VDD2 3.0 5 5.5 V
基準電圧出力電流 IREF 0 - 5(Note7)
mA
基準電圧出力容量 CREF 1.0 - 4.7 µF
タイミング抵抗 RRT 4 10 100 kΩ
発振周波数 fOSC 10 100 250 kHz
同相入力電圧範囲 VDD1<11.5V VICML 0 - VDD1-2.5 V
同相入力電圧範囲 VDD1 ≥11.5V VICMH 0 - 9.0 V
入力保護ダイオード電流 IDIO - - 2.0 mA
(Note7) Tj=150℃を超えないこと。
絶縁特性 (UL1577準拠)
項目 記号 特性 単位
絶縁抵抗(VIO=500V) RS >109 Ω
絶縁耐電圧(1min) VISO 2500 Vrms
絶縁試験電圧(1sec) VISO 3000 Vrms
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電気的特性
(条件なき場合は、VDD1=8~24.0V, VDD2=3.0~5.5V, Ta=-40~125°C, RT=10kΩ, ICから流れ出る方向を+として記載)
項 目 記号 規 格 値
単位 条 件 最小 標準 最大
【全体】
入力電圧範囲 VDD1 8.0 - 24.0 V
VDD2 3.0 - 5.5 V
VDD1 回路電流 IDD1 - 4.6 10.0 mA RT=10kΩ、VDTY=2.25V
VDD2 回路電流 IDD2 - 0.2 1.0 mA RT=10kΩ、VDTY=2.25V
【低電圧誤作動防止回路】
起動スレッショルド電圧 VthVDD1H 7.5 7.7 7.9 V
遮断スレッショルド電圧 VthVDD1L 7.2 7.4 7.6 V
動作電圧ヒステリシス VhysVDD1 0.2 0.3 0.4 V
起動スレッショルド電圧 VthREFH 4.0 4.2 4.4 V
遮断スレッショルド電圧 VthREFL 3.8 4.0 4.2 V
動作電圧ヒステリシス VhysREF 0.1 0.2 0.3 V
【基準電圧】
出力電圧 VREF 4.925 5.000 5.075 V IREF=0~5mA
出力負荷電流 Iref 5 - - mA
【PWM部】
発振周波数 fosc 90 100 110 kHz RT=10kΩ
Duty精度 10kHz DutyL 52.0 55.0 58.0 % VDTY=2.25V, H duty
Duty精度 100kHz DutyM 52.5 55.5 58.5 % VDTY=2.25V, H duty
Duty精度 250kHz DutyH 53.0 56.0 59.0 % VDTY=2.25V, H duty
Duty温特/電特変化 (Ta=25℃,VDD1=10V基準)
ΔDuty - 1 - % 設計保証
放電時スレッショルド電圧 VthHPWL 4.1 4.275 4.45 V
充電時スレッショルド電圧 VthLPWL 0.15 0.225 0.3 V
入力バイアス電流 IbVDTY -1.0 - 1.0 µA VDTY=0V~9V
伝播遅延時間 1 td1 - - 500 ns
伝播遅延時間 2 td2 - - 500 ns
伝播遅延時間差 td1-td2 - - 50 ns
【OUT端子】
出力電圧 VOUTL - - 0.5 V Isink = -20mA
VOUTH VDD2-0.5 - VDD2 V Isource = 20mA
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電気的特性
(条件なき場合は、VDD1=8~24.0V, VDD2=3.0~5.5V, Ta=-40~125°C, RT=10kΩ, ICから流れ出る方向を+として記載)
項 目 記号 規 格 値
単位 条 件 最小 標準 最大
【SD1端子】
出力電圧 VSD1L - - 0.5 V Isink = -20mA
VSD1H VDD2-0.5 - VDD2 V Isource = 20mA
【SD2端子】
SD2 動作時電圧 VSD2 - - 0.5 V Isource = 20mA
出力オフリーク電流 IOFFLEAKSD2 - - 10 µA SD2 = 20V
【入力低電圧保護部】
保護作動/保護解除電圧比 VLVH 0.78 0.80 0.82 - RFLV=1.2V, VH=1.5V→下降
保護解除スレッショルド電圧 VthLV 1.15 1.20 1.25 V RFLV=1.2V, VH=0V→上昇
保護作動遅延時間 tdlyLV - - 1.0 μs RFLV=1.2V, VH=1.5V→0.5V to SD1:L→H, SD2:H→L
RFLV入力バイアス電流 IbRFLV -1.0 - 1.0 µA VH= RFLV=0V~9V
VH入力バイアス電流 IbVH -1.0 - 1.0 µA VH= RFLV=0V~9V
【アクティブ過電圧保護部】
過電圧スレッショルド電圧 VthVACT 4.9 5.0 5.1 V VACT=3.5V→上昇
保護解除スレッショルド電圧 VHVACT 3.9 4.0 4.1 V VACT=5.5V→下降
保護作動遅延時間 tdlyVACT - - 1.0 µs VACT=4.5V→5.5V to SD1:L→H, SD2:H→L
VACT入力バイアス電流 IbVACT -1.0 - 1.0 µA VACT=0V~9V
【入力過電圧保護部】
保護作動/保護解除電圧比 VOVZ 0.970 0.985 1.000 - RFOV=5.0V VH=5.5V→下降
保護作動スレッショルド電圧 VthOV 4.9 5.0 5.1 V RFOV=5.0V VH=0V→上昇
保護作動遅延時間 tdlyOV - - 1.0 µs
RFOV=5.0V VH=4.5V→5.5V to
SD1:L→H, SD2:H→L
RFOV入力バイアス電流 IbRFOV -1.0 - 1.0 µA VH= RFOV=0V~9V
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特性データ(参考データ)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 4 8 12 16 20 24
VDD1[V]
IDD
1[m
A]
25℃
125℃
-40℃
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0 1 2 3 4 5
VDD2[V]
IDD
2[m
A]
25℃ 125℃
-40℃
Figure 13. VDD1回路電流 10kHz Figure 14. VDD2回路電流 10kHz
Figure 15. VDD1回路電流 100kHz Figure 16. VDD2回路電流 100kHz
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 4 8 12 16 20 24
IDD
1[m
A]
125℃
-40℃ 25℃-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0 1 2 3 4 5 6 7ID
D2
[mA
]
125℃
25℃
-40℃
Input Voltage : VDD1 [V]
VD
D1
Cir
cu
it C
urr
en
t :
I DD
1 [m
A]
Input Voltage : VDD2 [V]
VD
D2
Cir
cu
it C
urr
en
t :
I DD
2 [m
A]
VD
D1
Cir
cu
it C
urr
en
t :
I DD
1 [m
A]
Input Voltage : VDD1 [V]
VD
D2
Cir
cu
it C
urr
en
t :
I DD
2 [m
A]
Input Voltage : VDD2 [V]
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特性データ(参考データ) -続き
Figure 17. VDD1回路電流 250kHz Figure 18. VDD2回路電流 250kHz
Figure 19. VDD1低電圧誤動作防止 Figure 20. REF低電圧誤動作防止
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 4 8 12 16 20 24
VDD1[V]
IDD
1[m
A]
-40℃
25℃
125℃
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0 1 2 3 4 5
VDD2[V]ID
D2
[mA
]
25℃
125℃
-40℃
0
1
2
3
4
5
6
7.2 7.3 7.4 7.5 7.6 7.7 7.8 7.9
VDD1[V]
RE
F[V
]
-40℃
125℃
25℃
-40℃
25℃
125℃
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
3.8 3.9 4.0 4.1 4.2 4.3 4.4
REF[V]
UV
LO
出力
[V]
-40℃
125℃
25℃25℃
-40℃
125℃
VD
D1
Cir
cu
it C
urr
en
t :
I DD
1 [m
A]
Input Voltage : VDD1 [V] Input Voltage : VDD2 [V]
VD
D2
Cir
cu
it C
urr
en
t :
I DD
2 [m
A]
RE
F O
utp
ut
Vo
ltag
e :
VR
EF [
V]
Input Voltage : VDD1 [V] REF Output Voltage : VREF [V]
OU
T V
oltag
e :
Vo
ut [V
]
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特性データ(参考データ) -続き
Figure 21. REF電圧 温度特性 Figure 22. REF電圧 負荷電流特性(VDD1=10V)
Figure 23. 周波数 100kHz 温度特性 Figure 24. VDTY-DUTY特性 100kHz
4.925
4.950
4.975
5.000
5.025
5.050
5.075
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Ta[℃]
RE
F[V
]
10V 24V
8V
4.925
4.950
4.975
5.000
5.025
5.050
5.075
0 1 2 3 4 5
IREF[mA]R
EF
[V]
25℃ 125℃
-40℃
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Ta[℃]
発振
周波
数[k
Hz]
25℃ -40℃
125℃
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5VDTY[V]
OU
T D
uty
[%] 25℃
-40℃
125℃
RE
F O
utp
ut
Vo
ltag
e :
VR
EF [
V]
RE
F O
utp
ut
Vo
ltag
e :
VR
EF [
V]
Temperature : Ta [°C] REF Output Current : IREF [mA] O
UT
Du
ty [%
]
Temperature : Ta [°C] VDTY Input Voltage : VDTY [V]
Oscill
atio
n F
req
ue
ncy :
f OS
C [kH
z]
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特性データ(参考データ) -続き
Figure 25. 周波数 10kHz 温度特性 Figure 26. VDTY-DUTY特性 10kHz
Figure 27. 周波数 250kHz 温度特性 Figure 28. VDTY-DUTY特性 250kHz
9.0
9.2
9.4
9.6
9.8
10.0
10.2
10.4
10.6
10.8
11.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Ta[℃]
発振
周波
数[k
Hz]
-40℃ 25℃
125℃
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
VDTY[V]O
UT
Du
ty[%
]
-40℃
25℃
125℃
225
230
235
240
245
250
255
260
265
270
275
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Ta[℃]
発振
周波
数[K
Hz]
8V 10V
24V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
VDTY[V]
OU
T D
uty
[%]
-40℃
25℃
125℃
Oscill
atio
n F
req
ue
ncy :
f OS
C [kH
z]
Temperature : Ta [°C] VDTY Input Voltage : VDTY [V]
OU
T D
uty
[%
]
Temperature : Ta [°C] Input Voltage : VDTY [V]
OU
T D
uty
[%
]
Oscill
atio
n F
req
ue
ncy :
f OS
C [kH
z]
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特性データ(参考データ) -続き
Figure 29. Duty温度特性 100kHz Figure 30. Duty温度特性 10kHz
Figure 31. Duty温度特性 250kHz Figure 32. VDTY入力バイアス電流
52.5
53.5
54.5
55.5
56.5
57.5
58.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Ta[℃]
Du
ty[%
]
8V 10V 24V
52.0
53.0
54.0
55.0
56.0
57.0
58.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Ta[℃]
Du
ty[%
]
8V 10V 24V
53.0
54.0
55.0
56.0
57.0
58.0
59.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Ta[℃]
Du
ty[%
]
8V 10V 24V
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0 3 6 9
入力
バイ
アス
電流
[uA
] 25℃
125℃
-40℃
Du
ty :
Duty
M [
%]
Temperature : Ta [°C] Temperature : Ta [°C]
Du
ty :
Duty
L[%
]
Du
ty :
Duty
H [
%]
Temperature : Ta [°C] Input Voltage : VDTY [V]
Inp
ut
Bia
s C
urr
ent
: I b
VD
TY [
µA
]
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特性データ(参考データ) -続き
Figure 33. SD2動作時電圧 Figure 34. 低電圧保護スレッショルド電圧
Figure 35. 低電圧保護作動遅延時間 Figure 36. RFLV入力バイアス電流
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0 5 10 15 20
Isource[mA]
SD
動作
時電
圧[V
]
125℃25℃
-40℃
0
1
2
3
4
5
6
0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
VH[V]
SD
1[V
]
125℃
-40℃
25℃
125℃
-40℃
25℃
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
8 12 16 20 24
VDD1[V]
保護
作動
遅延
時間
[V]
125℃
-40℃25℃
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0 3 6 9
RFLV[V]
入力
バイ
アス
電流
[uA
]
25℃ -40℃
125℃
SD
2 O
utp
ut
Vo
ltag
e : V
SD
2 [
V]
ISOURCE [mA]
SD
1 O
utp
ut
Vo
ltag
e : V
SD
1 [
V]
VH Input Voltage : VH [V]
Pro
tectio
n O
pe
ratio
n D
ela
y T
ime
[µ
s]
Input Voltage : VDD1 [V] RFLV Input Voltage : VRFLV [V]
Inp
ut
Bia
s C
urr
ent
: I b
RF
LV [
µA
]
22/30
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特性データ(参考データ) -続き
Figure 37. VH入力バイアス電流 Figure 38. アクティブ過電圧保護スレッショルド電圧
Figure 39. アクティブ過電圧保護作動遅延時間 Figure 40. VACT入力バイアス電流
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0 3 6 9
VH[V]
入力
バイ
アス
電流
[μA
]
-40℃
125℃
25℃
0
1
2
3
4
5
6
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
VACT[V]
SD
1[V
]
-40℃
25℃
125℃
-40℃
25℃
125℃
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
8 12 16 20 24
VDD1[V]
保護
作動
遅延
時間
[μs] 125℃
-40℃ 25℃
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0 3 6 9
VACT[V]
入力
バイ
アス
電流
[μA
]
25℃ 125℃
-40℃
Inp
ut
Bia
s C
urr
ent
: I b
VH [
µA
]
SD
1 O
utp
ut
Vo
ltag
e : V
SD
1 [
V]
VACT Input Voltage : VACT [V] VH Input Voltage : VH [V]
Pro
tectio
n O
pe
ratio
n D
ela
y T
ime
[µ
s]
Input Voltage : VDD1 [V] VACT Input Voltage : VACT [V]
Inp
ut
Bia
s C
urr
ent
: I b
VA
CT [
µA
]
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特性データ(参考データ) -続き
Figure 41. 過電圧保護スレッショルド電圧
Figure 43. RFOV 入力バイアス電流
0
1
2
3
4
5
6
4.85 4.90 4.95 5.00 5.05
VH[V]
SD
1[V
]
125℃
25℃
-40℃ -40℃
25℃
125℃
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
8 12 16 20 24
VDD1[V]
保護
作動
遅延
時間
[μs]
125℃
-40℃ 25℃
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0 3 6 9
RFOV[V]
入力
バイ
アス
電流
[μA
]
-40℃ 25℃ 125℃
Figure 42. 過電圧保護作動遅延時間
SD
1 O
utp
ut
Vo
ltag
e : V
SD
1 [
V]
VH Input Voltage : VH [V] Input Voltage : VDD1 [V]
Pro
tectio
n O
pe
ratio
n D
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y T
ime
[µ
s]
Inp
ut
Bia
s C
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ent
: I b
RF
OV [
µA
]
RFOV Input Voltage : VRFOV [V]
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アプリケーション部品選定方法
1.VH,VDTY分圧抵抗値
VH 端子は、高電圧を抵抗分圧し保護回路用に入力する端子です。VH 電圧>RFOV 電圧の時に過電圧保護検出、VH 電圧
<RFLV電圧×0.8の時に低電圧保護検出となります。保護検出したい高電圧に応じて抵抗分圧比を決定してください。
VDTY端子は、高電圧を抵抗分圧し電圧モニタ用に入力する端子です。モニタしたい高電圧に応じて抵抗分圧比を決定し
てください。
Fig.44中の抵抗 R3がオープンとなった時、VH,VDTY端子は内部ダイオードにより VDD1+Vf電圧にクランプされます。
この時、VH,VDTY端子に流れ込む電流は、2mA以下となるように R1,R2の抵抗値を決定してください。
2.RFOV,RFLV分圧抵抗値
RFOV,RFLV 端子は、高電圧の過電圧保護値,低電圧保護値を設定する端子です。REF 電圧を外付け抵抗にて分圧し設定電
圧を入力します。REFの負荷電流が、5mA以下となるように RL1,RL2,RO1,RO2の抵抗値を決定してください。
3.RT抵抗値
内部基準発振器の電流を設定する端子です。基準周波数は F_OSC=(1.0*10^6)/(RT 抵抗値) [kHz]となります。
設定周波数上限は 250kHz(RT=4kΩ)、下限は 10kHz(RT=100kΩ)です。
4.SD2抵抗値
SD2 端子は、オープンドレイン出力端子です。SD2-電源間へプルアップ抵抗を接続してご使用ください。SD2 端子の流入
電流が、20mA以下になるように RSDの抵抗値を設定してください。
RT抵抗値 周波数
100kΩ 10kHz
10kΩ 100kHz
4kΩ 250kHz
R1
R2
R3
高電圧
VH
VDTY
VDD1
高電圧
VH
VDTY
VDD1
Max.2mA
Max.2mA
R1
R2
オープン R3
VDD1+Vf
(高電圧-VDD1)/R1<2mA
保護検出
電圧モニタ
Figure 44. VH,VDTY分圧抵抗
Figure 45. RFOV,RFLV 分圧抵抗
(REF電圧/(RL1+RL2)) + (REF 電圧/(RO1+RO2)) < 5mA
Figure 46. RT抵抗値と周波数
Figure 47. SD2抵抗値
VBAT/RSD<20mA
VBAT
RSD
RFOV
RFLV
REF 負荷電流
RO1
RO2
RL1
RL2
25/30
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入出力等価回路図
○OUT,SD1
○REF ○VACT
○SD2
○VH
○VDTY, RFOV, RFLV
○RT
SD2
GND2 GND2
VDD2
OUT SD1
GND2 GND2
VDD2
RT
GND1
VDD1
GND1
VDD1
VDTY RFOV RFLV
REF
VH
GND1
VDD1
GND1
VACT
VDD1 Internal power supply Internal power supply
Internal power supply
Internal power supply
VDD1
REF
GND1 GND1
VDD1
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使用上の注意
1. 電源の逆接続について
電源コネクタの逆接続により LSIが破壊する恐れがあります。逆接続破壊保護用として外部に電源と LSIの電源端子
間にダイオードを入れる等の対策を施してください。
2. 電源ラインについて
基板パターンの設計においては、電源ラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。その際、デジ
タル系電源とアナログ系電源は、それらが同電位であっても、デジタル系電源パターンとアナログ系電源パターンは
分離し、配線パターンの共通インピーダンスによるアナログ電源へのデジタル・ノイズの回り込みを抑止してくださ
い。グラウンドラインについても、同様のパターン設計を考慮してください。
また、LSI のすべての電源端子について電源-グラウンド端子間にコンデンサを挿入するとともに、電解コンデンサ
使用の際は、低温で容量ぬけが起こることなど使用するコンデンサの諸特性に問題ないことを十分ご確認のうえ、定
数を決定してください。
3. グラウンド電位について
グラウンド端子の電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。また実際に過渡現象を
含め、グラウンド端子以外のすべての端子がグラウンド以下の電圧にならないようにしてください。
4. グラウンド配線パターンについて
小信号グラウンドと大電流グラウンドがある場合、大電流グラウンドパターンと小信号グラウンドパターンは分離し、
パターン配線の抵抗分と大電流による電圧変化が小信号グラウンドの電圧を変化させないように、セットの基準点で
1 点アースすることを推奨します。外付け部品のグラウンドの配線パターンも変動しないよう注意してください。グ
ラウンドラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。
5. 熱設計について
万一、許容損失を超えるようなご使用をされますと、チップ温度上昇により、IC本来の性質を悪化させることにつな
がります。本仕様書の絶対最大定格に記載しています許容損失は、70mm x 70mm x 1.6mm ガラスエポキシ基板実装
時、放熱板なし時の値であり、これを超える場合は基板サイズを大きくする、放熱用銅箔面積を大きくする、放熱板
を使用する等の対策をして、許容損失を超えないようにしてください。
6. 推奨動作条件について
この範囲であればほぼ期待通りの特性を得ることが出来る範囲です。電気特性については各項目の条件下において保
証されるものです。推奨動作範囲内であっても電圧、温度特性を示します。
7. ラッシュカレントについて
IC内部論理回路は、電源投入時に論理不定状態で、瞬間的にラッシュカレントが流れる場合がありますので、電源カ
ップリング容量や電源、グラウンドパターン配線の幅、引き回しに注意してください。
8. 強電磁界中の動作について
強電磁界中でのご使用では、まれに誤動作する可能性がありますのでご注意ください。
9. セット基板での検査について
セット基板での検査時に、インピーダンスの低いピンにコンデンサを接続する場合は、ICにストレスがかかる恐れが
あるので、1 工程ごとに必ず放電を行ってください。静電気対策として、組立工程にはアースを施し、運搬や保存の
際には十分ご注意ください。また、検査工程での治具への接続をする際には必ず電源を OFF にしてから接続し、電
源を OFFにしてから取り外してください。
10. 端子間ショートと誤装着について
プリント基板に取り付ける際、IC の向きや位置ずれに十分注意してください。誤って取り付けた場合、IC が破壊す
る恐れがあります。また、出力と電源およびグラウンド間、出力間に異物が入るなどしてショートした場合について
も破壊の恐れがあります。
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使用上の注意 ― 続き
11. 未使用の入力端子の処理について
CMOS トランジスタの入力は非常にインピーダンスが高く、入力端子をオープンにすることで論理不定の状態になり
ます。これにより内部の論理ゲートの pチャネル、nチャネルトランジスタが導通状態となり、不要な電源電流が流れ
ます。また 論理不定により、想定外の動作をすることがあります。よって、未使用の端子は特に仕様書上でうたわれ
ていない限り、適切な電源、もしくはグラウンドに接続するようにしてください。
12. 各入力端子について
本 ICはモノリシック ICであり、各素子間に素子分離のための P+アイソレーションと、P基板を有しています。
この P層と各素子の N層とで P-N接合が形成され、各種の寄生素子が構成されます。
例えば、下図のように、抵抗とトランジスタが端子と接続されている場合、
○抵抗では、GND>(端子 A)の時、トランジスタ(NPN)では GND > (端子 B)の時、P-N接合が寄生ダイオード
として動作します。
○また、トランジスタ(NPN)では、GND > (端子 B)の時、前述の寄生ダイオードと近接する他の素子の N層に
よって寄生の NPNトランジスタが動作します。
ICの構造上、寄生素子は電位関係によって必然的にできます。寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引
き起こし、誤動作、ひいては破壊の原因ともなり得ます。したがって、入出力端子に GND(P基板)より低い電圧を印
加するなど、寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分に注意してください。アプリケーションにおいて電
源端子と各端子電圧が逆になった場合、内部回路または素子を損傷する可能性があります。例えば、外付けコンデン
サに電荷がチャージされた状態で、電源端子が GNDにショートされた場合などです。また、電源端子直列に逆流防
止のダイオードもしくは各端子と電源端子間にバイパスのダイオードを挿入することを推奨します。
Figure 49. モノリシック IC構造例
13. セラミック・コンデンサの特性変動について
外付けコンデンサに、セラミック・コンデンサを使用する場合、直流バイアスによる公称容量の低下、及び温度などに
よる容量の変化を考慮の上定数を決定してください。
14. 過電流保護回路について
出力には電流能力に応じた過電流保護回路が内部に内蔵されているため、負荷ショート時には IC 破壊を防止します
が、この保護回路は突発的な事故による破壊防止に有効なもので、連続的な保護回路動作、過渡時でのご使用に対応
するものではありません。
N NP
+ P
N NP
+
P基板
寄生素子GND
寄生素子
端子A
端子A
抵抗
NP
+
N NP
+N P
P基板
GND GND
端子B 端子B
B C
E
寄生素子
GND近傍する
他の素子寄生素子
CB
E
トランジスタ (NPN)
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発注形名情報
B M 6 7 2 9 0 F V - CE2
品名
パッケージ FV: SSOP-B20W
包装、フォーミング仕様 E2: リール状エンボステーピング (SSOP-B20W)
標印図
SSOP-B20W(TOP VIEW)
B M 6 7 2 9 0
Part Number Marking
LOT Number
1PIN MARK
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外形寸法図と包装・フォーミング仕様
Package Name SSOP-B20W
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改訂履歴
Date Revision Changes
2014.11.10 001 新規作成
2016.07.19 002 P1 修正 Figure 1
P12 絶対最大定格修正 VH,VDTY,VACT,RFOV,RFLV
P12 絶対最大定格修正 OUT,SD1
P12 許容損失削除
P13 熱抵抗追加
P13 基準電流出力電流の Note7を修正
P13 絶縁特性追加
P14 誤記修正 Duty温特/電特変化率の Symbol ⊿Duty/Duty ⇒ ⊿Duty
P15 誤記修正 RLOV⇒RFOV
P15 誤記修正 Isurce⇒Isource
P21 誤記修正 Ibvdty⇒IbRFLV
P22 誤記修正 Ibvdyt⇒IbVH
P22 誤記修正 Ibvdty⇒IbVACT
P23 誤記修正 Ibvdty⇒IbRFOV
P24 誤記修正 VH,VDTY分圧抵抗説値説明文内 Figure.14⇒Figure.44
P24 Figure.45 RO1,RO2,RL1,RL2追記
P25 誤記修正 入出力等価回路図 OUT/SD1の GND⇒GND2
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ご注意
ローム製品取扱い上の注意事項
1. 極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害
の発生に関わるような機器又は装置(医療機器(Note 1)
、航空宇宙機器、原子力制御装置等)(以下「特定用途」という)
への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します。ロームの文
書による事前の承諾を得ることなく、特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生じた損害等に関し、
ロームは一切その責任を負いません。
(Note 1) 特定用途となる医療機器分類
日本 USA EU 中国
CLASSⅢ CLASSⅢ
CLASSⅡb Ⅲ類
CLASSⅣ CLASSⅢ
2. 半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、誤動作や故障が生じた場合であっても、本
製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において次の例に示す
ようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。
①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。
②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。
3. 本製品は、下記に例示するような特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。したがいまして、下記のよ
うな特殊環境での本製品のご使用に関し、ロームは一切その責任を負いません。本製品を下記のような特殊環境でご使
用される際は、お客様におかれまして十分に性能、信頼性等をご確認ください。
①水・油・薬液・有機溶剤等の液体中でのご使用
②直射日光・屋外暴露、塵埃中でのご使用
③潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所でのご使用
④静電気や電磁波の強い環境でのご使用
⑤発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等、可燃物を配置する場合
⑥本製品を樹脂等で封止、コーティングしてのご使用
⑦はんだ付けの後に洗浄を行わない場合(無洗浄タイプのフラックスを使用された場合も、残渣の洗浄は確実に
行うことをお薦め致します)、又ははんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合
⑧結露するような場所でのご使用
4. 本製品は耐放射線設計はなされておりません。
5. 本製品単体品の評価では予測できない症状・事態を確認するためにも、本製品のご使用にあたってはお客様製品に
実装された状態での評価及び確認をお願い致します。
6. パルス等の過渡的な負荷(短時間での大きな負荷)が加わる場合は、お客様製品に本製品を実装した状態で必ず
その評価及び確認の実施をお願い致します。また、定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと、
本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください。
7. 電力損失は周囲温度に合わせてディレーティングしてください。また、密閉された環境下でご使用の場合は、必ず温度
測定を行い、最高接合部温度を超えていない範囲であることをご確認ください。
8. 使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください。
9. 本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは
一切その責任を負いません。
実装及び基板設計上の注意事項
1. ハロゲン系(塩素系、臭素系等)の活性度の高いフラックスを使用する場合、フラックスの残渣により本製品の性能
又は信頼性への影響が考えられますので、事前にお客様にてご確認ください。
2. はんだ付けは、表面実装製品の場合リフロー方式、挿入実装製品の場合フロー方式を原則とさせて頂きます。なお、表
面実装製品をフロー方式での使用をご検討の際は別途ロームまでお問い合わせください。
その他、詳細な実装条件及び手はんだによる実装、基板設計上の注意事項につきましては別途、ロームの実装仕様書を
ご確認ください。
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応用回路、外付け回路等に関する注意事項
1. 本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品の
バラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。
2. 本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、
実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。したがいまして、お客様の機器の設計において、回路や
その定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には、外部諸条件を考慮し、お客様の判断と責任において行って
ください。これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し、ロームは一切その責任を負いません。
静電気に対する注意事項
本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、
保管時において静電気対策を実施のうえ、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾
燥環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。(人体及び設備のアース、帯電物から
の隔離、イオナイザの設置、摩擦防止、温湿度管理、はんだごてのこて先のアース等)
保管・運搬上の注意事項
1. 本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがあります
のでこのような環境及び条件での保管は避けてください。
① 潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2等の腐食性ガスの多い場所での保管
② 推奨温度、湿度以外での保管
③ 直射日光や結露する場所での保管
④ 強い静電気が発生している場所での保管
2. ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性が
あります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認したうえでご使用頂くことを推奨します。
3. 本製品の運搬、保管の際は梱包箱を正しい向き(梱包箱に表示されている天面方向)で取り扱いください。天面方向が
遵守されずに梱包箱を落下させた場合、製品端子に過度なストレスが印加され、端子曲がり等の不具合が発生する
危険があります。
4. 防湿梱包を開封した後は、規定時間内にご使用ください。規定時間を経過した場合はベーク処置を行ったうえでご使用
ください。
製品ラベルに関する注意事項
本製品に貼付されている製品ラベルに2次元バーコードが印字されていますが、2次元バーコードはロームの社内管理
のみを目的としたものです。
製品廃棄上の注意事項
本製品を廃棄する際は、専門の産業廃棄物処理業者にて、適切な処置をしてください。
外国為替及び外国貿易法に関する注意事項
本製品は、外国為替及び外国貿易法に定めるリスト規制貨物等に該当するおそれがありますので、輸出する場合には、
ロームへお問い合わせください。
知的財産権に関する注意事項
1. 本資料に記載された本製品に関する応用回路例、情報及び諸データは、あくまでも一例を示すものであり、これらに関
する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません。
2. ロームは、本製品とその他の外部素子、外部回路あるいは外部装置等(ソフトウェア含む)との組み合わせに起因して
生じた紛争に関して、何ら義務を負うものではありません。
3. ロームは、本製品又は本資料に記載された情報について、ロームもしくは第三者が所有又は管理している知的財産権 そ
の他の権利の実施又は利用を、明示的にも黙示的にも、お客様に許諾するものではありません。 ただし、本製品を通
常の用法にて使用される限りにおいて、ロームが所有又は管理する知的財産権を利用されることを妨げません。
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使用しないでください。
4. 本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は、ローム、ローム関係会社もしくは第三者の商標又は登録商標
です。
DatasheetDatasheet
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一般的な注意事項 1. 本製品をご使用になる前に、本資料をよく読み、その内容を十分に理解されるようお願い致します。本資料に記載
される注意事項に反して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切
その責任を負いませんのでご注意願います。
2. 本資料に記載の内容は、本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。本製品のご購入及び
ご使用に際しては、事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください。
3. ロームは本資料に記載されている情報は誤りがないことを保証するものではありません。万が一、本資料に記載された
情報の誤りによりお客様又は第三者に損害が生じた場合においても、ロームは一切その責任を負いません。