インフィニオン テクノロジーズ...
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インフィニオン テクノロジーズ
新製品のご案内
2016 年 10 月
内容
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800 V CoolMOS™ P7 series 効率と熱性能の新しい業界標準
OptiMOS™ 5 150 V RDS(on)および逆回復電荷（Qrr）を画期的に低減
1200 V RC-E Reverse Conducting IGBT 電磁調理器用の経済的で高効率の IGBT
新しい 62mm IGBT モジュール FF400R17KE4 - FF400R17KE4_E
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800 V CoolMOS™ P7 series 効率と熱性能の新しい業界標準 最新の800V CoolMOS™ P7シリーズは、800Vスーパージャンクションテクノロジーの新しい業界標準と
して、クラス最高の性能と最先端の使いやすさを合わせ持っています。これは、インフィニオンが
18年以上にわたって先駆的なスーパージャンクションテクノロジーでの革新を続けてきた成果です。
特長 利点
クラス最高の FOM（性能指数）RDS(on) * Eoss、および Qg、Ciss 、
Cossの低減 良好な DPAK RDS(on) 280 mΩ、360 mΩ、および 450 mΩ、中でも
280 mΩはクラス最良
クラス最良の V(GS)th 3.0V、最小の V(GS)th変動 ±0.5V
内蔵ツェナーダイオードによるクラス２（HBM）までの ESD 保護
クラス最高の品質と信頼性
全体的に最適化された品揃え
既存製品と比較して、0.1%から 0.6%の効率向上および
2°Cから 8°Cの MOSFET 温度低下を達成
より大きい電力密度の設計が可能になり、部品点数の
削減および組立コストの低減を実現
駆動しやすくデザインインが容易
ESD 関連の故障を低減して生産歩留まり向上
製造上の問題が減少し返品を低減
設計の微調整にあたって適切な部品選定が容易
対象アプリケーション
サポート/ツール/ソフトウェア
アダプタ
LED 照明
オーディオ電源
産業用スイッチング電源
補助電源
製品関連情報/オンラインサポート
製品ランディング ページ
シミュレーションソフトウェア、アプリケーション
ノート、45W IFX アダプタ デモボード
動画へのリンク
800V CoolMOS™ P7 – 動画
ブロック図
2 段フライバックP7
1 段フライバックP7
製品データシートページ
IPD80R280P7 ページ, IPD80R450P7 ページ, IPD80R1K4P7 ページ, IPD80R4K5P7 ページ, IPU80R1K4P7 ページ,
IPU80R4K5P7 ページ, IPS80R1K4P7 ページ, IPP80R280P7 ページ, IPP80R450P7 ページ, IPP80R1K4P7 ページ,
IPA80R280P7 ページ, IPA80R450P7 ページ, IPA80R1K4P7 ページ, IPW80R280P7 ページ
OptiMOS™ 5 150 V RDS(on)および逆回復電荷（Qrr）を画期的に低減 OptiMOS™ 5 150 Vは、低い逆回復電荷とRDS(on)により、低電圧駆動、テレコム、太陽光
発電などのアプリケーションで、整流の堅牢性を高めます。6種類の異なるパッケージで
提供可能です。新しいテクノロジーにより、さらに小型でクラス最高のSuperSO8 （PQFN
5x6）パッケージデバイスが登場し、TO-220相当品を置き換え可能になりました。
特長 利点
FOMgdや FOMOSSを悪化させることなく、より低い RDS(on)を実現 より低い出力電荷量 低い逆回復電荷 整流の堅牢性を向上 より高いスイッチング周波数を実現
並列接続の必要性が減少 クラス最高の SuperSO8 でサイズ削減 高電力密度の設計 高い堅牢性 システムコスト削減 EMI 特性が向上
製品関連情報/オンラインサポート
対象アプリケーション
製品ランディング ページ *リンクは 2016 年 10 月 11 日以降有効
動画へのリンク
次世代 OptiMOS™ 5 150 V パワーMOSFET – 動画 *リンクは
2016 年 10 月 11 日以降有効
低電圧ドライブ テレコム 太陽光発電
製品データシートページ
IPB048N15N5 ページ, IPB073N15N5 ページ, IPB044N15N5 ページ, IPI076N15N5 ページ, IPP076N15N5 ページ,
BSC093N15NS5 ページ, BSC110N15NS5 ページ, BSC160N15NS5 ページ ブロック図
太陽光発電 マイクロインバータおよびパワーオプティマイザ
低電圧駆動 フォークリフトおよび LEV
テレコム用 同期整流
テレコム用 絶縁型 DC-DC ブリックコンバータ
1200 V RC-E Reverse Conducting IGBT 電磁調理器用の経済的で高効率のIGBT 特定用途向けテクノロジーの長い伝統に基づく、新しいRC-EシリーズIGBT低価格帯から中価格帯の電磁調理器、その他の
共振アプリケーションのために、コストと機能が最適化されています。RC-Eテクノロジーは、逆導通ダイオードが一体化
されたIGBTを使用しており、費用対効果および使いやすさの点で、新しい業界標準となっています。この新しいファミリー
は、インフィニオンのRC IGBTで実証された品質を提供するとともに、他の汎用IGBTと比べて魅力的な価格で、ソフト
スイッチングアプリケーションのあらゆるニーズに対応します。
特長 利点
低い Eoff および Vce(sat)
ソフトスイッチングアプリケーション用の設計
スイッチング周波数 18 kHz から 40 kHz に最適化した性能
最も一般的なブロッキング電圧 1200V
すぐれた費用対効果でコスト効率の良い設計が可能
低い損失により省エネ基準への適合が容易
既存の設計にそのまま置き換え可能
ソフトスイッチングにより良好な EMI 特性
対象アプリケーション サポート/ツール/ソフトウェア
電磁調理器
アプリケーション例：
- 卓上電磁調理器
- 多口タイプ電磁調理器
PSPICE シミュレーションモデル
製品関連情報/オンラインサポート ブロック図
製品ランディングページ
IHW25N120E1
- 製品ページ
- 製品データシートページ
IHW15N120E1
- 製品ページ
- 製品データシートページ
新しい 62mm IGBT モジュール FF400R17KE4 - FF400R17KE4_E 400A / 1700Vの62mm ハーフブリッジモジュールは、同じフレームサイズで最高の電力密度とインバータ
出力の向上を実現します。この新しい62mm IGBTモジュールは、トレンチ／フィールドストップ技術によ
るIGBT 4、エミッタ制御ダイオード、および熱伝導材料（TIM）を使用しています。
特長 利点
400A / 1700V
直流リンク電圧向上
T vj op = 150°C
RoHS 指令に準拠
4 kV AC 1 分の絶縁性能
CTI > 400 のパッケージ
沿面距離および空間距離の拡大
UL1557 E83336 による UL/CSA 認証
既存のパッケージで電流容量が向上することにより、
同じフレームサイズでインバータ出力が増加
きわめて高い電力密度
柔軟性（チェック）
最適な電気的性能
きわめて高い信頼性
対象アプリケーション
製品データシートページ
ドライブ、太陽光発電、UPS、風力発電
製品関連情報/オンラインサポート
製品ランディング ページ
FF400R17KE4
FF400R17KE4 データシートページ
FF400R17KE4_E
FF400R17KE4_E データシートページ
ブロック図
組み合わせ推奨製品（P2S）
ハーフブリッジ： エミッタコモン：
この 1700V モジュールは専用評価ボード MA070E17 と
組み合わせてお使いいただけます。
インフィニオンの高性能 1700V 62 mm デュアルモジュールと
組み合わせることで、3レベル相レグ構成が可能です。
トレンチ／フィールドストップ IGBT 4 による
高速スイッチング FF400R17KE4 の使用を推奨します。
用途に適した Gate Driver Boards (EiceDRIVER™Safe) を
お選びください。: 2ED300C17-S / 2ED300C17-ST
はんだ付け方式の新しい 34mm および 50mm バイポーラ
モジュールもご利用ください。