Memory Pin Connections

1. Address Inputs2. Data Input/Outputs3. Selection Input4. Control Input 4.1 Read 4.2 Write

A0A1A2A3

AN

O 0O 1O 2O 3

O N

W E

OECS

W rite

Select Read

Output orI nut/ OutputConnections

AddressConnection

คุ�ณสมบั�ติของหน่�วยคุวามจำ�าที่��ดี�ประกอบัดี�วย

สามารถเข�าถ งข�อม!ลโดียการส��มไดี� ข�อม!ลใน่แติ�ละไบัติ'จำะติ�องม�ติ�าแหน่�งเป(น่ของติ�วเอง การอ�าน่หร)อการเข�ยน่ข�อม!ลจำะติ�องที่�าเสร*จำภายใน่ 1 ไซเคุล

Type of Memory

1. Read Only Memory (ROM)2. Random Access Memory (RAM)

ROM ม�ดี�งน่�.คุ)อ1. Mask Programmable ROM2. Field Programmable ROM 2.1 Fusible Link PROM 2.2 UV-light-erasable PROM 2.3 Electrical Erasable PROM

+5V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

A

B

C

D

E

F

Outputbuffers

Programa "0"

Memoryarray

4-16Linedecoder

A0

A1

A2

A3

CS

m 0 m 1 m 2 m 3 m 5

Mask Programmable ROM เป็�นการใช้ไดโอดต่�อในลั�กษณะของ

Array การโป็รแกรมจะโป็รแกรมมาจากโรงงานต่ามความต่องการ

ของลั�กคา ในทางการคาของ IC ช้น�ดน !ไม�เป็�นท "น�ยม เพราะการ

ป็ระกอบ Chip น�!น ต่องใช้wafer จ&านวนมาก หลัายช้�!น ด�ง

น�!นจ(งไม�สามารถร�บป็ระก�นไดว�าChip ต่�วใดด หร+อเส ย ท&าใหMask Programmable ROM ไม�เป็�นท "น�ยม

Fusible link PROMs เป็�น PROMs ช้น�ดหน("งท "ใช้ฟิ-วส.ท "ม จ/ดหลัอมเหลัว ต่&"า ม ลั�กษณะคลัายก�บ Mask Programmable ROMs เพ ยงแต่�เป็ลั "ยน

จากไดโอดเป็�นฟิ-วส.แทน การโป็รแกรมใช้ Current pulse ใหก�บจ/ดท "ต่องการ ซึ่("งส�งผลัใหเป็�นการก&าหนดท "แน�นอนระหว�างลัอจ�ก "0" ก�บลัอจ�ก "1" โดย

ท�"วไป็จะใช้งานเป็�น ROM boot ในไมโครคอมพ�วเต่อร. ซึ่("งม ความเร2วในการเขา ถ(งขอม�ลัป็ระมาณ 35 ns

116

MUX

8192- BIT ARRAY64x128

MEMORY MATRIX

116

DECODER

116

MUX

116

MUX

116

MUX

116

MUX

116

MUX

116

MUX

116

MUX

BUF BUFBUFBUFBUFBUFBUF BUF

ENABLEGATE

A5A4A3A2A1A0

A6A7A8A9

E 1E 2E 3E 4

Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 6Q 7Q 8

UV - Light Erasable PROM (EPROM) เป็�น หน�วยความจ&าท "สามารถโป็รแกรมใหม�ได การลับขอม�ลัจะใช้แส

งอ/ลัต่าไวโอเร2ท (Ultraviolet) ด�งต่�วอย�างเป็�นหน�วยความจ&า รอมเบอร. 2764 ท "ม ขนาด 8Kbyte

OUTPUT ENABLECHIP ENABLE

ANDPROG LOGIC

Y DECODER

X DECODER

OUTPUT BUFFERS

Y-GATING

65,536 BITCELL MATRIX

DATA OUTPUTO 0- O 7

A0- A 12ADDRESS

INPUT

OEPGMCE

VccGNDVpp

EPROM เป็�นหน�วยความจ&าท "น�ยมใช้งาน โดยโครงสรางภายในจะใช้หลั�กของFloating-gate avalanche-injection MOS (FAMOS) ใน

การเก2บป็ระจ/ในแต่�ลัะเซึ่ลั ต่�วถ�งของท/กต่�วต่องม หนาต่�างควอท.ซึ่ (Quartz)

เพ+"อใหแสง UV ผ�านไป็ลับขอม�ลัท "อย��ในหน�วยความจ&า โดยใช้ระยะเวลัาในการ ลับขอม�ลัป็ระมาณ 15-20 นาท การใช้งานเม+"อโป็รแกรมขอม�ลัเสร2จแลัวจะ

ต่องป็-ดหนาต่�างควอท.ซึ่โดยไม�ใหแสงผ�านเขาไป็ได ไม�ว�าจะเป็�นแสงแดด แสง จากหลัอดฟิ�ลัออเรสเซึ่นท. ซึ่("งแสงเหลั�าน !สามารถท&าใหขอม�ลัท "โป็รแกรมไวหาย

ไป็ได โดยแสงแดดสามารถท&าใหขอม�ลัหารไป็ไดถาไดร�บแสงแดด 1 ส�ป็ดาห. หร+อร�บแสงจากหลัอดฟิลั�ออเรสเซึ่นท.เป็�นเวลัา 3 ป็4

Electrically Erasable PROM (E2PROM) เป็�นหน�วยความจ&าท " ม ขอแต่กต่�างจาก EPROM ด�งน !

การลับขอม�ลัของ EPROM จะต่องถอดต่�ว EPROM ออกจากวงจรก�อน EPROM ไม�สามารถลับขอม�ลัเป็�นไบต่.ได หนาต่�างควอท.ซึ่ม ราคาแพง

จากเหต่/ผลัด�งกลั�าว ท&าใหต่องม การพ�ฒนาอ/ป็กรณ.ท "ม ความ สามารถท "ส�งข(!น สามารถลับขอม�ลัเป็�นไบต่.ได ไม�ม หนาต่�างควอท.ซึ่ท "ม ราคา

แพง โดยไดพ�ฒนามาเป็�น หน�วยความจ&าแบบ Electrically Erasable ส�ง ผลัใหการแกไขโป็รแกรม การลับขอม�ลัสามารถท&าไดในแผงวงจรโดยไม�ต่อง

ถอดต่�วหน�วยความจ&าออกก�อน แลัะย�งสามารถท&างานไดง�าย โดยขอแต่ก ต่�างของ FAMOS ก�บ E2PROM

LATCHES

DATA PROTECTION CRICUIT

CHIP ENABLE / OUTPUTENABLE LOGIC

AUTO ERASEAUTO TIMING

PROGRAMABLE VOLTAGEGENERATOR

Y DECODER

X DECODER

Y GATING

16,384 BITCELL MATRIX

OUTPUT / INPUTBUFFERS

GND

Vcc

CS

OE

WE

RDY / BUSY

A0 - A 10ADDRESS

INPUT

DATA INPUTS/OUTPUTSI0/O 0 - I 7/O 7

RAM ม�ดี�งน่�.คุ)อ Static RAM

Dynamic RAM

Memory Packages

DIP (Dual Inline Packages)

Memory Packages

SIMM (Single Inline Memory Modules) ขนาด30 pins 8 Bits + 1 Parity

Memory Packages

SIMM (Single Inline Memory Modules) ขนาด72 pins 32 Bits No Parity

Memory Packages

DIMM (Dual Inline Memory Modules) ขนาด 1 68 pins 64 Bits

DRAM Technology

EDO Extended Data Out FPM Fast Page Mode SDRAM Synchronous DRAM SLDRAM Synchronous Link DRAM DRDRAM Direct Rambus DRAM DDR SDRAM Double Data Rate

SDRAM

ม 2 แบบค+อ เพ�"มความจ/

ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�า

เพ�"มขนาดของขอม�ลั (DATA BUS)

ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�า

ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี 16 Bits การเช้+"อมต่�อก�บไมโครโพรเซึ่สเซึ่อร.ขนาด 16 Bits จะแบ�งออก

เป็�น 2 Bank โดยใช้ส�ญญาณ BHE ก�บ A0 เป็�นต่�วควบค/มการ ต่�ดต่�อระหว�าง 8 Bits บนก�บ 8 Bits ลั�าง

BHE BLE(A0) Function 0 0 16 Bits Access or Transfer 0 1 8 Bits High bank Access 1 0 8 Bits Low Bank Access 1 1 No Bank Access

ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี 16 Bits

ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี 16 Bits

ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี32 Bits การเช้+"อมต่�อก�บไมโครโพรเซึ่สเซึ่อร.ขนาด32 Bits จะแบ�งออกเป็�น 4 Bank

โดยใช้ส�ญญาณ BE0-BE3 เป็�นต่�วควบค/ม การต่�ดต่�อระหว�าง 8 Bits 16 Bits หร+อ32 Bits

ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี32 Bits

ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี64 Bits การเช้+"อมต่�อก�บไมโครโพรเซึ่สเซึ่อร.ขนาด64 Bits จะแบ�งออกเป็�น 8

Bank โดยใช้ส�ญญาณ BE0-BE7 เป็�นต่�วควบค/ม การต่�ดต่�อระหว�าง 8 Bits 16 Bits 32 Bits หร+อ 64 Bits

ร!ปแบับัการติ�อหน่�วยคุวามจำ�าขน่าดี64 Bits