company presentation - infineon technologies
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会社概要 2017年2月3日
377 620 897 982
FY 13 FY 14 FY 15 FY 16
インフィニオン概要
財務情報 市場でのポジション
ビジネス セグメント 従業員
[単位:100万ユーロ]
第2位 第1位
オートモーティブ パワー スマートカードIC
第2位 Strategy Analytics 2016年4月
IHS Markit, 2016年10月
IHS Markit 2016年7月
欧州
15,176人
全世界の従業員数:約36,000人 (2016年9月現在)
アメリカ
3,691人
アジア太平洋
17,432人
研究開発拠点:34カ所 製造拠点:19カ所
売上高 事業部合計利益 利益率
15.2% 15.5% 14.4% 9.8%
3,843 4,320
5,795 6,473
41%
11%
17%
31%
オートモーティブ
(ATV)
インダストリアル パワー
コントロール(IPC)
チップカード&
セキュリティ (CCS)
パワーマネジメント&
マルチマーケット(PMM)
FY 2016売上高に基づく
2 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
Part of your life.
Part of tomorrow.
私たちは、高性能で低電力、 そして誰もが利用できるテクノロジーを通して 暮らしをより便利に、安全に、エコにします。 インフィニオンのマイクロエレクトロニクスは
明るい未来の扉を開く鍵になります。
3 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
Courtesy: AUDI
ネットワークを駆使した、環境にやさしい セーフティ モビリティを実現
アプリケーション
高効率燃焼パワートレイン、電気自動車/ハイブリッド車、電気自動車向け充電 ステーション、車載用セーフティ、運転支援と安全システム、コンフォート エレクトロニクス、認証、モバイルセキュリティ、トラクション
4 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
Courtesy: AUDI
電気エネルギーの効率的な生成、伝送、変換を実現
アプリケーション
エネルギーの伝送/変換、再生可能エネルギー生成、家電製品、電動工具、パワーマネージメント(アダプタ、充電器、電源)、LED照明システム、モバイル機器、産業用駆動装置、産業用車両
5 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
Courtesy: AUDI
ネットワーク社会のセキュリティを実現
アプリケーション
IoT、インダストリー4.0、モバイルセキュリティ、組み込みセキュリティ、 トラステッド コンピューティング、マシンツーマシン、(モバイル)ペイメント、SIMアプリケーション、交通発券、政府系ID
6 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
全ての主要な製品カテゴリーでトップポジションを維持
ディスクリートパワー半導体およびパワーモジュール
出典: IHS Markit, 2016年10月
マイクロコントローラーベーススマート
カードIC
出典: IHS Markit, 2016年7月
半導体センサーを含む車載用半導体
出典:Strategy Analytics,2016年4月
車載用半導体
2015年 市場規模: 274億米ドル
パワー半導体 2015年 市場規模 : 148億米ドル
スマートカード IC 2015年 市場規模 : 27億2000万米ドル
7.0%
7.7%
10.3%
10.4%
14.2%
Texas
Instruments
STMicro
Renesas
Infineon
NXP
5.0%
5.7%
6.1%
6.3%
18.7%
Vishay
STMicro
Fairchild
Mitsubishi
Infineon
(incl. IRF)
13.3%
15.1%
16.2%
24.8%
30.5%
others
STMicro
Samsung
Infineon
NXP
7 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
継続して収益を生む成長で、戦略的に価値を創造
平均サイクルの財務目標
売上高 成長率:
~8% 事業部 合計利益率:
~17%
対売上高 投資比率:
~13% (うち設備投資*: ~11%)
*インフィニオンはIFRSに基づく決算報告を行っている
車載用システムの
リーダー システムとテクノロジー
のNo.1リーダー
幅広いRF技術ポートフォリオ
セキュリティソリューションのリーダー
Auto Power RF Security
›半導体市場で最も急成長を遂げるセグメントに注力
›グローバル メガトレンドに取り組む
›最大限ROIが得られるよう、 さまざまなエンドマーケットでコアコンピテンシーを高める
›システムを理解することで顧客に新たな価値を提供する
フォーカス 技術リーダーシップ システムの理解
8 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
世界半導体市場の見通しは上向き
出典:過去データはWSTS、予測についてはWSTS, IHS Markit, Gartner, IC Insights (2017年1月31日更新)
Forecast revenue range 予測売上レンジ
Market size (revenue) 市場規模(売上高)
世界半導体市場 (単位:10億米ドル)
9 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
3.2%
3.4%
4.6%
4.7%
6.5%
7.3%
8.2%
Communications
Consumer
Total Semi Market
Data Processing
Automotive
Chip Card ICs**
Industrial
出典: IHS Markit, “Worldwide Semiconductor Shipment Forecast”, December 2016 * 暦年2015年の市場規模 ** 出典: ABI Research, “Secure Smart Card & Embedded Security IC Technologies”, July 2016; smart card and embedded secure
microcontroller ICs
$347bn*
$108bn*
$42bn*
$29bn*
$41bn*
$127bn*
$3.4bn*
インフィニオンは、インダストリアル、車載、セキュリティの成長の著しい分野から利益を得る
半導体業界セグメント別 CAGR 2015 – 2020
10 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
2016会計年度 売上: € 6,473m
*その他、コーポレート&エリミネーション
チップカード & セキュリティ
オートモーティブ
パワーマネージメント & マルチマーケット
インダストリアル パワーコントロール
事業部別売上割合
€ 698m
OOS+C&E*
€ 1m
€ 1,073m
€ 2,050m
41% 17%
31% 11%
€ 2,651m
11 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
2017会計年度第1四半期: インフィニオンは引き続き成長
1,556 1,611 1,632
1,675 1,645
220 228 254 280 246
75.7
71.2 70.1
79.1
86.2
50
60
70
80
90
0
500
1000
1500
Q1 FY16 Q2 Q3 Q4 Q1 FY17
Revenue
Segment Result
Total
semiconductormarket*
14% 14%
16%
17%
15%
[EUR m] [EUR bn] +14%
* 出典: WSTS Monthly Bluebook, January 2017
+6%
Segment Result Margin
事業部合計利益率
12 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
売上高
事業部合計利益
半導体市場合計
2017会計年度第1四半期: ADASとエレクトロ モビリティによりATVが強い成長
614 671 677 691 705
249 265 280 279 264
508 494 507 533
497
175 181 173 174 174
72 84 97 112 114 25 28 43 37 24 86 82 85 100 81 35 36 32 33 29
Q1FY16
Q2 Q3 Q4 Q1FY17
Q1FY16
Q2 Q3 Q4 Q1FY17
Q1FY16
Q2 Q3 Q4 Q1FY17
Q1FY16
Q2 Q3 Q4 Q1FY17
Revenue Segment Result Segment Result Margin
+6%
[EUR m]
-2%
16% 12% 13% 14% 16% 15% 13% 11% 10% 9%
20% 17%
19%
ATV* IPC* CCS* PMM*
[EUR m] [EUR m] [EUR m]
-1%
18%
17% 16% 17% 17%
20% 19%
• 2016年10月1日より特定の小分類製品グループが別の事業部に移行した場合、それに倣い前年度の数字も調整されている。
+15%
13 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
売上高 事業部合計利益 事業部合計利益率
Segment Result (SR) 897 982
[€ Million 単位:100万€ ] 2015 2016
Net Income 634 743
SR Margin 15.5% 15.2%
Investments 785 826
Free Cash Flow -1,654 490
Market capitalization** ~11,355 ~17,987
Net Cash 220 471
Revenues 売上高
Net Income純利益
Revenues 5,795 6,473
** 2015年9月30日時点の株価は10.06 ユーロ、 2016年9月30日時点の株価は15.88ユーロ
FY15 FY16 FY15 FY16
743
5,795
634
6,473
+12%
* 2015年1月13日以降のインターナショナル レクティファイアー分を含む
インフィニオン グループ 売上高(前年度比較)*
14 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
売上高
事業部合計利益
事業部合計利益率
純利益
フリーキャッシュフロー
投資額
純現金残高
時価総額
EMS partners Distribution partners
ATV IPC CCS PMM
システムのノウハウとアプリケーションへの理解がお客様との緊密な関係を築く
15 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
市場志向型の経営構造
お 客 様
アプリケーション 事業部
インダストリアル パワーコントロール
運転支援と安全システム コンフォート エレクトロニクス パワートレイン セキュリティ
電気自動車向け充電ステーション、エネルギー伝送、
家電、産業用駆動装置、産業用車両、 再生可能エネルギー生成、牽引、無停電電源(UPS)
認証、自動車、政府系IDドキュメント、健康保険カード、 IoT、モバイル通信、決済システム(モバイル決済等)、
セキュアNFC(近距離通信)取引、発券、
アクセス制御、トラステッド コンピューティング
電気自動車用充電ステーション、DCモータ、HiRel(高信 頼性部品)、LED/従来型の照明システム、電源管理(アダ プタ、充電器、電源)、モバイル機器、携帯インフラストラクチャ
チップカード &セキュリティ
オートモーティブ
パワーマネジメント &マルチマーケット
16 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
製品一覧
インダストリアル パワーコントロール(IPC)
› ベアダイ事業
› ディスクリートIGBT
› ドライバIC
› IGBTモジュール(高出力、中出力、低出力)
› IGBTモジュール ソリューション(IGBTスタック)
パワーマネジメント&マルチマーケット(PMM)
› コントロールIC
› カスタマイズ対応チップ (ASIC)
› ディスクリート低電圧/高電圧パワートランジスタ
› GPSローノイズアンプ
› 低電圧/高電圧ドライバIC
› シリコンマイク用MEMS およびASIC
› RFアンテナスイッチ
› RFパワートランジスタ
› TVS(過渡電圧サプレッサ) ダイオード
チップカード&セキュリティ (CCS)
› スマートカード(接触型/非接触型)、組込みセキュリティIC
› ターンキ-セキュリティソリューション(OPTIGA™ Trust, OPTIGA™ TPM)
› パッケージングとサービスのポートフォリオ
› オープンスタンダード型ソリューションCIPURSE™
› ベーシックなセキュリティRFID、メモリからハイエンドセキュリティコントローラまでの革新的なソリューション
› 先進技術(SOLID FLASH™, Integrity Guard, Coil on Module)
オートモーティブ(ATV)
› パワートレイン、安全システム、運転者支援システム向けの車載用32ビット マイクロコントローラ
› ディスクリートパワー半導体
› 磁気/圧力センサ
› IGBTモジュール
› パワーIC
› レーダー
› トランシーバ(CAN、LIN、Ethernet、Flex RayTM* )
› 電圧レギュレータ
*FlexRayは、FlexRay Consortium GbRより使用許可を受けた商標です。
17 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
インフィニオン半導体技術ポートフォリオ ロジックとパワー のアプリケーション ニーズに対応するテクノロジー ポートフォリオ
Digital CMOS: 800nm – 65nmTechnology Nodes (Platform <180nm incl. RF, AMS)
Analog/Mixed Signal: 500nm – 180nm Technology Nodes (CxNA)
eNVM: EEPROM: IMEMR, C9FL, OTP: C5OP (Automotive)
eFlash/EEPROM: 250nm – 65nm CxFL (Chip Card), CxFLA, CxFLN (Automotive)
HV-CMOS: 130nm, C11HV/HN
Analog Bipolar: DOPL, Ax, BIPEP, B4CD, HED
Analog BiCMOS: B6CA, B6CA-CT, B7CA, SPT170
HV-CMOS-SOI, Levelshift(SOI,JI)
Smart Power: 1200-130nm BIP/CMOS/DMOS
SPTx (Automotive, EDP) (BCD)
Smart: CMOS/DMOS, SMARTx, MSMARTx,
SSMARTx, Opto-TRIAC, SPS
Magnetic: BxCAS, C9FLRN_GMR
Opto: OP-DI, OP-TR, OP-C9N, µ-modules
C11TOF
DMOS: 12-500V Planar and Trench
MOSFET (OptiMOS™, StrongIRFET™)
HV-DMOS: Superjunction MOSFET
(CoolMOS™)
IGBT: Planar & Trench 500-6500V,
rev. cond., fast recov. diodes
SiC/GaN: Diode, JFET / power switches
Pressure: BxCSP, TIREPx
Silicon-Microphones: DSOUND
adopted for automotive, industrial and for high reliability requirements
Power/Analog incl. Green Robust
MEMS/Sensors
CMOS
RF/Bipolar
RF BiCMOS: 25GHz – 100GHz: B6HFC, B9COPT, B10C
Bipolar IC: 2GHz...200GHz RF-Bipolar: BxHF SiGe: B7HFM, B7/B9HF_SLC, B7HF200,
HiPAC: Al/Cu Integrated Passives B11HFC
P7Mxx, P7Dxx, P8Mxx RF Switches: C7NP, C11NP
Bipolar/Discretes/MMIC:
RF-Transistoren NF-TR; BxHF(D/M) SiGe: B7HFD/M, B7HF_SD
Leistungsverst.: LDMOS, LDxM, LDxIC, LD9AB RFMOS: HFM
Dioden: NF-DI, Tuner: DxT, Schottky: DxS PIN: DxP
18 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
インフィニオン パッケージング技術ポートフォリオ
Through Hole
› TO, DIP SMD › TO ›DSO › SSOP › SupIR ›HBx Leadless › ThinPAK › TDSON › TSDSON ›DirectFETTM
› TISON ›WISON › IQFN ›HSOF › Blade
Power Modules
High Power › Easy › 34mm › 62mm › Econo › Econo-PACK™+ › Prime-PACK™ › IHM › IHV ›Hybrid-PACK™ ›MDIP › T-PAK › STACK
Intelligent Power Modules › IRAM › CIPOS™ › µIPM™
SMD leaded › SOT › SOD › TSOP › TSSOP Flat lead › TSFP › SC
Leadless › TSLP › TSSLP › TSNP Wafer level ›WLP ›WLL
Discretes
Power
Sensors
Through Hole
› PSSO SMD Leaded ›DSOSP › SSOM › TDSO › TISON Open cavity ›DSOF
Mold on LF › P-MCCx Mold › P-Mx.x Chip on Flex › P-FTM UV Globe top › T-Mx.x PRELAM › E-PPxx
Flip Chip
› S-MFCx.x › S-COMx.x
Wafer › Bumped ›Diced
Chip Card Leadframe
based Packages
Wafer Level Packages, Bare Die
Through Hole
›DIP 2)
SMD › PLCC 2)
› TSSOP › TQFP › LQFP ›MQFP Leadless › VQFN ›WQFN › PQFN ›O-LQFN 1)
› XSON ›USON
Power IC Laminate
based Packages
SMD ›OCCN 1,2)
› BGA › LBGA › LGA › xFBGA, xFSGA
Surface Mount Technology (SMD) Wafer Level w/o redistribution
›WLP (fan-in) w/redistribution
›WLB (fan-in)
› eWLB (fan-
out)
Bare Die ›Wirebond › Flip chip
1) for specialities only 2) phase-out
19 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
研究開発 ネットワーク
モーガンヒル
トーランス
ウォリック
テュークベリー
チャンドラー
エルセグンド
サンノゼ
レミンスタ
マラッカ
イポー
北京
ソウル
上海
バンガロール
ヴァール シュタイン
デュースブルク
ブリストル
アウグスブルク
ノイビーベルク (ミュンヘン)
パドヴァ
フィラッハ
グラーツ
レーゲンスブルク
ドレスデン
ブカレスト
リンツ
ル・ピュイ= サント レパラード
パビア
スコウロネ
シンガポール
ライギット
メーサ
カールスルーエ
マニラ
20 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
2016年9月30日現在
生産拠点(前工程と後工程)
ドレスデン 北京
無錫
バタム ヴァールシュタイン ツェグレード マラッカ
クリム レミンスタ サンノゼ
モーガン ヒル
メーサ
ティファナ
テメキュラ
シンガポール
ニューポート
天安
レーゲンスブルク フィラッハ
前工程 後工程
2016年9月30日現在
21 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
販売拠点
サンパウロ
ココモ
リボニア
バンガロール
ソウル
シンガポール
レバノン
北京
ミルピタス
ブラックバーン (メルボルン)
大阪
深圳
台北
東京
名古屋
香港
上海
ロッテルダム
ミラノ
マルセイユ
シュトゥットガルト
パリ
ヴァールシュタイン
マドリッド
ダブリン
ブリストル
ストックホルム
エスポー
モスクワ
フィラッハ
エルランゲン
チューリッヒ
ノイビーベルク (ミュンヘン)
ハノーバー
フランクフルト
西安
エルセグンド
ライギット
イスタンブール
バルセロナ
デュースブルク
レミンスタ
ヘイワード
ダラム
ローリー
カールスルーエ
ウィーン
2016年9月30日現在
22 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
企業の社会的責任(CSR)
› インフィニオンのCSRは、 以下の分野の自発的なコミットメントにより 構成されます。人的資源管理と人権、環境的な持続可能性、労働衛生・安全、コーポレート シティズンシップ*、CSRのサプライ チェーン マネジメント、企業倫理
› 半導体企業の先駆けとして、2004年の段階から国連グローバル コンパクトに参加しており、10原則の遵守を自発的に表明しています
› インフィニオンは「Sustainability Yearbook」に7度目の掲載を果たしました。
› 「Dow Jones Sustainability Index」には、2010年より毎年選出されており、2016年には「Dow Jones Sustainability World Index」に2度目の選出をされ、その結果「世界で最も持続可能な企業の上位10%」に入っています。
› 人権と企業倫理に関し、インフィニオンが妥協することはありません
› インフィニオンの製品やソリューションと、効率的なリソース管理は、大規模な環境メリットを実現しています
*企業の社会的関与
23 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
インフィニオンの生産工程では世界の半導体業界の平均よりもはるかに効率的に資源を利用
-45% -33% -47%
企業の社会的責任 卓越した資源利用効率
「より少ないことは、より豊かなこと」
製造ウエハ1cm2あたりの水消費量は 世界平均を約33%下回る
製造ウエハ1cm2あたりの消費電力は 世界平均を約45%下回る
製造ウエハ1cm2あたりの廃棄物は 世界平均を約47%下回る
WSCの定義による消費量に基づきフロントエンドプロセスで処理されたウエハ1cm2あたりとして計算
24 2017-02-03 restricted Copyright © Infineon Technologies AG 2017 All rights reserved.
環境メリット総量*: 約5,000万トンの CO2 を削減
1) この数値は、製造、輸送、自動車の業務使用、フライト、材料、化学品、廃棄物/廃水、直接排出、エネルギー消費、廃棄等を検証対象としており、社内の収集データと外部入手の換算係数に基づきます。すべてのデータは、2016会計年度に関するものです
2) この数値は、注記で説明している社内設定の評価基準に基づきます。これは2015年(暦年)に関するもので、自動車、LED、PC用電源、再生可能エネルギー(風力、太陽光)、ドライブ、電磁調理器の分野を検証対象としています。CO2削減量は、社内外の専門家の推定に基づき、インフィニオンの市場シェア、半導体の含有量、当該技術の製品寿命を基礎に算定されます。CO2フットプリントの計算は、複雑な問題が関わることで不正確な要素の影響を受けるものの、明快な結果が得られています*
CO2 削減量2)
約5,240万トン 相当のCO2
CO2 負荷1)
約180万トン相当のCO2
比率1:30
インフィニオンは環境メリットを創出します
製品とソリューションが排出削減を実現
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