表面工学の基礎 - 北海道大学...crc hokkaido university 表面とはなにか...

26
表面工学の基礎 朝倉清高 CRC Catalysis Research Center, Hokkaido University

Upload: others

Post on 04-Jul-2020

3 views

Category:

Documents


0 download

TRANSCRIPT

  • 表面工学の基礎

    朝倉清高

    CRC

    Catalysis Research Center, Hokkaido University

  • CRC Hokkaido University

    表面とはなにか

    � 表面と界面

    � 表面とは物質の一番外側 バルク

    � 界面とは2つの相の接する場所

    Catalysis Research Center, Hokkaido University

    相(Phase) =ある物質のどの部分をとっても同様の物理的性質を示すとき この物質は一つの相にあるという

    たとえば、水銀を考えてみよう。何もない真空中で温度が十分に低いとすると、玉になるしかし、金属の上にのると、ぬれて、周りに広がる。これはなぜだろうか?

  • CRC Hokkaido University

    表面の役割について

    � 外界との接点

    � エネルギーや物質の出入り口

    � 表面の性質により物質の物理化学的性質が変化する。

  • CRC Hokkaido University

    表面の関わる現象

    � 触媒作用

    � 腐食

    � センサー

    � 結晶成長

    � 溶解蒸発昇華

    � 摩擦摩耗

    � 光電効果

    •界面の電気伝導

    •核融合炉の第1壁•ナノ粒子•毛細管現象

  • CRC Hokkaido University

    参考書

    � 表面科学入門

    � (小間、八木、塚田、青野編)

    � 丸善株式会社 表面科学シリーズ1

    � 表面物理学(村田好正) 朝倉書店

    � 表面物性測定(小間)

  • CRC Hokkaido University

    表面科学

    � 金属の表面を作ることの難しさ

    � 吸着分子

    � きれいな表面(清浄表面(Clean surface))が得難い。

    � 表面を調べることの難しさ

    � どうやってしらべるか???

  • CRC Hokkaido University

    表面の分子の吸着確率

    2/120 )(107.2 −×= MTpN cm-2s-1p:Pa、M:分子量

    10-4 Paで1cm2あたり窒素は、2.4X1014個 衝突

    表面原子の数表面原子の数表面原子の数表面原子の数 5*1014444個個個個/cm2

    原子半径原子半径原子半径原子半径1.3Åで計算してみようで計算してみようで計算してみようで計算してみよう

    数秒で1数秒で1数秒で1数秒で1ML

  • CRC Hokkaido University

    用語

    � ML=monolayer 1分子層

    � Pa=(Pascal=1Nm-2=10-5 bar=

    10-2mbar=7.5 x10-3 Torr=9.87x10-6 atm)

    � 1 Torr=133.322 Pa� hPa(ヘクトパスカル)= 102 Pa=mbar

    � 760Torr= 760 mmHg=1 atm

    � L(Langmuir) =10-6 Torr・s(1ML完成するための露出量)

  • CRC Hokkaido University

    超高真空

    � 10-7-10-9Paが必要

    � ポンプ:IP,TSP,CP,TP

    � 真空をはかる。

    � ステンレス綱とベーキング

    � Cuガスケットとナイフエッジ

  • CRC Hokkaido University

    ロータリポンプ

    http://acc-web.spring8.or.jp/~sp8opr/Japanese/lecture/srvac/rp.JPG

    Motor Pump

  • CRC Hokkaido University

    ターボポンプとイオンポンプ

    � www.jeol.co.jp/jeol/kankei/finetech/ionpump01.htm

  • CRC Hokkaido University

    クライオポンプとソープションプンプ

    http://www.jpo.go.jp/shiryou/s_sonota/hyoujun_gijutsu/semicon_vacuum_tech/images/2_02_4a_f2.gif

  • CRC Hokkaido University

    TSPとゲッターポンプ

    � 真空中でTiを加熱昇華させ、新鮮なTiの蒸着膜を作り、Tiのゲッター作用により気体の排気を行うゲッターポンプの一種。

    ゲッターポンプゲッターポンプゲッターポンプゲッターポンプ

    ポンプ表面に気体分子を不可逆的に化学吸着して排気する真空ポンプです。超

    高真空領域でも全ての活性なガスに対し

    て高い排気速度を維持できるため、従来のポンプでは困難だったこの領域での水素の排気も容易です。

  • CRC Hokkaido University

    Diffusion pump

    http://www11.plala.or.jp/nayama/ohnoklein/10genkazu1.gif

    www.arios.co.jp/untiku.htm

  • CRC Hokkaido University

    真空をはかる

    � Filamentから電子をGの向けてとばし、行き過ぎた電子でガスをイオン化する。そのイオン電流をはかって真空度を得る。(a)では、Gに電子が当たると軟X線が発生し、これが光電流のもとになっていて、これが超高真空まではかれない原因となった。bでは、Cが小さいので、軟x線の影響を少なくすることができ超高真空をはかることができる。

    +

    BA(Bayard-Alpert)ゲージ

  • CRC Hokkaido University

    超高真空のシール

    超高真空のシールは、2枚のコンフラットフ

    ランジの間に挟まれた銅ガスケットにより行われます。このコンフラットフラン

    ジのシール面にはナイフエッジが加工

    されており、重ね合わせた2枚のフラン

    ジをボルトナットにより締め付けることで、銅ガスケットにナイフエッジを押し

    込みます。こうして超高真空シールが

    達成されます。ベーキングの高温に晒されてもこのナイフエッジは変形せず、超高真空のリークタイトを保持します。

    http://www.marubun.co.jp/kagaku/vacg

    en/catalogue/section01/page01_03.

    htmlより

    Flanges are bolted together with a copper gasket between the knife

    edges.((((丸文)丸文)丸文)丸文)

  • CRC Hokkaido University

    表面のクリーニング

    � スパッタリングとアニーリング

    � 真空劈開

  • CRC Hokkaido University

    表面を見るー電子を使う

    � 表面敏感性の原理� 弾性電子の平均自由行程

    � 粒子が物質から非弾性的に飛び出せる距離 電子の場合数Å―数十Å

    平均自由行程/Å

    光電子運動エネルギ/ eV

    1 10 100 10001

    10

    100

    1000

  • CRC Hokkaido University

    光電子放出

    hve- e-

    非弾性

    弾性

    運動エネルギー/eV

    散乱される

  • CRC Hokkaido University

    イオン脱離

    � イオンの脱離はほぼ表面第1層

    � 電子刺激脱離

    � 光脱離

    � 出てくるイオンはプラスが多い

    � なぜか?考えてみよう。

  • CRC Hokkaido University

    全反射(光)

    � 全反射すると内部に入らない。

    � 全反射とは何だったか。

    � X線でも数nmしか浸透しない。

  • CRC Hokkaido University

    針を使う

    � SPM(Scanning Probe Microscopy)

    � STM(Scanning Tunneling Microscopy)

  • CRC Hokkaido University

    STM(Scanning electron microscopy)

  • CRC Hokkaido University

    ATOP SIが見える。

    STM Picture of Si(111) 7x7

  • CRC Hokkaido University

    まとめ

    � きれいな表面

    � 超高真空(UHV) 作る技術・はかる技術

    � スパッタリングーアニーリング

    � 表面敏感

    � 電子を使う。

  • CRC Hokkaido University

    今後の予定

    対象:単結晶表面を扱う。

    構造と電子状態

    表面分析法について

    逆格子の概念について学ぶ。