1

2

2

� 成立時間：1999年1月1日

� 技術團隊成員經歷:

德州儀器公司, 太空總署推進實驗室,

AT&T貝爾實驗室

� 核心技術：

分子束磊晶(MBE)技術生產三五族磊晶片

即時監控系統精確控制磊晶層成長(美國專利)

� 工廠地址：美國德州, Richardson, TX, USA

� 台灣分公司地址：台北市士林區德行西路33號5樓

� 商業模式：

三五族半導體MBE磊晶晶片代工製造廠

(砷化鎵ヽ磷化銦ヽ銻化鎵磊晶晶片)

公司簡介-基本資料

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三五族半導體產業上中下游介紹

•手機

•平板

•穿戴裝置

•有線電視

/ 衛星通訊

•W

i-Fi 連結

•無線基地台

•車用電子

/ 防撞雷達

•太空

/ 國防

•R

FID

•醫療

•智慧型能源系統

•測試與量測

行動裝置晶片 非行動裝置晶片 光通訊晶片

•收發模組

•驅動

IC

磊晶片(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)

基板(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)

晶圓製程

半導體封裝

Sumitomo, AXT

IET, IQE, 全新,

聯亞

穩懋, 宏捷, 華興

光, 光環, 索爾思

IDM:

Skyworks,

Avago, Quovo

磊晶片品質:決定電子

元件品質, 效能, 良率

聯鈞

4

英特磊生產什麼 � 磊晶片

• 不同顏色代表不同化學成分與

不同晶格大小• 每一層厚度、成份、摻雜濃度

須經磊晶結構設計師模擬計算• 磊晶片品質:決定電子元件品

質, 效能, 良率

磊晶片(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)

基板(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)

MBE長磊晶機台

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Emitter

Base

Collector

0.25 µm

Emitter

Base

Collector

0.25 µm

主要產品:

•砷化鎵(GaAs)磊晶晶片

–S公司和Q公司(pHEMT結構):非行動通訊裝置，有線電視 / 衛星通訊, Wi-Fi連結, 無線基地台, 車用電子 / 防撞雷達, 太空 / 國防, RFID, 醫療, 智慧型能源系統, 測試與量測, 物聯網產業應用

–U公司(pHEMT結構):汽車防撞雷達

–潛在市場: 面射型雷射(VCSEL)用於肢體動作辨識 (虛擬實境VR,AR,MR)

•磷化銦(InP)磊晶晶片

–K公司(HBT):高頻量測儀器元件(示波器)

–S公司(HBT):高頻特殊應用, LD driver, TIA

–光通訊用光接收器 PIN/APD (10G PON, Data Center)

–潛在市場: 5G 手機 PA

產品應用領域介紹

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主要產品：

� 銻化鎵(GaSb)紅外線探測器磊晶晶片

– 政府特殊應用計畫:聚焦平面列陣(FPA)關鍵材料，主要應用於夜視

、保全、國土安全、太空科技等用途

– 垂直整合大尺寸銻化鎵(GaSb)基板材料– 商業公司:主要應用於夜視、保全

– 新市場機會：銻化銦（InSb)及镉鋅碲（CZT)基板

聚焦平面列陣（FPA）紅外線熱影像

T2SLS epi-structure

銻化鎵磊晶片

銻化鎵單晶

美國太空總署紅外線衛星攝影於地球表面

聚焦平面列陣（FPA）

產品應用領域介紹

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英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示

射頻與微波

高速電子傳輸

光電

應用

• 手機高頻元

件

• 汽車防撞雷

達

• 國防用途

• OC768-

40Gbps 網路

• OC192-

10Gbps 網路

• 光纖網路

• 圖像識別

器件類別

(紅色為量產產

品)

• GaAs pHEMT • GaAs mHEMT • InP HEMT • InP HBT

• InP HBT • InP HEMT • GaAs mHEMT

• GaAs PIN/APD • InP PIN/APD • QWIP • Diode laser • GaSb T2 SLS IR

detector

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� 4G手機PA � GaAs磊晶片HBT結構,< 3~5G Hz

� 5G手機PA� 規格尚未確定，速度較4G快 50~100倍， >20G Hz

- 2小時高解析度電影下载約需10秒鐘

- 4G到5G目前仍牽涉許多技術障礙

-頻率上符合需求之選項

GaAs (pHEMT磊晶結構) 或InP (HBT磊晶結構)

- InP HBT性能遠優於GaAs(pHEMT) ，但價格較高因為目前市場需求量較小，

只要市場需求量增加，價格有下降空間以擴大普及率。

� 英特磊MBE技術 在成長InP(HBT) 有絕對優勢

- n-type摻雜物濃度比MOCVD高10倍

- 精準控制磊晶層成分厚度

5G手機PA 磊晶材料演進

9

5G Release

10

GaAs HBT/pHEMT and InP HBT

IC

IB

IE

磊晶層

(每層約1um)

C

B

E

GaAs substrate單晶基板

磊晶層

(總厚度約1um)

GaAs substrate單晶基板

DrainGate

Source

GaAs HBT GaAs pHEMT

• Up to 10 G Hz

• Suitable for PA

C

B

E

InP substrate單晶基板

InP HBT

• Up to 900 G Hz

• Suitable for PA

• Up to 100 G Hz

• Suitable for SW and LNA

• HBT製程簡單良率高適合做PA

• pHEMT製程較複雜良率較難控制

不適合做PA

• 5G手機PA用InP HBT有技術優勢

11

What about LDMOS, GaN/Si, GaN/SiC ?

• LDMOS 適合應用在高功率RF電晶

體, 基地台功率放大器

12

• GaN元件在基地台功率放大器有其重要性

• GaN元件無法取代LDMOS 所有市場，只有在頻率>3~4GHz時有其優勢

• GaN/Si元件在5G手機PA無法與InP HBT元件競爭，主要因為元件效能較差

• GaN/SiC元件在5G手機PA無法與InP HBT元件競爭，主要因為高品質SiC基板材

料取得不易，市場供應不足，缺乏降低成本之解決方案

What about LDMOS, GaN/Si, GaN/SiC? (cont.)

13

圖片來源:Future Electronics Homepage

GaN 應用領域

14

圖片來源:Rohm Homepage

GaN 應用領域

• 手機PA: 3~5V

• GaN 主要用在高功率場所,如基地台,價格昂貴

• 5G手機PA選用GaN不符性價比要求

15

Edge emitting and surface Emitting Laser

16

VCSEL & EEL

17

VCSEL

• 光圈氧化層用高鋁含量Al(x)Ga(1-

x)As材料, X > 0.9, 若長磊晶時有氧

進入晶格將影響可靠度, MBE長磊

晶完全不會有氧進入晶格

• 氧化層氧化深度不易控制, 需用專

用機台良率才能控制

氧化層

氧化前電流流向 氧化後電流流向

Al2O3 Al2O3

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VCSEL Array for 3D Sensing

• 945 nm, 2W VCSEL array, about 500

emitters at 4mW/emitter

• 6” wafer can be diced into 14K chips

@1.1x1.1mm chip size

• 80% MBE yield gives 11.2K chips

• MOCVD yield is estimated lower than

MBE

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集團架構與市場分布

� 北美歐洲市場佔營收 ~ 80%

� 日本市場主要來自資料通訊（datacomm）及特殊高頻應用，以磷化銦關鍵元件為主

公司於全球主要市場均有據點，具備全球競爭能力

Designates office locations

North America:

67%, 2016

Korea/Taiwan

2.1% 2016

Europe:

13%, 2016)

Japan:

16%, 2016

China

Sourcing &

R&D

IET-Cayman

IntelliEPI/

ChinaIntelliEPI/

Japan

IntelliEPI

IntelliEPI IR*

20

近年主要產品開發成果

中國啟動佈建10G PON

『3G行動通訊開始發展』 『4G行動通訊元年』

5G通訊起飛(28~30GHz)

手機功率放大器(PA)

InP HBT

VCSEL面射型雷射

3D 感測

汽車防撞雷達

(GaAs pHEMT)

VCSEL面射型雷射

850nm, 14G

2001年 2011年2010年 2012年 2014年 2015年 2020年2013年 2016年

VCSEL面射型雷射

850nm, 28G

InP HBT

高頻量測設備

GaSb

中長波紅外偵測

InP APD

雪崩式光接收器

InP QCL

雷射

4” InSb

銻化銦單晶

InP HBT(>100GHz)

超高頻量測設備

5-6” GaSb

銻化鎵基板

56G InP PIN

高速光接收器

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� 全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ

� 法國汽車防撞雷達晶片大廠UMS認證通過，為唯一供應商

� 5G高頻量測儀器市場 2015/Q3 開始供貨

� VCSEL 14G/28G 技術成熟，用於3D感測有技術有產能

� MBE磊晶片在高速光通迅應用 (10G PON及 Data Center)的 PIN 及

APD有明顯優勢

� 5G手機PA 磊晶材料成長(InP) 關鍵技術開發

英特磊MBE技術成長InP HBT具絕對優勢

核心競爭優勢-策略與市場定位

22

季營業額及毛利趨勢圖

22

單位: 新台幣仟元

35.80%

39.60%

36.50%

44.50%

38.70%

28.72%

34.11%

38.25%

31.26%29.16% 31.64%

44.71%

0.00%

5.00%

10.00%

15.00%

20.00%

25.00%

30.00%

35.00%

40.00%

45.00%

50.00%

$0

$50,000

$100,000

$150,000

$200,000

$250,000

$300,000

Q3-14 Q4-14 Q1-15 Q2-15 Q3-15 Q4-15 Q1-16 Q2-16 Q3-16 Q4-16 Q1-17 Q2-17

營業收入 營業利益

毛利率

Q3-14 Q4-14 Q1-15 Q2-15 Q3-15 Q4-15 Q1-16 Q2-16 Q3-16 Q4-16 Q1-17 Q2-17

營業收入 $208,504 $171,486 $207,892 $224,008 $236,131 $189,253 $231,432 $244,573 $217,263 $192,087 $194,309 $238,082

營業利益 $39,348 $37,368 $41,776 $65,101 $56,642 $21,313 $34,928 $52,547 $34,994 $22,624 $22,631 $71,485

季成長率 36.4% -17.8% 21.2% 7.8% 5.4% -19.9% 22.3% 5.7% -11.2% -11.6% 1.2% 22.5%

毛利率 35.80% 39.60% 36.50% 44.50% 38.70% 28.72% 34.11% 38.25% 31.26% 29.16% 31.64% 44.71%

23

主要產品別銷貨收入

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2013 2014 2015 2016 2017Q1 2017Q2

比率 比率 比率 比率 比率 比率

砷化鎵(GaAs)磊晶片 35.1% 46.7% 51.8% 48.4% 60.3% 56.3%

磷化銦( InP)磊晶片 39.4% 31.2% 24.8% 35.0% 29.5% 29.3%

銻化鎵(GaSb)及勞務收入 22.4% 21.5% 22.8% 15.6% 8.5% 11.8%

其他 3.1% 0.6% 0.6% 1.0% 1.7% 2.6%

合計 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0%

年度

產品別

• Major contribution in GaAs growth are UMS(ADAS),

Qorvo(defense), lasers

• Major contribution in InP growth is PIN/APD

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營收展望

� 2017~2018 營收成長動能

SWKS(GaAs) � 其他高頻應用產品

(物聯網、車聯網、國防)

UMS (GaAs) � 汽車防撞雷達

Keysight (InP) � 5G 高頻量測產品

光通訊 (InP) � PIN/APD for 10G PON, Data Center

LD driver, TIA

GaSb-IR � 進入量產商業化產品

• 2018~2020

* VCSEL 用於3D感測

* InP HBT可望成為5G手機PA 磊晶首選材料

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謝謝大家，敬請指教

Q & A