Download - Memory Interface
Memory Pin Connections
1. Address Inputs2. Data Input/Outputs3. Selection Input4. Control Input 4.1 Read 4.2 Write
A0A1A2A3
AN
O 0O 1O 2O 3
O N
W E
OECS
W rite
Select Read
Output orI nut/ OutputConnections
AddressConnection
คุ�ณสมบั�ติของหน่�วยคุวามจำ�าที่��ดี�ประกอบัดี�วย
สามารถเข�าถ งข�อม!ลโดียการส��มไดี� ข�อม!ลใน่แติ�ละไบัติ'จำะติ�องม�ติ�าแหน่�งเป(น่ของติ�วเอง การอ�าน่หร)อการเข�ยน่ข�อม!ลจำะติ�องที่�าเสร*จำภายใน่ 1 ไซเคุล
Type of Memory
1. Read Only Memory (ROM)2. Random Access Memory (RAM)
ROM ม�ดี�งน่�.คุ)อ1. Mask Programmable ROM2. Field Programmable ROM 2.1 Fusible Link PROM 2.2 UV-light-erasable PROM 2.3 Electrical Erasable PROM
+5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F
Outputbuffers
Programa "0"
Memoryarray
4-16Linedecoder
A0
A1
A2
A3
CS
m 0 m 1 m 2 m 3 m 5
Mask Programmable ROM เป็�นการใช้ไดโอดต่�อในลั�กษณะของ
Array การโป็รแกรมจะโป็รแกรมมาจากโรงงานต่ามความต่องการ
ของลั�กคา ในทางการคาของ IC ช้น�ดน !ไม�เป็�นท "น�ยม เพราะการ
ป็ระกอบ Chip น�!น ต่องใช้wafer จ&านวนมาก หลัายช้�!น ด�ง
น�!นจ(งไม�สามารถร�บป็ระก�นไดว�าChip ต่�วใดด หร+อเส ย ท&าใหMask Programmable ROM ไม�เป็�นท "น�ยม
Fusible link PROMs เป็�น PROMs ช้น�ดหน("งท "ใช้ฟิ-วส.ท "ม จ/ดหลัอมเหลัว ต่&"า ม ลั�กษณะคลัายก�บ Mask Programmable ROMs เพ ยงแต่�เป็ลั "ยน
จากไดโอดเป็�นฟิ-วส.แทน การโป็รแกรมใช้ Current pulse ใหก�บจ/ดท "ต่องการ ซึ่("งส�งผลัใหเป็�นการก&าหนดท "แน�นอนระหว�างลัอจ�ก "0" ก�บลัอจ�ก "1" โดย
ท�"วไป็จะใช้งานเป็�น ROM boot ในไมโครคอมพ�วเต่อร. ซึ่("งม ความเร2วในการเขา ถ(งขอม�ลัป็ระมาณ 35 ns
116
MUX
8192- BIT ARRAY64x128
MEMORY MATRIX
116
DECODER
116
MUX
116
MUX
116
MUX
116
MUX
116
MUX
116
MUX
116
MUX
BUF BUFBUFBUFBUFBUFBUF BUF
ENABLEGATE
A5A4A3A2A1A0
A6A7A8A9
E 1E 2E 3E 4
Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 6Q 7Q 8
UV - Light Erasable PROM (EPROM) เป็�น หน�วยความจ&าท "สามารถโป็รแกรมใหม�ได การลับขอม�ลัจะใช้แส
งอ/ลัต่าไวโอเร2ท (Ultraviolet) ด�งต่�วอย�างเป็�นหน�วยความจ&า รอมเบอร. 2764 ท "ม ขนาด 8Kbyte
OUTPUT ENABLECHIP ENABLE
ANDPROG LOGIC
Y DECODER
X DECODER
OUTPUT BUFFERS
Y-GATING
65,536 BITCELL MATRIX
DATA OUTPUTO 0- O 7
A0- A 12ADDRESS
INPUT
OEPGMCE
VccGNDVpp
EPROM เป็�นหน�วยความจ&าท "น�ยมใช้งาน โดยโครงสรางภายในจะใช้หลั�กของFloating-gate avalanche-injection MOS (FAMOS) ใน
การเก2บป็ระจ/ในแต่�ลัะเซึ่ลั ต่�วถ�งของท/กต่�วต่องม หนาต่�างควอท.ซึ่ (Quartz)
เพ+"อใหแสง UV ผ�านไป็ลับขอม�ลัท "อย��ในหน�วยความจ&า โดยใช้ระยะเวลัาในการ ลับขอม�ลัป็ระมาณ 15-20 นาท การใช้งานเม+"อโป็รแกรมขอม�ลัเสร2จแลัวจะ
ต่องป็-ดหนาต่�างควอท.ซึ่โดยไม�ใหแสงผ�านเขาไป็ได ไม�ว�าจะเป็�นแสงแดด แสง จากหลัอดฟิ�ลัออเรสเซึ่นท. ซึ่("งแสงเหลั�าน !สามารถท&าใหขอม�ลัท "โป็รแกรมไวหาย
ไป็ได โดยแสงแดดสามารถท&าใหขอม�ลัหารไป็ไดถาไดร�บแสงแดด 1 ส�ป็ดาห. หร+อร�บแสงจากหลัอดฟิลั�ออเรสเซึ่นท.เป็�นเวลัา 3 ป็4
Electrically Erasable PROM (E2PROM) เป็�นหน�วยความจ&าท " ม ขอแต่กต่�างจาก EPROM ด�งน !
การลับขอม�ลัของ EPROM จะต่องถอดต่�ว EPROM ออกจากวงจรก�อน EPROM ไม�สามารถลับขอม�ลัเป็�นไบต่.ได หนาต่�างควอท.ซึ่ม ราคาแพง
จากเหต่/ผลัด�งกลั�าว ท&าใหต่องม การพ�ฒนาอ/ป็กรณ.ท "ม ความ สามารถท "ส�งข(!น สามารถลับขอม�ลัเป็�นไบต่.ได ไม�ม หนาต่�างควอท.ซึ่ท "ม ราคา
แพง โดยไดพ�ฒนามาเป็�น หน�วยความจ&าแบบ Electrically Erasable ส�ง ผลัใหการแกไขโป็รแกรม การลับขอม�ลัสามารถท&าไดในแผงวงจรโดยไม�ต่อง
ถอดต่�วหน�วยความจ&าออกก�อน แลัะย�งสามารถท&างานไดง�าย โดยขอแต่ก ต่�างของ FAMOS ก�บ E2PROM
LATCHES
DATA PROTECTION CRICUIT
CHIP ENABLE / OUTPUTENABLE LOGIC
AUTO ERASEAUTO TIMING
PROGRAMABLE VOLTAGEGENERATOR
Y DECODER
X DECODER
Y GATING
16,384 BITCELL MATRIX
OUTPUT / INPUTBUFFERS
GND
Vcc
CS
OE
WE
RDY / BUSY
A0 - A 10ADDRESS
INPUT
DATA INPUTS/OUTPUTSI0/O 0 - I 7/O 7
RAM ม�ดี�งน่�.คุ)อ Static RAM
Dynamic RAM
Memory Packages
DIP (Dual Inline Packages)
Memory Packages
SIMM (Single Inline Memory Modules) ขนาด30 pins 8 Bits + 1 Parity
Memory Packages
SIMM (Single Inline Memory Modules) ขนาด72 pins 32 Bits No Parity
Memory Packages
DIMM (Dual Inline Memory Modules) ขนาด 1 68 pins 64 Bits
DRAM Technology
EDO Extended Data Out FPM Fast Page Mode SDRAM Synchronous DRAM SLDRAM Synchronous Link DRAM DRDRAM Direct Rambus DRAM DDR SDRAM Double Data Rate
SDRAM
ม 2 แบบค+อ เพ�"มความจ/
ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�า
เพ�"มขนาดของขอม�ลั (DATA BUS)
ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�า
ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี 16 Bits การเช้+"อมต่�อก�บไมโครโพรเซึ่สเซึ่อร.ขนาด 16 Bits จะแบ�งออก
เป็�น 2 Bank โดยใช้ส�ญญาณ BHE ก�บ A0 เป็�นต่�วควบค/มการ ต่�ดต่�อระหว�าง 8 Bits บนก�บ 8 Bits ลั�าง
BHE BLE(A0) Function 0 0 16 Bits Access or Transfer 0 1 8 Bits High bank Access 1 0 8 Bits Low Bank Access 1 1 No Bank Access
ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี 16 Bits
ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี 16 Bits
ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี32 Bits การเช้+"อมต่�อก�บไมโครโพรเซึ่สเซึ่อร.ขนาด32 Bits จะแบ�งออกเป็�น 4 Bank
โดยใช้ส�ญญาณ BE0-BE3 เป็�นต่�วควบค/ม การต่�ดต่�อระหว�าง 8 Bits 16 Bits หร+อ32 Bits
ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี32 Bits
ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี64 Bits การเช้+"อมต่�อก�บไมโครโพรเซึ่สเซึ่อร.ขนาด64 Bits จะแบ�งออกเป็�น 8
Bank โดยใช้ส�ญญาณ BE0-BE7 เป็�นต่�วควบค/ม การต่�ดต่�อระหว�าง 8 Bits 16 Bits 32 Bits หร+อ 64 Bits
ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี64 Bits