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○c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2010.01 - Rev.A

独立 2 素子内蔵複合トランジスタ IMX25

特長外形寸法図（Unit：mm） 1) SMT パッケージに 2SD2704K チップが 2 個入っている。 2) SMT3 の自動装着機により、装着が可能である。 3) 各トランジスタの素子間は独立しているため相互干渉がない。 4) 実装コスト及び面積が半減できる。構造エピタキシャルプレーナ型 NPN シリコントランジスタ以下の特性は、Tr1、Tr2について共通です。

絶対最大定格（Ta=25C）内部回路図

Parameter Symbol Limits Unit

VCBO 50 V

VCEO 20 V

VEBO 25 V

IC 300 mA

Tj 150 °C

Tstg −55~+150 °C

Pd 300(TOTAL) mW ∗

コレクタ・ベース間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

エミッタ・ベース間電圧

コレクタ電流

接合部温度

保存温度範囲

許容損失

∗ ただし、1素子当り200mWを超えないこと。電気的特性（Ta=25C）

Parameter Symbol

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

hFE

VCE(sat)

Min.

50

20

25

−

−

820

−

−

−

−

−

−

−

50

−

−

−

0.1

0.1

2700

100

V IC=10μA

IC=1mA

IE=10μA

VCB=50V

VEB=25V

VCE=2V, IC=4mA

IC/IB=30mA/3mA

V

V

μA

μA

−

mV

Typ. Max. Unit Conditions

fT

Ron

Cob

−

−

−

35

0.7

3.9

−

−

−

VCE=6V, IE= −4mA, f=10MHz

IB=5mA, Vi=100mVrms, f=1kHz

VCB=10V, IE=0A, f=1MHz

MHz

Ω

pF

コレクタ・ベース降伏電圧

コレクタ・エミッタ降伏電圧

エミッタ・ベース降伏電圧

コレクタしゃ断電流

エミッタしゃ断電流

直流電流増幅率

利得帯域幅積

出力容量

出力オン抵抗

コレクタ・エミッタ飽和電圧

ROHM : SMT6EIAJ : SC-74 標印略記号 : X25

(1)(2)(3)

0.3+0.1−0.05

1.6

2.8±

0.2

+0.2

−0.1

(6)(5)(4)

0.95 0.95

1.9±0.2

2.9±0.2 1.1+0.2

0.8±0.1

−0.1

0~0.1

0.3~

0.60.15 −0.06

+0.1

各端子とも同寸法

Tr2

Tr1

(4) (5) (6)

(3) (2) (1)

122246

テキストボックス

SOT-457

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Data Sheet IMX25

包装仕様

IMX25

Type

T110

3000

包装名

記号

基本発注単位 (個)

テーピング

電気的特性曲線

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.20.1

0.1

10

100

1000

CO

LLE

CT

OR

CU

RR

EN

T :

IC (m

A)

BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE(ON) (V)

Fig.1 エミッタ接地伝達静特性 ( Ι )

VCE=2V

25°C

−40°C

Ta=125°C

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.20.1

0.1

10

100

1000

CO

LLE

CT

OR

CU

RR

EN

T :

IC (m

A)

BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE(ON) (V)

Fig.2 エミッタ接地伝達静特性 ( ΙΙ )

VCE=6V

25°C

−40°C

Ta=125°C

1 10 100 100010

100

1000

10000

Ta= −40°C

Ta=25°C

Ta=125°C

DC

CU

RR

EN

T G

AIN

: hF

E

COLLECTOR CURRENT : IC (mA)

Fig.3 直流電流増幅率 -コレクタ電流特性 ( )

VCE=2V

1 10 100 100010

100

1000

10000

Ta= −40°C

Ta=25°C

Ta=125°C

DC

CU

RR

EN

T G

AIN

: hF

E


Fig.4 直流電流増幅率 -コレクタ電流特性 ( )

VCE=6V

1 10 100 10001

100

10

1000

10000

Ta= −40°C

Ta=25°C

Ta=125°C


Fig.5 コレクタ・エミッタ間飽和電圧　　　－コレクタ電流特性 ( )

IC/IB=10/1

CO

LLEC

TOR

SAT

UR

ATIO

N V

OLT

AGE

: VC

E(sa

t) (m

V)


1 10 100 10001

100

10

1000

10000

Ta= −40°C

Ta=25°C

Ta=125°C


IC/IB=20/1C

OLL

ECTO

R S

ATU

RAT

ION

VO

LTAG

E : V

CE(

sat) (m

V)

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Data Sheet IMX25


1 10 100 10001

100

10

1000

10000

Ta= −40°C

Ta=25°C

Ta=125°C


IC/IB=50/1

CO

LLEC

TOR

SAT

UR

ATIO

N V

OLT

AGE

: VC

E(sa

t) (m

V)

Fig.8 ベース・エミッタ間飽和電圧　　　－コレクタ電流特性 ( )

1 10 100 1000100

1000

10000

Ta= −40°C

Ta=25°CTa=125°C


IC/IB=10/1

BA

SE

SA

TU

RA

TIO

N V

OLT

AG

E :

VB

E(s

at) (m

V)


1 10 100 1000100

1000

10000

Ta= −40°C

Ta=25°CTa=125°C


IC/IB=20/1

BA

SE

SA

TU

RA

TIO

N V

OLT

AG

E :

VB

E(s

at) (m

V)


1 10 100 1000100

1000

10000

Ta= −40°C

Ta=25°CTa=125°C


IC/IB=50/1

BA

SE

SA

TU

RA

TIO

N V

OLT

AG

E :

VB

E(s

at) (m

V)

Fig.11 利得帯域幅積ーエミッタ電流特性

1 10 1001

10000Ta=25°Cf=50MHzIE=0A

EMITTER CURRENT : IE (mA)

TR

AN

SIT

ION

FR

EQ

UE

NC

Y :

fT (M

Hz)

Fig.12 コレクタ出力容量ーコレクタ・ベース間電圧特性エミッタ入力容量ーエミッタ・ベース間電圧特性

1 10 1000.1

1

10

100Ta=25°Cf=1MHzIE=0A

CO

LLE

CT

OR

OU

TP

UT

CA

PA

CIT

AN

CE

: C

ob (

pF)

EM

ITT

ER

IN

PU

T C

AP

AC

ITA

NC

E :

Cib

(pF

)

COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V) EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V)

0.1 1 100.1

1

100

10

Ta= 25°C

Ron測定回路はFig.15を参照

ON

RE

SIS

TA

NC

E :

Ron

(Ω

)

0.01 100

Fig.13 出力オン抵抗ーベース電流特性 ( )

BASE CURRENT : IB (mA)

0.01 0.1 1 100100.1

1

100

10

Ta= 25°C

Ron測定回路はFig.16を参照

ON

RE

SIS

TA

NC

E :

Ron

(Ω

)

Fig.14 出力オン抵抗ーベース電流特性 ( )

BASE CURRENT : IB (mA)

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Data Sheet IMX25

Ron 測定回路図

Ron= ×RLv0

v0

vi−v0

RL=1kΩ

IB

出力入力

100mV(rms)1V(rms)f=1kHz

Vi V

Fig.15 Ron測定回路 ( )

Ron= ×RLv0

v0

vi−v0

RL=1kΩ

IB

出力入力

100mV(rms)1V(rms)f=1kHz

Vi V

Fig.16 Ron測定回路 ( ) 本製品は、帯電性の大きな環境では素子の劣化・破壊の恐れがありますので、取り扱いには必ず静電対策を講じてください。

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R1010A

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