ip-3 it-144

Informe Previo de Laboratorio N°2 1

A.

ÍNDI

CE

ARIÍ

2015-II

INFORME PREVIO DE LABORATORIO N°3: EL TRANSISTOR BIPOLAR, POLARIZACIÓN

Y GANANCIA

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

DEPARTAMENTO ACADÉMICO DE TELECOMUNICACIONES

Curso: LABORATORIO DE CIRCUITOS ANALÓGICOS

Cod. Curso: IT-144-M

Docente: ING. ANGEL L. ALBURQUEQUE GUERRERO

Grupo N°: 2

Integrantes: LIZETH CASTRO HUAMÁN (20124140C)

CÉSAR CONDORI ANAYA (20120040D)

DAVID FALCÓN CORZO (20122096G)

http://iisoft.fiis.uni.edu.pe/


ÍNDICE

Comentarios de inicio…………………………………….….…...3

Cuestionario…………….………………………………………….4

Bibliografía…………………………………………………………13


A. COMENTARIOS DE INICIO

Este informe presenta el cuestionario previo a la experiencia y las

simulaciones obtenidas en computadora del laboratorio N°3 del curso

Laboratorio de Circuitos Analógicos de la FIEE-UNI, para luego

vereficar y contrastarlos con los datos experimentales que resulten de

la experiencia a realizarse.

Cabe destacar que las simulaciones de los circuitos a utilizarse en

este experimento se realizaron con el software Proteus v7.10 portable,

el cual posee una gran didáctica que nos ayudará en el desarrollo de

este informe.


B. CUESTIONARIO

1. De los manuales obtener los datos de un transistor, para el diseño de

la etapa propuesta por el profesor.

Para el caso del transistor propuesto en la lista de materiales (BC548B),

obtenemos de su datasheet las características más importantes (Fabricante:

Fairchild).

Características Eléctricas:

Variables Símbolos Valores Voltaje Colector-Emisor VCE 30 V. Voltaje Colector-Base VCB 30 V. Voltaje Emisor-Base VEB 5 V.

Corriente del Colector IC 500 mA (valor máximo) Beta del Transistor hFE o β 200 (variable)

Temp. de funcionamiento TJ -55 a 150 °C

Características térmicas

Variables Símbolos Valores

Disipación térmica de potencia

PD 625 mW

Resistencia Térmica, juntura a cubierta

RθJC 83.3 °C/W

Resistencia Térmica, juntura a ambiente

RθJA 200 °C/W

A continuación presentamos el datasheet del transistor


2. Diseñar completamente el circuito de la fig.1 para un punto de

operación ICQ = 2mA, VCEQ = 5 Volt. con un transistor BC548B y

también para Máxima Excursión Simétrica Posible.

Presentamos, a continuación los dos circuitos solicitados. El primero con una

aproximación del punto de operación Q solicitado y el segundo con la

característica de máxima excursión simétrica posible.


Arriba: Circuito con el punto de operación Q solicitado. Abajo: Circuito

con la máxima excursión simétrica posible.

Q2BC548

R323.5k R4

2.2k

R513.3k

R62.2k

12V

Volts

+4.74

mA

+1.65

V1VSINE

C1

10uF

C2

50uF

C3100uF

R710k

Q1BC548

R147k RC

1.2k

R222k

RE1.2k

12V

Volts

+6.15

mA

+2.43

V2VSINE

C4

10uF

C5

50uF

C6100uF

R810k


3. Dibujar en una hoja completa cada uno de los circuitos con valores

comerciales de los elementos y los valores de tensión y corriente

esperados.

A continuación se presenta lo solicitado


4. Simule en computadora cada uno de los circuitos.

De los circuitos anteriores, añadimos el osciloscopio a la simulación y obtenemos la forma de la

onda de salida vs. la forma de la onda de entrada.


Para el circuito con el punto de operación Q.

Q2BC548

R323.5k R4

2.2k

R513.3k

R62.2k

12V

+88.8

Volts

+88.8

mA

V1VSINE

C1

10uF

C2

50uF

C3100uF

R710k

A

B

C

D


El osciloscopio muestra, para este circuito:

Para el circuito con máxima excursión simétrica posible.

Q1BC548

R147k RC

1.2k

R222k

RE1.2k

12V

+88.8

Volts

+88.8

mA

V2VSINE

C4

10uF

C5

50uF

C6100uF

R810k

A

B

C

D


El osciloscopio muestra, para este circuito:


C. BIBLIOGRAFÍA

Circuitos Eléctricos, Dorf – Svoboda.

Fundamentos de Circuitos Eléctricos, Charles K. Alexander – Mathew N. O.

Sadiku.

Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, Robert L.

Boylestad – Louis Nashelsky 10ma edición, Pearson, 2009.

Dispositivos Electrónicos y Amplificación de Señales, A. S. Sedra – K. C.

Smith, McGRAW-HILL Interamericana de México.

Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados, Donald L. Schilling – Charles

Belove, Editorial Marcombo.

Recursos en la web:

http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/B/C/5/4/BC548.shtml

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