www.microchip.com/memory

メモリ製品EEPROM • NOR フラッシュ • EERAM • シリアル SRAM

メモリ

www.microchip.com/memory2

PRODUCTION

メモリ製品

Microchip 社のメモリ製品メモリ製品は、私たちが毎日使う電子機器やシステムに欠かせない存在です。事実上全ての民生用電気機器、通信、コンピューティング、車載、医療用機器でソフトウェア コード、データ、パラメータの格納用に何らかの種類のメモリが必要です。Microchip 社は以下のように幅広いメモリ製品を提供しています。

• シリアル EEPROM• シリアル SRAM• シリアル フラッシュ• パラレル フラッシュ• シリアル EERAM• NVSRAM• パラレル EEPROM (MIL883 製品を含む)• OTP EPROM

品質第一Microchip 社は 30 年以上にわたって不揮発性メモリ製品の分野をリードしています。

• 社風とビジネスの進め方を基本原則として定義した会社方針の最初に「品質最優先」を掲示

• 2003 年に ISO/TS16949 認証サプライヤとなって以来、Microchip社独自の aggregate system によって優れた品質をサポート

• Microchip 社の EEPROM 製品は自社工場とティア 1 ファウンドリ パートナーで製造

• Microchip 社の EEPROM 製品は検査も自社内で行っており、より効果的なプランニングと在庫管理を実現

• Microchip 社は原則として製品の廃番を行わない方針で、業界最長の製品ライフサイクルを実現

業界最短レベルのリードタイムによる迅速かつ確実な供給体制

お客様の製品ライフサイクル全体をサポート信頼性の高い製品• 堅牢な EEPROM テクノロジ

• 1 ppm 未満の不良率• ほぼゼロの初期不良

• SuperFlash® テクノロジ メモリセル• 最速の消去時間• 最長のデータ保持期間

• 特殊メモリ製品

頼りになるサポート体制• 世界規模の技術サポート• 約 200 の販売代理店• 世界規模のトレーニング ネットワーク

頼りになる供給体制• 業界最長の製品ライフサイクル• 30 年を超える NVM の経験• 社内業務と外注業務のシームレスな連携

Microchip 社のメモリ製品ラインナップ

1 Kb 16 Kb 64 Kb 512 Kb 1 Mb 2 Mb 8 Mb 64 Mb

SPI

Parallel

Serial (SPI)

SQI™ Flash Devices

SPI

Microwire

Parallel

EEPROMHigh reliabilityOutstanding quality

Flash MemoryLow powerFast programming

Serial SRAMHigh performance

I2C

UNI/O® Bus

EERAMNon-volatile, unlimited enduranceI2C

Bus

Single-wire

メモリ製品 3

シリアル EEPROM

Microchip 社はシリアル EEPROM デバイスのラインナップで業界をリードしています。Microchip 社のシリアル EEPROM は幅広い動作レンジとバイト読み書きをサポートした小型で低消費電力の不揮発性メモリデバイスで、データとプログラムの格納に理想的です。シリアル EEPROM は 100 万回を超える書き込み耐性を有し、200 年以上データを保持します。革新的な低消費電力設計と厳重なテストを経た Microchip 社メモリ製品は、業界最高レベルの書き込み耐性とクラス最高レベルの品質を誇ります。

特長• 幅広い容量をラインナップ : 128 bit～2 Mb• シリアル アーキテクチャ: I2C、SPI、UNI/O® バス、単線式、

Microwire• 小型の 2/3/5/6/8 ピンパッケージ、ダイ、ウェハー、WLCSP• 革新的かつ低消費電力の設計• 業界最高レベルの書き込み耐性• 工場で書き込み済みの MAC アドレスとシリアル番号• 広い温度/電圧レンジ

• 動作電圧 : 1.7～5.5 V• 温度レンジ : 最高 150 ℃

• 高速読み書き• 高い柔軟性

• バイトプログラム機能• 多彩なパッケージ• カスタム プログラミング オプション• 特定アプリケーション向けシリアルメモリ

• ISO/TS16949 に準拠• 車載グレード 0、1、2、3 と PPAP をサポート

堅牢な設計• ESD 保護

• 人体モデル (HBM) 4000 V 以上• マシンモデル (MM) 400 V 以上• デバイス帯電モデル (CDM) 1,000 V 以上

• ラッチアップ保護 - 全ピン 200 mA 以上• ESD ラッチアップ保護 - Vddで 100 V (MM) 以上、 • 全 I/O で 400 V 以上• 最高 150 ℃で動作 (読み書き)• パワーオン リセット (POR) とブラウンアウト リセット (BOR)

• ノイズの多い車載環境で効果的な保護を実現• 誤書き込みを排除

• ノイズ低減のためにシュミットトリガ入力フィルタを採用• ウェハー上のダイ位置を含む完全なトレーサビリティ

業界最高レベルの検査体制Microchip 社のクラス最高の市場性能は、世界最高レベルの製造、ウェハーレベルのバーンイン、ウェハープローブ品質スクリーニングの組み合わせにより実現しています。Microchip 社のトリプルテスト フローは、現在シリアル EEPROM デバイスに対して実施されている中では業界最高レベルの堅牢性を持つテストです。このテストでは各ダイの全セルを 3 回テストし、書き込み耐性およびデータ保持テストを厳重に行い、高い品質と信頼性を確保します。こうした厳重なテスト、優れた製造工程、信頼性の高いメモリセル設計により、Microchip 社製シリアルEEPROM の初期不良率は業界最少レベルを誇ります。

トリプルテスト フローMicrochip 社では、ウェハーの状態で全セルを 2 回テストし、アセンブリ後に最終テストを実施しています。

最大の目標 : 不良ゼロ• ダイおよびパッケージレベルでの機能適合性についてデータシート

パラメータを完全検証• 最高の品質と信頼性を確保するため、製造工程での不良を排除• 現状機能しているが将来故障する可能性のあるデバイスをスクリー

ニング

1.Wafer Probe

2.Wafer Probe

RetentionBake

Full-functional tests on 100% of die and bits; 85 or 125°C 5,000 E/W cycles on all bits

2nd 100% bit test (25°C) full-functional screen

250°C up to 24 hours(equivalent to 100 years

at 100°C)

2.Wafer Probe

ntionke

2nd 100% bit test (25°C) full-functional screen

24 hourso 100 years 0°C)

3.Assemblyand Final

Test

Any die with charge loss in any cell between the two

probes is rejected to prevent infant mortality.

www.microchip.com/memory4

シリアル EEPROM

Microchip 社製シリアル EEPROM の返品率データ

• 業界最低の返品率を誇り、車載アプリケーションに最適• 10 年間にわたり継続的に改善

Microchip 社製シリアル EEPROM の書き込み耐性

• サプライヤ A 社および B 社製デバイスは 85 ℃で 200 万 E/W サイクルの前に全数が故障

• テストの結果、Microchip 社製 EEPROM は 85 ℃で 200 万 E/W サイクルに達しても故障ゼロ

標準および特殊/特定アプリケーション向け EEPROM

Total Endurance™ ソフトウェア モデルTotal Endurance ソフトウェア モデル は、Microchip 社 製 シリアルEEPROM デバイスの書き込み耐性と信頼性の評価に役立つ包括的なモデルを提供します。お客様のアプリケーションに基づいた動作条件を適用する事により、信頼性に影響を与える設計上のトレードオフ全てを、PPM、FIT、MTBF モードにおいてグラフと数値の両方で正確に評価できます。これにより、時間が節約でき、真に堅牢な設計を確実にします。www.microchip.com/totalendurance

2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

500,000 1,000,000 1,500,000 2,000,000

30

60

90

120

150

0

E/W Cycles at 85C

Supplier A Supplier B Supplier C Supplier D Microchip

Serial EEPROMs

Standard EEPROMs

I2C 128b–2 Mb, 1.7–5.5V

UNI/O® Bus1–16 Kb, 1.8–5.5V

MAC Address ChipsEUI-48™ & EUI-64™ Node Address

Unique ID 1 Kbit–256 Kbit, 1.7–5.5V

Micorwire1–16 Kb, 1.7–5.5V

SPI1 Kb–2 Mb, 1.7–5.5V

Partial Array Write Protect½, ¼ and Whole Array WP Options

DIMM-DDR2/3/4Reversible Software Write Protect; I2C

Extended Temperature−55 to 150°C

VESA MonitorsDDC1™/DDC2™ Interface

Very-Low Voltage1.5V EEPROM

Specialty/ApplicationSpecific EEPROMs

Single-Wire1 Kbit, 1.7–4.5V

シリアル EEPROM バスの比較

Microchip 社製品のクラス最高の市場性能は、ウェハーレベルのバーンインとウェハープローブ品質スクリーニングの組み合わせにより実現しています。

パラメータ I2C Microwire 単線式 UNI/O® バス SPI

容量 128 bit～2 Mb 1～16 Kb 1 Kb 1～16 Kb 1 Kb～2 Mb

速度 最大 1 MHz 最大 3 MHz 125 kbps 最大 100 kHz 最大 20 MHz

I/Oピン数 2: クロック、データ 4: クロック、CS、DI、DO 1: クロック/データ 1: クロック/データ 4: SCK, CS, DI, DO

パッケージ

PDIP, SOIC, SOIJ, TSSOP, MSOP, 2×3

TDFN, 6×5 DFN, SOT-23, SC70, WLCSP

PDIP, SOIC, TSSOP, MSOP, 2×3 TDFN,

SOT-23SOIC, SOT-23, UDFN,

XSFN, WLCSPPDIP, SOIC, TSSOP, MSOP, 2×3 TDFN,

SOT-23, TO92, WLCSP

PDIP, SOIC, SOIJ, TSSOP, MSOP, 2×3

TDFN, 6×5 DFN, SOT-23, WLCSP

セキュリティ機能 ハードウェア/ ソフトウェア ハードウェア ソフトウェア ソフトウェア ハードウェア/

ソフトウェア

価格 少機能/低コスト ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー 多機能/高コスト

メモリ製品 5

特殊 EEPROM

EUI-48™/EUI-64™ MAC アドレスチップ素早く簡単、低コストで MAC アドレスが必要なお客様は、Microchip社の EUI-48™ MAC アドレス書き込み済みチップをお使いください。一意の ID が書き込まれておりシリアライズが不要です。

これらのプラグアンドプレイ シリアル EEPROM により、MCU のプログラミングとシリアライズを行わずに簡単かつ低コストで IEEE MAC アドレスを使う事ができるため、コストの削減と開発期間の短縮が可能です。詳細は www.microchip.com/MAC を参照してください。

I2C AT24MAC402/602 1 MHz

SPI 25AA02E48/E64 10 MHz

UNI/O®バス 11AA02E48/E64 100 kHz

Microwire 93AA46AE48 2 MHz

プラグアンドプレイ デバイスEUI-48 アドレス書き込み済み 2 Kb シリアル EEPROM

• IEEE MAC アドレスへの素早く簡単なアクセス、シリアル EEPROMからコードを直接読み出し

• SPI、I2C、Microwire、UNI/O バス対応品を選択可能• 1.5 Kb 以上のシリアル EEPROM メモリ• SOIC、TSSOP、UDFN、SOT-23 パッケージで提供• 書き込み保護されたコード• EUI-48 および EUI-64 互換

• EUI-48: ネットワーキング、Ethernet、Wi-Fi® (IEEE 802.11)、Bluetooth®

• EUI-64: ZigBee® (IEEE 802.15.4)、MiWi™ プロトコル、FireWire、IPv6

• 各種メモリ容量でカスタム プログラミング可能

詳細は弊社または代理店にお問い合わせください。

柔軟性が高く管理が容易EUI-48 を素早くネットワーク アプリケーションに追加し、開発期間を短縮できます。

• 必要に応じてコードを購入可能• プログラミングとシリアライズの追加コストが発生せず、システムコ

ストを削減• コードの最小ロット制限なし• 一意の ID

書き込み保護可能な I2C EEPROMMicrochip 社の I2C EEPROM ファミリは、メモリアレイの全部または一部に対する書き込み保護 (WP) を備えています (ハードウェア/ソフトウェア書き込み保護オプションあり)。部分アレイ I2C EEPROM は 1～64 Kbで提供しています。

–55～150 ℃の温度レンジに対応した I2C および SPI シリアル EEPROM• 車載ターボチャージャ、排気ガス再循環 (EGR) 装置• 車載ファンモータ、エアバルブ、フラップ、点火プラグ• 航空宇宙• 鉱業 (爆発性雰囲気中での使用認可)

シリアル番号と一意の ID を書き込み済み• デバイスファミリ全体にわたって一意のシリアル番号• I2C、SPI、UNI/O インターフェイス対応品を選択可能• 32～256 ビット長のシリアル番号 (デバイスファミリ参照)• ソフトウェアまたはハードウェアによる書き込み保護• 幅広いパッケージ選択肢

½ Array WP

1–16 Kbit 32 and 64 Kbit

¼ Array WP

User data, real-time updates, data that changes

Calibration parameters, unique ID, data that never changes

一意の ID とシリアル番号を書き込み済みのメモリ製品デバイス 容量 (構成) 最大クロック

周波数 動作電圧 (V) 温度 (℃) 書き込み耐性 データ保持 期間 一意の ID とシリアル番号 書き込み保護 パッケージ

AT24CS01 1 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 -40～+125 1M 100 年 128 ビットシリアル番号を書き込み済み アレイ全体 SOIC, TSOT, TSSOP, UDFNAT24CS02 2 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 -40～+125 1M 100 年 128 ビットシリアル番号を書き込み済み アレイ全体 SOIC, TSOT, TSSOP, UDFN

24AA02UID 2 Kb (×8) 400 kHz 1.7～5.5 -40～+85 1M 200 年 32 ビットシリアル番号を書き込み済み(48/64/128/256 ビット等) アレイ全体の半分 PDIP, SOIC, SOT-23

24AA025UID 2 Kb (×8) 400 kHz 1.7～5.5 -40～+85 1M 200 年 32 ビットシリアル番号を書き込み済み(48/64/128/256 ビット等) アレイ全体の半分 PDIP, SOIC, SOT-23

11AA02UID 2 Kb (×8) 100 kHz 1.8～5.5 -40～+85 1M 200 年 32 ビットシリアル番号を書き込み済み(48/64/128/256 ビット等) 全体、¼、½ SOIC, SOT-23

25AA02UID 2 Kb (×8) 1 MHz 1.8～5.5 -40～+85 1M 200 年 32 ビットシリアル番号を書き込み済み(48/64/128/256 ビット等) 全体、¼、½ SOIC, SOT-23

AT24CS04 4 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 -40～+125 1M 100 年 128 ビットシリアル番号を書き込み済み アレイ全体 SOIC, TSOT, TSSOP, UDFNAT24CS08 8 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 -40～+125 1M 100 年 128 ビットシリアル番号を書き込み済み アレイ全体 SOIC, TSOT, TSSOP, UDFNAT24CS16 16 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 -40～+125 1M 100 年 128 ビットシリアル番号を書き込み済み アレイ全体 SOIC, TSOT, TSSOP, UDFNAT24CS32 32 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 -40～+125 1M 100 年 128 ビットシリアル番号を書き込み済み アレイ全体 SOIC, TSOT, TSSOP, UDFNAT24CS64 64 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 -40～+125 1M 100 年 128 ビットシリアル番号を書き込み済み アレイ全体 SOIC, TSSOP, UDFN

AT24CSW01x 1 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 -40～+125 1M 100 年 128 ビットシリアル番号とユーザ プログラマブルな 16 バイト追加データを書き込み済み 5 種の設定が可能 WLCSP

AT24CSW02x 2 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 -40～+125 1M 100 年 128 ビットシリアル番号とユーザ プログラマブルな 16 バイト追加データを書き込み済み 5 種の設定が可能 WLCSP

AT24CSW04x 4 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 -40～+85 1M 100 年 128 ビットシリアル番号とユーザ プログラマブルな 16 バイト追加データを書き込み済み 5 種の設定が可能 WLCSP

AT24CSW08x 8 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 -40～+85 1M 100 年 128 ビットシリアル番号とユーザ プログラマブルな 16 バイト追加データを書き込み済み 5 種の設定が可能 WLCSP

24AA256UID 256 Kb (×8) 400 kHz 1.7～5.5 -40～+85 1M 200 年 32 ビットシリアル番号を書き込み済み(48/64/128/256 ビット等) アレイの上位 1/8 (常時) PDIP, SOIC, TSSOP

www.microchip.com/memory6

シリアル EEPROMデバイス 容量 (構成) 最大クロック

周波数 動作電圧 温度 (℃) 書き込み耐性 データ保持期間 書き込み保護 (ハードウェア) パッケージ

I2C メモリ製品

24XX00 128 bit (×8) 400 kHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 200 年 — PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN

24XX01/014 1 Kb (×8) 400 kHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP, SC70

AT24C01C 1 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 アレイ全体 PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, UDFN, VFBGA

24XX02/024 2 Kb (×8) 400 kHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP, SC70

AT24C02C 2 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 アレイ全体 PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, UDFN, VFBGA

24XX04 4 Kb (×8) 400 kHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP, WLCSP

AT24C04C 4 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 アレイ全体 PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, UDFN, VFBGA

24XX08 8 Kb (×8) 400 kHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP

AT24C08C 8 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 アレイ全体 PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, UDFN, VFBGA

24XX16 16 Kb (×8) 400 kHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP, WLCSP

AT24C16C 16 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 アレイ全体 PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, UDFN, VFBGA, XDFN

24XX32 32 Kb (×8) 400 kHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、¼ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP, WLCSP

AT24C32D 32 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 アレイ全体 SOIC, SOT-23, TSSOP, UDFN, VFBGA, XDFN

24XX64/65 64 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M/10M 200 年 全体、¼ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP, WLCSP

AT24C64D 64 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 アレイ全体 SOIC, TSSOP, UDFN, XDFN, VFBGA, WLCSP

24XX128 128 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 200 年 üPDIP, SOIC, TSSOP, 2×3 TDFN,

6×5 DFN, WLCSP

AT24C128C 128 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 アレイ全体 SOIC, TSSOP, UDFN, VFBGA, WLCSP, XDFN

24XX256 256 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 200 年 üPDIP, SOIC, TSSOP, 6×5 DFN,

MSOP, WLCSP

AT24C256C 256 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 アレイ全体 SOIC, TSSOP, UDFN, VFBGA

24XX512 512 Kb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 200 年 üPDIP, SOIC, TSSOP, 6×5 DFN, WLCSP

AT24C512C 512 Kb (×8) 1 MHz 1.7～3.6 V -40～+85 1M 40 年 アレイ全体 SOIC, SOIJ, TSSOP, UDFN, VFBGA, WLCSP

24XX1024 1 Mb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 200 年 ü PDIP, SOIC, SOIJ, 6×5 DFN

AT24CM01 1 Mb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+85 1M 40 年 アレイ全体 SOIC, SOIJ, TSSOP, WLCSP

AT24CM02 2 Mb (×8) 1 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 アレイ全体 SOIC, WLCSP

UNI/O® バス/単線式 EEPROM 製品

11XX010 1 Kb (×8) 100 kHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP, TO92, WLCSP

AT21CS01 1 Kb (×8) 125 kbps 1.7～3.6 V -40～+85 1M 100 年 4×256 ビットゾーン単位

SOIC, SOT-23, UDFN, XSFN, WLCSP

AT21CS11 1 Kb (×8) 125 kbps 2.7～4.5 V -40～+85 1M 100 年 4×256 ビットゾーン単位 SOIC, SOT-23, XSFN, WLCSP

11XX020 2 Kb (×8) 100 kHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP, TO92, WLCSP

11XX040 4 Kb (×8) 100 kHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP, TO92, WLCSP

11XX080 8 Kb (×8) 100 kHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP, TO92, WLCSP

11XX160 16 Kb (×8) 100 kHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP, TO92, WLCSP

メモリ製品 7

シリアル EEPROM 製品

容量 : 128 bit～2 Mb  シリアル アーキテクチャ: I2C、SPI、UNI/O® バス、単線式、Microwire

デバイス 容量 (構成) 最大クロック 周波数 動作電圧 温度 (℃) 書き込み耐性 データ保持期間 書き込み保護

(ハードウェア) パッケージ

SPI EEPROM 製品

25XX010A 1 Kb (×8) 10 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP

AT25010B 1 Kb (×8) 20 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 全体、½、¼ SOIC, TSSOP, UDFN, VFBGA

25XX020A 2 Kb (×8) 10 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP

AT25020B 2 Kb (×8) 20 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 全体、½、¼ SOIC, TSSOP, UDFN

25XX040A 4 Kb (×8) 10 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP

AT25040B 4 Kb (×8) 20 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 全体、½、¼ SOIC, TSSOP, UDFN, VFBGA

25XX080C/D 8 Kb (×8) 10 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP

AT25080B 8 Kb (×8) 5 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 全体、½、¼ SOIC, TSSOP, UDFN, VFBGA, WLCSP, XDFN

25XX160C/D 16 Kb (×8) 10 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP

AT25160B 16 Kb (×8) 5 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 全体、½、¼ SOIC, TSSOP, UDFN, VFBGA, XDFN

25XX320A 32 Kb (×8) 10 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP

AT25320B 32 Kb (×8) 5 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 全体、½、¼ SOIC, TSSOP, UDFN, VFBGA, XDFN

25XX640A 64 Kb (×8) 10 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, TSSOP, 2×3 TDFN, MSOP

AT25640B 64 Kb (×8) 5 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 全体、½、¼ SOIC, TSSOP, UDFN, VFBGA, XDFN

25XX128 128 Kb (×8) 10 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, TSSOP, 6×5 DFN

AT25128B 128 Kb (×8) 20 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 全体、½、¼ SOIC, TSSOP, UDFN, VFBGA

25XX256 256 Kb (×8) 10 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, TSSOP, 6×5 DFN

AT25256B 256 Kb (×8) 20 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 全体、½、¼ SOIC, SOIJ, TSSOP, UDFN, VFBGA

25XX512 512 Kb (×8) 20 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIC, 6×5 DFN

AT25512 512 Kb (×8) 20 MHz 1.8～5.5 V -40～+85 1M 40 年 全体、½、¼ SOIC, TSSOP, UDFN

25XX1024 1 Mb (×8) 20 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 全体、½、¼ PDIP, SOIJ, 6×5 DFN

AT25M01 1 Mb (×8) 20 MHz 1.7～5.5 V -40～+85 1M 100 年 全体、½、¼ SOIC, SOIJ, UDFN, WLCSP

AT25M02 2 Mb (×8) 5 MHz 1.7～5.5 V -40～+85 1M 40 年 全体、½、¼ SOIC, WLCSP

Microwire EEPROM 製品

93XX46A/B/C 1 Kb (×8 または×16) 3 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 – 1 mA

AT93C46D 1Kb (×8/×16) 2 MHz 1.7～5.5 V -40～+125 1M 100 年 ソフトウェア 15.0 µA (max.)

AT93C46E 1 Kb (×8) 2 MHz 1.8～5.5 V -40～+85 1M 100 年 ソフトウェア 15.0 µA (max.)

93XX56A/B/C 2 Kb (×8 または×16) 3 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 – 1 mA

AT93C56B 2 Kb (×8/×16) 2 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 100 年 ソフトウェア 15.0 µA (max.)

93XX66A/B/C 4 Kb (×8 または×16) 3 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 – 1 mA

AT93C66B 4 Kb (×8/×16) 2 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 100 年 ソフトウェア 15.0 µA (max.)

93XX76A/B/C 8 Kb (×8 または×16) 3 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 ハードウェア 1 mA

93XX86A/B/C 16 Kb (×8 または×16) 3 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 200 年 ハードウェア 1 mA

AT93C86A 16 Kb (×8/×16) 2 MHz 1.8～5.5 V -40～+125 1M 100 年 ソフトウェア 15.0 µA (max.)

www.microchip.com/memory8

シリアル EEPROM のパッケージ

サイズを抑えた大容量メモリ革新的な小型パッケージを提供する Microchip 社のシリアル EEPROM デバイスを使うと、基板面積とコストを最小限に抑える事ができます。

• WLCSP: EEPROM パッケージとして世界最小のダイサイズ パッケージ• SC70: 5 ピン EEPROM パッケージとして最小• 5 ピン SOT-23 は最大 64 Kb、8 ピン TDFN は最大 1 Mb、8 ピン SOIC は最大 2 Mb (I2C) まで対応

数字は提供中の代替パッケージピン数を示しています。WLCSP ボールアレイは現在提供中です。詳細はお問い合わせください。8 ピン、1.80 mm×2.20 mm×0.40 mm ボディ、0.40 mm ピッチ、 超薄型 DFN (XDFN) 8 ピン、2.00 mm×3.00 mm×0.55 mm ボディ、0.50 mm ピッチ、超薄型デュアルフラット リードレス (UDFN) 8 ピン、2.00 mm×3.00 mm×0.75 mm ボディ、0.50 mm ピッチ、TDFN 8 ピン、2.00 mm×3.00 mm×0.90 mm ボディ、0.50 mm ピッチ、DFN

提供中のパッケージ (縮尺不定)

WLCSP: 世界最小の EEPROM パッケージMicrochip 社の WLCSP (Wafer-Level Chip Scale Package) は、ボンディング パッドをバンプに接続する再配線層を備えたバンプ付きダイです。

• 本物の「ダイサイズ」パッケージ• 業界最小サイズのパッケージ• 超薄型パッケージ• I2C、SPI、UNI/O バスに対応• 標準的な表面実装アセンブリラインと互換• 小スペースに大容量を実現

応用例

容量 最大速度 SOIC SOT-23 TSSOP xDFN PDIP MSOP SOIJ SC70 TO92 WLCSP

I2C バス 1.7～5.5 V

128 bit～2 Kb 400 kHz ü 5, 6 ü ü ü ü – 5 – 44～32 Kb 400 kHz ü 5 ü ü ü ü ü – – 4, 564 Kb 1 MHz ü 5 ü ü ü ü ü – – 4, 5, 6128 Kb 1 MHz ü 5 ü ü ü ü ü – – 4256 Kb 1 MHz ü – ü ü ü ü ü – – –512 Kb 1 MHz ü – 8, 14 ü ü ü ü – – 81 Mb 1 MHz ü – ü ü ü – ü – – 82 Mb 1 MHz ü – – – – – – – – 8

Microwire バス 1.8～5.5 V

1～16 Kb 3 MHz ü 6 ü ü ü ü ü – – –

SPI バス 1.8～5.5 V

1～4 Kb 10 MHz ü 6 ü ü ü ü – – – –8～64 Kb 10 MHz ü – ü ü ü ü – – – 8128 Kb, 256 Kb 10 MHz ü – ü ü ü – ü – – –512 Kb 20 MHz ü – 14 ü ü – ü – – –1 Mb 20 MHz ü – ü ü ü – ü – – 82 Mb 5 MHz ü – – – – – – – – 8, 12

UNO® バス 1.8～5.5 V

1～16 Kb 100 kHz ü 3 – ü ü ü – – ü 4

単線式バス 1.7～4.5 V

1 Kb 125 kbps ü 3 – 2 – – – – – 4

5-pin SC-70 (LT) 2 × 2 mm

3-pin SOT (TT) 3 × 2.5 mm

5- & 6-pin SOT (OT) 3 × 3 mm

8-pin TDFN(MC/MNY) 2 × 3 mm

DFN (XDFN)1.8 x 2.2 mm

8-pin MSOP (MS) 3 × 5 mm

8-pin SOIC (SN) 5 × 6 mm

8-pin DFN (MF) 5 × 6 mm

8-pin SOIC (SM) 5 × 8 mm

8-pin PDIP (P) 8 × 9.5 mm

8-pin TSSOP (ST) 3 × 6.5 mm

• 携帯電話• 防犯カメラ• センサ• スマートケーブル

• 補聴器• 医療用使い捨て機器• 携帯型電子機器

メモリ製品 9

シリアル SRAM

Microchip 社のシリアル SRAM ファミリは、ほぼ全てのアプリケーションに外部 RAM を簡単かつ低コストで追加する方法を提供します。これらのシリアルデバイスは従来のパラレル SRAM に比べ消費電力と接続 I/O ピン数が少ないため、小型のマイクロコントローラでも外付け RAM を利用できます。Microchip 社の SPI 互換シリアル SRAM デバイスは 64 Kb、256 Kb、512 Kb、1 Mb を揃えており、最高速度は20 MHz です。512 Kb および 1 Mb 品は、外部バッテリ/ボタン電池をVbatピンに接続してデータ バックアップが可能です。これらの 8 ピンデバイスは無限の書き込み耐性とゼロ書き込み時間が特長です。

1.5～1.95 V 2.7～3.6 V

1 Mb 23A1024/20 MHz 23LC1024/20 MHz

512 Kb 23A512/20 MHz 23LC512/20 MHz

256 Kb 23A256/16 MHz 23K256/20 MHz

64 Kb 23A640/16 MHz 23K640/20 MHz

特長• SPI バス、20 MHz• 揮発性メモリ• 動作電圧 : 1.5～1.95 V、2.7～3.6 V• 無限の書き込み耐性• 書き込みサイクル時間がゼロ• 低消費電力• PPAP サポート付き車載グレード 1

主な利点• システムコストの削減 - 革新的な製品、小型パッケージ、低消費

電力、少 I/O ピン、コンパクトな外形• MCU との接続 I/O ピン数を低減 - よりコンパクトな設計にしながら

機能を追加• 書き込み保護オプションによりデータを保護• 幅広い動作条件に対応した堅牢な設計

代表的な応用• スマートメータ• POS 端末• プリンタ• インターネット ラジオ• Ethernet• Wi-Fi• パラレル RAM の置き換え• 低コストの RAM が必要なあらゆるアプリケーション

柔軟な RAM 拡張現在のマイクロコントローラのまま機能を追加し、開発期間を短縮できます。

• 現在の設計に機能を追加• RAM のためだけに大型のマイクロコントローラを購入する必要なし• 使い慣れた 4 ピン SPI インターフェイス• 現在の設計でコストを削減• 一時データの保存、バッファリング、高書き込み耐性アプリケーション

シリアル SRAM の利点項目 従来のパラレル SRAM Microchip 社製シリアル SRAM

MCUへのI/O接続 16～20 4

スタンバイ電流 3 mA 1 µA

動作電流 50 mA 1～10 mA

最低動作電圧 3.0 V 1.7 V

フットプリント 100 mm2 20 mm2

小型パッケージ 28 ピン TSSOP、28 ピン SOIC 8 ピン TSSOP、8 ピン SOIC

MCU

RAM

MCU ParallelSRAM

RAMParallel

16–20 I/O lines

. . .

MCUSerialSRAM

RAM SPI

4 I/O lines

Stand-alone Serial SRAM offering greater design flexibility and the opportunity for RAM expansion

MCU

RAM

MCU ParallelSRAM

RAMParallel

16–20 I/O lines

. . .

MCUSerialSRAM

RAM SPI

4 I/O lines

Stand-alone Serial SRAM offering greater design flexibility and the opportunity for RAM expansion

MCU

RAM

MCU ParallelSRAM

RAMParallel

16–20 I/O lines

. . .

MCUSerialSRAM

RAM SPI

4 I/O lines

Stand-alone Serial SRAM offering greater design flexibility and the opportunity for RAM expansion

シリアル SRAM 製品

デバイス 容量 (構成)

最大クロック 周波数

動作電圧 (A、K)

温度 (I、E) (℃)

読み出し電流(mA)

スタンバイ電流(max.) パッケージ バッテリ

バックアップ

23X640 64 Kb (8K×8 ビット) 20 MHz 1.8 V, 3 V −40～+125 3 mA 4 µA PDIP, SOIC, TSSOP なし23X256 256 Kb (32K×8 ビット) 20 MHz 1.8 V, 3 V −40～+125 3 mA 4 µA PDIP, SOIC, TSSOP なし23X512 512 Kb (64K×8 ビット) 20 MHz 1.8 V, 3 V, 5 V −40～+125 3 mA 4 µA PDIP, SOIC, TSSOP あり23X1024 1 Mb (128K×8 ビット) 20 MHz 1.8 V, 3 V, 5 V −40～+125 3 mA 4 µA PDIP, SOIC, TSSOP あり

1. 電圧レンジ : A = 1.5～1.95 V、K = 2.7～3.6 V 2. 全てのデバイスは RoHS に準拠しています。

www.microchip.com/memory10

NOR フラッシュ

SuperFlash テクノロジとはMicrochip 社の SuperFlash テクノロジは、革新的で非常に高い信頼性と汎用性を備えた NOR フラッシュメモリです。SuperFlash テクノロジメモリの柔軟性と信頼性は、競合する不揮発性メモリを大きく上回ります。このテクノロジで採用しているスプリットゲート セル アーキテクチャは、酸化膜の厚みを増してプロセスの堅牢性を高めており、マスク工程数が少なく済みます。これにより、きわめて高速な消去時間、優れたデータ保持特性、高い信頼性を備えた不揮発性メモリ ソリューションを低コストで実現しています。

SuperFlash テクノロジの利点• 高速で一定した書き込み/消去時間

• 64 Mb 品で約 40 ms (従来品は 1 分以上)• 製造効率の向上と低コスト化に貢献

• 消去前の書き込みまたはベリファイが不要• 消費電力を大幅に低減

• 優れた信頼性• 書き換えサイクル 10 万サイクル、データ保持期間 100 年

• セクタサイズが小さい• 4 KB の消去セクタ (競合製品は 64 KB)• 書き換えが短時間で行え、全体的な消費電力の低減に貢献

シリアルおよびパラレル フラッシュシリアル フラッシュ(25 および 26 シリーズ) は、民生用電気機器、コンピューティング、ネットワーキング、産業用分野の幅広いアプリケーション向けに設計されています。小型のフォームファクタで標準のピン配置とコマンドセットを備えたシリアル フラッシュは設計への組み込みが容易で、コスト競争力に優れています。

Microchip 社のパラレル フラッシュ(39 および 38 シリーズ) は、XIP (eXecute In Place) に対応した高い性能が要求される GPS/ナビゲーションやその他のモバイル機器、要求の厳しい産業および車載アプリケーションに理想的です。

8 Mb ファームウェア フラッシュMicrochip 社は 8 Mb ファームウェア フラッシュの供給を現在も継続している唯一のサプライヤです。この SuperFlash テクノロジ メモリデバイスは Intel Low Pin Count (LPC) インターフェイス仕様に準拠しており、PC、POS システム、セットトップ ボックス、ネットワーク ボード、その他組み込み CPU アプリケーションのシステム BIOS 格納用に適しています。

• FWH デバイス (49LF008A) は、Intel 8XX シリーズハブ アーキテクチャのチップセットで使われている Intel 社独自規格の FWH インターフェイス プロトコルを採用

• LPC フラッシュ デバイス (49LF080A) は、標準の Intel LPC インターフェイス仕様 1.1 に準拠

メモリセル構造の比較

競合製品に比べ消去時間が 100 倍高速、 チップ消去時間は全容量でほぼ一定

SourceThicker tunneloxide reducesleakageimproving dataretention andreliability.

Drain

Poly 2

Split GateSuperFlash® Technology

Poly 2

Poly 1

Source DrainStacked Gate(Conventional Flash)

Poly 1

0.5 1 2 4 8 16 32 640.01

0.1

1

10

100

100

Density (MB)

Microchip Competitor 1 Competitor 2 Competitor 3 Competitor 4

メモリ製品 11

シリアル フラッシュ

シリアル フラッシュシリアル フラッシュの特長• シリアル ペリフェラル インターフェイス : モード 0 とモード 3• 省スペース

• 8 ピン SOIC、薄型 8 ピン USON、WSON、8 ピン XFBGA、WLCSP

• 動作電圧• 1.65～1.95 V、2.3～3.6 V

• クロック周波数 : 最大 104 MHz• 柔軟な消去機能

• 4 KB の均一セクタ消去• 32/64 KB ブロック消去• チップ消去

• 書き込み耐性 : 100,000 サイクル (typ.)• データ保持期間 : 100 年以上• 高速セクタ消去またはブロック消去 : 18 ms (typ.)• バイトプログラム時間 : 7 µs (typ.)• 読み出し動作時電流 : 10 mA (typ.)• スタンバイ電流 : 5 µA (typ.) • 実証済みの技術

• CMOS SuperFlash テクノロジはデータ保持期間と書き込み耐性に優れ、消去時間が短く消費電力が小さいため、Microchip社のシリアル フラッシュはポータブル機器設計に理想的

シリアル フラッシュのアプリケーション

シリアル SPI フラッシュ25 シリーズシリアル SPI フラッシュはシリアル ペリフェラル インターフェイス (SPI)を採用した小型で低消費電力のフラッシュメモリで、業界標準の SPI EEPROMデバイスとピン互換です。ピン数が少ないためASICコントローラのピン数とパッケージング コストが抑えられ、基板面積とシステムコストを削減できます。パラレル フラッシュに比べ消費電力とピン数の少ないシリアル SPI フラッシュは、理想的な低コストデータ転送ソリューションです。シリアル SPI フラッシュの特長

• 最大 16 Mb の容量• SPI プロトコルに完全準拠

SQI™ (Serial Quad I/O™) フラッシュ26 シリーズSQI フラッシュメモリは 4 ビット多重化 I/O シリアル プロトコルを採用しており、標準の SPI フラッシュ同様のコンパクトなサイズを維持しつつ性能を高めています。SQI デバイスはクワッド、デュアル、SPI の各モードで使え、SPI デバイスと下位互換です。

SQI フラッシュの特長• 4 ビット多重化 I/O シリアル プロトコル• 300 Mbps 超の連続読み出し• 容量 : 4～64 Mb• ソフトウェアによるパラメータ ブロックとオーバーレイ ブロックの

ロック• セキュリティID• ページモード プログラミング• SFDP (Serial Flash Discoverable Parameters) • PPAP 付き車載グレード 2、3

フラッシュの性能比較

• ホーム ネットワーキング• HDTV• Bluetooth• ウェアラブル機器• タブレット• ノート PC • プリンタ• 無線 LAN

• セットトップ ボックス• デジタルラジオ• 車載機器• サーバ• IoT デバイス• スマート電化製品• スマートメータ

0 100 200 300 400

Microchip 26 Series SQI™ (80 MHz)

Parallel ×16 (70 ns)

Parallel ×8(70 ns)

Serial SPI (66 MHz)

Sustained Data Transfer Rate (MB/sec)

www.microchip.com/memory12

* 仕様は個々のデバイスで異なります。詳細はデータシートを参照してください。

シリアル フラッシュバ

ス

製品

容量

構成

クロ

ック

周波

数(m

ax.)

動作

電圧

(V)

温度

レン

ジ(℃

)

消去

/書き

込み

耐性

(min

.)

デー

タ保

持期

間(年

) (m

in.)

書き

込み

速度

(typ

.)

スタ

ンバ

イ電

流(m

ax.)

特長

パッ

ケー

ジ*

×1

SST25VF512A 512 Kb 64K×8 33 MHz 2.7～3.60～+70

−40～+85 −20～+85

100,000 サイクル(typ.) 100 14 µs

(バイト書き込み) 8 µA 自動アドレス インクリメント書き込み、 高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIC, 8C-WSON

SST25VF010A 1 Mb 128K×8 33 MHz 2.7～3.60～+70

−40～+85 −20～+85

100,000 サイクル(typ.) 100 14 µs

(バイト書き込み) 8 µA 自動アドレス インクリメント書き込み、 高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIC, 8C-WSON

SST25VF020B 2 Mb 256K×8 80 MHz 2.7～3.6 0～+70 -40～+85

100,000 サイクル(typ.) 100 7 µs

(ワード書き込み) 5 µA 自動アドレス インクリメント書き込み、 高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIC, 8C-WSON

SST25WF020A 2 Mb 256K×8 40 MHz 1.65～1.95 0～+70 -40～+85

100,000 サイクル(typ.) 20 3 ms

(ページ書き込み) 10 µA シングル入力ページ書き込み、 高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIC, 8C-WSON, 8C-USON, 9B-WLCSP

SST25PF040C 4 Mb 512K×8 40 MHz 2.3～3.6 -40～+85 100,000 サイクル(min.) 20 4 ms/256 バイト

(typ.) 50 µA ソフトウェア書き込み保護 - ブロック保護ビットによる書き込み保護

8C-USON 8L-SOIC

8C-WDFN

SST25VF040B 4 Mb 512K×8 40 MHz 2.7～3.6 -40～+85 100,000 サイクル(typ.) 100 7 µs

(ワード書き込み) 5 µA 自動アドレス インクリメント書き込み、 高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIC, 8C-WSON

SST25VF080B 8 Mb 1M×8 40 MHz 2.7～3.6 -40～+85 100,000 サイクル(typ.) 100 7 µs

(ワード書き込み) 5 µA 自動アドレス インクリメント書き込み、 高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIC, 8C-WSON, 8B-XFBGA

SST25VF016B 16 Mb 2M×8 50 MHz 2.7～3.6 -40～+85 100,000 サイクル(typ.) 100 7 µs

(ワード書き込み) 5 µA 自動アドレス インクリメント書き込み、 高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIC, 8C-WSON

×1,

×2 SST25WF040B 4 Mb 512K×8 40 MHz 1.65～1.95 0～+70

-40～+85100,000 サイクル

(typ.) 20 1 ms (ページ書き込み) 10 µA

デュアル出力とデュアル I/O 読み出し、 シングル/デュアル入力ページプログラム、

高速読み出し/プログラム/消去

8L-SOIC, 8C-USON, 9B-WLCSP

SST25WF080B 8 Mb 1M×8 40 MHz 1.65～1.95 0～+70 -40～+85

100,000 サイクル(typ.) 20 1 ms

(ページ書き込み) 10 µAデュアル出力とデュアル I/O 読み出し、

シングル/デュアル入力ページプログラム、 高速読み出し/プログラム/消去

8L-SOIC, 8C-USON, 9B-WLCSP

×4

SST26VF016 16 Mb 2M×8 80 MHz 2.7～3.6 -40～+85 100,000 サイクル(min.) 100 1 ms

(ページ書き込み) 15 µA

Serial Quad I/O™ (SQI™) 読み出し/書き込み/消去、バースト読み出し、インデックス ジャンプ機能、

ブロック単位の読み書き保護、 高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIJ, 8C-WSON

SST26VF032 32 Mb 4M×8 80 MHz 2.7～3.6 -40～+85 100,000 サイクル(min.) 100 1 ms

(ページ書き込み) 15 µA

Serial Quad I/O (SQI) 読み出し/書き込み/消去、 バースト読み出し、インデックス ジャンプ機能、

ブロック単位の読み書き保護、 高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIJ, 8C-WSON

SST26WF040B 4 Mb 512K×8 104 MHz 1.65～1.95 -40～+85 100,000 サイクル(min.) 100 1.5 ms

(ページ書き込み) 40 µA

×1、×2、×4 シリアル ペリフェラル インター フェイス (SPI) プロトコル - バーストモード、

ソフトウェア書き込み保護 : 個別メモリアレイブロックのロック : 64 KB ブロック、32 KB ブロック (×2)、

8 KB パラメータ ブロック (×8)

8C-USON, 8L-SOIC,

8C-WDFN, 8B-XFBGA

×1,

×2,

×4

SST26WF080B/BA 8 Mb 1M×8 104 MHz 1.65～1.95 -40～+85 100,000 サイクル(min.) 100 1 ms

(ページ書き込み) 40 µA

1/2/4 ライン同時読み出し、シングル/クワッド入力ページ書き込み、バースト読み出し、

書き込みサスペンド、ブロック単位の読み書き保護、高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIC, 8C-WSON, 8C-USON, 8B-WLCSP

SST26WF016B/BA 16 Mb 2M×8 104 MHz 1.65～1.95 -40～+85 100,000 サイクル(min.) 100 1 ms

(ページ書き込み) 40 µA

1/2/4 ライン同時読み出し、シングル/クワッド入力ページ書き込み、バースト読み出し、

書き込みサスペンド、ブロック単位の読み書き保護、高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIC, 8C-WSON, 8B-WLCSP

SST26WF064C 64 Mb 8M×8 104 MHz 1.65～1.95 -40～+85 100,000 サイクル(min.) 100 1.5 ms

(ページ書き込み) 40 µA

1/2/4 ライン同時 DTR 読み出し、シングル/クワッド 入力ページ書き込み、バースト読み出し、

書き込みサスペンド、ブロック単位の読み書き 保護、高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIJ, 16L-SOIC, 8C-WSON, 24B-TBGA

SST26VF016B 16 Mb 2M×8 104 MHz 2.3～3.6 -40～+105 100,000 サイクル(min.) 100 1 ms

(ページ書き込み) 45 µA

1/2/4 ライン同時読み出し、シングル/クワッド入力ページ書き込み、バースト読み出し、

書き込みサスペンド、ブロック単位の読み書き保護、高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIC, 8L-SOIJ,

8C-WSON

SST26VF032B/BA 32 Mb 4M×8 104 MHz 2.3～3.6 -40～+105 100,000 サイクル(min.) 100 1 ms

(ページ書き込み) 45 µA

1/2/4 ライン同時読み出し、シングル/クワッド入力ページ書き込み、バースト読み出し、

書き込みサスペンド、ブロック単位の読み書き保護、高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIJ, 8C-WSON, 24B-TBGA

SST26VF064B/BA 64 Mb 8M×8 104 MHz 2.3～3.6 -40～+105 100,000 サイクル(min.) 100 1 ms

(ページ書き込み) 45 µA

1/2/4 ライン同時読み出し、シングル/クワッド入力ページ書き込み、バースト読み出し、

書き込みサスペンド、ブロック単位の読み書き保護、高速読み出し/書き込み/消去

8L-SOIJ, 16L-SOIC, 8C-WSON,

8C-TDFN-S, 24B-TBGA

シリアル フラッシュ小フットプリントのシリアル ペリフェラル インターフェイス フラッシュ

メモリ製品 13

パラレル フラッシュ

パラレル フラッシュMPF™ (Multi-Purpose Flash) デバイス MPF+ (Multi-Purpose Flash Plus) デバイス 39 シリーズMicrochip 社のパラレル フラッシュメモリ製品には、高性能、低消費電力、高信頼性、小セクタサイズの MPF および MPF+ デバイスがあります。Microchip 社の SuperFlash テクノロジをベースにした MPF とMPF+ は、従来のフラッシュに比べプログラム、消去、読み出しが高速化しており、消費電力の削減と製造スループット向上に貢献します。

MPF と MPF+ は 3 V と 5 V に加え 1.8 V 製品も提供しており、業界標準フラッシュに比べ大幅な消費電力の削減を実現しています。このファミリは業界最小の 4×6 mm を実現した標準パッケージ XFLGA と WFBGAでも提供しており、省スペース化が重視されるアプリケーションに理想的です。

アドバンスト MPF+ デバイス 38 シリーズアドバンスト MPF+ メモリデバイスは、標準の MPF+ ファミリの機能に加え、先進のセキュリティおよび保護機能、ページ読み出しアクセス、より高度な書き込みプログラミングの機能を備えています。現在これらデバイスは 64 Mb 品のみ提供しています。

パラレル フラッシュのアプリケーション

パラレル フラッシュの特長• 512 Kb～64 Mb の容量• ハードウェア リセット/ブートブロック/消去サスペンド• セキュリティID とページ読み書き (64 Mb 品)• 動作電圧 :

• 1.65～1.95 V、2.7～3.6 V、4.5～5.5 V• 低消費電力

• 動作電流 : 5 mA (typ.)• スタンバイ電流 : 3 µA (typ.)

• 高速読み出しアクセス• 55 および 70 ns (39 シリーズ)、25 ns (38 シリーズ)

• 高速プログラミング*• 39 シリーズ : 7 µs/ワード (typ.)• 38 シリーズ : 1.75 µs/ワード (typ.)

• 柔軟な消去機能と高速消去*• 2K ワードセクタ消去 : 18 ms (typ.)• 32K ワードブロック消去 : 18 ms (typ.)• チップ消去 : 70 ms (typ.)

• 均一な小セクタサイズ : 2K ワードと 32K ワード• 商業および産業用の動作温度レンジ• 書き込み耐性 : 100,000 サイクル (typ.)• データ保持期間 : 100 年以上• MPF+ デバイスの追加機能

• 消去サスペンド• ブートブロック• ハードウェア リセット機能

• 先進の保護機能 (38 シリーズ)

• Bluetooth• GPS• Wi-Fi/WiMAX• 携帯電話• DSL/ケーブルモデム

• サーバ、ルータ• セットトップ ボックス• デジタルカメラ• 産業用機器• 車載インフォテインメント

www.microchip.com/memory14

パラレル フラッシュバ

ス

製品

*

容量

構成

アク

セス

時間

動作

電圧

温度

レン

ジ(℃

)

消去

/書き

込み

耐性

(min

.)

デー

タ保

持期

間(年

) (m

in.)

書き

込み

速度

(typ

.)

スタ

ンバ

イ電

流(t

yp.)

書き

込み

保護

(ハー

ドウ

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)書

き込

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フト

ウェ

ア)

保護

サイ

ズ

特長

パッ

ケー

ジ**

パラレル フラッシュメモリ

×8

SST39SF010A 1 Mb 128K×8 70 ns 4.5～5.5 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 14 µs

(バイト書き込み) 30 µA – – N/A 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ

32L-PLCC, 32L-PDIP, 32L-TSOP

SST39LF010 1 Mb 128K×8 55 ns 3.0～3.6 V 0～+70 100,000 サイクル 100 14 µs (バイト書き込み) 1 µA – – N/A 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、

小さな消去セクタ48B-TFBGA, 32L-TSOP,

32L-PLCC

SST39VF010 1 Mb 128K×8 70 ns 2.7～3.6 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 14 µs

(バイト書き込み) 1 µA – – N/A 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ

48B-TFBGA, 32L-TSOP, 32L-PLCC

SST39LF020 2 Mb 256K×8 55 ns 3.0～3.6 V 0～+70 100,000 サイクル 100 14 µs (バイト書き込み) 1 µA – – N/A 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、

小さな消去セクタ48B-TFBGA, 32L-TSOP,

32L-PLCC

SST39SF020A 2 Mb 256K×8 55/70 ns 4.5～5.5 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 14 µs

(バイト書き込み) 30 µA – – N/A 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ

32L-PLCC, 32L-PDIP, 32L-TSOP

SST39VF020 2 Mb 256K×8 70 ns 2.7～3.6 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 14 µs

(バイト書き込み) 1 µA – – N/A 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ

48B-TFBGA, 32L-TSOP, 32L-PLCC

SST39SF040 4 Mb 512K×8 70 ns 4.5～5.5 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 14 µs

(バイト書き込み) 30 µA – – N/A 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ

32L-PLCC, 32L-PDIP, 32L-TSOP

SST39LF040 4 Mb 512K×8 55 ns 3.0～3.6 V 0～+70 100,000 サイクル 100 14 µs (バイト書き込み) 1 µA – – N/A 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、

小さな消去セクタ48B-TFBGA, 32L-TSOP,

32L-PLCC

SST39VF040 4 Mb 512K×8 70 ns 2.7～3.6 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 14 µs

(バイト書き込み) 1 µA – – N/A 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ

48B-TFBGA, 32L-TSOP, 32L-PLCC

SST39VF168X 16 Mb 2M×8 70 ns 2.7～3.6 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 7 µs

(バイト書き込み) 3 µA Y – 64 KB 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ 48B-TFBGA, 48L-TSOP

×16

SST39LF200A 2 Mb 128K×16 55 ns 3.0～3.6 V 0～+70 100,000 サイクル(typ.) 100 14 µs

(ワード書き込み) 3 µA – – N/A 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ 48B-TFBGA, 48L-TSOP

SST39VF200A 2 Mb 128K×16 70 ns 2.7～3.6 V 0～+70 −40～+85

100,000 サイクル(typ.) 100 14 µs

(ワード書き込み) 3 µA – – N/A 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ

48B-TFBGA, 48L-TSOP, 48B-WFBGA

SST39LF40XC 4 Mb 256K×16 55 ns 3.0～3.6 V 0～+70 100,000 サイクル 100 7 µs (ワード書き込み) 3 µA Y – 8 KB

高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ、業界標準のコマンドセットと

ブートブロック構造 48B-TFBGA, 48L-TSOP,

48B-WFBGA

SST39WF400B 4 Mb 256K×16 70 ns 1.65～1.95 V 0～+70 −40～+85

100,000 サイクル(typ.) 100 28 µs

(ワード書き込み) 40 µA – – N/A 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ

48B-TFBGA, 48B-WFBGA, 48B-XFBGA

SST39VF40XC 4 Mb 256K×16 70 ns 2.7～3.6 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 7 µs

(ワード書き込み) 3 µA Y – 8 KB高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、

小さな消去セクタ、業界標準のコマンドセットと ブートブロック構造

48B-TFBGA, 48L-TSOP, 48B-WFBGA

SST39WF800B 8 Mb 512K×16 70 ns 1.65～1.95 V 0～+70 −40～+85

100,000 サイクル(typ.) 100 28 µs

(ワード書き込み) 40 µA – – N/A 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ

48B-TFBGA, 48B-WFBGA, 48B-XFBGA

SST39LF80XC 8 Mb 512K×16 55 ns 3.0～3.6 V 0～+70 100,000 サイクル 100 7 µs (ワード書き込み) 3 µA Y – N/A

高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ、業界標準のコマンドセットと

ブートブロック構造 48B-TFBGA, 48L-TSOP,

48B-WFBGA

SST39VF80XC 8 Mb 512K×16 70 ns 2.7～3.6 V 0～70 −40～+85 100,000 サイクル 100 7 µs

(ワード書き込み) 3 µA Y – N/A高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、

小さな消去セクタ、業界標準のコマンドセットと ブートブロック構造

48B-TFBGA, 48L-TSOP, 48B-WFBGA

SST39WF160X 16 Mb 1M×16 70 ns 1.65～1.95 V 0～70 −40～+85

100,000 サイクル(typ.) 100 28 µs

(ワード書き込み) 40 µA Y – 64 KB 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ

48B-TFBGA, 48B-WFBGA, 48B-XFBGA

SST39VF160XC 16 Mb 1M×16 70 ns 2.7～3.6 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 7 µs

(ワード書き込み) 3 µA Y – 8 KB高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、

小さな消去セクタ、業界標準のコマンドセットと ブートブロック構造

48B-TFBGA, 48L-TSOP, 48B-WFBGA

SST39VF160X 16 Mb 2M×8 70 ns 2.7～3.6 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 7 µs

(バイト書き込み) 3 µA Y – 64 KB 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ 48B-TFBGA, 48L-TSOP

SST39VF320XB 32 Mb 2M×16 70 ns 2.7～3.6 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 7 µs

(ワード書き込み) 4 µA Y – 32 KB 高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ 48B-TFBGA, 48L-TSOP

SST39VF320XC 32 Mb 2M×16 70 ns 2.7～3.6 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 7 µs

(ワード書き込み) 4 µA Y – 8 KB高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、

小さな消去セクタ、業界標準のコマンドセットと ブートブロック構造

48B-TFBGA, 48L-TSOP

SST38VF640X 64 Mb 4M×16 70 ns 2.7～3.6 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 7 µs/1.75 µs

(バッファ書き込み) 3 µA Y Y 32 KB/ 8 KB

高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 小さな消去セクタ、業界標準のコマンドセットと

ブートブロック構造、セキュリティ機能 48B-TFBGA, 48L-TSOP

SST38VF640XB 64 Mb 4M×16 70 ns 2.7～3.6 V 0～+70 −40～+85 100,000 サイクル 100 7 µs/1.75 µs

(バッファ書き込み) 3 µA Y Y 32 KB/ 8 KB

高速読み出し/書き込み/消去、低消費電力、 業界標準のコマンドセットとブートブロック構造、

セキュリティ機能 48B-TFBGA, 48L-TSOP

パラレル フラッシュ高性能、低消費電力

メモリ製品 15

パラレル EEPROM

高度なリアルタイム処理に対応Microchip 社はパラレル EEPROM デバイスのトップベンダーです。パラレル EEPROM を使うと、データをバイトまたはセクタ単位で書き換えられるため、設計の柔軟性が向上します。パラレル インターフェイス デバイスを使うと、シリアル インターフェイス プロトコルを使う場合より読み出し時間を短縮できます。Microchip 社は、容量 (64 Kb～1 Mb)、動作電圧、デバイス パッケージの選択肢を豊富に提供しています。Microchip 社のBattery Voltage (2.7 V)、低電圧 (3 V)、5 V デバイスは、通信、航空用電子機器、MIL 規格アプリケーションを含む各種の製品分野で幅広く使われています。

特長• パラレル • 不揮発性メモリ• 動作電圧 : 2.7～3.6 V、3.0～3.6 V、4.5～5.5 V• 高速書き込み版も提供• 産業および MIL 規格温度レンジ (−55～+125 ℃) に対応• セラミック密封パッケージ• MIL 規格図面番号と Microchip 社の製品番号の両方をマーキング

代表的な応用• 通信• 航空用電子機器• 航空機エンジン コントローラ• ミッション クリティカルな双方向無線通信• MIL 規格システム

主な利点• ハードウェア/ソフトウェア データ保護• エラー訂正回路内蔵• 高信頼性

www.microchip.com/memory16

パラレル EEPROM

MIL 規格製品

産業用

ルート/SMD 製品番号 容量 構成 Vcc (V) 書き込み耐性 (データ保持期間 10 年) アクセス時間 (ns) セラミック パッケージ

AT28C256 5962-88525 03/06 11/14

256 Kb 32K×8

4.5～5.5 V

10k 書き込みサイクル 150, 200, 250 CERDIP (28D) CLCC (32L) FLATPACK (28F)

AT28C256E 5962-88525 05/08 13/16 100k 書き込みサイクル 150, 200, 250 CERDIP (28D) CLCC (32L) FLATPACK (28F)

AT28C256F 5962-88525 07/15 10k 書き込みサイクル 150 CERDIP (28D) CLCC (32L) FLATPACK (28F)

AT28HC256 5962-88634 01/03 10k 書き込みサイクル 90, 120 CERDIP (28D) CLCC (32L) FLATPACK (28F)

AT28HC256E 100k 書き込みサイクル 90, 120 CERDIP (28D) CLCC (32L) FLATPACK (28F)AT28HC256F 5962-88634 02/04 10k 書き込みサイクル 90、120 CERDIP (28D) CLCC (32L) FLATPACK (28F)

AT28C010 5962-38267 01/03/05/07 1 Mb 128K×8

10k 書き込みサイクル 120, 150, 200, 250 CERDIP (32D) CLCC (32L) FLATPACK (32F)

AT28C010E 100k 書き込みサイクル 120, 150 CERDIP (32D) CLCC (32L) FLATPACK (32F)

ルート製品番号 容量 構成 Vcc (V) 書き込み耐性 (データ保持期間 10 年) アクセス時間 (ns) パッケージ

AT28BV64B 64 Kb 8K×82.7～3.6

10k 書き込みサイクル 200 PLCC (32J) – SOIC (28S) TSOP (28T)

AT28BV256 256 Kb 32K×8 10k 書き込みサイクル 200 PLCC (32J) – SOIC (28S) TSOP (28T)

AT28C64B 64 Kb 8K×8

4.5～5.5

10k 書き込みサイクル 150 PLCC (32J) PDIP (28P) SOIC (28S) TSOP (28T)

AT28C256

256 Kb 32K×8

10k 書き込みサイクル 150 PLCC (32J) PDIP (28P) SOIC (28S) TSOP (28T)

AT28C256E 100k 書き込みサイクル 150 PLCC (32J) – SOIC (28S) TSOP (28T)

AT28C256F 10k 書き込みサイクル 150 PLCC (32J) – SOIC (28S) TSOP (28T)

AT28C0101 Mb 128K×8

10k 書き込みサイクル 120, 150 PLCC (32J) – – TSOP (32T)

AT28C010E 100k 書き込みサイクル 120, 150 PLCC (32J) – – TSOP (32T)

AT28HC64B64 Kb 8K×8 10k 書き込みサイクル

70, 90, 120 PLCC (32J) – SOIC (28S) TSOP (28T)

AT28HC64BF 70、90、120 PLCC (32J) – SOIC (28S) TSOP (28T)

AT28HC256

256 Kb 32K×8

10k 書き込みサイクル 70, 90, 120 PLCC (32J) – SOIC (28S) TSOP (28T)

AT28HC256E 100k 書き込みサイクル 90, 120 PLCC (32J) – SOIC (28S) TSOP (28T)

AT28HC256F 10k 書き込みサイクル 90 PLCC (32J) – SOIC (28S) TSOP (28T)

AT28LV010 1 Mb 128K×8 3.0～3.6 10k 書き込みサイクル 200 PLCC (32J) – – TSOP (32T)

メモリ製品 17

EERAM は低コスト、低消費電力のシングルチップに EEPROM バックアップ機能を備えた SRAM であり、バッテリ バックアップ機能付き SRAM より信頼性が高いソリューションを FRAM より低コストで実現できます。

特長• シリアル インターフェイス : I2C バス、1 MHz• SRAM ブロックでの無制限の書き込み耐性

• 書き込み時間がゼロ• 外部自動保存トリガ

• パワーダウンまたは Vdd 喪失時、データを EEPROM に 自動でバックアップ

• パワーアップ時、データを EEPROM から自動で復元• 自動保存時間 < 40 ns (外付けコンデンサ要)

• コンデンサ (約 20 µF) をピン 1 に接続• 低消費電力

• 読み出し : 1 mA/書き込み : 3 mA (max.)• スタンバイ電流 : 1 µA (max.)

• 8 ピンパッケージ (SOIC、PDIP、TSSOP)• EEPROM 自動バックアップによる最高水準の高信頼性

(バッテリ不要)• アプリケーションの RAM、EEPROM、FRAM をシングルチップで

置き換え• PPAP サポート付き車載グレード 1

代表的な応用• スマートメータ• プリンタ • 無制限の書き込み回数/耐性が必要なアプリケーション• 待機ステートなしが必要なアプリケーション

EERAM

4K/16K I2C EERAM 製品製品 容量 Vccレンジ (max.) クロック周波数 温度レンジ パッケージ

47l04 4 Kb 2.7～3.6 V 1 MHz −40～+85 ℃、 −40～+125 ℃ PDIP, SOIC, TSSOP

47C04 4 Kb 4.5～5.5 V 1 MHz −40～+85 ℃、 −40～+125 ℃ PDIP, SOIC, TSSOP

47l16 16 Kb 2.7～3.6 V 1 MHz −40～+85 ℃、 −40～+125 ℃ PDIP, SOIC, TSSOP

47C16 16 Kb 4.5～5.5 V 1 MHz −40～+85 ℃、 −40～+125 ℃ PDIP, SOIC, TSSOP

SupplyMonitor

Save RecallControl

SRAM

ShadowEEPROM

Data backed in EEPROM automatically

ExternalSave Trigger

ExternalCap

I2C™Bus

Recall

Save

Unlimited E/W Cycles

Zero Write Time

SRAMMCU/ASIC

I2C

Recall

Save

EEPROM

EERAM

www.microchip.com/memory18

車載メモリ製品

Microchip 社は、メモリ製品の設計/製造/試験の各段階で業界トップのプロセスを開発し、これにより世界中の自動車業界へのこれらデバイスの供給において、最も信頼されるサプライヤの 1 つとしての地位を築きました。

温度レンジI2C および SPI シリアル EEPROM に−55～+150 ℃対応品をラインナップ

• 車載ターボチャージャ、排気ガス再循環 (EGR) 装置• 車載ファンモータ、エアバルブ、フラップ、点火プラグ• エンジンルーム内

車載グレード• ISO TS-16949 (VDA6.1 を含む) の品質基準に準拠した製造システム• 立ち入り制限施設での組み立て• PPAP(生産部品承認プロセス)• AEC Q-100 製品認定基準を超える品質• はずれ値ロット検査を含む特殊なスクリーニングおよび検査手法• 車載で要求される 15 年の供給期間に対応した長期製品ライフサイ

クル

シリアル SRAMRAM へのニーズにも対応するため、Microchip 社は以下の特長を備えた SPI シリアル SRAM 製品を提供しています。

• 容易に外付け RAM を追加可能• 4 ピン SPI インターフェイス• クロックは 20 MHz• 書き込みサイクル時間ゼロ

フラッシュユニークなフラッシュセル設計

EEPROM: 堅牢な設計• ESD 保護

• 人体帯電モデル (HBM) 4,000 V 以上• マシンモデル (MM) 400 V 以上• デバイス帯電モデル (CDM) 1,000 V 以上

• ラッチアップ保護 - 全ピン 200 mA 以上• ESD 誘導ラッチアップ - Vddで 100 V (MM) 以上、

全 I/O で 400 V 以上 • 書き込み耐性は 100 万サイクル以上、

データ保持期間は 200 年以上• 最高 150 ℃で動作 (読み出しと書き込み)• パワーオン リセット (POR) とブラウンアウト リセット (BOR)

• ノイズの多い車載環境で効果的な保護を実現• 誤書き込みを排除

• ノイズ低減のためにシュミットトリガ入力フィルタを採用

ウェハー上のダイ位置を含む完全なトレーサビリティ

Source

Thicker tunneloxide reducesleakageimproving dataretention andreliability.

Drain

Poly 2

Split GateSuperFlash® Technology

Poly 1

Flash

Both Serial and ParallelSQI™ Flash Device 26XXParallel 39XX

Highest QualityQS9000; ISO/TS16949AEC-Q100-oompliantRoHS-compliantLong product life cycles

ReliabilityHigh endurance: 100,000 cycles min.Data retention: Over 100 years

Extended TemperaturesGrade 2 −40 to 105°CGrade 3 −40 to 85°C

ToolsSerial Flash Evaluation KitParallel Flash Evaluation Kit

SerialEEPROM

All Major Bus TypesSPI 25LCXXI2C™ 24LCXXMicrowire 93LCXXUNI/O® Bus 11LCXX

Complete Product LinesDensity: 128 bits to 1 MbitSpeed: Up to 20 MHz

Highest QualityQS9000; ISO/TS16949AEC-Q100-oompliantRoHS-compliantLong product life cycles

Operating VoltagesLC: 2.5–5.5 VAA: 1.7–5.5 VC: 4.5–5.5 VVL: 1.5–3.6 V

ReliabilityHigh endurance: 1 million E/W cyclesData retention: Over 200 years

Extended TemperaturesH-Temp −40 to 150°CE-Temp −40 to 125°CI-Temp −40 to 85°C

ToolsMPLAB® Starter Kit for Serial Memory ProductsTotal Endurance™ SoftwareVerilog and IBIS ModelsMicrochip Advanced Parts Selector (MAPS)

Innovative Packages and DiesPDIP, SOIC, TSSOP, T-DFN, MSOP, SOT-23, SC70, WLCSP, Die and Wafer

メモリ製品 19

資料

開発ツールMicrochip 社の開発ツールは、開発期間の短縮とコストの削減に貢献します。競争の激しい市場状況では、生産性を最大に高め、経費を最小限に抑えるために、企業は自社の製品ライフサイクルをあらゆる側面から精査する必要性に迫られています。使い方を覚えやすく低コストな開発ツールを使うと、リスクの低減と開発期間の短縮を実現できます。

シリアルメモリ製品向け MPLAB® スタータキット(DV243003)

シリアルメモリ製品向け MPLAB スタータキットを使うと、短期間で堅牢な設計を市場に投入できます。本キットは堅牢性と信頼性に優れたシリアル EEPROMを使った設計の開発を短期間で行うために必要なものを全て含み、システム

統合とハードウェア/ソフトウェアの微調整に必要な期間を大幅に短縮します。

• 3.3 V と 5.0 V のオンボード電圧を選択可能• Microchip 社の UNI/O バス、I2C、SPI、Microwire シリアル

EEPROM をサポート• 1.8～5.5 V の外部電圧をサポート• 無償の MPLAB IDE が付属• USB で PC に接続

シリアル SuperFlash キット 2 (AC243008)シリアル SuperFlash キット 2 を使うと、シリアル フラッシュを評価し、ファームウェアを短時間で開発およびテストできます。本キットは 3 つのシリアル フラッシュボードを含みます。各ボードにシリアル フラッシュ デバイスを実装済みです。実装されているシリアル フラッシュ デバイスはSST25PF040C、SST25VF020B、SST25WF080Bです。

SQI SuperFlash キット 1 (AC243009)SQI SuperFlash キット1 を使うと、SQIフラッシュを評価し、ファームウェアを短時間で開発およびテストできます。本キットは 3 つのシリアル フラッシュボードを含みます。各ボードに SQI フラッシュ デバイスを実装済みです。実装されている SQI フラッシュ デバイスは SST26VF064B、SST26VF032B、SST26WF016B です。

シリアル EEPROM プラグイン モジュール PICtail™ ボードパック (AC243003)

シリア ル EEPROM プ ラ グイン モ ジュ ー ルPICtail ボードパックは、Microchip 社製シリアル EEPROM デバイスを使った周辺機能として設計されたボード群です。これらのボードは、シリアルメモリ製品向け MPLAB スタータキットと PICkit™ 3 開発ボードだけでなく、PICtail

Plus コネクタにも接続するように設計されており、購入したその日からすぐに使えます。

• PICtail Plus コネクタおよび PICkit 3 コネクタとプラグアンドプレイ接続

• ファームウェア デバッグ用のオシロスコープ接続テストポイント (I2C と UNI/O のみ)

• Microwire バスをサポートし、アプリケーション開発の柔軟性が 最大限に向上

パラレル SuperFlash テクノロジキット 1 (AC243006-1)パラレル フラッシュPICtail Plus ドータボードは、Explorer 16 開発ボードの PICtail Plus コネクタに接続して使う評価用ボードです。パラレル SuperFlash テクノロジキット 1 は 2 つのパラレル フラッシュPICtail Plus ドータボードを含みます。各ボードにはパラレル フラッシュ デバイスを実装済みです。実装されているパラレル フラッシュ デバイスはSST38VF6401 と SST39VF1601C です。

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2017/10/31

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