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2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN 1 MCP23009/MCP23S09 特性 •8 位远程双向 I/O 端口: - I/O 引脚默认为输入引脚 开漏输出: - 5.5V 容限 - 25 mA 灌电流能力 (每引脚) - 总计 200 mA 灌电流能力 高速 I 2 C™ 接口:(MCP23009- 100 kHz - 400 kHz - 3.4 MHz 高速 SPI 接口:(MCP23S09- 10 MHz 单个硬件地址引脚:(MCP23009- 电压输入允许总线上最多有 8 个器件 可配置的中断输出引脚: - 可配置为高电平有效 (输出)、低电平有效 (输出)或开漏 (输出) 可配置的中断源: - 根据已配置默认值或引脚电平变化而发生的 电平变化中断 用于配置输入端口数据极性的极性反转寄存器 外部复位输入 待机电流低: - 1 μA -40°C T A +85°C- 6 μA +85°C T A +125°C工作电压: - 1.8V 5.5V 封装 16 引脚 QFN 3x3 [mm]18 引脚 PDIP 300 mil18 引脚 SOIC 300 mil20 引脚 SSOP 框图 GP0 GP1 GP2 GP3 GP4 GP5 GP6 GP7 I 2 C 控制 GPIO SCL SDA RESET INT 8 8 配置/控制 寄存器 SPI SI SO SCK CS MCP23S09 ADDR 串化器/ 解串器 多位 译码 MCP23009 带有开漏输出的 8 I/O 扩展器

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MCP23009/MCP23S09带有开漏输出的 8位 I/O扩展器

特性

• 8位远程双向 I/O端口:

- I/O引脚默认为输入引脚

• 开漏输出:

- 5.5V容限

- 25 mA灌电流能力(每引脚)

- 总计 200 mA灌电流能力

• 高速 I2C™接口:(MCP23009)- 100 kHz

- 400 kHz

- 3.4 MHz

• 高速 SPI接口:(MCP23S09)- 10 MHz

• 单个硬件地址引脚:(MCP23009)

- 电压输入允许总线上最多有 8个器件

• 可配置的中断输出引脚:

- 可配置为高电平有效(输出)、低电平有效(输出)或开漏(输出)

• 可配置的中断源:

- 根据已配置默认值或引脚电平变化而发生的 电平变化中断

• 用于配置输入端口数据极性的极性反转寄存器

• 外部复位输入

• 待机电流低:

- 1 µA(-40°C ≤ TA ≤ +85°C)

- 6 µA(+85°C ≤ TA ≤ +125°C)

• 工作电压:

- 1.8V至 5.5V

封装

16引脚 QFN(3x3 [mm])

18引脚 PDIP(300 mil)

18引脚 SOIC(300 mil)

20引脚 SSOP

框图

GP0GP1GP2GP3GP4GP5GP6GP7

I2C

控制

GPIO

SCLSDA

RESET

INT

8

8

配置/控制寄存器

SPISI

SO

SCK

CSMCP23S09

ADDR

串化器/解串器

多位译码

MCP23009

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 1页

MCP23009/MCP23S09

封装类型:

封装类型:

MCP23009

PDIP/SOIC QFN

VSS18

NC17

NC16

GP715

GP614

GP513

GP412

GP210

VDD 1

N/C 2

SCL 3

SDA 4

ADDR 5

RESET 6

INT 7

GP0 8 GP311

GP1 9

GP

61

5

GP

71

6

VSS 1

VDD

2NC

3

SCL 4

SD

A5

AD

DR

6

RE

SE

T7

GP312

GP211

GP110

GP09

INT

8

GP

51

4

GP

41

3

EP17

VSS20

NC19NC18

GP717

GP616GP515

GP414GP313

GP212NC11

VDD 1

NC 2

SCL 3

SDA 4

ADDR 5

RESET 6

INT 7

GP0 8

GP1 9

NC 10

SSOP

* 包括外露散热焊盘(EP);见表 1-1和表 1-2。

MCP23S09

PDIP/SOIC QFN *

VSS18

NC17

GP716

GP615

GP514

GP413

GP312

GP110

VDD 1

NC 2

CS 3

SCK 4

SI 5

SO 6

RESET 7

INT 8 GP211

GP0 9

GP

615

GP

716

VSS 1

SCK 2

VDD 3

CS 4

SI

5

SO

6

R

ES

ET

7

GP312

GP211

GP110

GP09

INT

8

GP

514

GP

413

EP17

* 包括外露散热焊盘(EP);见表 1-1和表 1-2。

DS22121B_CN 第 2页 2011 Microchip Technology Inc.

MCP23009/MCP23S09

1.0 器件概述

MCP23X09器件为 I2C总线或SPI应用提供 8位的通用并行 I/O扩展。两种器件仅在串行接口上有差异。

• MCP23009——I2C接口

• MCP23S09——SPI接口

MCP23X09由用于输入、输出和极性选择的多个 8位配置寄存器组成。系统主器件可通过写入 I/O配置位将 I/O使能为输入或输出。每个输入或输出的数据都保存在对应的输入或输出寄存器中。输入端口寄存器的极性可用极性反转寄存器反转。所有寄存器都可由系统主器件读取。

中断输出可配置为在两种条件下激活(互斥):

1. 任何输入状态与其对应的输入端口寄存器状态不一致时。这用于指示系统主器件,输入状态已更改。

2. 输入状态和预配置的寄存器值(DEFVAL寄存器)不同时。

“中断捕捉”寄存器会捕捉发生中断时的端口值,从而保存引起中断的条件。

“上电复位”(Power-on Reset, POR)会将寄存器设 置为它们的默认值,并初始化器件状态机。

硬件地址引脚用于确定器件地址。

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 3页

MCP23009/MCP23S09

1.1 引脚说明

表 1-1: I2C™引脚说明(MCP23009)

引脚名称

18引脚PDIP/SOIC

16引脚QFN

20引脚 SSOP

引脚类型

标准功能

VDD 1 3 1 P 电源

VSS 18 1 20 P 接地

SCL 3 4 3 I 串行时钟输入

SDA 4 5 4 I/O 串行数据 I/OADDR 5 6 5 I 硬件地址引脚最多可允许总线上有 8个从器件

RESET 6 7 6 I 硬件复位

INT 7 8 7 O 端口的中断输出。可被配置为高电平有效(输出)、低电平有效(输出)或开漏(输出)。

GP0 8 9 8 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 /或内部上拉电阻。

GP1 9 10 9 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 /或内部上拉电阻。

GP2 10 11 12 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 /或内部上拉电阻。

GP3 11 12 13 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 /或内部上拉电阻。

GP4 12 13 14 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 /或内部上拉电阻。

GP5 13 14 15 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 /或内部上拉电阻。

GP6 14 15 16 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 /或内部上拉电阻。

GP7 15 16 17 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 /或内部上拉电阻。

NC 2, 16, 17

2 2,10, 11,19,

18

未连接

EP — 17 外露散热焊盘(EP)。不要有电气连接。可连接到 VSS。

DS22121B_CN 第 4页 2011 Microchip Technology Inc.

MCP23009/MCP23S09

表 1-2: SPI引脚说明(MCP23S09)

引脚名称

18引脚PDIP/SOIC

16引脚 QFN

引脚类型

标准功能

VDD 1 3 P 电源(支持高电流)

VSS 18 1 P 接地(支持高电流)

CS 3 4 I 片选

SCK 4 2 I 串行时钟输入

SI 5 5 I 串行数据输入

SO 6 6 O 串行数据输出

RESET 7 7 I 硬件复位(必须从外部偏置)

INT 8 8 O 端口的中断输出。可被配置为高电平有效(输出)、低电平有效(输出)或开漏(输出)。

GP0 9 9 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 / 或内部上拉电阻。

GP1 10 10 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 / 或内部上拉电阻。

GP2 11 11 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 / 或内部上拉电阻。

GP3 12 12 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 / 或内部上拉电阻。

GP4 13 13 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 / 或内部上拉电阻。

GP5 14 14 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 / 或内部上拉电阻。

GP6 15 15 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 / 或内部上拉电阻。

GP7 16 16 I/O 双向 I/O 引脚(5.5V 容限输入;开漏输出)。可被使能用于电平变化中断和 / 或内部上拉电阻。

NC 2, 17 — 未连接

EP — 17 — 外露散热焊盘(EP)。不要有电气连接。可以连接到 VSS。

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 5页

MCP23009/MCP23S09

1.2 上电复位(POR)

在 VDD 上升到足以禁止 POR 电路(即,将器件从复位状态释放)的电压之前,片上的 POR电路将使器件保持在复位状态。最大VDD上升时间在电气规范部分中指定。

当器件退出 POR条件(从复位状态释放)时,器件的工作参数(即电压、温度和串行总线频率等)必须得到满足,以确保其正常工作。

1.3 串行接口

该功能块处理 I2C(MCP23009)或 SPI(MCP23S09)接口协议功能。MCP23X09包含 11个可通过串行接口模块(表 1-3)寻址的独立寄存器。

表 1-3: 寄存器地址

1.3.1 字节模式和顺序模式

MCP23X09 能够工作于“字节模式”或“顺序模式”(IOCON.SEQOP)。不要将字节模式和顺序模式与 I2C的字节操作和顺序操作混淆。此处所述的模式与器件的内部地址指针以及在串行接口上传送每个字节后内部地址指针是否递增有关。

字节模式禁止地址指针自动递增。工作于字节模式时,MCP23X09在数据传送期间,传送每个字节后不会递增其内部地址计数器。这样可实现通过提供额外时钟(无需其他控制字节)连续访问同一地址的功能。这对查询GPIO 寄存器以检查有无数据更改或连续写入输出锁存器很有用。

顺序模式可使地址指针自动递增。工作于顺序模式时,MCP23X09在数据传送期间,传送每个字节后会递增其地址计数器。访问最后一个寄存器后,地址指针自动返回到地址 00h。

不要将这两种模式与单写 /读及连续写 /读混淆,后者是串行协议序列。例如,器件可配置为字节模式,系统主器件可执行连续读操作。在这种情况下,MCP23X09将不会递增地址指针,而会重复地从相同位置驱动数据。

1.3.2 I2C™接口

1.3.2.1 I2C™写操作

I2C写操作包括控制字节和寄存器地址序列,如图 1-1底部所示。该序列后面跟随来自系统主器件的 8位数据和来自MCP23009的应答(ACK)。该操作以系统主器件生成的“停止”(P)或“重新启动”(SR)条件结束。

每次传送字节之后,数据将写入MCP23009。如果在数据传送期间生成了“停止”或“重复启动”条件,数据将不会写入MCP23009。

MCP23009支持“字节模式”和“顺序模式”。如果使能了顺序模式(默认),MCP23009在数据传送期间,会在发送每个 ACK后递增其地址计数器。

1.3.2.2 I2C™读操作

I2C读操作包括控制字节序列,如图 1-1底部所示。该序列后面跟随另一个 R/W位等于逻辑 1(R/W = 1)的 控制字节(包括“启动”条件和 ACK)。 MCP23009随后会发送被寻址寄存器中包含的数据。该序列以系统主器件生成“停止”或“重新启动”条件结束。

1.3.2.3 I2C™顺序写入 /读取

对于顺序操作(读操作或写操作),在完成数据传送后,系统主器件将发送地址指针指向的下一字节,而不是发送“停止”或“重新启动”条件(关于顺序操作控制的详细信息,请参见第1.3.1节“字节模式和顺序模式”)。

该序列以系统主器件发送“停止”或“重新启动”条件结束。

MCP23009地址指针在到达最后一个寄存器地址后,将返回到地址 0。

请参见图 1-1。

地址 访问:

00h IODIR

01h IPOL

02h GPINTEN

03h DEFVAL

04h INTCON

05h IOCON

06h GPPU

07h INTF

08h INTCAP(只读)09h GPIO

0Ah OLAT

DS22121B_CN 第 6页 2011 Microchip Technology Inc.

MCP23009/MCP23S09

1.3.3 SPI接口

MCP23S09可工作在模式 0,0和模式 1,1下。两种模式的区别在于时钟的空闲状态。

模式 0,0:时钟的空闲状态为低电平。在时钟的上升沿锁存输入数据;在时钟的下降沿驱动输出数据。

模式 1,1:时钟的空闲状态为高电平。在时钟的上升沿锁存输入数据;在时钟的下降沿驱动输出数据。

1.3.3.1 SPI写操作

SPI写操作是通过拉低 CS开始的。随后,写命令(从器件地址,R/W位清零)被发送到器件。操作码后面跟随地址及至少一个数据字节。

1.3.3.2 SPI读操作

SPI读操作是通过拉低 CS开始的。随后, SPI读命令(从器件地址, R/W位置 1)被发送到器件。操作码后面跟随地址及器件发出的至少一个数据字节。

1.3.3.3 SPI顺序写入/读取

对于顺序操作,系统主器件发送地址指针指向的下一字节,而不是通过提升 CS 取消选择器件。(关于顺序操作控制的详细信息,请参见第 1.3.1节“字节模式和顺序模式”。)

序列以拉高 CS结束。

MCP23S09地址指针在到达最后一个寄存器地址后,将返回到地址 0。

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 7页

MCP23009/MCP23S09

图 1-1: MCP23009 I2C™器件协议

S

P

SR

w

R

OP

ADDR

DOUT

DIN

—— 启动

—— 重新启动

—— 停止

—— 写入

—— 读取

—— 器件操作码

—— 器件地址

—— MCP23009的数据输出

—— MCP23009的数据输入

S P

SR

W

R

OP ADDR DIN DIN....

S

P

W

R

OP

ADDR

DOUT DOUT.... P

SR WOP ADDR DIN.... P

P

SR R

DOUT DOUT....

P

OP DOUT DOUT.... P

SR OP DOUT.... P

OP

DIN

S PWOP ADDR DIN DIN....

字节写入和顺序写入

S WOP SR ROP DOUT DOUT.... P

字节读取和顺序读取

S WOP ADDR DIN P

S WOP SR ROP DOUT P

字节

顺序

字节

顺序

ADDR

ADDR

DS22121B_CN 第 8页 2011 Microchip Technology Inc.

MCP23009/MCP23S09

1.4 多位地址译码器

ADDR引脚用于设置 MCP23009(仅限 I2C)的从器件地址,以便在仅使用单个引脚的情况下允许总线上最多有 8个器件。通常,这需要三个引脚。

多位地址译码器采用基本全并行 ADC架构(图 1-4)。7个比较器根据模拟输入生成 8个惟一值。该值在串行操作码中转换为与地址位(A2、A1和 A0)对应的 3位代码。

操作序列(关于时序,请参见图 1-5):

1. 上电后(VDD稳定后),模块在时间 tADEN后激活。请注意,ADDR引脚上的模拟值在此时间点之前必须稳定,以确保地址分配准确。

2. 在 tADDRLAT之后对 3位地址进行锁存。3. 在检测到串行时钟的第一个上升沿之后(tADDIS),模块掉电。

地址位锁存后,器件将保持从器件地址,直到发生 POR或复位条件为止。

1.4.1 计算 ADDR上的电压

计算 ADDR 引脚上所需的电压(V2)时,设定值应该为 ADC的 LSb的中点。

图 1-2和图 1-3中的示例显示了如何根据分压器电路确定中点电压(V2)和电压范围。最大容差为 20%,不过建议将 5%容差作为最坏情况(10%总容差)。

图 1-2: 分压器示例

R2

A0

A1

A2

V2

R1

VDD仅限 MCP23009

VDD

VSS

VSS

ADDR

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 9页

MCP23009/MCP23S09

图 1-3: 电压和代码示例

n = A2 A1 A0 = R2/(R1+R2)

V2 = ADDR V2 = V2 - (VDD/8) x %V2 = V2 + (VDD/8) x %

VDD= 1.8n R2=2n+1 R1=16-R2 R2/(R1+R2) V2 V2 V2

0 1 15 0.0625 0.113 0.00 0.141 3 13 0.1875 0.338 0.32 0.362 5 11 0.3125 0.563 0.54 0.593 7 9 0.4375 0.788 0.77 0.814 9 7 0.5625 1.013 0.99 1.045 11 5 0.6875 1.238 1.22 1.266 13 3 0.8125 1.463 1.44 1.497 15 1 0.9375 1.688 1.67 1.80

VDD= 2.7n R2=2n+1 R1=16-R2 R2/(R1+R2) V2 V2 V2

0 1 15 0.0625 0.169 0.00 0.191 3 13 0.1875 0.506 0.48 0.532 5 11 0.3125 0.844 0.82 0.873 7 9 0.4375 1.181 1.16 1.204 9 7 0.5625 1.519 1.50 1.545 11 5 0.6875 1.856 1.83 1.886 13 3 0.8125 2.194 2.17 2.227 15 1 0.9375 2.531 2.51 2.70

VDD= 3.3n R2=2n+1 R1=16-R2 R2/(R1+R2) V2 V2 V2

0 1 15 0.0625 0.206 0.00 0.231 3 13 0.1875 0.619 0.60 0.642 5 11 0.3125 1.031 1.01 1.053 7 9 0.4375 1.444 1.42 1.474 9 7 0.5625 1.856 1.83 1.885 11 5 0.6875 2.269 2.25 2.296 13 3 0.8125 2.681 2.66 2.707 15 1 0.9375 3.094 3.07 3.30

VDD= 5.5n R2=2n+1 R1=16-R2 R2/(R1+R2) V2 V2 V2

0 1 15 0.0625 0.344 0.00 0.371 3 13 0.1875 1.031 1.01 1.052 5 11 0.3125 1.719 1.70 1.743 7 9 0.4375 2.406 2.38 2.434 9 7 0.5625 3.094 3.07 3.125 11 5 0.6875 3.781 3.76 3.806 13 3 0.8125 4.469 4.45 4.497 15 1 0.9375 5.156 5.13 5.50

10%

10%

10%

10%

DS22121B_CN 第 10页 2011 Microchip Technology Inc.

MCP23009/MCP23S09

图 1-4: 全并行 ADC框图

analog_in

VDD

gnd

adc_en

adc_en

adc_en

adc_en

adc_en

adc_en

adc_en

addr_out[6]

addr_out[5]

addr_out[4]

addr_out[3]

addr_out[2]

addr_out[1]

addr_out[0]

en

d qaddr[6:0]

置位d q'0'

i2c_clk

adc_en

adc_en

adc_en

复位

i2c_addr[2:0]

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 11页

MCP23009/MCP23S09

图 1-5: 硬件地址译码时序

1.4.2 对 I2C™器件(MCP23009)寻址

MCP23009是 I2C从器件,支持 7位从器件寻址,寻址时控制字节中应填入读 /写位。从器件地址包含 4个固定位和 3 个用户定义的硬件地址位(通过 ADDR 引脚配置)。图 1-6给出了控制字节格式。

1.4.3 对 SPI器件(MCP23S09)寻址

MCP23S09是 SPI从器件。从器件地址包含 7个固定位(无地址位),在寻址时控制字节中应填入读 /写位。图 1-7给出了控制字节格式。

图 1-6: I2C™控制字节格式

图 1-7: SPI控制字节格式

VDD

adc_en

i2c_addr[2:0]

i2c_clk

tADEN

tADDRLAT

tADDIS

S 0 1 0 0 A2 A1 A0 R/W ACK

起始位

从器件地址

R/W位ACK位

控制字节

R/W = 0 = 写R/W = 1 = 读

0 1 0 0 0 0 0 R/W

从器件地址

R/W位

控制字节

R/W = 0 = 写R/W = 1 = 读

CS

DS22121B_CN 第 12页 2011 Microchip Technology Inc.

MCP23009/MCP23S09

图 1-8: I2C™寻址寄存器

图 1-9: SPI寻址寄存器

S 0 1 0 0 A2 A1 A0 0 ACK A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 ACK

器件操作码 寄存器地址

R/W = 0

ACK由 MCP23009提供。

0 1 0 0 0 0 0 R/W A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

器件操作码 寄存器地址

CS

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 13页

MCP23009/MCP23S09

1.5 GPIO端口

GPIO模块是通用的 8位宽双向端口。

输出为开漏输出。

GPIO 模块包含数据端口(GPIOn)、内部上拉电阻和输出锁存器(OLATn)。

上拉电阻为单独配置,并且在引脚配置为输入或输出后可以使能。

读取 GPIOn寄存器将读取端口上的值。读取 OLATn寄存器将只读取锁存器,而不是端口上的实际值。

写入 GPIOn 寄存器实际将产生对锁存器(OLATn)的写操作。写入 OLATn 寄存器会将关联的输出驱动器驱动至 OLATn 中的电平。配置为输入的引脚将关闭关联的输出驱动器,并将它置于高阻状态。

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1.6 配置和控制寄存器

有十一(11)个寄存器与MCP23X09关联,如表 1-4中所示。

表 1-4: 配置和控制寄存器

寄存器名称地址

(十六进制)bit 7 bit 6 bit 5 bit 4 bit 3 bit 2 bit 1 bit 0 POR/RST值

IODIRA 00 IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 1111 1111IPOLA 01 IP7 IP6 IP5 IP4 IP3 IP2 IP1 IP0 0000 0000GPINTENA 02 GPINT7 GPINT6 GPINT5 GPINT4 GPINT3 GPINT2 GPINT1 GPINT0 0000 0000DEFVALA 03 DEF7 DEF6 DEF5 DEF4 DEF3 DEF2 DEF1 DEF0 0000 0000INTCONA 04 IOC7 IOC6 IOC5 IOC4 IOC3 IOC2 IOC1 IOC0 0000 0000IOCON 05 — — SEQOP — — ODR INTPOL INTCC 0000 0000GPPUA 06 PU7 PU6 PU5 PU4 PU3 PU2 PU1 PU0 0000 0000INTFA 07 INT7 INT6 INT5 INT4 INT3 INT2 INT1 INTO 0000 0000INTCAPA 08 ICP7 ICP6 ICP5 ICP4 ICP3 ICP2 ICP1 ICP0 0000 0000GPIOA 09 GP7 GP6 GP5 GP4 GP3 GP2 GP1 GP0 0000 0000OLATA 0A OL7 OL6 OL5 OL4 OL3 OL2 OL1 OL0 0000 0000

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1.6.1 I/O方向寄存器

控制数据 I/O的方向。

某个位置 1 后,对应的引脚成为输入。某个位清零后,对应的引脚成为输出。

寄存器 1-1: IODIR——I/O方向寄存器

R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1

IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

bit 7 bit 0

图注:

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位,读为 0

- n = POR值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知

bit 7-0 IO7:IO0:控制数据 I/O的方向 <7:0>

1 = 引脚配置为输入0 = 引脚配置为输出

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1.6.2 输入极性寄存器

该寄存器使用户可以在对应 GPIO 端口位上配置引脚极性。

如果某个位置 1,对应的 GPIO寄存器位将反映引脚上的反转值。

寄存器 1-2: IPOL——输入极性端口寄存器

R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0

IP7 IP6 IP5 IP4 IP3 IP2 IP1 IP0

bit 7 bit 0

图注:

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位,读为 0

- n = POR值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知

bit 7-0 IP7:IP0:控制输入引脚的极性反转 <7:0>

1 = GPIO寄存器位将反映输入引脚的相反逻辑状态0 = GPIO寄存器位将反映输入引脚的相同逻辑状态

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1.6.3 电平变化中断控制寄存器

GPINTEN寄存器控制每个引脚的电平变化中断功能。

如果某个位置 1,对应引脚将允许电平变化中断。如果任何引脚允许电平变化中断,则也必须配置 DEFVAL和INTCON寄存器。

寄存器 1-3: GPINTEN——电平变化中断引脚

R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0

GPINT7 GPINT6 GPINT5 GPINT4 GPINT3 GPINT2 GPINT1 GPINT0

bit 7 bit 0

图注:

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位,读为 0

- n = POR值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知

bit 7-0 GPINT7:GPINT0:通用 I/O电平变化中断引脚 <7:0>

1 = 允许 GPIO输入引脚的电平变化中断事件0 = 禁止 GPIO输入引脚的电平变化中断事件

请参见 INTCON和 DEFVAL。

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1.6.4 电平变化中断的默认值比较寄存器

默认比较值在 DEFVAL 寄存器中配置。如果使能(通过 GPINTEN 和 INTCON)与 DEFVAL 寄存器进行比较,则关联引脚上出现相反值时,将导致发生中断。

寄存器 1-4: DEFVAL——默认值寄存器

R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0

DEF7 DEF6 DEF5 DEF4 DEF3 DEF2 DEF1 DEF0

bit 7 bit 0

图注:

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位,读为 0

- n = POR值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知

bit 7-0 DEF7:DEF0:设置以下引脚的比较值:引脚配置为根据默认值来产生电平变化中断 <7:0>。请参见INTCON。

如果关联引脚的电平与寄存器位的值相反,则发生中断。

请参见 INTCON和 GPINTEN。

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1.6.5 中断控制寄存器

INTCON寄存器控制如何比较关联引脚值,以使用电平变化中断功能。如果某个位置 1,对应的 I/O 引脚将与DEFVAL 寄存器中的关联位进行比较。如果某个位清零,对应的 I/O引脚将与先前值进行比较。

寄存器 1-5: INTCON——电平变化中断控制寄存器

R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0

IOC7 IOC6 IOC5 IOC4 IOC3 IOC2 IOC1 IOC0

bit 7 bit 0

图注:

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位,读为 0

- n = POR值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知

bit 7-0 IOC7:IOC0:控制如何比较关联引脚值,以产生电平变化中断 <7:0>。

1 = 引脚值与 DEFVAL寄存器中的关联位进行比较0 = 引脚值与先前引脚值进行比较

请参见 DEFVAL和 GPINTEN。

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1.6.6 配置寄存器

顺序操作(SEQOP)控制地址指针的递增功能。如果禁止地址指针,则在串行传送期间,传送每个字节后不会自动递增地址指针。该功能在需要连续查询(读)或修改(写)寄存器时很有用。

开漏(输出)(ODR)控制位使能 /禁止 INT引脚配置为开漏(输出)。

中断极性(INTPOL)设置 INT引脚的极性。该位仅在ODR位清零时起作用,它将 INT引脚配置为有源推挽输出。

中断清除控制(INTCC)配置如何清除中断。置 1 (INTCC = 1)后,读取 INTCAP寄存器时将清除中断。 清零(INTCC = 0)后,读取 GPIO寄存器将清除中断。

仅当中断条件无效时才能清除中断。有关详细信息,请参见第 1.7.4节“清除中断”。

寄存器 1-6: IOCON——I/O扩展器配置寄存器

U-0 U-0 R/W-0 U-0 U-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0

- - SEQOP - - ODR INTPOL INTCC

bit 7 bit 0

图注:

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位,读为 0

- n = POR值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知

bit 7 未实现:读为 0

bit 6 未实现:读为 0

bit 5 SEQOP:顺序操作模式位。

1 = 禁止顺序操作,地址指针不递增0 = 使能顺序操作,地址指针递增

bit 4 未实现:读为 0

bit 3 未实现:读为 0

bit 2 ODR:将 INT引脚配置为开漏输出。

1 = 开漏输出(覆盖 INTPOL位)0 = 有源驱动器输出(INTPOL位设置极性)

bit 1 INTPOL:设置 INT输出引脚的极性。

1 = 高电平有效0 = 低电平有效

bit 0 INTCC:中断清除控制。1 = 读取 INTCAP寄存器会清除中断0 = 读取 GPIO寄存器会清除中断

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1.6.7 上拉电阻配置寄存器

GPPU寄存器控制端口引脚的上拉电阻。如果某个位置1,则对应端口引脚将使用内部电阻进行内部上拉。

图 1-10: 内部上拉电阻的典型性能曲线

寄存器 1-7: GPPU——GPPU上拉电阻寄存器

R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0

PU7 PU6 PU5 PU4 PU3 PU2 PU1 PU0

bit 7 bit 0

图注:

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位,读为 0

- n = POR值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知

bit 7-0 PU7:PU0:控制每个引脚上的内部上拉电阻(配置为输入或输出时) <7:0>。

1 = 上拉使能0 = 上拉禁止

GPIO Pin Internal Pull-up Current vs VDD

0

50

100

150

200

250

300

350

400

1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5

VDD (V)

IPU

(礎

)

T = -40癈

T = +25癈

T = +125癈

T = +85癈

GPIO引脚内部上拉电阻电流—VDD曲线

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1.6.8 中断标志寄存器

INTF寄存器反映通过GPINTEN寄存器使能中断的所有引脚的端口引脚上的中断条件。置 1位表示关联引脚引起了中断。

该寄存器是“只读”的。对该寄存器的写操作将被忽略。

寄存器 1-8: INTF——中断标志寄存器

R-0 R-0 R-0 R-0 R-0 R-0 R-0 R-0

INT7 INT6 INT5 INT4 INT3 INT2 INT1 INT0

bit 7 bit 0

图注:

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位,读为 0

- n = POR值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知

bit 7-0 INT7:INT0:反映端口上的中断条件。只有在使能中断(GPINTEN)时才会反映变化 <7:0>。

1 = 引脚导致的中断0 = 中断未挂起

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1.6.9 中断捕捉寄存器

INTCAP寄存器会在发生中断时捕捉 GPIO端口值。寄存器是“只读”的,仅在发生中断时会更新。寄存器将保持不变,直到通过 INTCAP或 GPIO的读操作清除了中断为止。

寄存器 1-9: INTCAP——端口寄存器的中断捕捉值

R-x R-x R-x R-x R-x R-x R-x R-x

ICP7 ICP6 ICP5 ICP4 ICP3 ICP2 ICP1 ICP0

bit 7 bit 0

图注:

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位,读为 0

- n = POR值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知

bit 7-0 ICP7:ICP0:反映在由于引脚变化而发生中断时端口引脚上的逻辑电平 <7:0>。

1 = 逻辑高电平0 = 逻辑低电平

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1.6.10 端口寄存器

GPIO寄存器将反映端口上的值。从该寄存器读取数据时将读取端口。写入该寄存器将修改输出锁存器(OLAT)寄存器。

寄存器 1-10: GPIO——通用 I/O端口寄存器

R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0

GP7 GP6 GP5 GP4 GP3 GP2 GP1 GP0

bit 7 bit 0

图注:

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位,读为 0

- n = POR值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知

bit 7-0 GP7:GP0:反映引脚上的逻辑电平 <7:0>。

1 = 逻辑高电平0 = 逻辑低电平

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1.6.11 输出锁存器寄存器(OLAT)

OLAT 寄存器提供对输出锁存器的访问。从该寄存器读取数据将读取 OLAT,而不是端口本身。写入该寄存器将修改输出锁存器,后者将修改配置为输出的引脚。

寄存器 1-11: OLAT——输出锁存器寄存器 0

R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0

OL7 OL6 OL5 OL4 OL3 OL2 OL1 OL0

bit 7 bit 0

图注:

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位,读为 0

- n = POR值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知

bit 7-0 OL7:OL0:反映输出锁存器上的逻辑电平 <7:0>。

1 = 逻辑高电平0 = 逻辑低电平

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1.7 中断逻辑

如果使能,MCP23X09将在任一端口引脚状态发生变化或某个引脚与预配置的默认值不匹配时,激活 INT中断输出。每个引脚可以按以下方式单独配置:

• 通过 GPINTEN允许 /禁止中断

• 可在任一引脚发生变化或引脚变为与DEFVAL中配置的默认值不同时发生中断

两种条件都称为电平变化中断(IOC)。

中断控制模块使用以下寄存器 /位:

• GPINTEN——中断允许寄存器

• INTCON——控制 IOC源

• DEFVAL——包含 IOC操作的寄存器默认值

• IOCON(ODR和 INPOL)——将 INT引脚配置为推挽(输出)、开漏(输出)和电平有效(输出)(高电平或低电平)。

1.7.1 根据引脚电平变化引起 IOC

如果使能,则在当前端口值和先前端口值不匹配时,MCP23X09 将生成中断。只会对使能 IOC 的引脚进行比较。请参见 GPINTEN和 INTCON寄存器。

1.7.2 根据寄存器默认值引起 IOC

如果使能, MCP23X09将在 DEFVAL寄存器和端口不匹配时生成中断。只会对使能 IOC的引脚进行比较。请参见 GPINTEN、 INTCON和 DEFVAL寄存器。

1.7.3 中断操作

INT 中断输出可通过 IOCON 寄存器配置为低电平有效(输出)、高电平有效(输出)或开漏(输出)。

只有那些配置为输入(IODIR寄存器)且允许电平变化中断(IOC)(GPINTEN 寄存器)的引脚可以引起中断。配置为输出的引脚对中断输出引脚无影响。

允许 IOC的端口输入引脚上的输入变化活动将生成一个内部器件中断,器件会捕捉端口值并将其复制到 INTCAP中。

第一个中断事件会导致端口内容被复制到 INTCAP寄存器中。只要中断未通过读取 INTCAP或 GPIO而清除,端口上的后续中断条件都不会引起中断。

1.7.4 清除中断

中断将保持有效,直到读取 INTCAP或 GPIO寄存器为止(取决于 IOCON.INTCC)。写入这些寄存器不会影响中断。在 GPIO或 INTCAP的读操作期间发送数据的LSb后,中断条件将被清除(取决于 IOCON.INTCC)。

注: 假设 IOCON.INTCC = 0(读取 GPIO时清 除 INT):如果在另一个 IOC等待处理时,在读取 INTCAP 之前先读取 GPIO,则INTCAP中的值会丢失。读取 GPIO后,中断将清除,随后又由于等待处理的 IOC 而置 1,从而导致 INTCAP寄存器更新。

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1.7.5 中断条件

有两种可能的配置会引起中断(通过 INTCON配置):

1. 对于配置为引脚电平变化中断的引脚,引脚电平变为相反状态时将引起中断。发生中断后,引脚将复位为默认状态。例如,由于输入从 1变为 0而引起的中断。引脚新的初始状态是逻辑 0。

2. 对于配置为根据寄存器值引发电平变化中断的引脚,在对应的输入引脚与寄存器位不一致时,将引起中断。只要中断条件存在,中断条件将一直保持,直到读取 INTAP或 GPIO为止。

关于中断操作的更多信息,请参见图 1-11和图 1-12。

图 1-11: 引脚电平变化中断

图 1-12: 根据寄存器默认值而引发电平变化中断

GPx

INT 有效 有效

端口值捕获至

读取 GPIO或 INTCAP

端口值捕获至INTCAP中INTCAP中

INT

端口值捕获至INTCAP中

读取 GPIO或 INTCAP

DEFVAL

X X X X X 1 X X

GP2

7 6 5 4 3 2 1 0GP:

有效有效

(INT仅在中断条件不存在时清除。)

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2.0 电气特性

绝对最大额定值 (†)

偏置电压下的环境温度 ........................................................................................................................... -40°C至 +125°C

存储温度................................................................................................................................................. -65°C至 +150°C

VDD引脚相对于 VSS的电压.......................................................................................................................-0.3V至 +7.0V

RESET引脚相对于 VSS的电压 ..................................................................................................................-0.3V至 +14V

所有其他引脚(除 VDD和 GPIOA/B外)相对于 VSS的电压 ..................................................... -0.6V至(VDD + 0.6V)

GPIO引脚上的电压:...................................................................................................................................-0.6V至 5.5V

总功耗(注 1).....................................................................................................................................................700 mW

流出 VSS引脚的最大电流......................................................................................................................................200 mA

流入 VDD引脚的最大电流 .....................................................................................................................................125 mA

输入钳位电流, IIK(VI < 0或 VI > VDD)......................................................................................................................... ±20 mA

输出钳位电流, IOK(VO < 0或 VO > VDD).................................................................................................................... ±20 mA

任一输出引脚的最大输出灌电流..............................................................................................................................25 mA

任一输出引脚的最大输出灌电流(VDD = 1.8V)....................................................................................................10 mA

注 1: 功耗计算公式为: Pdis = VDD x {IDD - IOH} + {(VDD-VOH) x IOH} + (VOL x IOL)

† 注:如果器件工作参数超过上述各项最大额定值,可能对器件造成永久性损坏。上述值仅为工作条件的极大值,我们不建议器件工作在该规范范围以外。器件长时间工作在绝对极限参数条件下,其稳定性可能受到影响。

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2.1 直流特性

直流特性工作条件(除非另外说明): 1.8V ≤ VDD ≤ 5.5V, -40°C ≤ TA ≤ +125°C

参数编号 特性 符号 最小值 典型值 (2) 最大值 单位 条件

D001 供电电压 VDD 1.8 — 5.5 V

D002 确保上电复位信号的VDD启动电压

VPOR — VSS — V

D003 确保上电复位信号的VDD上升率

SVDD 0.05 — — V/ms 仅供设计参考。 未经测试。

D004 供电电流 IDD — — 1 mA SCL/SCK = 1 MHz

D005 待机(空闲)电流 IDDS — — 1 µA –40°C ≤ TA ≤ +85°C

— — 6 µA +85°C ≤ TA ≤ +125°C

输入低电压

D031 CS, GPIO, SCL/SCK, SDA,SI, RESET

VIL VSS — 0.2 VDD V

输入高电压

D041 CS, SCL/SCK,SDA, SI, RESET

VIH 0.8 VDD — VDD V

GPIO VIH 0.8 VDD — 5.5 V

输入泄漏电流

D060 I/O端口引脚 IIL — — ±1 µA VSS ≤ VPIN ≤ VDD,

输出泄漏电流

D065 I/O端口引脚 ILO — — ±1 µA VSS ≤ VPIN ≤ VDD,

D070 GPIO内部上拉电流 IPU — 220 — µA VDD = 5V, GP引脚 = VSS

注 1

输出低电压

D080 GPIO VOL — — 0.6 V IOL = 8.5 mA, VDD = 4.5V(开漏输出)

INT — — 0.6 V IOL = 1.6 mA, VDD = 4.5V

SO, SDA — — 0.6 V IOL = 3.0 mA, VDD = 1.8V

SDA — — 0.8 V IOL = 3.0 mA, VDD = 4.5V

输出高电压

D090 INT, SO VOH VDD – 0.7 — — V IOH = -3.0 mA, VDD = 4.5V

VDD – 0.7 — — IOH = -400 µA, VDD = 1.8V

输出引脚上的容性负载规格

D101 GPIO, SO, INT CIO — — 50 pF

D102 SDA CB — — 400 pF

注 1: 该参数为特性值,未经 100%测试。

2: 除非另外说明,否则“典型值”列中的数据适用条件为 5V, +25°C。

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2.2 交流特性

图 2-1: 器件时序规格的负载条件

图 2-2: RESET和器件复位定时器时序

表 2-1: RESET和器件复位定时器要求

交流特性 标准工作条件(除非另外说明)1.8V ≤ VDD ≤ 5.5V, -40°C ≤ TA ≤ +125°C

参数编号 符号 特性 最小值 典型值 (2) 最大值 单位 条件

30 TRSTL RESET脉冲宽度(低电平) 1 — — µs VDD = 5.0V

32 THLD 器件在复位为高电平后有效 — 0 — µs VDD = 5.0V

31 TPOR 器件上电时 POR — 20 — µs VDD = 5.0V

34 TioZ 从 RESET低电平到输出高阻状态 — — 1 µs

注 1: 该参数为特性值,未经 100%测试。

2: 除非另外说明,否则“典型值”列中的数据适用条件为 5V, +25°C。

135 pF

1 kΩ

VDD

SCL和SDA引脚MCP23009

50 pF

引脚

VDD

RESET

内部RESET

34

输出引脚

323031

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表 2-2: GP和 INT引脚

图 2-3: GPIO和 INT时序

交流特性 标准工作条件(除非另外说明)1.8V ≤ VDD ≤ 5.5V, -40°C ≤ TA ≤ +125°C

参数编号符号 特性 最小值 典型值 (2) 最大值 单位 条件

50 tGPOV 串行数据到输出有效 — — 500 ns

51 tINTD 中断引脚禁止时间 — — 600 ns

52 tGPIV GP输入电平变化到寄存器有效 — 450 — ns 注 1

53 tGPINT IOC事件到 INT有效 — — 600 ns

54 tGLITCH GP引脚上的毛刺滤波器 — — 50 ns 注 1

注 1: 该参数为特性值,未经 100%测试。

2: 除非另外说明,否则“典型值”列中的数据适用条件为 5V, +25°C。

50

SCL

SDA输入

GPn

D0D1

写或读命令期间

INT引脚

INT引脚有效 INT引脚

51

输出引脚

GPn输入引脚

53

52

寄存器已装载

无效

数据 0字节的 LSb,取决于参数

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表 2-3: 硬件地址锁存时序

图 2-4: 硬件地址锁存时序

交流特性 标准工作条件(除非另外说明)1.8V ≤ VDD ≤ 5.5V, -40°C ≤ TA ≤ +125°C

参数编号符号 特性 最小值 典型值 (2) 最大值 单位 条件

40 tADEN POR后从 VDD稳定到 ADC使能的时间

— 0 — µs 注 1

41 tADDRLAT 从 ADC使能到地址译码和锁存的时间

— 50 — ns 注 1

42 tADDIS 从串行时钟的上升沿到ADC禁止的时间

— 10 — ns 注 1

注 1: 该参数为特性值,未经 100%测试。

2: 除非另外说明,否则“典型值”列中的数据适用条件为 5V, +25°C。

VDD

adc_en

i2c_addr[2:0]

SCL

40

41

42

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图 2-5: I2C™总线启动 /停止位时序

图 2-6: I2C™总线数据时序

注 1:有关负载条件,请参见图 2-1。

91 93SCL

SDA

启动条件 停止条件

90 92

注 1:有关负载条件,请参见图 2-1。

9091 92

100101

103

106107

109 109 110

102

SCL

SDA输入

SDA输出

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MCP23009/MCP23S09

表 2-4: I2C™总线数据要求(从器件模式)

I2C™交流特性工作条件(除非另外说明): 1.8V ≤ VDD ≤ 5.5V, -40°C ≤ TA ≤ +125°C RPU (SCL, SDA) = 1 kΩ, CL (SCL, SDA) = 135 pF。

参数编号 特性 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件

100 时钟高电平时间: THIGH

100 kHz模式 4.0 — — µs 1.8V – 5.5V

400 kHz模式 0.6 — — µs 1.8V – 5.5V

3.4 MHz模式 0.06 — — µs 2.7V – 5.5V

101 时钟低电平时间: TLOW

100 kHz模式 4.7 — — µs 1.8V – 5.5V

400 kHz模式 1.3 — — µs 1.8V – 5.5V

3.4 MHz模式 0.16 — — µs 2.7V – 5.5V

102 SDA和 SCL上升时间: TR

(注 1) 100 kHz模式 — — 1000 ns 1.8V – 5.5V

400 kHz模式 20 + 0.1 CB(2) — 300 ns 1.8V – 5.5V

3.4 MHz模式 10 — 80 ns 2.7V – 5.5V

103 SDA和 SCL下降时间: TF

(注 1) 100 kHz模式 — — 300 ns 1.8V – 5.5V

400 kHz模式 20 + 0.1 CB(2) — 300 ns 1.8V – 5.5V

3.4 MHz模式 10 — 80 ns 2.7V – 5.5V

90 启动条件建立时间: TSU:STA

100 kHz模式 4.7 — — µs 1.8V – 5.5V

400 kHz模式 0.6 — — µs 1.8V – 5.5V

3.4 MHz模式 0.16 — — µs 2.7V – 5.5V

91 启动条件保持时间: THD:STA

100 kHz模式 4.0 — — µs 1.8V – 5.5V

400 kHz模式 0.6 — — µs 1.8V – 5.5V

3.4 MHz模式 0.16 — — µs 2.7V – 5.5V

106 数据输入保持时间: THD:DAT

100 kHz模式 0 — 3.45 µs 1.8V – 5.5V

400 kHz模式 0 — 0.9 µs 1.8V – 5.5V

3.4 MHz模式 0 — 0.07 µs 2.7V – 5.5V

107 数据输入建立时间: TSU:DAT

100 kHz模式 250 — — ns 1.8V – 5.5V

400 kHz模式 100 — — ns 1.8V – 5.5V

3.4 MHz模式 0.01 — — µs 2.7V – 5.5V

92 停止条件建立时间: TSU:STO

100 kHz模式 4.0 — — µs 1.8V – 5.5V

400 kHz模式 0.6 — — µs 2.7V – 5.5V

3.4 MHz模式 0.16 — — µs 4.5V – 5.5V

注 1: 该参数为特性值,未经 100%测试。

2: CB值的范围在 10到 400(pF)。

3: 该参数不适用于高速模式(3.4 MHz)。

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 35页

MCP23009/MCP23S09

图 2-7: SPI输入时序

109 从时钟有效到输出有效的 时间:

TAA

100 kHz模式 — — 3.45 µs 1.8V – 5.5V

400 kHz模式 — — 0.9 µs 1.8V – 5.5V

3.4 MHz模式 — — 0.18 µs 2.7V – 5.5V

110 总线空闲时间: TBUF

(注 3) 100 kHz模式 4.7 — — µs 1.8V – 5.5V

400 kHz模式 1.3 — — µs 1.8V – 5.5V

3.4 MHz模式 N/A — N/A µs 2.7V – 5.5V

总线容性负载: CB

(注 2) 100 kHz和 400 kHz — — 400 pF (注 1)

3.4 MHz — — 100 pF (注 1)

输入滤波器尖峰脉冲抑制:(SDA和 SCL)

TSP

100 kHz和 400 kHz — — 50 ns (注 1)

3.4 MHz — — 10 ns (注 1)

表 2-4: I2C™总线数据要求(从器件模式) (续)

I2C™交流特性工作条件(除非另外说明): 1.8V ≤ VDD ≤ 5.5V, -40°C ≤ TA ≤ +125°C RPU (SCL, SDA) = 1 kΩ, CL (SCL, SDA) = 135 pF。

参数编号 特性 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件

注 1: 该参数为特性值,未经 100%测试。

2: CB值的范围在 10到 400(pF)。

3: 该参数不适用于高速模式(3.4 MHz)。

CS

SCK

SI

SO

1

54

76

3

102

LSb输入MSb输入

高阻状态

11

模式 1,1

模式 0,0

DS22121B_CN 第 36页 2011 Microchip Technology Inc.

MCP23009/MCP23S09

图 2-8: SPI输出时序

CS

SCK

SO

8

13

MSb输出 LSb输出

2

14

无关SI

模式 1,1

模式 0,0

9

12

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 37页

MCP23009/MCP23S09

表 2-5: SPI接口交流特性

图 2-9: SPI TV规范的典型性能曲线(参数 #12)

SPI接口交流特性工作条件(除非另外说明): 1.8V ≤ VDD ≤ 5.5V, -40°C ≤ TA ≤ +125°C。

参数编号 特性 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件

时钟频率 FCLK — — 10 MHz 1.8V – 5.5V

1 CS建立时间 TCSS 50 — — ns

2 CS保持时间 TCSH 50 — — ns 1.8V – 5.5V

3 CS禁止时间 TCSD 50 — — ns 1.8V – 5.5V

4 数据建立时间 TSU 10 — — ns 1.8V – 5.5V

5 数据保持时间 THD 10 — — ns 1.8V – 5.5V

6 CLK上升时间 TR — — 2 µs 注 1

7 CLK下降时间 TF — — 2 µs 注 1

8 时钟高电平时间 THI 45 — — ns 1.8V – 5.5V

9 时钟低电平时间 TLO 45 — — ns 1.8V – 5.5V

10 时钟延迟时间 TCLD 50 — — ns

11 时钟使能时间 TCLE 50 — — ns

12 从时钟变低到输出有效的时间

TV — — 45 ns 1.8V – 5.5V

13 输出保持时间 THO 0 — — ns

14 输出禁止时间 TDIS — — 100 ns

注 1: 该参数为特性值,未经 100%测试。

TV vs VDD

0

5

10

15

20

25

30

35

40

1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5

VDD (V)

TV (

ns)

T = -40癈

T = +25癈

T = +125癈

T = +85癈

DS22121B_CN 第 38页 2011 Microchip Technology Inc.

MCP23009/MCP23S09

3.0 封装信息

3.1 封装标识信息

图注: XX...X 客户信息 Y 年份代码(日历年的最后一位数字) YY 年份代码(日历年的最后两位数字) WW 星期代码(一月一日的星期代码为“01”) NNN 以字母数字排序的追踪代码 雾锡(Matte Tin, Sn)的 JEDEC 无铅标志 * 本封装为无铅封装。 JEDEC 无铅标志( )标示于此种封装的

外包装上。

注: Microchip 部件编号如果无法在同一行内完整标注,将换行标出,因此会限制 表示客户信息的字符数。

3e

3e

18引脚 PDIP(300 mil) 示例:

18引脚 SOIC(300 mil) 示例:

XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX

YYWWNNNXXXXXXXXXXXX

MCP23009

0919256E/P^3̂e

XXXXXXXXXXXXXXXXX

YYWWNNNXXXXXXXXXXXXXXXXX

MCP23009E/SO^^

2560919

3e

YYWWNNN

XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX

MCP23009E/SS^ 3̂e

0919256

20引脚 SSOP(300 mil) 示例:

16引脚 QFN(3x3 mm) 示例

XXXEYWWNNN

239E919256

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 39页

MCP23009/MCP23S09

Note: For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at http://www.microchip.com/packaging http://www.microchip.com/packaging

16引脚塑封正方扁平无脚封装(MG)——主体 3x3x3.9 mm [QFN]

DS22121B_CN 第 40页 2011 Microchip Technology Inc.

MCP23009/MCP23S09

Note: For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at http://www.microchip.com/packaging http://www.microchip.com/packaging

16引脚塑封正方扁平无脚封装(MG)——主体 3x3x3.9 mm [QFN]

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 41页

MCP23009/MCP23S09

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http://www.microchip.com/packaging

18引脚塑封双列直插式封装(P)——主体 300 mil [PDIP]

DS22121B_CN 第 42页 2011 Microchip Technology Inc.

MCP23009/MCP23S09

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D

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1 2 3

A

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L

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α

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http://www.microchip.com/packaging

18引脚塑封宽条小外形封装(SO)——主体 7.50 mm [SOIC]

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 43页

MCP23009/MCP23S09

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http://www.microchip.com/packaging

20引脚塑封缩小外形封装(SS)——主体 5.30 mm [SSOP]

DS22121B_CN 第 44页 2011 Microchip Technology Inc.

MCP23009/MCP23S09

附录 A: 版本历史

版本 A(2008年 12月)

• 本文档的初始版本。

版本 B(2009年 5月)

以下是修改清单:

1. 增加了 3x3 QFN封装(MG封装标识)。

2. 更新了版本历史。

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 45页

MCP23009/MCP23S09

注:

DS22121B_CN第 46页 2011 Microchip Technology Inc.

MCP23009/MCP23S09

产品标识体系

欲订货,或获取价格、交货等信息,请与我公司生产厂或各销售办事处联系。

器件 MCP23009: 带有 I2C™接口的 8位 I/O扩展器MCP23009T: 带有 I2C接口的 8位 I/O扩展器

(卷带式)

MCP23S09: 带有 SPI接口的 8位 I/O扩展器MCP23S09T: 带有 SPI接口的 8位 I/O扩展器

(卷带式)

温度范围 E = -40°C至 +125°C(扩展级) *

封装 MG = 塑封正方扁平,无脚封装 (主体 3x3x0.9 mm), 16引脚

P = 塑封 DIP(主体 300 mil), 18引脚SO = 塑封 SOIC(主体 300 mil), 18引脚SS = 塑封 SSOP(5.3 mm), 20引脚

部件编号 X /XX

封装温度范围器件

示例:

a) MCP23009-E/P: 扩展级温度,

18LD PDIP封装。b) MCP23009-E/SO: 扩展级温度,

18LD SOIC封装。c) MCP23009T-E/SO:卷带式,

扩展级温度,

18LD SOIC封装。d) MCP23009-E/SS: 扩展级温度,

20LD SSOP封装。e) MCP23009T-E/SS: 卷带式,

扩展级温度,

20LD SSOP封装。f) MCP23009-E/MG:扩展级温度,

16LD QFN封装。

a) MCP23S09-E/P: 扩展级温度,

18LD PDIP封装。b) MCP23S09-E/SO:扩展级温度,

18LD SOIC封装。c) MCP23S09T-E/SO:卷带式,

扩展级温度,

18LD SOIC封装。d) MCP23S09T-E/MG:卷带式,

扩展级温度,

16LD QFN封装。

2011 Microchip Technology Inc. DS22121B_CN第 47页

MCP23009/MCP23S09

注:

DS22121B_CN第 48页 2011 Microchip Technology Inc.

请注意以下有关 Microchip器件代码保护功能的要点:

• Microchip的产品均达到Microchip数据手册中所述的技术指标。

• Microchip确信:在正常使用的情况下,Microchip系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一。

• 目前,仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为。就我们所知,所有这些行为都不是以 Microchip数据手册中规定的操作规范来使用 Microchip产品的。这样做的人极可能侵犯了知识产权。

• Microchip愿与那些注重代码完整性的客户合作。

• Microchip或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性。代码保护并不意味着我们保证产品是“牢不可破”的。

代码保护功能处于持续发展中。Microchip承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏Microchip代码保护功能的行为均可视为违反了《数字器件千年版权法案(Digital Millennium Copyright Act)》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下,能访问您的 软件或其他受版权保护的成果,您有权依据该法案提起诉讼,从而制止这种行为。

提供本文档的中文版本仅为了便于理解。请勿忽视文档中包含

的英文部分,因为其中提供了有关 Microchip产品性能和使用情况的有用信息。Microchip Technology Inc.及其分公司和相 关公司、各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任。建议参考 Microchip Technology Inc.的英文原版文档。

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利,它们可能由更新之信息所替代。确保应用符合技术规范,是您自身应负的责任。Microchip对这些信息不作任何明示或暗示、书面或口头、法定或其他形式的声明或担保,包括但不

限于针对其使用情况、质量、性能、适销性或特定用途的适用性的声明或担保。 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任。如果将 Microchip 器件用于生命维持和 /或生命安全应用,一切风险由买方自负。买方同意在

由此引发任何一切伤害、索赔、诉讼或费用时,会维护和保障Microchip免于承担法律责任,并加以赔偿。在Microchip知识产权保护下,不得暗中或以其他方式转让任何许可证。

2011 Microchip Technology Inc.

商标

Microchip的名称和徽标组合、Microchip徽标、 dsPIC、KEELOQ、 KEELOQ徽标、 MPLAB、 PIC、 PICmicro、PICSTART、 PIC32徽标、 rfPIC和 UNI/O均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标。

FilterLab、 Hampshire、 HI-TECH C、 Linear Active Thermistor、MXDEV、MXLAB、SEEVAL和 The Embedded Control Solutions Company 均为Microchip Technology Inc.在美国的注册商标。

Analog-for-the-Digital Age、 Application Maestro、 chipKIT、chipKIT徽标、 CodeGuard、 dsPICDEM、 dsPICDEM.net、dsPICworks、 dsSPEAK、 ECAN、 ECONOMONITOR、FanSense、 HI-TIDE、 In-Circuit Serial Programming、ICSP、Mindi、MiWi、 MPASM、MPLAB Certified徽标、MPLIB、MPLINK、mTouch、Omniscient Code Generation、PICC、 PICC-18、 PICDEM、 PICDEM.net、 PICkit、PICtail、 REAL ICE、 rfLAB、 Select Mode、 Total Endurance、 TSHARC、 UniWinDriver、WiperLock和ZENA均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的商标。

SQTP是Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记。

在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有。

© 2011, Microchip Technology Inc.版权所有。

ISBN:978-1-61341-415-6

DS22121B_CN第 49页

Microchip位于美国亚利桑那州 Chandler和 Tempe与位于俄勒冈州Gresham的全球总部、设计和晶圆生产厂及位于美国加利福尼亚州和印度的设计中心均通过了 ISO/TS-16949:2009认证。 Microchip的PIC® MCU与 dsPIC® DSC、KEELOQ®跳码器件、串行 EEPROM、单片机外设、非易失性存储器和模拟产品严格遵守公司的质量体系流程。此外, Microchip在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了ISO 9001:2000 认证。

DS22121B_CN第 50页 2011 Microchip Technology Inc.

美洲公司总部 Corporate Office2355 West Chandler Blvd.Chandler, AZ 85224-6199Tel: 1-480-792-7200 Fax: 1-480-792-7277技术支持:http://www.microchip.com/support网址:www.microchip.com

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克里夫兰 ClevelandIndependence, OH Tel: 1-216-447-0464

Fax: 1-216-447-0643

达拉斯 DallasAddison, TX Tel: 1-972-818-7423 Fax: 1-972-818-2924

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印第安纳波利斯IndianapolisNoblesville, IN Tel: 1-317-773-8323Fax: 1-317-773-5453

洛杉矶 Los AngelesMission Viejo, CA Tel: 1-949-462-9523 Fax: 1-949-462-9608

圣克拉拉 Santa ClaraSanta Clara, CA Tel: 1-408-961-6444Fax: 1-408-961-6445

加拿大多伦多 TorontoMississauga, Ontario, CanadaTel: 1-905-673-0699 Fax: 1-905-673-6509

亚太地区

亚太总部 Asia Pacific OfficeSuites 3707-14, 37th FloorTower 6, The GatewayHarbour City, KowloonHong KongTel: 852-2401-1200Fax: 852-2401-3431

中国 -北京Tel: 86-10-8569-7000Fax: 86-10-8528-2104

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08/02/11