felülettudomány és nanotechnológia, atomi léptékű manipulátor, nanolitográfia
DESCRIPTION
Felülettudomány és nanotechnológia, atomi léptékű manipulátor, nanolitográfia. Si (111)-(7x7). az első kísérleti megvalósítás. az STM felfedezéséért kapott Nobel-díj megünneplése 1986 IBM-Laboratórium, Zurich Gerd Binnig, Heinrich Rohrer Scanning Probe Microscopy (SPM) - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
Felülettudomány és nanotechnológia, atomi léptékű manipulátor, nanolitográfia
az STM felfedezéséért kapott Nobel-díj megünneplése 1986 IBM-Laboratórium, Zurich
Gerd Binnig, Heinrich Rohrer
Scanning Probe Microscopy (SPM)
STM, AFM (SFM), MFM (SMM)
az első kísérleti megvalósítás
Si (111)-(7x7)
Az alagútmikroszkóp elvi működési vázlata
1. elektronika, számítástechnika,
2. zajcsökkentés, mechanikai stabilitás
3. reprodukálható tű készítés
4. képfeldolgozás, megjelenítés
5. kiegészítő módszerek alkalmazása
a gyakorlati munka szempontjából fontos faktorok
STM üzemmódok SPM funkciók
konstans áramú leképezés
It = const., Z-piezo visszacsatolás
képi információ: Z-piezo feszültség
állandó távolságú leképezés
Z-piezo konstans, nincs visszacsatolás
képi információ: It alagútáram
I / U spektrumok felvétele (STS) X, Y, Z-piezo konstans
mikroszkóp
nanomanipulátor
spektrométer
Milyen irányban kell fejlesztenünk az SPM módszereket ? ? ?
1. minta-preparáció, mélyhőmérsékleti mérések
2. a spektroszkópia nagyobb kihasználása (STS)
3. a felvételi sebesség növelése (video STM)
4. nanomanipuláció írányított végzése
5. „in situ” társítás más felületanalitikai módszerekkel
Nanomanipuláció pásztázó alagútmikroszkóppal
A legtöbb módszer bizonyos paraméterek túllépésekor képes megváltoztatni a vizsgált anyagot („beam effect”, sugárhatás), ami általában káros, de ki is használható szándékolt manipulációra.
Az SPM-módszerek mindegyike alkalmas nanoméretű szerkezeti változások előidézésére (nanolitográfia).
Az alapvető paraméterek, melyek kritikus értéke felett felületi modifikáció léphet fel:a, energia fluxus
disszipált energia (alagútáram, Joule-hő) sugárzási energia (minta tű )
b, potenciálkülönbség (elektromos térerő) a minta és a csúcs közötttérionozációs folyamatok;
c, fizikokémiai erők fellépte alagutazás közbenelektrosztatikus erők;kontakt erők;
Individuális atomok mozgatása
és hasonló folyamatok technológiai jelentősége
képméret: 5 nm x 5 nm
10 nm széles fémhuzal kialakítása alagutazásban indukált gázfázisú W(CO)6 –ból történő leválasztással; képméret: 430 nm x 430 nm.
Xe-atomok rendezése Ni(110) felületen
D. M. Eigler, E. K. Schweizer: Nature 344 (1990) 524
STM-nanolitográfia lehetséges fizikokémiai körülményei, típusai
1. Mechanikai kontaktusban indukált nanoszerkezetek;
2. Foto- és elektronérzékeny vékonyfilmek lokális kezelése hagyományos fotolitográfiai eljárásokban;
3. Az STM-tűre előzetesen juttatott bevonat depozíciója a minta adott pontján („mártós toll”);
4. Ultravékony filmek, bevonatok kezelése (több komponensű filmek belső sztöchiometriájának lokális megváltoztatása);
5. Organometallikus és egyéb gázfázisú vegyületek lecsapatása (indukált disszociációja);
6. Manipuláció adszorbeált atomokkal és molekulákkal;
7. Elektro- és fotokémiai folyamatok indukálása az alagútazási tartományban (lokális maratás, lokális oxidáció);
8. Aktivált felületi diffúzió révén kialakított nanoszerkezetek;
9. Felületeken kötött nano- és mikroobjektumok átformálása (fullerének, biológiai makromolekuláris rendszerek manipulálása);
az atomok mozgatásának lépései:
(i) megközelítés, vagyis az alagútáram fokozatos növelése;
(ii) a mozgatandó részecske átugratása a szomszédos adszorpciós centrumba (az eseményt az alagútáram megváltozása mutatja);
(iii) a tű visszahúzása és tovább mozgatása az új helyen lévő molekula fölé.
(Az egész procedúra automatizálható !)
Cu(211) (111) teraszok + (100) lépcsők
A lépcső atomok világos sorok formájában jelentkeznek.A sötét pontok az adszorbeált CO molekulákkal azonosíthatók. A területek mérete: 13.5 nm x 13.5 nm. A manipulációt 15 K hőmérsékleten hajtották végre.
Az STM, mint nanomanipulátor
A leképező tű megfelelő alagútáram és feszültség esetén képes arra, hogy a felületen kötött atomot vagy molekulát felvegye vagy lerakja, ily módon atomokból szabályos elrendeződések rakhatók ki (csak türelem kérdése).
Carbon Monoxide Man Carbon Monoxide on Platinum (111)
The Beginning Xenon on Nickel (110)
Atomi litográfia a Si(111)-(7x7) felületen
A nyíllal jelölt atomot a következő módon távolították el:
30 ms időtartamra –5.5 V feszültséget alkalmaztak az egyébként leképezésre használt + 2.0 V helyett (0.6 nA alagútáram mellett)
A hidrogénnel passzivált Si felületen a hidrogén-hiányos helyek fénylő pontokként jelentkeznek.
6-7 V tartományban adott impulzus hatására a pontok száma nagy valószínűséggel növelhető, azaz hidrogén távolítható el a felületről.
Az ún. küszöbfeszültség értéke az elektronszerkezettel magyarázható, ugyanis kb éppen 7 V nagyságrendű a átmenet értéke.
küszöbfeszültségmanipuláció előtt
manipuláció után
kráter indukálás (+ 4 V ; 10 nA)
Kiemelkedés indukálás (+ 3.7 V ; 0.1 nA)
Leképezés(+ 1.5 V ; 0.2 nA)
küszöb feszültség3.5 V
A tiszta TiO2(110) felületen nanoszerkezetek indukálása
Alagútazással indukált nanoszerkezetek a Rh-mal borított TiO2(110)-(1x2) felületen ( a tű állapotától is függ az eredmény)
1
2
A B
B’C
z = 1.7 nm z = 2.5 nm
z = 5.2 nm
50 nm x 50 nm
7.9 nm
+ 4 V 2 nA
10 sec
1. Lecsapatás a tűről
2. A felületen indukált hőkezelés
ha van anyag a tűn
ha nincs anyag a tűn
Az egyszerűbb atomi manipuilációkat viszonylag jól lehet kvantumkémiai számításokkal ellenőrizni ill. a megfelelő manipulációs lépéseket megtalálni.
A teljes energia (total energy) térkép jól mutatja
az STM-tű által a felső részben okozott perturbációt.